JP6653199B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1〜図9に基づき、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。説明の便宜上、半導体装置A10の厚さ方向を第1方向Zと、第1方向Zに対して直角である平面図の上下方向を第2方向Xと、第1方向Zおよび第2方向Xに対していずれも直角である平面図の左右方向を第3方向Yとそれぞれ定義する。
図10〜図15に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
11:半導体素子(パワーMOSFET・IGBT)
111:素子主面
111a:第2電極パッド
111b:第3電極パッド
112:素子裏面
112a:第1電極パッド
12:接合層
21:第1リード
211:第1パッド
211a:パッド主面
211b:パッド裏面
211c:パッド貫通孔
212:第1端子
213:中間連絡部
22:第2リード
221:第2パッド
222:第2端子
23:第3リード
231:第3パッド
232:第3端子
3:放熱部材
31:側壁部
311:側壁貫通孔
32:頂版部
321:放熱面
322:内面
323:係合爪
324:凹部
325:頂版貫通孔
4:封止樹脂
41:樹脂主面
42:樹脂裏面
43:樹脂第1側面
44:樹脂第2側面
45:凹部
46:本体挿通孔
51:外装めっき層
52:内装めっき層
61:第1ボンディングワイヤ
62:第2ボンディングワイヤ
Z:第1方向
X:第2方向
Y:第3方向
Claims (21)
- 厚さ方向である第1方向において互いに反対側を向くパッド主面およびパッド裏面を有する第1パッドと、前記第1方向に対して直角である第2方向に沿って延出する第1端子と、を含む第1リードと、
前記第1方向において互いに反対側を向く素子主面と素子裏面とを有し、かつ前記素子裏面が前記パッド主面に向かい合って搭載された半導体素子と、
前記パッド主面から起立し、かつ前記第1方向および前記第2方向のいずれに対して直角である第3方向に離間して配置された一対の側壁部と、前記第3方向における両端が前記一対の側壁部に固定され、かつ前記パッド主面と同一方向を向く放熱面を有する頂版部と、を含む放熱部材と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記頂版部には、前記第3方向における両端の各々に、前記一対の側壁部のいずれかが係合する複数の係合爪が形成されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記複数の係合爪は、いずれも前記封止樹脂に覆われている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記パッド裏面および前記放熱面が、ともに前記封止樹脂から露出している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記一対の側壁部には、ともに前記第3方向に貫通した側壁貫通孔が形成されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一対の側壁部は、ともに前記第2方向に沿って配置されている、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1方向に沿って視て、前記頂版部は、前記半導体素子の全部に重なっている、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1リードおよび前記放熱部材は、ともに同一の金属からなる、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、前記第1方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面を有し、前記第1方向において前記封止樹脂には、前記樹脂主面から前記樹脂裏面までに至る本体挿通孔が形成されている、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第1方向において、前記第1パッドにはパッド貫通孔が形成され、かつ前記頂版部には頂版貫通孔が形成されている、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1リードは、前記第1パッドと前記第1端子とにつながる中間連絡部を含み、前記中間連絡部は、前記第1パッドおよび前記第1端子の双方に対して傾斜している、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1リードから離間して配置され、かつ前記第2方向に沿って延出する第2リードおよび第3リードを備え、前記第2リードおよび前記第3リードは、ともに前記素子主面に導通し、前記第1方向における前記第1端子、前記第2リードおよび前記第3リードの位置がいずれも等しい、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記第1端子、前記第2リードおよび前記第3リードは、いずれも前記第3方向に沿って配列され、前記第3方向において前記第1端子は、前記第2リードと前記第3リードとの間に位置している、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第1端子、前記第2リードおよび前記第3リードは、いずれも前記封止樹脂から露出した部分を有し、当該部分を覆って形成された外装めっき層を備える、請求項12または13に記載の半導体装置。
- 前記外装めっき層は、Snを主成分とする合金からなる、請求項14に記載の半導体装置。
- 前記第2リードと前記素子主面とを接続する第1ボンディングワイヤと、前記第3リードと前記素子主面とを接続する第2ボンディングワイヤと、を備え、前記第1ボンディングワイヤおよび前記第2ボンディングワイヤは、ともに同一の金属からなる、請求項12ないし15のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1ボンディングワイヤおよび第2ボンディングワイヤは、ともにAlからなる、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記第2ボンディングワイヤの横断面積は、前記第1ボンディングワイヤの横断面積よりも大である、請求項16または17に記載の半導体装置。
- 前記パッド主面、前記第2リードおよび前記第3リードのそれぞれ一部ずつに形成された内装めっき層を備える、請求項16ないし18のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記内装めっき層は、Agからなる、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、パワーMOSFETまたはIGBTである、請求項12ないし20のいずれかに記載の半導体装置。
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