JP6657913B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 147
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Images
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
電子走行層と、電子走行層の上方に設けられた電子供給層と、電子供給層の上面に設けられたp型半導体層と、を有する積層体のp型半導体層の一部をエッチングして電子供給層を露出させ、分離された第1p型半導体層と第2p型半導体層を形成する工程と、第1p型半導体層の上面にドレイン電極を形成する工程と、第2p型半導体層の上面にゲート電極を形成する工程と、電子供給層の上方にソース電極を形成する工程と、を備えている。この場合、ドレイン電極とソース電極の間にゲート電極が配置される。なお、ドレイン電極、ゲート電極、及び、ソース電極を形成する順番は問わない。必要に応じて、各電極を形成する工程の少なくとも2つを同時に実行してもよい。
まず、図5に示すように、半導体基板110、バッファ層112、電子走行層114、電子供給層116、及び、p型窒化ガリウム層220が積層した積層体210、を準備する。バッファ層112、電子走行層114、電子供給層116、及び、p型窒化ガリウム層220は、MOCVD技術を利用して、半導体基板110上に結晶成長させることで形成することができる。
110 :半導体基板
112 :バッファ層
114 :電子走行層
116 :電子供給層
118 :発光ダイオード
120 :第1p型半導体層
122 :第2p型半導体層
124 :ドレイン電極
126 :ゲート電極
128 :ソース電極
130 :保護膜
140 :接続部
210 :積層体
220 :p型窒化ガリウム層
ID :電流
R1、R2 :抵抗
Claims (4)
- 電子走行層と、
前記電子走行層の上方に設けられている電子供給層と、
前記電子供給層の上方に設けられており、透明の導電材料からなるドレイン電極と、
前記電子供給層の上方に設けられており、前記ドレイン電極から離れて配置されているソース電極と、
前記電子供給層の上方に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に配置されているゲート電極と、
前記ドレイン電極の下方に設けられており、前記電子供給層の上面に積層されているp型の第1p型半導体層と、を備えている半導体装置。 - 前記ゲート電極の下方に設けられており、前記電子供給層の上面に積層されているp型の第2p型半導体層をさらに備えており、
前記第1p型半導体層と前記第2p型半導体層が同一面内に存在する、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電子走行層、前記電子供給層、及び、前記第1p型半導体層が、窒化物半導体である、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 電子走行層と、前記電子走行層の上方に設けられた電子供給層と、前記電子供給層の上面に設けられたp型半導体層と、を有する積層体の前記p型半導体層の一部をエッチングして前記電子供給層を露出させ、前記電子供給層上に分離された第1p型半導体層と第2p型半導体層を形成する工程と、
前記第1p型半導体層の上方に、透明の導電材料からなるドレイン電極を形成する工程と、
前記第2p型半導体層の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記電子供給層の上方にソース電極を形成する工程と、を備えており、
前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に前記ゲート電極が配置される、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015245675A JP6657913B2 (ja) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015245675A JP6657913B2 (ja) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017112232A JP2017112232A (ja) | 2017-06-22 |
JP6657913B2 true JP6657913B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=59079786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015245675A Expired - Fee Related JP6657913B2 (ja) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6657913B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5552230B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2014-07-16 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP5292895B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-09-18 | 日本電気株式会社 | 窒化物半導体トランジスタ |
JP5903642B2 (ja) * | 2011-08-08 | 2016-04-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP6349554B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2018-07-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2015173151A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2015
- 2015-12-16 JP JP2015245675A patent/JP6657913B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017112232A (ja) | 2017-06-22 |
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