JP6668193B2 - センサ及び表示装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、センサ及び表示装置に関する。
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第1基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第2基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
特開2002−40465号公報
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能なセンサ及び表示装置を提供することにある。
一実施形態によれば、
第1駆動電極と、前記第1駆動電極に隣接して配置された第2駆動電極と、前記第2駆動電極に隣接して配置された第3駆動電極と、前記第1駆動電極に接続された第1シフトレジスタ回路と、前記第1シフトレジスタ回路と前記第3駆動電極とに接続された第2シフトレジスタ回路と、前記第2駆動電極と前記第1シフトレジスタ回路と前記第2シフトレジスタ回路とに接続された論理和回路とを備える、センサが提供される。
一実施形態によれば、
一方向に配列された複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極を順次選択可能とする複数のシフトレジスタ回路と、前記複数のシフトレジスタ回路の内の少なくとも2つのシフトレジスタ回路の出力信号に基づいて前記複数の駆動電極の内の1つの駆動電極を選択可能とする少なくとも1つの論理和回路と、を備えるセンサが提供される。
一実施形態によれば、
一方向に配列された複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極を順次選択可能とする複数のシフトレジスタ回路と、前記複数のシフトレジスタ回路の内の少なくとも2つのシフトレジスタ回路の出力信号に基づいて前記複数の駆動電極の内の1つの駆動電極を選択可能とする少なくとも1つの論理和回路と、前記複数のシフトレジスタ回路の内の第1シフトレジスタ回路にスタートパルス信号とクロック信号とを入力し、前記複数のシフトレジスト回路及び前記論理和回路により選択可能とされた前記複数の駆動電極の内の少なくとも1つの駆動電極に対して駆動信号を供給するドライバと、前記複数の駆動電極と対向し、前記複数の駆動電極との間に容量をそれぞれ形成する複数の検出電極と、を備えるセンサと、前記駆動電極と対向し、画像信号に基づいて表示する表示画素と、を備え、前記ドライバは、前記複数の駆動電極に対して、前記画像信号を順次供給する画像表示駆動と、前記駆動信号を順次供給する検出駆動とを実行する、表示装置。
図1は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す断面図である。 図2は、図1に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図3Aは、図1に示した表示パネルの一部の構造を示す断面図である。 図3Bは、図1に示したA―Bに沿って切断した表示装置の一部を示す断面図である。 図4は、センサの一構成例を示す平面図である。 図5は、センサのセンシングの一例を示す図である。 図6は、本実施形態のタッチ駆動回路の一構成例を示す模式図である。 図7は、シフトレジスタの一構成例を示す回路図である。 図8は、論理和回路の一構成例を示す回路図である。 図9は、タッチ駆動回路のシフトレジスタ及び論理和回路の動作の一例を示すタイミングチャートである。 図10は、図9に示したシフトレジスタ及び論理和回路の動作に基づくセンサの動作の一例を示す図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
図1は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置DSPの一例として、センサSSを搭載した液晶表示装置について説明する。第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していても良い。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。ここでは、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。以下の説明において、第3方向ZからX−Y平面を見ることを平面視という。表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップI1、ICチップI2、配線基板SUB3、配線基板SUB4、センサSSなどを備えている。
表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シールSEと、表示機能層(後述する液晶層LC)と、走査線駆動回路GD(GD−L、GD−R)と、駆動回路系DCSと、端子部CNTとを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。シールSEは、図1において斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。以下の説明で、X−Y平面に対して垂直な方向、例えば、第3方向Zにおいて、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。表示パネルPNLは、例えば、第1基板SUB1の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DA、及び、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAを備えている。表示領域DAは、例えば、第1領域に相当し、シールSEによって囲まれた内側に位置している。非表示領域NDAは、例えば、表示領域(第1領域)DAと隣り合う第2領域に相当する。シールSEは、非表示領域NDAに位置している。走査線駆動回路GD(GD−L、GD−R)は、非表示領域NDAに位置している。駆動回路系DCSは、第1基板SUB1に設けられている。図示した例では、駆動回路系DCSは、非表示領域NDAに位置している。駆動回路系DCSは、タッチ駆動回路TDCを含んでいる。端子部CNTは、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に位置している。端子部CNTは、各種配線等を電気的に接続する。
ICチップI1は、配線基板SUB3に実装されている。ICチップI1は、配線等を介して端子部CNTに接続されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていても良いし、配線基板SUB3に接続された配線基板SUB4に実装されていても良い。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。なお、信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CD等の機能及び構成をICチップI1、又はディスプレイドライバDDとして表現する場合もある。
ICチップI2は、配線基板SUB3に接続された配線基板SUB4に実装されている。ICチップI2は、配線CW1及びCW2を介して端子部CNTに接続されている。なお、図示した例に限らず、ICチップI2は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていても良いし、配線基板SUB3に実装されていても良い。ICチップI2は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路(検知部)RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップI1、又はディスプレイドライバDDに内蔵されていても良いし、ICチップI1及びI2とは異なる他のICチップに内蔵されていてもよい。また、検出回路RCの機能及び構成をICチップI2として表現する場合もある。
センサSSは、詳細は後述するが、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)、タッチ駆動回路TDC、共通電極駆動回路CD、及び、検出回路RCなどを含んでいる。なお、センサSSは、共通電極駆動回路CDとしてディスプレイドライバDDを含んでいてもよいし、検出回路RCとしてICチップI2を含んでいてもよい。また、センサSSは、共通電極駆動回路CD及び検出回路RCを含んでいなくともよい。また、センサSSは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を含んでいてもよい。
複数の検出電極Rxは、それぞれ、第2基板SUB2に設けられている。これらの検出電極Rxは、それぞれ、第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔をおいて並んでいる。複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3、Rx4…)は、それぞれ、検出部RS(RS1、RS2、RS3、RS4…)と、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)と、接続部CN(CN1、CN2、CN3、CN4…)と、を備えている。
検出部RSは、それぞれ、表示領域DAに位置し、第1方向Xに延出している。検出電極Rxにおいては、主として検出部RSがセンシングに利用される。図示した例では、検出部RSは、それぞれ、帯上に示されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。なお、図示した例では、検出電極Rxは、それぞれ、2本の検出部RSを備えているが、3本以上の検出部RSを備えていても良いし、1本の検出部RSを備えていても良い。
複数の端子部RTは、それぞれ、検出部RSに繋がっている。図示した例では、奇数番目の検出電極Rx1、Rx3…の各々の端子部RT1、RT3…は、非表示領域NDAの一端側部(第1側部)に位置している。また、偶数番目の検出電極Rx2、Rx4…の各々の端子部RT2、RT4…は、いずれも非表示領域NDAの他端側部(第2側部)に位置している。第1方向Xにおいて、奇数番号の検出電極Rx1、Rx3…の端子部RT1、RT3…等が設けられている方向を左(左側)と称し、左の反対方向(偶数番号の検出電極Rx2、Rx2…の端子部RT2、RT4…等が設けられている方向)を右(右側)と称する。図1において、第1側部は、表示領域DAよりも左側の領域に相当し、第2側部は、表示領域DAよりも右側の領域に相当する。端子部RTの一部は、平面視でシールSEと重なる位置に形成されている。
一方で、第1基板SUB1は、複数のパッドP(P1、P2、P3、P4…)及び複数の配線W(W1、W2、W3、W4…)を備えている。図示した例では、奇数番目のパッドP1、P3…及び配線W1、W3…は、いずれも非表示領域NDAの第1側部に位置している。また、偶数番目のパッドP2、P4…及び配線W2、W4…は、いずれも非表示領域NDAの第2側部に位置している。パッドP及び配線Wは、それぞれ、平面視でシールSEと重なっている。パッドPは、それぞれ、平面視で、対応する端子部RTと重なる位置に形成されている。図示した例では、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状に形成されている。なお、パッドPは、それぞれ、平面視した場合に台形状以外の形状、例えば、多角形状、円形状、及び、楕円形状等に形成されていてもよい。配線Wは、それぞれ、パッドPに接続され、第2方向Yに沿って延出し、端子部CNTに接続され、端子部CNTを介して配線基板SUB4に配置されたICチップI2の検出回路RCと電気的に接続されている。図示した例では、配線W1、W3は、端子部CNTを介して検出回路RCに電気的に接続された配線CW1に接続されている。同様に、配線W2、W4は、端子部CNTを介して検出回路RCに電気的に接続された配線CW2に接続されている。
図示したように、パッドP3がパッドP1よりも配線基板SUB3に近い位置に配置されたレイアウトでは、配線W1は、パッドP3の内側(つまり、表示領域DAが設けられた方向)を迂回し、パッドP3と配線基板SUB3との間で、配線W3の内側で配線W3に並んで配置されている。同様に、配線W2は、パッドP4の内側を迂回し、パッドP4と配線基板SUB3との間で、配線W4の内側で配線W4に並んで配置されている。
複数の接続用孔V(V1、V2、V3、V4…)は、それぞれ、端子部RT(RT1、RT2、RT3、RT4…)とパッドP(P1、P2、P3、P4…)とが対向する位置に形成されている。また、複数の接続用孔Vは、それぞれ、端子部RTを含む第2基板SUB2及びシールSEを貫通するとともに、パッドPまで貫通するように形成され得る。図示した例では、複数の接続用孔Vは、それぞれ、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であっても良い。複数の接続用孔Vには、接続部材C(C1、C2、C3、C4…)がそれぞれ設けられている。接続部材Cは、それぞれ、端子部RTとパッドPとを電気的に接続している。つまり、第2基板SUB2に設けられた複数の検出電極Rxは、それぞれ、接続部材Cを介して、第1基板SUB1のパッドPに接続された配線基板SUB3の検出回路RCと電気的に接続している。検出回路RCは、複数の検出電極Rxの各々から出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
以上で説明したような表示装置DSPのレイアウトによれば、非表示領域NDAにおける第1側部の幅と第2側部の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図2は、図1に示した表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置されている。走査線G、信号線S、及び、共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDは、これらの一部或いは全部が、図1に示したディスプレイドライバDD、又はICチップI1に内蔵されていても良いし、第1基板SUB1上に形成されても良い。
各画素PXは、スイッチング素子PSW、画素電極PE、共通電極CE、及び、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子PSWは、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子PSWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子PSWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子PSWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図3Aは、図1に示した表示パネルPNLの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置DSPを第1方向Xに沿って切断した断面図を示す。
図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1ガラス基板10、信号線S、共通電極CE、金属層M、画素電極PE、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。
第1絶縁膜11は、第1ガラス基板10の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第1ガラス基板10と第1絶縁膜11の間に位置している。図示していないが第1ガラス基板10、アンダーコート膜、半導体層、絶縁膜、走査配線、第1絶縁膜11が順次積層された構造である。信号線Sは、第1絶縁膜11の上に位置している。第2絶縁膜12は、信号線S、及び、第1絶縁膜11の上に位置している。共通電極CEは、第2絶縁膜12の上に位置している。金属層Mは、信号線Sの直上において共通電極CEに接触している。図示した例では、金属層Mは、共通電極CEの上に位置しているが、共通電極CEと第2絶縁膜12との間に位置していても良い。第3絶縁膜13は、共通電極CE、及び、金属層Mの上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEと対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極PE及び第3絶縁膜13を覆っている。
走査線、信号線S、及び、金属層Mは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。一例では走査配線はモリブデンとタングステンを有する金属材料から成り、信号線Sはチタンとアルミニウムを有する金属材料から成り、金属層Mはモリブデンとアルミニウムを有する金属材料から成る。この場合走査線、信号線S、金属層Mはそれぞれ異なる金属材料であると言える。共通電極CE及び画素電極PEは、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成されている。第1絶縁膜11及び第3絶縁膜13は無機絶縁膜であり、第2絶縁膜12は有機絶縁膜である。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁膜12と第3絶縁膜13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁膜13と第1配向膜AL1との間に位置していても良い。このような場合、画素電極PEはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極CEは画素電極PEと対向するスリットを有する。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。
第2基板SUB2は、第2ガラス基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
遮光層BM及びカラーフィルタCFは、第2ガラス基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
なお、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されても良い。カラーフィルタCFは、4色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層OCを配置しても良い。
検出電極Rxは、第2ガラス基板20の主面20Bに位置している。検出電極Rxは、金属を含む導電層、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。
第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1は、第1ガラス基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2は、検出電極Rxの上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
図3Bは、図1に示したA―Bに沿って切断した表示装置の一部を示す断面図である。図3Bでは、説明の便宜上、図3に示した構造を簡略化した構造例を示している。以下で、説明の便宜上、表示装置DSPに形成された複数の接続用孔Vから接続用孔V1について説明する。なお、他の接続用孔V2、V3、V4…についても同様の構成が適用できる。第1基板SUB1は、第1ガラス基板10と、パッドP1と、第1導電層L1に接触している第2導電層L2と、第2絶縁膜12とを備えている。第2基板SUB2は、第2ガラス基板20と、検出電極Rx1とを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向して配置されている。
第1ガラス基板10及び第2ガラス基板20は、例えば無アルカリガラスによって形成された絶縁基板である。パッドP1及び検出電極Rxは、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
シールSEは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置している。図示した例では、シールSEは、オーバーコート層OCと第1ガラス基板10の主面10Aとの間に位置し、一部が第1導電層L1及び第2導電層L2を覆っている。なお、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間には、絶縁層、オーバーコート層、遮光層、カラーフィルタ、及び配向膜等が位置していてもよい。
貫通孔V1は、第1基板SUB1、シールSE、及び第2基板SUB2をして設けられている。接続部材C1は、接続用孔V1の内側に設けられ、パッドP1と、検出電極Rx。図示した例では、接続用孔V1において、接続部材C1の内側の中空部分には、接続部材C1を保護するために、充填部材FIが充填されている。
次に、本実施形態の表示装置DSPに搭載されるセンサSSの一構成例について説明する。以下に説明するセンサSSは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図4は、センサSSの一構成例を示す平面図である。図示した構成例では、センサSSは、複数のセンサ駆動電極Tx(CE)(Tx1、Tx2…Txn)、複数の検出電極Rx、共通電極駆動回路CD、検出回路RC、及び、タッチ駆動回路TDCを備えている。図示した例では、複数のセンサ駆動電極Txは、それぞれ、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、複数の検出電極Rx(Rx1、Rx2、Rx3…Rxn)は、それぞれ、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと対向している。また、詳細は後述するが、タッチ駆動回路TDCは、後述する複数のシフトレジスタSR(SR1、SR2…)と、複数の論理和回路OR(OR1…)とを含む。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、図1を参照して説明したように、第1基板SUB1に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路RCと電気的に接続されている。複数のセンサ駆動電極Txは、それぞれ、複数の配線WRを介して共通電極駆動回路CDに接続されている。配線WRは、センサ駆動電極Tx及び駆動回路系DCSを接続するWR1と、駆動回路系DCS及び端子部CNTを接続するWR2と、端子部CNT及びディスプレイドライバDDの共通電極駆動回路CDを接続するWR3とを含む。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Tx(CE)は、上記の共通電極CEを含み、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。なお、複数のセンサ駆動電極Txは、それぞれ、1つの共通電極CEのみを含んでいてもよいし、複数の共通電極CEを含んでいてもよい。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時(画像表示期間)に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を順次供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時(タッチ位置検出期間)に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を順次供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要な検出信号(つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。検出電極Rxから出力された検出信号は、検出回路RCに供給される。
なお、上記した構成例におけるセンサSSは、一対の電極間の静電容量(上記の例ではセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の静電容量)の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Rxの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。
図5は、センサSSのセンシングの一例を示す図である。図示した例では、センサSSにおいて、対向するセンサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間には、容量Ccが存在する。また、平面視した場合に、被検出物となる利用者の指が検出電極Rxの内の所定の検出電極RxOとセンサ駆動電極Txの内の所定のセンサ駆動電極TxOとが交差する位置POに近接して存在するものとする。図示した例では、位置POに近接している被検出物と所定の検出電極Rxとの間には、容量Cxが生じている。
センサSSは、タッチ位置検出期間において、共通電極駆動回路CDによりセンサ駆動電極Txの内の所定のセンサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給されているときに、センシングを実行する。センサSSは、被検出物の位置等をセンシングするときに、共通電極駆動回路CDと検出回路RCとの間で信号を送受信する。例えば、センサSSは、共通電極駆動回路CDと検出回路RCとの間で同期をとするための信号を送受信する。センサSSは、所定の周期でパルス状のセンサ駆動信号TSVCOMを複数のセンサ駆動電極Txの各々に順次供給し、複数の検出電極Rxの各々から検出信号DSを取得する。センサSSは、検出回路RCにおいて、センサ駆動信号TSVCOMを供給した所定のセンサ駆動電極の位置と、取得した検出信号DSの波形とから被検出物の位置を検出する。ここで、被検出物の位置の算出は、図示しない外部装置が実行するように構成することができる。また、容量Cxは、被検出物が検出電極Rxに近い場合と、遠い場合とで異なる。このため、検出信号DSの信号レベルも被検出物が検出電極Rxに近い場合と、遠い場合とで異なる。したがって、検出回路RCは、検出信号DSのレベルに基づいて、センサSSに対する被検出物の近接度(センサSSへの第3方向Zの距離)を検出することもできる。
図示した例では、センサSSは、センサ駆動信号TSVCOMが所定のセンサ駆動電極TxOに供給されているときに、周囲の検出電極から得られるパルスよりもレベルの低いパルス状の検出信号(センサ出力値)DSを所定の検出電極RxOから取得する。センサSSは、取得した検出信号DSを検出回路RCに供給する。センサSSは、検出回路RCにおいて、センサ駆動信号TSVCOMが所定のセンサ駆動電極TxOに供給されるタイミングと、所定の検出電極RxOで取得された検出信号DSとに基づいて、センサSSのX−Y平面内での被検出物の2次元位置情報(例えば、位置POの位置情報等)やセンサSSのX−Y平面に対する被検出物の近接度を検出する。
図6は、本実施形態のタッチ駆動回路TDCの一構成例を示す模式図である。
タッチ駆動回路TDCは、複数のシフトレジスタSR(SR1、SR2…SRn)と、複数の論理和回路OR(OR1、OR2…ORn)と、複数の切替回路SW(SW1、SW2…SWn)とを含んでいる。図示した例では、複数のシフトレジスタSRと、論理和回路ORとは、それぞれ、交互に配置され、複数のセンサ駆動電極Tx(CE)に接続されている。例えば、シフトレジスタSR1は、切替回路SW1と、論理和回路OR1と、シフトレジスタSR2とに接続されている。切替回路SW1は、センサ駆動電極(共通電極)Tx1に接続されている。シフトレジスタSR2は、切替回路SW3と、論理和回路OR1及びOR2と、シフトレジスタSR3とに接続されている。論理和回路OR1は、切替回路SW2に接続されている。切替回路SW2は、センサ駆動電極(共通電極)Tx2に接続されている。同様に、複数のシフトレジスタSR2…SRnと、複数の論理和回路OR2…ORnと、複数の切替回路SW3…SWnとがそれぞれ接続されている。なお、タッチ駆動回路TDCにおいて、複数のシフトレジスタSRと複数の論理和回路ORとが交互に配列されているとしたが、交互に配列されていなくともよい。また、タッチ駆動回路TDCは、複数の論理和回路ORを含んでいなくともよく、少なくとも1つの論理和回路ORを含んでいればよい。また、図6に示すようにシフトレジスタSRの回路群を下段に、論理和回路ORの回路群を上段に配置し、論理和回路ORをシフトレジスタSR間に配置する構造であっても良いが、図4に示すように同じ段で、つまり直線状に並ぶようにシフトレジスタSRと論理和回路ORを配置する構造であっても良い。
シフトレジスタSRは、入力信号を所定の周期で順次送り、各段のシフトレジスタから出力信号SRout(SRout1、SRout2…SRout(n))を出力する。論理和回路(OR回路)ORは、シフトレジスタSRの内のいくつかのシフトレジスタからの出力信号を受けて、出力信号ORout(ORout1、ORout2…ORout(n))を出力する。例えば、論理和回路ORは、複数の入力端子と1つの出力端子を有し、少なくとも1つの入力端子に“1”が入力されたときに1を出力する回路である。図示した例では、複数のシフトレジスタSRにおいて、共通電極駆動回路CDから転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKが、シフトレジスタSR1に供給されている。複数のシフトレジスタSRは、転送スタートパルスSDSTを転送クロックSDCKにより順次送り、各段のシフトレジスタから出力信号を出力する。例えば、シフトレジスタSR1は、入力された転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKに基づいて、切替回路SW1と、論理和回路OR1とに出力信号SRout1を出力する。シフトレジスタSR1は、転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKに基づいて、シフトレジスタSR2に出力信号NTout1を出力する。ここで、出力信号NTout1は、次のシフトレジスタSR2の転送スタートパルスに相当する。論理和回路OR1は、シフトレジスタSR1からの出力信号SRout1とシフトレジスタSR2からの出力信号SRout2とを受けて、切替回路SW2に出力信号ORout1を出力する。シフトレジスタSR2は、出力信号NTout1と転送クロックSDCKとを受けて、切替回路SW3と、論理和回路OR1及び2とに出力信号SRout2を出力する。論理和回路OR1は、出力信号SRout2を受けて、切替回路SW3に出力信号ORout1を出力する。論理和回路OR2は、出力信号SRout2を受けて、切替信号SW4に出力信号out2を出力する。シフトレジスタSR2は、転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKに基づいて、シフトレジスタSR3に出力信号NTout2を出力する。ここで、出力信号NTout1は、次のシフトレジスタSR3の転送スタートパルスに相当する。これらの信号処理が複数のシフトレジスタSR3…SRnと、複数の論理和回路OR3(図示せず)…ORn−1とでも同様に順次実行される。
切替回路SWは、シフトレジスタSRからの出力信号SRout及び論理和回路ORからの出力信号ORoutに応じて、センサ駆動電極Txの内の選択されたセンサ駆動電極Txに供給する信号の配線を切り替える。図示して例では、切替回路SWは、シフトレジスタSR又は論理和回路ORからタッチ位置検出期間を示す出力信号を受けたときに、センサ駆動電極Txの内の選択されたセンタ駆動電極にセンサ駆動信号TSVCOM、すなわち駆動パルスTSVCOMを供給する配線に切り替える。一方、切替回路SWは、シフトレジスタSR又は論理和回路ORから画像表示期間を示す出力信号を受けたときに、センサ駆動電極Tx内の選択されたセンタ駆動電極にコモン駆動信号VCOMDCを供給する配線に切り替える。例えば、シフトレジスタSR又は論理和回路ORの出力信号が“H:High”であるとき、切替回路SWは、センサ駆動電極Tx内の選択されたセンタ駆動電極にセンサ駆動信号TSVCOMを供給する配線に切り替える。一方、シフトレジスタSR又は論理和回路ORの出力信号が“L:Low”であるとき、切替回路SWは、センサ駆動電極Tx内の選択されたセンタ駆動電極にコモン駆動信号VCOMDCを供給する配線に切り替える。
図7は、シフトレジスタSR1の一構成例を示す回路図である。
複数のシフトレジスタSRの一例として、シフトレジスタSR1の回路構成例について説明する。なお、シフトレジスタSR1以外の他の複数のシフトレジスタSR2、SR3…SRnにもシフトレジスタSR1と同様の回路構成が適用できる。
図示した例では、シフトレジスタSR1は、第1回路部CT1と、第2回路部CT2とを含む。第1回路部CT1は、共通電極駆動回路CDから転送スタートパルスSDSTと転送クロックSDCKとが供給される。第1回路部CT1は、転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKに基づいて、出力信号SRout1を生成する。第1回路部CT1は、出力信号SRout1を第2回路部CT2と、外部、例えば、切替回路SW1及び論理和回路OR1とに出力する。第2回路部CT2は、共通電極駆動回路CDから転送クロックSDCKとが供給され、且つ、第1回路部CT1から出力信号SRout1が供給される。第2回路部CT2は、転送クロックSDCK及び出力信号SRout1に基づいて、出力信号NTout1を生成する。第2回路部CT2は、出力信号NTout1を外部、例えば、次のシフトレジスタSR2に出力する。なお、図7に示したシフトレジスタSRの回路構成は、一例であり、図7に示した回路構成例と同様の出力信号SRoutが得られれば、他の回路構成であってもよい。
図8は、論理和回路OR1の一構成例を示す回路図である。
複数の論理和回路ORの一例として、論理和回路OR1の構成例について説明する。なお、論理和回路OR1以外の他の複数の論理和回路OR2、OR3…ORn−1にも論理和回路OR1と同様の構成が適用できる。
図示した例では、論理和回路OR1は、シフトレジスタSR1からの出力信号SRout1と、シフトレジスタSR2からの出力信号SRout2とを受けて、出力信号ORout1を出力する。例えば、論理和回路OR1は、出力信号SRout1及びSRout2の内の少なくとも一方が “H”のときに、 “H”の出力信号ORout1を出力する。
図9は、タッチ駆動回路TDCのシフトレジスタSR及び論理和回路ORの動作の一例を示すタイミングチャートである。図9は、1フレームのセンシングにおけるシフトレジスタSR及び論理和回路ORの動作の一例を示している。図9において、横軸は、時間を示している。
共通電極駆動回路CDは、転送スタートパルスSDSTの信号が立ち上がっている期間、すなわち、転送スタートパルスSDSTが“H”の期間に転送クロックSDCKのパルスが変化する回数によって、センシングする共通駆動電極の数と位置とを設定できる。共通電極駆動回路CDは、タッチ位置検出期間の1フレームの開始時に “H”の転送スタートパルスSDSTをシフトレジスタSRに供給する。共通電極駆動回路CDは、転送スタートパルスSDSTの信号が立ち上がっている期間に、所定の回数の信号が変化する転送クロックSDCKのパルスをシフトレジスタSRに供給する。なお、共通電極駆動回路CDは、転送スタートパルスSDSTを1フレーム中で複数回発生させてもよい。また、共通電極駆動回路CDは、仕様に応じて複数の転送クロックSDCKを用いることもできる。
シフトレジスタSRは、転送スタートパルスの信号が立ち上がっている期間に、共通電極駆動回路CDから供給された転送クロックSDCKのパルスが変化する回数に基づいて、所定の位置と数のシフトレジスタから“H”の出力信号を出力する。例えば、シフトレジスタSRは、共通電極駆動回路CDから転送スタートパルスSDSTの信号が“H”のときの転送クロックSDCKのパルスの変化数と同じ数の先のシフトレジスタを選択し、この変化数の数と同じ数のシフトレジスタから“H”の出力信号を出力することができる。
また、論理和回路ORは、シフトレジスタSRからの出力信号に応じて、“H”の出力信号を出力する。図6に示すように、論理和回路ORとシフトレジスタSRとが交互に配置されている場合、論理和回路ORは、両隣りのシフトレジスタの出力信号に応じて出力信号を出力する。例えば、論理和回路ORは、接続された両隣りのシフトレジスタの出力信号の少なくとも一方が“H”の出力信号である場合に、“H”の出力信号を出力する。
図示した例では、図6の一構成例のタッチ駆動回路に対して、共通電極駆動回路CDは、転送スタートパルスSDSTの信号が“H”の期間に、転送クロックSDCKの信号を1回だけ変化させている。そのため、共通電極駆動回路CDから転送スタートパルスSDST及び転送クロックSDCKが供給されたときに、シフトレジスタSR1は、転送クロックSDCKに応じて、信号が1回立ち上がる出力信号SRout1を出力する。論理和回路OR1は、シフトレジスタSR1の出力信号SRout1を受けて、出力信号SRout1と同時に信号が1回立ち上がる出力信号ORout1を出力する。次に、シフトレジスタSR2は、シフトレジスタSR1からの出力信号NTout1と転送クロックSDCKとを受けて、転送クロックSDCKに応じて出力信号ORout1からシフトして、信号が1回立ち上がる出力信号SRout2を出力する。論理和回路OR1は、シフトレジスタSR2の出力信号を受けて、出力信号SRout2と同時に信号が1回立ち上がる出力信号ORout1を出力する。また、論理和回路OR2も、シフトレジスタSR2の出力信号SRout2を受けて、出力信号SRout2と同時に信号が1回立ち上がる出力信号ORout2を出力する。同様に、他の複数のシフトレジスタSR3…SRnも、それぞれ、各段のシフトレジスタの出力信号SRout2…SRout(n−1)及び転送クロックSDCKに基づいて、信号が1回立ち上がる出力信号SRout3…SRout(n)を出力する。他の複数の論理和回路OR3…ORn−1も、それぞれ、各段のシフトレジスタの出力信号SRout2…SRout(n−1)に基づいて、接続された2つのシフトレジスタの内の出力信号の内の少なくとも一方の出力信号が“H”である場合に、信号が1回立ち上がる出力信号ORout3…ORout(n−1)を出力する。
図10は、図9に示したシフトレジスタSR及び論理和回路ORの動作に基づくセンサSSの動作の一例を示す図である。図10は、1フレームのセンシングにおけるセンサSSの動作の一例を示している。図10において、縦軸は、時間を示している。
センサSSは、シフトレジスタSR及び論理和回路ORからの出力信号に基づいて、タッチ位置検出期間に、センサ駆動電極Txの内の選択した少なくとも1つのセンサ駆動電極にセンサ駆動信号TSVCOMを供給し、センシングを実行する。
図示した例では、複数のシフトレジスタSR1、SR2、SR3…は、それぞれ、一端部、例えば、シフトレジスタSR1から数えて奇数番目の複数のセンサ駆動電極Tx1、Tx3、Tx5…に出力信号を出力する。一方、論理和回路OR1、OR2、OR3…は、それぞれ、一端部、例えば、シフトレジスタSR1から数えて偶数番目の複数のセンサ駆動電極に出力する。したがって、図9のタイミングチャートに基づいて、はじめに、センサSSは、タッチ位置検出期間DT1に、選択したセンサ駆動電極Tx1及びTx2にセンシングを実行する。次に、センサSSは、タッチ位置検出期間DT2に、選択したセンサ駆動電極Tx2、Tx3、及び、Tx4にセンシングを実行する。次に、センサSSは、タッチ位置検出期間DT3に、選択したセンサ駆動電極Tx4、Tx5、及び、Tx6にセンシングを実行する。同様に、センサSSは、シフトレジスタSR及び論理和回路ORからの出力信号に基づいて、各タッチ位置検出期間DT4…DTnに、選択した少なくとも2つのセンサ駆動電極毎にセンシングを順次実行していく。図示した例では、センサSSは、各タッチ位置検出期間において、少なくとも1つのセンサ駆動電極が重複するようにセンシングを実行しているが、このようにセンシングを実行することにより正確な被検出物の検出が可能となる。また、図示した例では、センサSSは、転送クロックSDCKにより、タッチ位置検出期間を指定することができる。このため、センサSSは、タッチ位置検出期間を指定する信号を出力する回路を備えている必要がないために、回路を簡易化することが可能である。例えば、センサSSは、転送スタートパルスSDSTが“H”の期間に、複数回変化する転送クロックSDCKのパルスをシフトレジスタSR等に供給する場合には、このタッチ位置検出期間を指定する信号を出力する回路を備えている必要性がある。
上述したセンサSSを備える表示装置DSPによれば、第2基板SUB2に設けられた検出電極Rxは、接続用孔Vに設けられた接続部材Cにより、第1基板SUB1に設けられたパッドPと接続されている。このため、検出電極Rxと検出回路RCとを接続するための配線基板を第2基板SUB2に実装する必要がなくなる。つまり、第1基板SUB1に実装された配線基板SUB3は、表示パネルPNLに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Rxと検出回路RCとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板SUB3の他に別個の配線基板を必要とする一構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができる。また、第2基板SUB2に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルPNLの非表示領域、特に、配線基板SUB3が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化が可能となる。
本実施形態によれば、センサ機能付き表示装置DSPは、第1基板SUB1の上面に設けられたタッチ駆動回路TDCに少なくとも1つの論理和回路を備えている。論理和回路ORは、シフトレジスタSRと比較して回路として簡易である。また、センサ機能付き表示装置DPSは、シフトレジスタSR及び論理和回路ORでタッチ駆動回路TDCを構成することで、タッチ位置検出期間を指定するための回路を簡易化することが可能である。そのため、タッチ駆動回路TDCを小型化することが可能である。その結果、本実施形態により、狭額縁化が可能な表示装置DSPを提供することが可能である。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル SS…センサ
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板 SUB3…配線基板 SUB4…配線基板
10…第1ガラス基板 20…第2ガラス基板
CNT…端子部 DCS…駆動回路系 タッチ駆動回路…TDC
DA…表示領域(第1領域) NDA…非表示領域(第2領域)
DD…ディスプレイドライバ 共通電極駆動回路…CD RC…検出回路
SR…シフトレジスタ OR…論理和回路 SW…切替回路

Claims (11)

  1. 第1駆動電極と、前記第1駆動電極に隣接して配置された第2駆動電極と、前記第2駆動電極に隣接して配置された第3駆動電極と、
    前記第1駆動電極に接続された第1シフトレジスタ回路と、
    前記第1シフトレジスタ回路と前記第3駆動電極とに接続された第2シフトレジスタ回路と、
    前記第2駆動電極と前記第1シフトレジスタ回路と前記第2シフトレジスタ回路とに接続された論理和回路とを備える、センサ。
  2. 前記第1シフトレジスタ回路は、前記第1駆動電極を選択可能にする第1出力信号を前記第1駆動電極に出力し、前記第2シフトレジスタ回路を駆動させる第2出力信号を前記第2シフトレジスタ回路に出力し、
    前記第2シフトレジスタ回路は、前記第1シフトレジスタ回路から第2出力信号を受けて、前記第3駆動電極を選択可能とする第3出力信号を前記第3駆動電極に出力し、
    前記論理和回路は、前記第1出力信号と前記第出力信号とを受けて、前記第2駆動電極を選択可能とする第4出力信号を前記第2駆動電極に出力する、請求項1に記載のセンサ。
  3. 前記第1シフトレジスタ回路にスタートパルス信号とクロック信号とを入力し、前記第1シフトレジスタ回路及び前記論理和回路により選択可能とされた前記第1駆動電極及び前記第2駆動電極に対する近接物を検出するための駆動信号を供給するドライバを備える、請求項2に記載のセンサ。
  4. 前記ドライバは、前記スタートパルス信号の立ち上がり期間に1回変化する前記クロック信号を出力する、請求項3に記載のセンサ。
  5. 前記ドライバは、前記クロック信号により近接物を検出する検出期間を指定する、請求項4に記載のセンサ。
  6. 前記第1駆動電極、前記第2駆動電極、及び前記第3駆動電極に対向し、前記第1駆動電極、前記第2駆動電極、及び前記第3駆動電極の各々との間に容量を形成する検出電極を備える請求項5に記載のセンサ。
  7. 記第1駆動電極と、前記第2駆動電極と、前記第3駆動電極とを備え、前記検出電極に接続された第1パッドと、前記検出電極に接続された第2パッドと、前記検出電極に接続された第3パッドとを備える第1基板と、
    前記第1基板に対向し、前記第1パッド、前記第2パッド、及び前記第3パッドから離間し、孔を有する絶縁基板及び前記検出電極を備える第2基板と、
    記孔を通って、前記第1パッド、前記第2パッド、及び前記第3パッドの少なくとも1つと前記検出電極とを電気的に接続する接続部材と、
    前記第1基板に接続され、前記第1パッド、前記第2パッド、及び前記第3パッドに電気的に接続された前記ドライバを備える配線基板と、を備える請求項6に記載のセンサ。
  8. 前記論理和回路は、供給される複数の信号の内の少なくとも1つの信号のレベルがハイレベルであるときに、ハイレベルの信号を出力する、請求項1乃至7のいずれか1に記載のセンサ。
  9. 一方向に配列された複数の駆動電極と、
    前記複数の駆動電極を順次選択可能とする複数のシフトレジスタ回路と、
    前記複数のシフトレジスタ回路の内の少なくとも2つのシフトレジスタ回路の出力信号に基づいて前記複数の駆動電極の内の1つの駆動電極を選択可能とする少なくとも1つの論理和回路と、を備えるセンサ。
  10. 前記複数のシフトレジスタ回路は、前記複数の駆動電極において、一端部に配置された第1駆動電極から数えて奇数番目の駆動電極を順次選択可能に構成され、
    前記少なくとも1つの論理和回路は、前記複数の駆動電極において、前記第1駆動電極から数えて駆動電極から前記複数の駆動電極の内の偶数番目の少なくとも1つの駆動電極を選択可能に構成されている、請求項9に記載のセンサ。
  11. 一方向に配列された複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極を順次選択可能とする複数のシフトレジスタ回路と、
    前記複数のシフトレジスタ回路の内の少なくとも2つのシフトレジスタ回路の出力信号に基づいて前記複数の駆動電極の内の1つの駆動電極を選択可能とする少なくとも1つの論理和回路と、
    前記複数のシフトレジスタ回路の内の第1シフトレジスタ回路にスタートパルス信号とクロック信号とを入力し、前記複数のシフトレジス回路及び前記論理和回路により選択可能とされた前記複数の駆動電極の内の少なくとも1つの駆動電極に対して駆動信号を供給するドライバと、
    前記複数の駆動電極と対向し、前記複数の駆動電極との間に容量をそれぞれ形成する複数の検出電極と、を備えるセンサと、
    前記複数の駆動電極と対向し、画像信号に基づいて表示する表示画素と、を備え、
    前記ドライバは、前記複数の駆動電極に対して、前記画像信号を順次供給する画像表示駆動と、前記駆動信号を順次供給する検出駆動とを実行する、表示装置。
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