JP6666438B2 - 局部バックコンタクト太陽電池の製造方法 - Google Patents
局部バックコンタクト太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6666438B2 JP6666438B2 JP2018520006A JP2018520006A JP6666438B2 JP 6666438 B2 JP6666438 B2 JP 6666438B2 JP 2018520006 A JP2018520006 A JP 2018520006A JP 2018520006 A JP2018520006 A JP 2018520006A JP 6666438 B2 JP6666438 B2 JP 6666438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- texture
- silicon wafer
- etching
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 15
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 5
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 5
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002110 nanocone Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本発明は、局部バックコンタクト（Ｂａｃｋ ｃｏｎｔａｃｔ）太陽電池の製造方法に関し、太陽電池の技術分野に属する。
通常の化石燃料はますます枯渇しており、既存の再生可能エネルギーの中で、太陽エネルギーは最もクリーンで、普遍的で、潜在力を有する代替エネルギーに違いない。また、光電池又は太陽電池として知られている太陽光発電装置は、半導体ＰＮ接合の光起電力効果に基づき、太陽エネルギーを直接電気エネルギーに変換することができる。
科学技術の発展に伴い、新たに開発した高効率の太陽電池として、裏面パッシベーション（ＰＥＲＣ）太陽電池があり、業界で広く注目されている。当該太陽電池のコアとなる部分は、酸化アルミニウム膜又はシリカ膜（５〜１００ｎｍ）によりシリコンウェハの裏面を被覆して、表面をパッシベーション化し、長波応答を向上する機能を奏することで、電池の変換効率を高めることにある。しかしながら、酸化アルミニウム、又はシリカは非導電性であるため、アルミニウム金属がシリコンウェハ裏面に接触して電流を収集することができるように、前記膜の一部に開口処理をする必要がある。また、アルミニウム金属（通常はアルミニウムペースト）は、高温焼結の過程で、アルミナ又はシリカのパッシベーション効果を破壊するため、通常アルミナ膜又はシリカ膜に、窒化シリコン膜をさらに被覆して、保護機能を奏している。
従来の局部バックコンタクト太陽電池の製造方法は、主に、シリコンウェハ表面の損傷層を除去するステップと、テクスチャの製造ステップと、拡散ステップと、裏面を研磨するステップと、エッチング及びガラス異物を除去するステップと、裏面にアルミナ膜又はシリカ膜を堆積するステップと、窒化シリコン保護膜を堆積するステップと、前面に窒化シリコン減反射層を堆積するステップと、裏面局部を開口処理するステップと、前面及び裏面を金属ペーストによりスクリーン印刷するステップと、焼結ステップとを行って、太陽電池を得ている。
しかしながら，前記製造方法には、下記のような問題が存在する。
（１）製造工程が比較的に複雑であるため、コストの向上を招来し、コストをさらに低減させる必要がある。
（２）得られた局部バックコンタクト太陽電池の光電転換効率はやはり低く、さらなる改善の余地がある。
（１）製造工程が比較的に複雑であるため、コストの向上を招来し、コストをさらに低減させる必要がある。
（２）得られた局部バックコンタクト太陽電池の光電転換効率はやはり低く、さらなる改善の余地がある。
本発明は、局部バックコンタクト太陽電池の製造方法を提供することをその目的とする。
前記目的を達成するために、本発明は以下の技術案を提供する。
本発明によれば、局部バックコンタクト太陽電池の製造方法を提供し、当該製造方法は、シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行うステップと；テクスチャの製造ステップと；ＰＮ接合を形成するステップと；エッチング及びガラス異物を除去するステップと；裏面にパッシベーション膜を堆積するステップと；前面にパッシベーション減反射層を堆積するステップと；裏面局部を開口するステップと；前面及び裏面に金属ペーストをスクリーン印刷するステップと；焼結ステップと；を含み、
前記テクスチャの製造ステップは、金属触媒によるエッチング法を採用して行い、そのテクスチャ構造はナノサイズのテクスチャ構造である。
本発明によれば、局部バックコンタクト太陽電池の製造方法を提供し、当該製造方法は、シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行うステップと；テクスチャの製造ステップと；ＰＮ接合を形成するステップと；エッチング及びガラス異物を除去するステップと；裏面にパッシベーション膜を堆積するステップと；前面にパッシベーション減反射層を堆積するステップと；裏面局部を開口するステップと；前面及び裏面に金属ペーストをスクリーン印刷するステップと；焼結ステップと；を含み、
前記テクスチャの製造ステップは、金属触媒によるエッチング法を採用して行い、そのテクスチャ構造はナノサイズのテクスチャ構造である。
前記において、前記テクスチャを製造するステップは、金属触媒によるエッチング法を採用して行い、金属触媒による化学エッチング法は、公知の技術である。
前記ナノサイズのテクスチャ構造の表面反射率は、１２〜２０％である。
本発明によれば、シリコンウェハ表面の損傷層の除去と両面研磨を１段階の工程に統合して実施することで、シリコンウェハ表面の損傷層を除去すると共に、裏面パッシベーション化された研磨面を形成して、従来技術において拡散ステップの後に裏面研磨ステップを行わなければならないことを省略して、製造工程を簡単にさせ、コストを低減させた。また、研磨した後にナノサイズのテクスチャを形成するため、ＰＮ接合がさらに平坦になり、接合区域の複合を防止して、開回路電圧を向上するばかりでなく、金属の接続に寄与して、開回路電圧を向上させると共に、ＦＦも向上させる。
好ましくは、前記シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行うステップは、酸性溶液又はアルカリ溶液を採用して２〜２０分間行う。
前記酸性溶液は、ＨＮＯ３とＨＦの混合溶液，又はＨ２ＣｒＯ４とＨＦの混合溶液であり、溶液温度は５〜４５℃である。
前記ＨＮＯ３とＨＦの混合溶液において、ＨＮＯ３（６９％）／ＨＦ（４９％）又はＨ２ＣｒＯ４（６０％）／ＨＦ（４９％）の体積比は４：１を超える。
前記アルカリ溶液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、又は水酸化テトラメチルアンモニウム溶液であり、溶液温度は５〜９５℃である。また、前記アルカリ溶液の体積濃度は１％を超える。
前記酸性溶液は、ＨＮＯ３とＨＦの混合溶液，又はＨ２ＣｒＯ４とＨＦの混合溶液であり、溶液温度は５〜４５℃である。
前記ＨＮＯ３とＨＦの混合溶液において、ＨＮＯ３（６９％）／ＨＦ（４９％）又はＨ２ＣｒＯ４（６０％）／ＨＦ（４９％）の体積比は４：１を超える。
前記アルカリ溶液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、又は水酸化テトラメチルアンモニウム溶液であり、溶液温度は５〜９５℃である。また、前記アルカリ溶液の体積濃度は１％を超える。
前記において、前記ＨＮＯ３（６９％）／ＨＦ（４９％）は、体積濃度６９％のＨＮＯ３と体積濃度４９％のＨＦを指し、
前記Ｈ２ＣｒＯ４（６０％）／フッ化水素酸（４９％）は、体積濃度６０％のＨ２ＣｒＯ４と体積濃度４９％のＨＦを指す。
前記Ｈ２ＣｒＯ４（６０％）／フッ化水素酸（４９％）は、体積濃度６０％のＨ２ＣｒＯ４と体積濃度４９％のＨＦを指す。
前記水酸化テトラメチルアンモニウム溶液は、ＴＭＡＨ溶液とも呼ばれる。
好ましくは、前記シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行うステップの処理時間は２〜１０分間である。
前記技術案において、前記テクスチャの製造ステップは、以下のように行われる。
先ず、シリコンウェハを、金属イオン含有溶液中に投入して浸し、シリコンウェハの表面に、金属ナノ粒子をコーティングさせ、
その後、化学エッチング液でシリコンウェハの表面をエッチングして、ナノサイズのテクスチャを形成し、
前記化学エッチング液は、酸化剤を含有するフッ化水素酸溶液である。
前記方法は、金属触媒による２段階のエッチング法である。
先ず、シリコンウェハを、金属イオン含有溶液中に投入して浸し、シリコンウェハの表面に、金属ナノ粒子をコーティングさせ、
その後、化学エッチング液でシリコンウェハの表面をエッチングして、ナノサイズのテクスチャを形成し、
前記化学エッチング液は、酸化剤を含有するフッ化水素酸溶液である。
前記方法は、金属触媒による２段階のエッチング法である。
前記技術案において、前記金属イオン含有溶液は、フッ化水素酸を含む金属塩溶液である。
前記技術案において、前記テクスチャの製造ステップは、シリコンウェハを酸化剤及び金属塩を含有するフッ化水素酸溶液に投入して、シリコンウェハの表面にナノサイズのテクスチャを形成する。当該方法は、金属触媒による１段階のエッチング法である。
前記金属イオンは、従来技術で用いる金属イオンから選択され、例えば、金、銀、銅、ニッケルから選ばれる一つ以上である。また、前記酸化剤は、Ｈ２Ｏ２、ＨＮＯ３又はＨ２ＣｒＯ４であってもよい。
前記技術案において、前記溶液中の金属イオン濃度は、６Ｅ−５ｍｏｌ／Ｌを超える。
好ましくは、前記ナノサイズのテクスチャの大きさは１００〜９００ｎｍである。
前記技術案において、前記テクスチャの製造ステップとＰＮ接合を形成するステップの間に、テクスチャマイクロ構造の修正エッチングステップをさらに含むことができ、具体的には、テクスチャ付きシリコンウェハを化学エッチング液に投入して、マイクロ構造の修正エッチングを行い、
前記化学エッチング液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、酸性酸化剤とフッ化水素酸の混合溶液から選ばれる一つである。
前記化学エッチング液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、酸性酸化剤とフッ化水素酸の混合溶液から選ばれる一つである。
前記化学エッチング液を使用してシリコンウェハ表面に対しマイクロ構造の修正エッチングを行うことは、アルカリ溶液（ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液）又は酸混合液（ＨＦとＨＮＯ３）を使用して、前記のように得られたナノテクスチャのマイクロ構造（ライン状又は深孔状）に対し修正エッチングを行うことを指す。ここで、アルカリ溶液は、主に前記ライン状又は深孔状のマイクロ構造に対し異方性エッチングを行い、前記異方性エッチングは、もともとのライン状又は深孔状のマイクロ構造に沿って優先的に行われる。また、前記エッチングの結果、もともとのライン状又は深孔状のマイクロ構造は、角付きナノピラミッド状又はナノ錐体又はナノピット（Ｐｉｔ）状の構造に修正される。これに対し、酸混合液（ＨＦとＨＮＯ３）は、主に前記ライン状又は深孔状のマイクロ構造に対し同方性エッチングを行い、当該同方性エッチングは、もともとのライン状又は深孔状のマイクロ構造に沿って優先的に行われる。当該エッチングの結果、もともとのライン状又は深孔状のマイクロ構造は、ポアサイズが比較的に大きく、深さが比較的に浅いナノ孔状の構造に修正される。このような修正エッチングを通じて、最終的に比較的に優れたナノテクスチャを得ることができる。
前記技術案において、前記テクスチャマイクロ構造の修正エッチングステップの前に、又は当該ステップの後に，金属粒子を除去するステップをさらに含み、具体的に、酸性溶液、脱イオン水でそれぞれシリコンウェハを洗浄して、金属粒子を除去する。
本発明の製造方法は、ダイヤモンドワイヤーによりシリコンウェハを切断して製作する太陽電池に用いられることができる。
本発明に提供された技術案によれば、従来技術に比べ、以下のような技術効果が奏される。
１．本発明の新規局部バックコンタクト太陽電池の製造方法によれば、シリコンウェハ表面の損傷層を除去すると共に、シリコンウェハに対し両面研磨を行う。即ち、シリコンウェハ表面の損傷層の除去と両面研磨とを１段階の工程に統合して実施することで、シリコンウェハ表面の損傷層を除去する目的を奏すると同時に、裏面パッシベーション化された研磨面を形成して、従来技術において拡散ステップの後に裏面研磨を行うステップを省略して、工程の流れを簡単にさせ、製造にかかる時間を短縮して、生産効率を向上させ、コストを低減した。また、電池のワット当たりの製造コストを増大させることなく、多結晶シリコンＰＥＲＣ電池を量産することができる。
２．本発明によれば、先ず、化学エッチングを採用して両面研磨を行った後、ナノサイズのテクスチャを形成することで、ＰＮ接合がさらに平坦になり、接合部分の複合を低減して、開回路電圧を向上するばかりでなく、金属の接続に寄与して、開回路電圧を向上させると共に、ＦＦも向上させる。実験により、従来の技術に比べ、本発明により製造された多結晶シリコンＰＥＲＣ電池の電池効率は０．４７％程度向上されたことが確認され、予想できない技術的効果が得られた。
３．本発明によれば、前面はナノテクスチャ構造を採用して、前面の反射率を低減し、短波の吸収を向上した。さらに、裏面パッシベーション膜工程を結び付けることで、全波帯における光吸収を向上する目的を実現し、多結晶シリコン電池の効率を大幅に向上した。
１．本発明の新規局部バックコンタクト太陽電池の製造方法によれば、シリコンウェハ表面の損傷層を除去すると共に、シリコンウェハに対し両面研磨を行う。即ち、シリコンウェハ表面の損傷層の除去と両面研磨とを１段階の工程に統合して実施することで、シリコンウェハ表面の損傷層を除去する目的を奏すると同時に、裏面パッシベーション化された研磨面を形成して、従来技術において拡散ステップの後に裏面研磨を行うステップを省略して、工程の流れを簡単にさせ、製造にかかる時間を短縮して、生産効率を向上させ、コストを低減した。また、電池のワット当たりの製造コストを増大させることなく、多結晶シリコンＰＥＲＣ電池を量産することができる。
２．本発明によれば、先ず、化学エッチングを採用して両面研磨を行った後、ナノサイズのテクスチャを形成することで、ＰＮ接合がさらに平坦になり、接合部分の複合を低減して、開回路電圧を向上するばかりでなく、金属の接続に寄与して、開回路電圧を向上させると共に、ＦＦも向上させる。実験により、従来の技術に比べ、本発明により製造された多結晶シリコンＰＥＲＣ電池の電池効率は０．４７％程度向上されたことが確認され、予想できない技術的効果が得られた。
３．本発明によれば、前面はナノテクスチャ構造を採用して、前面の反射率を低減し、短波の吸収を向上した。さらに、裏面パッシベーション膜工程を結び付けることで、全波帯における光吸収を向上する目的を実現し、多結晶シリコン電池の効率を大幅に向上した。
以下、実施例に基づき、本発明をより詳しく説明する。
実施例１
本実施例の多結晶シリコンＰＥＲＣ太陽電池の製造方法は、以下のステップにより構成される。
先ず、濃度２質量％のＫＯＨ溶液を使用して、多結晶シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行い、ここで、処理温度は７０℃であり、処理時間は６分間である。
次に、研磨後のシリコンウェハに対し、金属触媒によるエッチングを行ってナノテクスチャを製造し、当該ナノテクスチャのサイズは３００〜５００ｎｍで、反射率は１７％である。
前記テクスチャの製造ステップは、以下の通りである。
シリコンウェハを金属イオン含有化学エッチング液中に投入して、シリコンウェハの表面にナノサイズのテクスチャを形成する。ここで、前記化学エッチング液は、銀イオンを含有するＨ２Ｏ２とフッ化水素酸の混合溶液である。また、当該混合溶液において、金属イオン濃度は６Ｅ−５ｍｏｌ／Ｌを超え、Ｈ２Ｏ２濃度は０．５ｍｏｌ／Ｌで、ＨＦ濃度は１０ｍｏｌ／Ｌである。
次に、テクスチャの製造ステップ後のシリコンウェハを、拡散炉に投入し、温度８００℃〜８４０℃の下で６０〜９０分間の拡散を行い，ここで、シート抵抗は６０〜１２０Ω／ｓｑである。
次に、拡散後のシリコンウェハの裏面、エッジに対しエッチングを行い、表面のＰＳＧ層を除去する。
次に、エッチング後のシリコンウェハの裏面に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＡｌ２Ｏ３パッシベーション層を堆積させ、アニール処理を行う。
次に、Ａｌ２Ｏ３パッシベーション層の上に、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＮｘ膜をさらに堆積させる。
次に、シリコンウェハの前表面に、ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコン減反射膜を堆積する。
次に、レーザーを用いて裏面の局部を開口する。
最後に、スクリーン印刷を行って電極を製作し、オーム接触（Ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。
本実施例の多結晶シリコンＰＥＲＣ太陽電池の製造方法は、以下のステップにより構成される。
先ず、濃度２質量％のＫＯＨ溶液を使用して、多結晶シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面研磨を行い、ここで、処理温度は７０℃であり、処理時間は６分間である。
次に、研磨後のシリコンウェハに対し、金属触媒によるエッチングを行ってナノテクスチャを製造し、当該ナノテクスチャのサイズは３００〜５００ｎｍで、反射率は１７％である。
前記テクスチャの製造ステップは、以下の通りである。
シリコンウェハを金属イオン含有化学エッチング液中に投入して、シリコンウェハの表面にナノサイズのテクスチャを形成する。ここで、前記化学エッチング液は、銀イオンを含有するＨ２Ｏ２とフッ化水素酸の混合溶液である。また、当該混合溶液において、金属イオン濃度は６Ｅ−５ｍｏｌ／Ｌを超え、Ｈ２Ｏ２濃度は０．５ｍｏｌ／Ｌで、ＨＦ濃度は１０ｍｏｌ／Ｌである。
次に、テクスチャの製造ステップ後のシリコンウェハを、拡散炉に投入し、温度８００℃〜８４０℃の下で６０〜９０分間の拡散を行い，ここで、シート抵抗は６０〜１２０Ω／ｓｑである。
次に、拡散後のシリコンウェハの裏面、エッジに対しエッチングを行い、表面のＰＳＧ層を除去する。
次に、エッチング後のシリコンウェハの裏面に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＡｌ２Ｏ３パッシベーション層を堆積させ、アニール処理を行う。
次に、Ａｌ２Ｏ３パッシベーション層の上に、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＮｘ膜をさらに堆積させる。
次に、シリコンウェハの前表面に、ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコン減反射膜を堆積する。
次に、レーザーを用いて裏面の局部を開口する。
最後に、スクリーン印刷を行って電極を製作し、オーム接触（Ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。
比較例１
実施例と同じ原料を使用して、局部バックコンタクト太陽電池を製造し、当該製造方法は、シリコンウェハ表面の損傷層を削除するステップと、テクスチャの製造ステップと、拡散ステップと、裏面研磨ステップと、エッチング及びガラス異物を除去するステップと、裏面にアルミナ膜又はシリカ膜を堆積するステップと、窒化シリコン保護膜を堆積するステップと、前面に窒化シリコン減反射層を堆積するステップと、裏面局部を開口するステップと、前面及び裏面に金属ペーストをスクリーン印刷するステップと、焼結ステップとを行って、太陽電池を得た。
実施例と同じ原料を使用して、局部バックコンタクト太陽電池を製造し、当該製造方法は、シリコンウェハ表面の損傷層を削除するステップと、テクスチャの製造ステップと、拡散ステップと、裏面研磨ステップと、エッチング及びガラス異物を除去するステップと、裏面にアルミナ膜又はシリカ膜を堆積するステップと、窒化シリコン保護膜を堆積するステップと、前面に窒化シリコン減反射層を堆積するステップと、裏面局部を開口するステップと、前面及び裏面に金属ペーストをスクリーン印刷するステップと、焼結ステップとを行って、太陽電池を得た。
前記実施例と比較例の太陽電池をテストし、その結果を下記の表に示す。
前記表からわかるように、比較例に比べ、本発明により得られた多結晶シリコンＰＥＲＣ電池の效率は０．４７％程度向上され、予想できない技術的効果が得られた。さらに、開回路電圧を向上すると共に、充填因子ＦＦも向上した。これは、本発明によれば、拡散後形成したＰＮ接合がより平坦になり、金属の接続に寄与するからである。
Claims (9)
- 多結晶シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面の全面研磨を行ってから、テクスチャを製造するステップと、
ＰＮ接合を形成するステップと、
エッチング及びガラス異物を除去するステップと、
裏面にパッシベーション膜を堆積するステップと、
前面にパッシベーション減反射層を堆積するステップと、
裏面局部を開口するステップと、
前面及び裏面に金属ペーストをスクリーン印刷するステップと、
焼結ステップと、を含み、
前記テクスチャの製造ステップは、金属触媒によるエッチング法を採用し、
前記テクスチャ構造はナノサイズのテクスチャ構造であり、
前記多結晶シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面の全面研磨を行うステップは、温度５〜９５℃のアルカリ溶液を用いて２〜２０分間行い、前記アルカリ溶液の体積濃度は１％を超える、
多結晶局部バックコンタクト太陽電池の製造方法。 - 前記アルカリ溶液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液又は水酸化テトラメチルアンモニウム溶液である、
請求項１に記載の製造方法。 - 前記シリコンウェハ表面の損傷層を除去し且つ両面の全面研磨を行うステップの処理時間は、２〜１０分間である、
請求項２に記載の製造方法。 - 前記テクスチャの製造ステップは、
先ず、シリコンウェハを金属イオン含有溶液中に浸して、シリコンウェハの表面に金属ナノ粒子をコーティングし、
次に、化学エッチング液を用いてシリコンウェハ表面をエッチングして、ナノサイズのテクスチャを形成し、
前記化学エッチング液は、酸化剤を含有するフッ化水素酸溶液である、
請求項１に記載の製造方法。 - 前記金属イオン含有溶液は、フッ化水素酸を含有する金属塩溶液である、
請求項４に記載の製造方法。 - 前記テクスチャの製造ステップは、
シリコンウェハを酸化剤及び金属塩を含有するフッ化水素酸溶液中に投入して、シリコンウェハ表面にナノサイズのテクスチャを製造する、
請求項１に記載の製造方法。 - 前記溶液中の金属イオンの濃度は６Ｅ−５ｍｏｌ／Ｌを超える、
請求項４又は６に記載の製造方法。 - 前記テクスチャの製造ステップとＰＮ接合を形成するステップの間に、
テクスチャ付きシリコンウェハを化学エッチング液中に投入してマイクロ構造の修正エッチングを行う、テクスチャマイクロ構造の修正エッチングステップをさらに含み、
前記化学エッチング液は、ＮａＯＨ溶液、ＫＯＨ溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液、酸性酸化剤とフッ化水素酸との混合溶液から選ばれる１種である、
請求項１に記載の製造方法。 - 前記テクスチャマイクロ構造の修正エッチングステップの前に、又は前記テクスチャマイクロ構造の修正エッチングステップの後に、
酸性溶液、脱イオン水でそれぞれシリコンウェハを洗浄して、金属粒子を除去するステップをさらに含む、
請求項８に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510400159.7 | 2015-07-09 | ||
| CN201510400159.7A CN104993019A (zh) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 |
| PCT/CN2015/100097 WO2017004958A1 (zh) | 2015-07-09 | 2015-12-31 | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018526835A JP2018526835A (ja) | 2018-09-13 |
| JP6666438B2 true JP6666438B2 (ja) | 2020-03-13 |
Family
ID=54304803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018520006A Active JP6666438B2 (ja) | 2015-07-09 | 2015-12-31 | 局部バックコンタクト太陽電池の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9966484B2 (ja) |
| EP (1) | EP3321979B1 (ja) |
| JP (1) | JP6666438B2 (ja) |
| CN (2) | CN104993019A (ja) |
| TW (1) | TWI669830B (ja) |
| WO (1) | WO2017004958A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104993019A (zh) | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 |
| CN105489709B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-04-13 | 上海大族新能源科技有限公司 | Perc太阳能电池及其制备方法 |
| CN105845778A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-10 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 不影响正表面的晶硅perc电池碱抛光方法 |
| DE102017206455A1 (de) * | 2017-04-13 | 2018-10-18 | Rct Solutions Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung eines Halbleiter-Substrats |
| CN109671802A (zh) * | 2017-10-16 | 2019-04-23 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种背钝化高效多晶硅perc双面电池工艺 |
| CN107825818B (zh) * | 2017-10-20 | 2019-10-25 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 蜂窝结构板表面聚酰亚胺膜的粘贴工艺 |
| CN108010987A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-05-08 | 江苏爱多能源科技有限公司 | 一种采用丝网印刷氧化铝浆料的电池片成型工艺 |
| KR20190068352A (ko) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 셀 |
| CN108447942B (zh) * | 2018-03-09 | 2020-08-21 | 常州时创能源股份有限公司 | 多晶黑硅perc电池的抛光制绒工艺 |
| CN109285772B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-07-13 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置 |
| CN109216505A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-15 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 具备多晶硅钝化膜的晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN109830564B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-01-01 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种太阳能电池片的背抛光工艺 |
| CN110534408A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-12-03 | 苏州昊建自动化***有限公司 | 一种晶硅电池片链式碱抛光生产线以及链式碱抛光方法 |
| CN112951946B (zh) * | 2019-12-11 | 2023-03-17 | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 | Perc返工电池的返工工艺 |
| CN114334801A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN114420767A (zh) * | 2020-10-12 | 2022-04-29 | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN112133792A (zh) * | 2020-10-12 | 2020-12-25 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
| CN112563370A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-26 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 单晶perc晶硅电池背钝化制备工艺及perc太阳能电池 |
| CN114686843A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN113299796B (zh) * | 2021-05-28 | 2022-11-29 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种晶体硅片的制绒方法及硅片 |
| CN114188439A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-15 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种解决钝化接触晶硅电池切割损失的方法 |
| CN115241330B (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-27 | 英利能源发展(天津)有限公司 | 一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150609A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP3925867B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-06 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
| JP4263124B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2009-05-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP3687970B1 (ja) * | 2004-12-24 | 2005-08-24 | 信越化学工業株式会社 | 太陽光発電用モジュール及びこれを用いた太陽光発電システム |
| US8119438B2 (en) * | 2007-10-24 | 2012-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing solar cell |
| WO2010032933A2 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and texturing method thereof |
| US20100258173A1 (en) | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Joseph Laia | Polishing a thin metallic substrate for a solar cell |
| US8647526B2 (en) * | 2009-06-04 | 2014-02-11 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Two component etching |
| WO2011060193A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Wet-chemical systems and methods for producing black silicon substrates |
| CN101937944A (zh) | 2010-08-31 | 2011-01-05 | 上海交通大学 | 双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102487105A (zh) | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制备立体结构高效太阳能电池的方法 |
| CA2815764A1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response |
| KR101668402B1 (ko) * | 2011-03-30 | 2016-10-28 | 한화케미칼 주식회사 | 태양 전지 제조 방법 |
| CN102403399B (zh) * | 2011-07-30 | 2013-10-30 | 常州天合光能有限公司 | 一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构 |
| KR101860919B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2018-06-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| CN102569522A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-11 | 常州大学 | 一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法 |
| CN102751377B (zh) * | 2012-06-20 | 2014-11-12 | 常州天合光能有限公司 | 一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺 |
| CN104584240B (zh) * | 2012-09-24 | 2017-04-26 | Imec 非营利协会 | 制造硅光伏电池的方法 |
| JP2014146712A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hyogo Prefecture | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| US20140261666A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Methods of manufacturing a low cost solar cell device |
| CN103219428B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-08-19 | 苏州大学 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 |
| JP6114108B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP2015053398A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 太陽電池の製造方法 |
| CN103456804B (zh) * | 2013-09-24 | 2016-04-27 | 上海大学 | 在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法 |
| CN103603055B (zh) * | 2013-11-25 | 2016-03-23 | 英利能源（中国）有限公司 | 单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法 |
| CN104716224A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种背钝化高效perl电池工艺 |
| CN104051580B (zh) * | 2014-07-10 | 2017-05-24 | 苏州大学 | 硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN104218123A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-17 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法 |
| CN104393114A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-03-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法 |
| CN104638031A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-05-20 | 中电投西安太阳能电力有限公司 | 基于GaN纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法 |
| CN104993019A (zh) | 2015-07-09 | 2015-10-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法 |
-
2015
- 2015-07-09 CN CN201510400159.7A patent/CN104993019A/zh active Pending
- 2015-12-31 JP JP2018520006A patent/JP6666438B2/ja active Active
- 2015-12-31 EP EP15897606.8A patent/EP3321979B1/en active Active
- 2015-12-31 US US15/514,287 patent/US9966484B2/en active Active
- 2015-12-31 WO PCT/CN2015/100097 patent/WO2017004958A1/zh active Application Filing
- 2015-12-31 CN CN201580083085.7A patent/CN108292691A/zh active Pending
-
2016
- 2016-05-11 TW TW105114537A patent/TWI669830B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3321979A4 (en) | 2019-03-20 |
| CN108292691A (zh) | 2018-07-17 |
| EP3321979A1 (en) | 2018-05-16 |
| CN104993019A (zh) | 2015-10-21 |
| JP2018526835A (ja) | 2018-09-13 |
| EP3321979B1 (en) | 2021-01-20 |
| TWI669830B (zh) | 2019-08-21 |
| WO2017004958A1 (zh) | 2017-01-12 |
| US9966484B2 (en) | 2018-05-08 |
| TW201703277A (zh) | 2017-01-16 |
| US20170294545A1 (en) | 2017-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6666438B2 (ja) | 局部バックコンタクト太陽電池の製造方法 | |
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| CN105070792B (zh) | 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法 | |
| CN101976701B (zh) | 背钝化电池的制造方法 | |
| CN105810779B (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN101179100A (zh) | 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103022262A (zh) | 一种背面点接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN113410319A (zh) | 一种常温制绒方法、及其制绒而成的硅片、太阳能电池片及其制备方法 | |
| CN104362221A (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| CN104576813A (zh) | 一种光电材料表面的纳米结构绒面及其制备方法 | |
| CN111341880A (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| CN103050573B (zh) | 一种背钝化电池的制备方法 | |
| TW201036188A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| CN105489709A (zh) | Perc太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2012162901A1 (zh) | 背接触晶体硅太阳能电池片制造方法 | |
| CN105696083B (zh) | 一种太阳能电池绒面的制备方法 | |
| CN111584685A (zh) | 一种新型太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103618029A (zh) | 一种背钝化mwt光伏电池的制造方法 | |
| CN102881754A (zh) | 一种氧化铝不鼓泡的背面点接触电池及其制备方法 | |
| CN105609572A (zh) | 单晶电池片的制绒方法、单晶电池片及单晶光伏组件 | |
| JP2005136062A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN103746039A (zh) | 晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| JP2015138920A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP5516611B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180717 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181204 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191021 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191219 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6666438 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |