JP6642386B2 - Reflow device and substrate manufacturing method using the same - Google Patents

Reflow device and substrate manufacturing method using the same Download PDF

Info

Publication number
JP6642386B2
JP6642386B2 JP2016225140A JP2016225140A JP6642386B2 JP 6642386 B2 JP6642386 B2 JP 6642386B2 JP 2016225140 A JP2016225140 A JP 2016225140A JP 2016225140 A JP2016225140 A JP 2016225140A JP 6642386 B2 JP6642386 B2 JP 6642386B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
component
heating unit
heating
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016225140A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018082119A (en
Inventor
政靖 山本
政靖 山本
敦司 古本
敦司 古本
正人 神野
正人 神野
央裕 池田
央裕 池田
博輝 神谷
博輝 神谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2016225140A priority Critical patent/JP6642386B2/en
Priority to CN201780070356.4A priority patent/CN109952818B/en
Priority to PCT/JP2017/037612 priority patent/WO2018092493A1/en
Priority to TW106137026A priority patent/TWI645758B/en
Publication of JP2018082119A publication Critical patent/JP2018082119A/en
Priority to US16/407,806 priority patent/US11090751B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6642386B2 publication Critical patent/JP6642386B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/04—Heating appliances
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/008—Soldering within a furnace
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/04—Heating appliances
    • B23K3/047—Heating appliances electric
    • B23K3/0478—Heating appliances electric comprising means for controlling or selecting the temperature or power
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/081—Blowing of gas, e.g. for cooling or for providing heat during solder reflowing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、リフロー装置およびそれを用いた基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a reflow apparatus and a method for manufacturing a substrate using the same.

従来、予め常温で付与しておいたはんだを溶融して、接合を行うリフローはんだ付けという方法が知られている。特許文献１に記載されているように、プリント基板にリフローはんだ付けを行うリフロー装置が知られている。   Conventionally, there has been known a method called reflow soldering in which solder previously applied at room temperature is melted and joined. As described in Patent Literature 1, a reflow apparatus that performs reflow soldering on a printed circuit board is known.

特開２００９−２０００７２号公報JP 2009-200772 A

車載用電子制御ユニットに用いられる基板には、集積回路または抵抗等の比較的熱容量が小さい表面実装部品だけでなく、アルミ電解コンデンサ、リアクトルまたは樹脂コネクタ等の比較的熱容量が大きい表面実装部品が搭載される見込みがある。今後、基板上の熱容量差は、大きくなっていくと予測される。   The board used for the in-vehicle electronic control unit has not only surface mounted components with relatively small heat capacity such as integrated circuits or resistors, but also surface mounted components with relatively large heat capacity such as aluminum electrolytic capacitors, reactors or resin connectors. It is likely to be done. It is predicted that the heat capacity difference on the substrate will increase in the future.

これらの表面実装部品を基板に搭載する方法として、リフローはんだ付けが用いられる。基板上の熱容量差が大きくなる場合、熱容量が小さい表面実装部品は、過熱状態になりやすく、熱容量が大きい表面実装部品は、未溶融状態になりやすい。このため、基板に付与されているはんだを加熱するとき、基板上の熱容量差が大きくなっても、均一化することが望まれる。また、熱容量が大きい表面実装部品によって、はんだを加熱する時間が長くなる虞がある。基板に付与されているはんだを加熱するとき、短時間で加熱を行うことが望まれる。   Reflow soldering is used as a method for mounting these surface mount components on a substrate. When the difference in heat capacity on the substrate is large, surface mount components having a small heat capacity are likely to be overheated, and surface mount components having a large heat capacity are likely to be in an unmelted state. For this reason, when heating the solder applied to the substrate, it is desired that the solder be uniform even if the heat capacity difference on the substrate increases. In addition, there is a concern that the time for heating the solder may be prolonged due to the surface mount component having a large heat capacity. When heating the solder applied to the substrate, it is desired to perform the heating in a short time.

特許文献１では、熱容量が小さい部品に比較的高い温度の熱風を供給し、熱容量が大きい部品に比較的低い温度の熱風を供給する方法が記載されている。この方法では、基板上の表面実装部品の位置に制約が生じ、リフロー装置が複雑化または大型化する虞がある。   Patent Literature 1 discloses a method of supplying a relatively high temperature hot air to a component having a small heat capacity and supplying a relatively low temperature hot air to a component having a large heat capacity. In this method, the position of the surface mount component on the substrate is restricted, and the reflow device may be complicated or large.

本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、基板上のはんだを均一化し、簡易なリフロー装置およびそれを用いた基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a simple reflow apparatus for uniformizing solder on a substrate and a method for manufacturing a substrate using the same.

本発明のリフロー装置は、第１部品（９１）および第１部品の熱容量よりも熱容量が大きい第２部品（９２）を有する基板（９０）をリフローはんだ付けする。
リフロー装置は、複数の加熱部（１１、１２、１３、１４、１５、１６）、ブース（４０）および制御部（８０）を備える。 The reflow apparatus of the present invention reflow solders a substrate (90) having a first component (91) and a second component (92) having a larger heat capacity than the heat capacity of the first component.
The reflow device includes a plurality of heating units (11, 12, 13, 14, 15, 16), a booth (40), and a control unit (80).

加熱部は、基板に気体を送風し、第１部品の温度（Ｔ１）および第２部品の温度（Ｔ２）を昇温可能である。
ブースは、排気流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７）および排気開口部（３９）を有し、加熱部を収容し、排気流路および排気開口部を経由して加熱部が送風した気体を排気する。
排気流路は、加熱部同士の間または加熱部とブースの内壁（３８）との間に区画形成されている。
排気開口部は、排気流路に連通する。
制御部は、第１部品の温度および第２部品の温度を昇温し、その後、第１部品の温度が低下するように、かつ、第２部品の温度が上昇するように、加熱部を制御することを少なくとも２回以上行う。 The heating unit blows gas to the substrate, and can raise the temperature (T1) of the first component and the temperature (T2) of the second component.
The booth has an exhaust passage (31, 32, 33, 34, 35, 36, 37) and an exhaust opening (39), accommodates a heating unit, and heats through the exhaust passage and the exhaust opening. The gas exhausted by the unit is exhausted.
The exhaust passage is defined between the heating units or between the heating unit and the inner wall (38) of the booth.
The exhaust opening communicates with the exhaust passage.
The control unit controls the heating unit to increase the temperature of the first component and the temperature of the second component, and then to decrease the temperature of the first component and increase the temperature of the second component. Is performed at least twice.

これにより、第１部品の温度がはんだの融点以上で、一定に維持されつつ、第２部品の温度がはんだの融点に上昇できる。このため、第１部品の温度と第２部品の温度との差が小さくなりやすくなり、基板上の温度が均一化される。また、リフロー装置の制御を設定するのみであるため、リフロー装置が簡易な構成になる。   Thereby, the temperature of the second component can be raised to the melting point of the solder while the temperature of the first component is kept constant at or above the melting point of the solder. For this reason, the difference between the temperature of the first component and the temperature of the second component tends to be small, and the temperature on the substrate is made uniform. Further, since only the control of the reflow device is set, the reflow device has a simple configuration.

また、本発明は、上記リフロー装置を用いた基板の製造方法として提供される。
この基板の製造方法は、第１温度制御工程（Ｓ１０３）、第２温度制御工程（Ｓ１０４）および繰り返し工程（Ｓ１０５）を含む。
第１温度制御工程は、第１部品の温度および第２部品の温度を昇温する。
第２温度制御工程は、第１温度制御工程後、第１部品の温度が低下し、かつ、第２部品の温度が昇温する。
繰り返し工程は、第１温度制御工程、第２温度制御工程の順番で、第１温度制御工程および第２温度制御工程を少なくとも２回以上行う。
これにより、上記リフロー装置と同様の効果を奏する。 Further, the present invention is provided as a method for manufacturing a substrate using the above reflow apparatus.
The method for manufacturing a substrate includes a first temperature control step (S103), a second temperature control step (S104), and a repetition step (S105).
The first temperature control step raises the temperature of the first component and the temperature of the second component.
In the second temperature control step, after the first temperature control step, the temperature of the first component decreases and the temperature of the second component increases.
In the repetition step, the first temperature control step and the second temperature control step are performed at least twice in the order of the first temperature control step and the second temperature control step.
Thereby, the same effects as those of the above-described reflow device can be obtained.

本発明の第１実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a reflow device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of a reflow device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態によるリフロー装置の制御部の処理を説明するためのタイムチャート。4 is a time chart for explaining processing of the control unit of the reflow device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態によるリフロー装置を用いた基板の製造方法を説明するためのフローチャート。5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a substrate using the reflow device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 5 is a configuration diagram of a reflow device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 9 is a configuration diagram of a reflow device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第４実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 9 is a configuration diagram of a reflow device according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 13 is a configuration diagram of a reflow device according to a fifth embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態によるリフロー装置の制御部の処理を説明するためのタイムチャート。13 is a time chart for explaining processing of a control unit of a reflow device according to a fifth embodiment of the present invention. その他の実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a reflow device according to another embodiment. その他の実施形態によるリフロー装置の構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a reflow device according to another embodiment.

以下、本発明の実施形態によるリフロー装置１を図面に基づいて説明する。複数の実施形態の説明において、第１実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明する。また、本実施形態という場合、複数の実施形態を包括する。   Hereinafter, a reflow device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of the plurality of embodiments, the same components as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals. Further, the present embodiment includes a plurality of embodiments.

（第１実施形態）
図１に示すように、リフロー装置１は、基板９０上に表面実装部品としての第１部品９１および第２部品９２をリフローはんだ付け行うのに、用いられる。
基板９０は、例えば、車載用電子制御ユニットに用いられる。
基板９０と第１部品９１との間および基板９０と第２部品９２との間に、はんだペースト９３が印刷または塗布されている。 (1st Embodiment)
As shown in FIG. 1, the reflow apparatus 1 is used for performing reflow soldering of a first component 91 and a second component 92 as surface mount components on a substrate 90.
The board 90 is used for, for example, a vehicle-mounted electronic control unit.
Solder paste 93 is printed or applied between substrate 90 and first component 91 and between substrate 90 and second component 92.

第１部品９１は、基板９０上で最も熱容量が小さい部品である。第１部品９１は、例えば、集積回路または抵抗等である。
第２部品９２は、基板９０上で最も熱容量が大きい部品である。第２部品９２は、例えば、アルミ電解コンデンサ、リアクトルまたは樹脂コネクタ等である。 The first component 91 is a component having the smallest heat capacity on the substrate 90. The first component 91 is, for example, an integrated circuit or a resistor.
The second component 92 is a component having the largest heat capacity on the substrate 90. The second component 92 is, for example, an aluminum electrolytic capacitor, a reactor or a resin connector.

第１部品９１の熱容量を第１熱容量Ｈ１とし、第２部品９２の熱容量を第２熱容量Ｈ２とする。第２熱容量Ｈ２と第１熱容量Ｈ１との差を熱容量差ΔＨとする。
第２熱容量Ｈ２は、第１熱容量Ｈ１よりも大きい、すなわち、Ｈ２＞Ｈ１ である。
第１部品９１の温度を低熱容量温度Ｔ１とし、第２部品９２の温度を高熱容量温度Ｔ２とする。
第２熱容量Ｈ２が第１熱容量Ｈ１よりも大きいため、高熱容量温度Ｔ２は、低熱容量温度Ｔ１よりも上昇しにくくなっている。 The heat capacity of the first component 91 is referred to as a first heat capacity H1, and the heat capacity of the second component 92 is referred to as a second heat capacity H2. The difference between the second heat capacity H2 and the first heat capacity H1 is defined as a heat capacity difference ΔH.
The second heat capacity H2 is larger than the first heat capacity H1, that is, H2> H1.
The temperature of the first component 91 is a low heat capacity temperature T1, and the temperature of the second component 92 is a high heat capacity temperature T2.
Since the second heat capacity H2 is larger than the first heat capacity H1, the high heat capacity temperature T2 is less likely to rise than the low heat capacity temperature T1.

リフロー装置１は、複数の加熱部である第１−第６加熱部１１−１６、ブース３０、冷却器６０および制御部８０を備える。基板９０は、リフロー装置１に対し、静止して固定されている。所謂、リフロー装置１は、バッチ炉である。
第１−第６加熱部１１−１６は、ブース３０に収容され、第１−第６加熱部１１−１６同士の距離が均等になるように設けられている。
第１加熱部１１および第６加熱部１６は、ブース３０の内壁３８に対向している。 The reflow device 1 includes first to sixth heating units 11 to 16, which are a plurality of heating units, a booth 30, a cooler 60, and a control unit 80. The substrate 90 is fixed to the reflow device 1 at rest. The so-called reflow device 1 is a batch furnace.
The first to sixth heating units 11-16 are housed in the booth 30, and are provided so that the distances between the first to sixth heating units 11-16 are equal.
The first heating unit 11 and the sixth heating unit 16 face the inner wall 38 of the booth 30.

第１加熱部１１は、ブース３０の内壁３８と第２加熱部１２との間に設けられている。
第２加熱部１２は、第１加熱部１１と第３加熱部１３との間に設けられている。
第３加熱部１３は、第２加熱部１２と第４加熱部１４との間に設けられている。
第４加熱部１４は、第３加熱部１３と第５加熱部１５との間に設けられている。
第５加熱部１５は、第４加熱部１４と第６加熱部１６との間に設けられている。
第６加熱部１６は、ブース３０の内壁３８と第５加熱部１５との間に設けられている。 The first heating unit 11 is provided between the inner wall 38 of the booth 30 and the second heating unit 12.
The second heating unit 12 is provided between the first heating unit 11 and the third heating unit 13.
The third heating unit 13 is provided between the second heating unit 12 and the fourth heating unit 14.
The fourth heating unit 14 is provided between the third heating unit 13 and the fifth heating unit 15.
The fifth heating unit 15 is provided between the fourth heating unit 14 and the sixth heating unit 16.
The sixth heating unit 16 is provided between the inner wall 38 of the booth 30 and the fifth heating unit 15.

ブース３０の内壁３８から第１加熱部１１までの距離を第１距離Ｌ１とする。第１加熱部１１から第２加熱部１２までの距離を第２距離Ｌ２とする。第２加熱部１２から第３加熱部１３までの距離を第３距離Ｌ３とする。第３加熱部１３から第４加熱部１４までの距離を第４距離Ｌ４とする。第４加熱部１４から第５加熱部１５までの距離を第５距離Ｌ５とする。第５加熱部１５から第６加熱部１６までの距離を第６距離Ｌ６とする。第６加熱部１６からブース３０の内壁３８までの距離を第７距離Ｌ７とする。
第２−第６距離Ｌ２−Ｌ６は、第１−第６加熱部１６同士の間の距離である。 The distance from the inner wall 38 of the booth 30 to the first heating unit 11 is defined as a first distance L1. The distance from the first heating unit 11 to the second heating unit 12 is defined as a second distance L2. The distance from the second heating unit 12 to the third heating unit 13 is defined as a third distance L3. The distance from the third heating unit 13 to the fourth heating unit 14 is defined as a fourth distance L4. The distance from the fourth heating unit 14 to the fifth heating unit 15 is defined as a fifth distance L5. The distance from the fifth heating unit 15 to the sixth heating unit 16 is defined as a sixth distance L6. The distance from the sixth heating section 16 to the inner wall 38 of the booth 30 is defined as a seventh distance L7.
The second to sixth distances L2 to L6 are distances between the first to sixth heating units 16.

第１−第６加熱部１１−１６およびブース３０は、第１−第７距離Ｌ１−Ｌ７が等しくなるように、すなわち、以下関係式（１）が満たされるように、形成されている。 また、第１距離Ｌ１および第７距離Ｌ７は、第２−第６距離Ｌ２−Ｌ６の半分となるように設定されている。ここで、「＝」、「半分」は常識的な誤差範囲を含むものとする。明細書中、「＝」、「等しく」、「半分」は、拡大解釈するものとする。
Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４＝Ｌ５＝Ｌ６ ・・・（１） The first to sixth heating units 11-16 and the booth 30 are formed such that the first to seventh distances L1 to L7 are equal, that is, the following relational expression (1) is satisfied. Further, the first distance L1 and the seventh distance L7 are set to be half of the second to sixth distances L2 to L6. Here, “=” and “half” include a common-sense error range. In the specification, “=”, “equal”, and “half” are to be interpreted in an enlarged manner.
L2 = L3 = L4 = L5 = L6 (1)

第１−第６加熱部１１−１６は、筒状に形成されており、排気側開口部１９および送風側開口部２０を有する。
排気側開口部１９は、基板９０とは反対側である排気側の第１−第６加熱部１１−１６で開口している。
送風側開口部２０は、基板９０側の第１−第６加熱部１１−１６で開口している。 The first to sixth heating units 11 to 16 are formed in a cylindrical shape, and have an exhaust-side opening 19 and a blow-side opening 20.
The exhaust side opening 19 is opened by the first to sixth heating units 11 to 16 on the exhaust side opposite to the substrate 90.
The blow-side opening 20 is opened by the first to sixth heating units 11 to 16 on the substrate 90 side.

第１−第６加熱部１１−１６は、基板９０に気体を送風可能で、コンプレッサ等の送風機を有する。なお、第１−第６加熱部１１−１６の送風機は、第１−第６加熱部１１−１６とは別に備えられてもよい。
第１−第６加熱部１１−１６に用いられる気体は、例えば、窒素である。気体に窒素を用いることにより、はんだペースト９３の酸化が抑制され、はんだによる接合部の空隙等の不良を抑制する。 The first to sixth heating units 11 to 16 can blow gas to the substrate 90 and have a blower such as a compressor. The blower of the first to sixth heating units 11-16 may be provided separately from the first to sixth heating units 11-16.
The gas used for the first to sixth heating units 11-16 is, for example, nitrogen. By using nitrogen as the gas, oxidation of the solder paste 93 is suppressed, and defects such as voids in the joints due to solder are suppressed.

第１−第６加熱部１１−１６は、窒素ボンベ１７および窒素配管１８を有する。
窒素ボンベ１７は、窒素が封入されている容器である。
窒素配管１８は、窒素ボンベ１７と排気側開口部１９とに接続されている。
窒素ボンベ１７から窒素配管１８を経由して第１−第６加熱部１１−１６に窒素が供給され、第１−第６加熱部１１−１６から基板９０に向かって窒素が送風される。 The first to sixth heating units 11 to 16 have a nitrogen cylinder 17 and a nitrogen pipe 18.
The nitrogen cylinder 17 is a container in which nitrogen is sealed.
The nitrogen pipe 18 is connected to the nitrogen cylinder 17 and the exhaust side opening 19.
Nitrogen is supplied from the nitrogen cylinder 17 to the first to sixth heating units 11-16 via the nitrogen pipe 18, and the nitrogen is blown from the first to sixth heating units 11-16 toward the substrate 90.

第１加熱部１１が送風する窒素の風量を第１風量Ｑｗ１とする。第２加熱部１２が送風する窒素の風量を第２風量Ｑｗ２とする。第３加熱部１３が送風する窒素の風量を第３風量Ｑｗ３とする。第４加熱部１４が送風する窒素の風量を第４風量Ｑｗ４とする。第５加熱部１５が送風する窒素の風量を第５風量Ｑｗ５とする。第６加熱部１６が送風する窒素の風量を第６風量Ｑｗ６とする。
図２に示すように、第１−第６加熱部１１−１６は、第１風量Ｑｗ１および第６風量Ｑｗ６が第２−第５風量Ｑｗ２−Ｑｗ５よりも大きくなるように、設定されている。 The flow rate of nitrogen blown by the first heating unit 11 is defined as a first flow rate Qw1. The flow rate of nitrogen blown by the second heating unit 12 is referred to as a second flow rate Qw2. The flow rate of nitrogen blown by the third heating unit 13 is referred to as a third flow rate Qw3. The flow rate of nitrogen blown by the fourth heating unit 14 is defined as a fourth flow rate Qw4. The flow rate of nitrogen blown by the fifth heating unit 15 is defined as a fifth flow rate Qw5. The air volume of nitrogen blown by the sixth heating unit 16 is referred to as a sixth air volume Qw6.
As shown in FIG. 2, the first to sixth heating units 11 to 16 are set such that the first air volume Qw1 and the sixth air volume Qw6 are larger than the second to fifth air volumes Qw2 to Qw5.

また、第１−第６加熱部１１−１６は、ヒータが外壁に巻回されており、供給された窒素を加熱可能である。
第１−第６加熱部１１−１６は、供給された窒素を加熱し、加熱された窒素を基板９０に送風して基板温度Ｔｂを昇温可能である。
さらに、第１−第６加熱部１１−１６は、基板温度Ｔｂを昇温し、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温可能である。
送風側開口部２０と基板９０との間に、複数の第１−第６温度センサ２１−２６が設けられている。 In the first to sixth heating units 11-16, the heater is wound around the outer wall, and can heat the supplied nitrogen.
The first to sixth heating units 11 to 16 can heat the supplied nitrogen, blow the heated nitrogen to the substrate 90, and raise the substrate temperature Tb.
Furthermore, the first to sixth heating units 11-16 can raise the substrate temperature Tb and increase the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2.
A plurality of first to sixth temperature sensors 21-26 are provided between the blow-side opening 20 and the substrate 90.

第１加熱部１１が送風する窒素の温度を第１熱風温度Ｔｗ１とする。第２加熱部１２が送風する窒素の温度を第２熱風温度Ｔｗ２とする。第３加熱部１３が送風する窒素の温度を第３熱風温度Ｔｗ３とする。第４加熱部１４が送風する窒素の温度を第４熱風温度Ｔｗ４とする。第５加熱部１５が送風する窒素の温度を第５熱風温度Ｔｗ５とする。第６加熱部１６が送風する窒素の温度を第６熱風温度Ｔｗ６とする。   The temperature of the nitrogen blown by the first heating unit 11 is referred to as a first hot air temperature Tw1. The temperature of the nitrogen blown by the second heating unit 12 is referred to as a second hot air temperature Tw2. The temperature of the nitrogen blown by the third heating unit 13 is referred to as a third hot air temperature Tw3. The temperature of the nitrogen blown by the fourth heating unit 14 is referred to as a fourth hot air temperature Tw4. The temperature of the nitrogen blown by the fifth heating unit 15 is referred to as a fifth hot air temperature Tw5. The temperature of the nitrogen sent from the sixth heating unit 16 is referred to as a sixth hot air temperature Tw6.

第１温度センサ２１は、第１熱風温度Ｔｗ１を測定可能である。
第２温度センサ２２は、第２熱風温度Ｔｗ２を測定可能である。
第３温度センサ２３は、第３熱風温度Ｔｗ３を測定可能である。
第４温度センサ２４は、第４熱風温度Ｔｗ４を測定可能である。
第５温度センサ２５は、第５熱風温度Ｔｗ５を測定可能である。
第６温度センサ２６は、第６熱風温度Ｔｗ６を測定可能である。
第１−第６温度センサ２１−２６は、例えば、ＪＩＳ規格熱電対であるＫ熱電対である。
第１−第６温度センサ２１−２６は、測定した第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を冷却器６０および制御部８０に出力する。 The first temperature sensor 21 can measure the first hot air temperature Tw1.
The second temperature sensor 22 can measure the second hot air temperature Tw2.
The third temperature sensor 23 can measure the third hot air temperature Tw3.
The fourth temperature sensor 24 can measure the fourth hot air temperature Tw4.
The fifth temperature sensor 25 can measure the fifth hot air temperature Tw5.
The sixth temperature sensor 26 can measure the sixth hot air temperature Tw6.
The first to sixth temperature sensors 21-26 are, for example, K thermocouples which are JIS standard thermocouples.
The first to sixth temperature sensors 21 to 26 output the measured first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 to the cooler 60 and the control unit 80.

ブース３０は、筒状に形成されており、第１−第６加熱部１１−１６を収容し、複数の第１−第７排気流路３１−３７、排気開口部３９およびブース配管４０を有する。
ブース３０は、排気開口部３９側に向かって、径が小さくなるように傾斜するテーパ形状になっている。 The booth 30 is formed in a cylindrical shape, accommodates the first to sixth heating units 11 to 16, and has a plurality of first to seventh exhaust passages 31 to 37, an exhaust opening 39, and a booth pipe 40. .
The booth 30 has a tapered shape that inclines so as to decrease in diameter toward the exhaust opening 39 side.

第１−第７排気流路３１−３７は、第１−第６加熱部１１−１６同士の間、第１加熱部１１とブース３０の内壁３８との間または第６加熱部１６とのブース３０の内壁３８との間に区画形成されている。
第１排気流路３１は、ブース３０の内壁３８と第１加熱部１１とで区画形成されている。
第２排気流路３２は、第１加熱部１１と第２加熱部１２とで区画形成されている。
第３排気流路３３は、第２加熱部１２と第３加熱部１３とで区画形成されている。
第４排気流路３４は、第３加熱部１３と第４加熱部１４とで区画形成されている。
第５排気流路３５は、第４加熱部１４と第５加熱部１５とで区画形成されている。
第６排気流路３６は、第５加熱部１５と第６加熱部１６とで区画形成されている。
第７排気流路３７は、第６加熱部１６とブース３０の内壁３８とで区画形成されている。 The first to seventh exhaust passages 31 to 37 are provided between the first to sixth heating units 11 to 16, between the first heating unit 11 and the inner wall 38 of the booth 30, or between the first to sixth heating units 11 to 16 or the sixth heating unit 16. It is formed between the inner wall 38 and the inner wall 30.
The first exhaust passage 31 is defined by the inner wall 38 of the booth 30 and the first heating unit 11.
The second exhaust passage 32 is defined by the first heating unit 11 and the second heating unit 12.
The third exhaust passage 33 is defined by the second heating unit 12 and the third heating unit 13.
The fourth exhaust passage 34 is defined by the third heating unit 13 and the fourth heating unit 14.
The fifth exhaust passage 35 is defined by the fourth heating unit 14 and the fifth heating unit 15.
The sixth exhaust passage 36 is defined by the fifth heating unit 15 and the sixth heating unit 16.
The seventh exhaust passage 37 is defined by the sixth heating unit 16 and the inner wall 38 of the booth 30.

排気開口部３９は、基板９０とは反対側のブース３０に設けられ、第１−第７排気流路３１−３７に連通している。
第１−第６加熱部１１−１６から基板９０に送風された窒素は、第１−第７排気流路３１−３７を経由して、排気開口部３９から排気される。
ブース配管４０は、排気開口部３９と冷却器６０とに接続されている。排気開口部３９から排気された窒素は、ブース配管４０を経由して、冷却器６０に供給される。 The exhaust opening 39 is provided in the booth 30 opposite to the substrate 90 and communicates with the first to seventh exhaust passages 31-37.
The nitrogen blown from the first to sixth heating units 11-16 to the substrate 90 is exhausted from the exhaust opening 39 via the first to seventh exhaust passages 31-37.
The booth pipe 40 is connected to the exhaust opening 39 and the cooler 60. The nitrogen exhausted from the exhaust opening 39 is supplied to the cooler 60 via the booth pipe 40.

冷却器６０は、第１−第７排気流路３１−３７を経由して、排気開口部３９から排気された窒素を取り込んで冷却する。
また、冷却器６０は、冷却配管６１を有する。
冷却配管６１は、冷却器６０と第１−第６加熱部１１−１６とに接続されている。冷却された窒素は、冷却配管６１を経由して第１−第６加熱部１１−１６に供給される。 The cooler 60 takes in the nitrogen exhausted from the exhaust opening 39 via the first to seventh exhaust passages 31-37 and cools it.
Further, the cooler 60 has a cooling pipe 61.
The cooling pipe 61 is connected to the cooler 60 and the first to sixth heating units 11-16. The cooled nitrogen is supplied to the first to sixth heating units 11-16 via the cooling pipe 61.

第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６のうち、最も低い温度を最低温度Ｔｍｉｎとする。
冷却器６０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６が最低温度Ｔｍｉｎ以下となるように、冷却した窒素を第１−第６加熱部１１−１６に供給する。 The lowest temperature among the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 is defined as the minimum temperature Tmin.
The cooler 60 supplies the cooled nitrogen to the first to sixth heating units 11-16 so that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or lower than the minimum temperature Tmin.

以下関係式（２）で示されるように、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６の平均値を平均熱風温度Ｔａｖｅとする。
冷却器６０は、例えば、平均熱風温度Ｔａｖｅと第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６とを比較する。第１熱風温度Ｔｗ１、第２熱風温度Ｔｗ２および第４熱風温度Ｔｗ４が平均熱風温度Ｔａｖｅより大きいとする。第３熱風温度Ｔｗ３、第５熱風温度Ｔｗ５および第６熱風温度Ｔｗ６が平均熱風温度Ｔａｖｅより小さいとする。
Ｔａｖｅ＝（Ｔｗ１＋Ｔｗ２＋Ｔｗ３＋Ｔｗ４＋Ｔｗ５＋Ｔｗ６）／６
・・・（２） Hereinafter, as shown by the relational expression (2), an average value of the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 is defined as an average hot air temperature Tave.
The cooler 60 compares, for example, the average hot air temperature Tave with the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. It is assumed that the first hot air temperature Tw1, the second hot air temperature Tw2, and the fourth hot air temperature Tw4 are higher than the average hot air temperature Tave. It is assumed that the third hot air temperature Tw3, the fifth hot air temperature Tw5, and the sixth hot air temperature Tw6 are lower than the average hot air temperature Tave.
Tave = (Tw1 + Tw2 + Tw3 + Tw4 + Tw5 + Tw6) / 6
... (2)

冷却器６０は、第１加熱部１１、第２加熱部１２および第４加熱部１４に冷却した窒素を供給して、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６が最低温度Ｔｍｉｎ以下となるようにする。
このように、冷却器６０は、平均熱風温度Ｔａｖｅより大きい熱風を送風する第１−第６加熱部１１−１６に、冷却された窒素を供給して、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６が最低温度Ｔｍｉｎ以下となるように制御する。なお、第１−第６加熱部１１−１６のそれぞれに冷却した窒素が供給可能なように、第１−第６加熱部１１−１６に電磁弁が設けられている。 The cooler 60 supplies the cooled nitrogen to the first heating unit 11, the second heating unit 12, and the fourth heating unit 14 so that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 become equal to or lower than the minimum temperature Tmin. I do.
As described above, the cooler 60 supplies the cooled nitrogen to the first to sixth heating units 11 to 16 that blow hot air higher than the average hot air temperature Tave, and supplies the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. Is controlled to be equal to or lower than the minimum temperature Tmin. The first to sixth heating units 11-16 are provided with solenoid valves so that the cooled nitrogen can be supplied to each of the first to sixth heating units 11-16.

制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６をフィードバックして、第１−第６加熱部１１−１６のヒータを制御可能である。
また、制御部８０は、第１−第６加熱部１１−１６のヒータを制御することによって、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を制御する。 The control unit 80 can control the heaters of the first to sixth heating units 11 to 16 by feeding back the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6.
In addition, the control unit 80 controls the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 by controlling the heaters of the first to sixth heating units 11-16.

制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温し、その後、低熱容量温度Ｔ１が低下するように、かつ、高熱容量温度Ｔ２が昇温するように、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。
低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温後、低熱容量温度Ｔ１が低下するように、かつ、高熱容量温度Ｔ２が上昇する過程を、制御部８０は、少なくとも２回以上行う。
さらに、制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１が低下するとき、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６がはんだの融点Ｔｐ以上となるように、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。 The control unit 80 raises the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, and then performs the first to sixth heating so that the low heat capacity temperature T1 decreases and the high heat capacity temperature T2 increases. Units 11-16 are controlled.
After raising the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, the control unit 80 performs the process of lowering the low heat capacity temperature T1 and increasing the high heat capacity temperature T2 at least twice.
Further, when the low heat capacity temperature T1 decreases, the control unit 80 controls the first to sixth heating units 11-16 such that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or higher than the melting point Tp of the solder. .

制御部８０の制御について、図３のタイムチャートを参照して説明する。
制御部８０が第１−第６加熱部１１−１６の制御を開始する時刻をｘ０とする。
図３において、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を実線で示す。第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を一点鎖線で示す。はんだの融点Ｔｐを二点鎖線で示す。 The control of the control unit 80 will be described with reference to the time chart of FIG.
The time at which the control unit 80 starts controlling the first to sixth heating units 11-16 is x0.
In FIG. 3, the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 are indicated by solid lines. The first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are indicated by alternate long and short dash lines. The melting point Tp of the solder is indicated by a two-dot chain line.

図３に示すように、時刻ｘ０に、制御部８０が第１−第６加熱部１１−１６の制御を開始し、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を上げる。低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。低熱容量温度Ｔ１の変化率は、高熱容量温度Ｔ２の変化率よりも大きい。   As illustrated in FIG. 3, at time x0, the control unit 80 starts controlling the first to sixth heating units 11 to 16 and increases the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise. The rate of change of the low heat capacity temperature T1 is greater than the rate of change of the high heat capacity temperature T2.

低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温後、時刻ｘ１に、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を下げる。基板９０上で第１熱容量Ｈ１が小さいため、低熱容量温度Ｔ１は低下する。基板９０上で第２熱容量Ｈ２が大きいため、高熱容量温度Ｔ２は徐々に増加する。このとき、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６がはんだの融点Ｔｐ以上になるように、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。   After raising the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, at time x1, the control unit 80 lowers the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. Since the first heat capacity H1 is small on the substrate 90, the low heat capacity temperature T1 decreases. Since the second heat capacity H2 is large on the substrate 90, the high heat capacity temperature T2 gradually increases. At this time, the control unit 80 controls the first to sixth heating units 11-16 so that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or higher than the melting point Tp of the solder.

時刻ｘ２に、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を上げる。低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。
時刻ｘ３に、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を下げる。低熱容量温度Ｔ１は低下し、高熱容量温度Ｔ２は徐々に増加する。 At time x2, the control unit 80 increases the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.
At time x3, the control unit 80 lowers the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 decreases and the high heat capacity temperature T2 gradually increases.

時刻ｘ４に、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を上げる。低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。
時刻ｘ５に、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を下げる。低熱容量温度Ｔ１は低下し、高熱容量温度Ｔ２は徐々に増加する。
時刻ｘ６に、第１−第６加熱部１１−１６が停止し、基板９０が冷却される。 At time x4, the control unit 80 increases the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.
At time x5, the control unit 80 lowers the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 decreases and the high heat capacity temperature T2 gradually increases.
At time x6, the first to sixth heating units 11-16 stop, and the substrate 90 is cooled.

このように、制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温し、その後、低熱容量温度Ｔ１が低下するように、かつ、第２温度が上昇する過程を、制御部８０は、少なくとも２回以上行う。   As described above, the control unit 80 raises the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, and then performs a process in which the low heat capacity temperature T1 decreases and the second temperature increases. , At least twice.

リフロー装置１を用いた基板９０の製造方法について、図４のフローチャートを参照して説明する。
基板９０上の第１部品９１および第２部品９２をリフローはんだ付け行うのに、リフロー装置１が用いられる。
基板９０の製造方法は、印刷工程、基板搬送工程、第１温度制御工程、第２温度制御工程、繰り返し工程および冷却工程を含む。 A method for manufacturing the substrate 90 using the reflow device 1 will be described with reference to the flowchart in FIG.
The reflow device 1 is used to perform reflow soldering of the first component 91 and the second component 92 on the substrate 90.
The method for manufacturing the substrate 90 includes a printing step, a substrate transporting step, a first temperature control step, a second temperature control step, a repetition step, and a cooling step.

図４に示すように、ステップ１０１の印刷工程では、基板９０上の第１部品９１および第２部品９２の位置に、スクリーン印刷を用いてはんだペースト９３が印刷される
ステップ１０２の基板搬送工程では、第１−第６加熱部１１−１６に対向する位置に基板９０が搬送される。基板９０がリフロー装置１に対し静止し固定される。 As shown in FIG. 4, in the printing process of Step 101, the solder paste 93 is printed using screen printing at the positions of the first component 91 and the second component 92 on the substrate 90. The substrate 90 is transported to a position facing the first to sixth heating units 11-16. The substrate 90 is stationary and fixed to the reflow device 1.

ステップ１０３の第１温度制御工程では、制御部８０が第１−第６加熱部１１−１６の制御を開始し、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を上げる。低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。
ステップ１０４の第２温度制御工程では、制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温後、低熱容量温度Ｔ１が低下するように、かつ、第２温度が昇温するように、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。このとき、制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６がはんだの融点Ｔｐ以上に、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。 In the first temperature control step of Step 103, the control unit 80 starts controlling the first to sixth heating units 11-16 to increase the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6. The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.
In the second temperature control step of Step 104, the control unit 80 raises the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, and then lowers the low heat capacity temperature T1 and raises the second temperature. , And controls the first to sixth heating units 11-16. At this time, the control unit 80 controls the first to sixth heating units 11 to 16 so that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or higher than the melting point Tp of the solder.

ステップ１０５の繰り返し工程では、第１温度制御工程、第２温度制御工程の順番で、少なくとも２回以上、第１温度制御工程および第２温度制御工程を繰り返す。このとき、はんだペースト９３が溶融し、基板９０、第１部品９１および第２部品９２がはんだペースト９３を介して接続される。
ステップ１０６の冷却工程では、基板９０が冷却され、はんだペースト９３が凝固する。基板９０、第１部品９１および第２部品９２がはんだペースト９３を介して接合される。 In the repetition process of step 105, the first temperature control process and the second temperature control process are repeated at least twice in the order of the first temperature control process and the second temperature control process. At this time, the solder paste 93 is melted, and the substrate 90, the first component 91, and the second component 92 are connected via the solder paste 93.
In the cooling step of Step 106, the substrate 90 is cooled, and the solder paste 93 solidifies. The board 90, the first component 91, and the second component 92 are joined via the solder paste 93.

車載用電子制御ユニットに用いられる基板９０には、熱容量が小さい第１部品９１だけでなく、熱容量が大きい第２部品９２が搭載される見込みがある。今後、基板上の熱容量差ΔＨは、大きくなっていくと予測される。
第１部品９１および第２部品９２を基板９０に搭載する方法として、リフローはんだ付けが用いられる。基板９０上で熱容量差ΔＨが大きくなる場合、第１部品９１は、過熱状態になりやすく、第２部品９２は、未溶融状態になりやすい。
このため、基板９０に付与されているはんだを加熱するとき、基板上の熱容量差ΔＨが大きくなっても、均一化することが望まれる。また、第２部品９２によって、はんだを加熱する時間が長くなる虞がある。このため、基板９０に付与されているはんだを加熱するとき、短時間で加熱を行うことが望まれる。 The board 90 used in the on-vehicle electronic control unit is expected to mount not only the first component 91 having a small heat capacity but also the second component 92 having a large heat capacity. It is predicted that the heat capacity difference ΔH on the substrate will increase in the future.
As a method for mounting the first component 91 and the second component 92 on the substrate 90, reflow soldering is used. When the heat capacity difference ΔH on the substrate 90 increases, the first component 91 tends to be in an overheated state, and the second component 92 tends to be in an unmelted state.
Therefore, when the solder applied to the substrate 90 is heated, it is desired that the solder is uniform even if the heat capacity difference ΔH on the substrate becomes large. Further, the second component 92 may increase the time for heating the solder. For this reason, when heating the solder applied to the substrate 90, it is desired to perform heating in a short time.

特許文献１では、熱容量が小さい部品に比較的高い温度の熱風を供給し、熱容量が大きい部品に比較的低い温度の熱風を供給する方法が記載されている。この方法では、基板上の表面実装部品の位置に制約が生じ、リフロー装置が複雑化または大型化する虞がある。   Patent Literature 1 discloses a method of supplying a relatively high temperature hot air to a component having a small heat capacity and supplying a relatively low temperature hot air to a component having a large heat capacity. In this method, the position of the surface mount component on the substrate is restricted, and the reflow device may be complicated or large.

本実施形態のリフロー装置１およびそれを用いた基板９０の製造方法は、基板９０上のはんだを均一化し、簡易になる。   The reflow apparatus 1 of the present embodiment and the method of manufacturing the substrate 90 using the same can make the solder on the substrate 90 uniform and simple.

（効果）
［１］リフロー装置１の制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を昇温し、その後、低熱容量温度Ｔ１が低下するように、かつ、高熱容量温度Ｔ２が上昇する過程を、少なくとも２回以上行う。これにより、低熱容量温度Ｔ１がはんだの融点Ｔｐ以上に一定に維持されつつ、高熱容量温度Ｔ２がはんだの融点Ｔｐに上昇できる。このため、低熱容量温度Ｔ１と高熱容量温度Ｔ２との差が小さくなりやすくなり、基板９０上の温度が均一化される。また、高熱容量温度Ｔ２の上昇時間を短くすることで、加熱時間を短縮することができる。さらに、リフロー装置１の制御を設定するのみであるため、リフロー装置１が簡易な構成になる。 (effect)
[1] The control unit 80 of the reflow device 1 raises the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2, and then performs a process in which the low heat capacity temperature T1 decreases and the high heat capacity temperature T2 increases. Perform at least twice. Thereby, the high heat capacity temperature T2 can be raised to the solder melting point Tp while the low heat capacity temperature T1 is kept constant at or above the melting point Tp of the solder. Therefore, the difference between the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 tends to be small, and the temperature on the substrate 90 is made uniform. Further, the heating time can be shortened by shortening the rising time of the high heat capacity temperature T2. Furthermore, since only the control of the reflow device 1 is set, the reflow device 1 has a simple configuration.

［２］はんだペースト９３の温度の上昇下降が繰り返されるとき、はんだペースト９３の溶融と凝固が繰り返され、はんだの品質が不安定になりやすい。
制御部８０は、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温後、低熱容量温度Ｔ１が低下するとき、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６がはんだの融点Ｔｐ以上となるように、第１−第６加熱部１１−１６を制御する。これにより、はんだペースト９３が凝固することがないため、はんだの品質が安定する。 [2] When the rise and fall of the temperature of the solder paste 93 are repeated, the melting and solidification of the solder paste 93 are repeated, and the quality of the solder tends to be unstable.
When the low heat capacity temperature T1 decreases after the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise, the control unit 80 controls the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 to be equal to or higher than the melting point Tp of the solder. 1-Control the sixth heating unit 11-16. Thereby, the solder paste 93 does not solidify, so that the quality of the solder is stabilized.

［３］第１−第６加熱部１１−１６は、隣接する加熱部の送風によって、互いに干渉し、制御部８０による第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６の制御性が悪くなる虞がある。
第１−第６加熱部１１−１６およびブース３０は、第２−第６距離Ｌ２−Ｌ６が等しくなるように、形成されている。また、第１距離Ｌ１および第７距離Ｌ７は、第２−第６距離Ｌ２−Ｌ６の半分に設定されている。これにより、隣接する加熱部の送風が均等に排気される。 [3] The first to sixth heating units 11 to 16 may interfere with each other due to the blowing of the adjacent heating units, and controllability of the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 by the control unit 80 may be deteriorated. .
The first to sixth heating units 11-16 and the booth 30 are formed such that the second to sixth distances L2 to L6 are equal. Further, the first distance L1 and the seventh distance L7 are set to half of the second to sixth distances L2 to L6. Thereby, the air blown from the adjacent heating unit is uniformly exhausted.

［４］第１風量Ｑｗ１および第６風量Ｑｗ６が第２−第５風量Ｑｗ２−Ｑｗ５よりも大きい。これにより、第１−第６加熱部１１−１６の送風が、第１−第７排気流路３１−３７を通りやすくなり、隣接する加熱部の送風による干渉が抑制される。このため、制御部８０による第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６の制御性が向上する。 [4] The first air volume Qw1 and the sixth air volume Qw6 are larger than the second to fifth air volumes Qw2 to Qw5. This makes it easier for the airflow from the first to sixth heating units 11-16 to pass through the first to seventh exhaust passages 31-37, and suppresses the interference caused by the airflow from the adjacent heating units. Therefore, the controllability of the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 by the control unit 80 is improved.

［５］冷却器６０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６が最低温度Ｔｍｉｎ以下となるように、冷却した窒素を第１−第６加熱部１１−１６に供給する。これにより、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６が均等になりやすくなり、第１−第６加熱部１１−１６の熱風の風速のバラツキが低減し、第１−第６風量Ｑｗ１−Ｑｗ６のバラツキが低減する。 [5] The cooler 60 supplies the cooled nitrogen to the first to sixth heating units 11 to 16 so that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or lower than the minimum temperature Tmin. As a result, the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are likely to be uniform, the variation of the wind speed of the hot air from the first to sixth heating units 11 to 16 is reduced, and the first to sixth airflow rates Qw1 to Qw6 are reduced. Variation is reduced.

（第２実施形態）
第２実施形態では、補充配管が追加されている点を除き、第１実施形態と同様である。
図５に示すように、第２実施形態のリフロー装置２は、補充配管４１をさらに備える。
補充配管４１は、ブース配管４０と窒素ボンベ１７とに接続されており、気体としての窒素を冷却器６０に補充可能である。 (2nd Embodiment)
The second embodiment is the same as the first embodiment except that a supplementary pipe is added.
As shown in FIG. 5, the reflow device 2 of the second embodiment further includes a replenishing pipe 41.
The replenishing pipe 41 is connected to the booth pipe 40 and the nitrogen cylinder 17, and can replenish the cooler 60 with nitrogen as a gas.

第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。
冷却器６０が排気開口部３９から排気された窒素を取り込んで冷却するとき、取り込まれる窒素の圧力損失が大きくなる。これにより、第１−第６加熱部１１−１６に冷却した窒素を冷却器６０に供給するとき、リフロー装置２の消費電力が大きくなる虞がある。
第２実施形態において、補充配管４１から窒素を補充して、排気開口部３９から排気された窒素を冷却されるため、リフロー装置２の消費電力が削減される。 The second embodiment has the same advantages as the first embodiment.
When the cooler 60 takes in and cools the nitrogen exhausted from the exhaust opening 39, the pressure loss of the nitrogen taken in increases. Thereby, when the nitrogen cooled in the first to sixth heating units 11-16 is supplied to the cooler 60, the power consumption of the reflow device 2 may increase.
In the second embodiment, nitrogen is replenished from the replenishing pipe 41 and the nitrogen exhausted from the exhaust opening 39 is cooled, so that the power consumption of the reflow device 2 is reduced.

（第３実施形態）
第３実施形態では、迂回配管および補助送風機が追加されている点を除き、第１実施形態と同様である。
図６に示すように、第３実施形態のリフロー装置３は、迂回配管４２および補助送風機４４をさらに備える。 (Third embodiment)
The third embodiment is the same as the first embodiment except that a bypass pipe and an auxiliary blower are added.
As shown in FIG. 6, the reflow device 3 of the third embodiment further includes a bypass pipe 42 and an auxiliary blower 44.

迂回配管４２は、ブース配管４０と冷却配管６１とに接続されている。排気開口部３９から排気された窒素は、ブース配管４０を経由して、迂回配管４２および冷却器６０に供給される。迂回配管４２を経由した窒素は、冷却配管６１を経由して、第１−第６加熱部１１−１６に供給される。
補助送風機４４は、迂回配管４２に設けられている。
補助送風機４４は、迂回配管４２を経由した窒素が第１−第６加熱部１１−１６に供給されるのを補助する。 The bypass pipe 42 is connected to the booth pipe 40 and the cooling pipe 61. The nitrogen exhausted from the exhaust opening 39 is supplied to the bypass pipe 42 and the cooler 60 via the booth pipe 40. The nitrogen that has passed through the bypass pipe 42 is supplied to the first to sixth heating units 11-16 via the cooling pipe 61.
The auxiliary blower 44 is provided in the bypass pipe 42.
The auxiliary blower 44 assists the supply of nitrogen through the bypass pipe 42 to the first to sixth heating units 11-16.

第３実施形態においても、第１実施形態と同様である。さらに、第３実施形態では、迂回配管４２を経由する窒素が流れる間に冷却され、冷却された窒素が第１−第６加熱部１１−１６に供給される。冷却器６０の冷却能力を小さくでき、冷却器６０の消費電力を削減できる。   The third embodiment is the same as the first embodiment. Further, in the third embodiment, cooling is performed while nitrogen flows through the bypass pipe 42, and the cooled nitrogen is supplied to the first to sixth heating units 11-16. The cooling capacity of the cooler 60 can be reduced, and the power consumption of the cooler 60 can be reduced.

（第４実施形態）
第４実施形態では、循環配管が追加されている点を除き、第１実施形態と同様である。
図７に示すように、第４実施形態のリフロー装置４は、循環配管４３をさらに備える。
リフロー装置４の冷却配管６１は、第３加熱部１３、第５加熱部１５、第６加熱部１６および冷却器６０に接続されている。 (Fourth embodiment)
The fourth embodiment is the same as the first embodiment except that a circulation pipe is added.
As shown in FIG. 7, the reflow device 4 of the fourth embodiment further includes a circulation pipe 43.
The cooling pipe 61 of the reflow device 4 is connected to the third heating unit 13, the fifth heating unit 15, the sixth heating unit 16, and the cooler 60.

循環配管４３は、ブース配管４０、第１加熱部１１、第２加熱部１２および第４加熱部１４に接続されている。排気開口部３９から排気された窒素は、ブース配管４０を経由して、循環配管４３および冷却器６０に供給される。循環配管４３を経由した窒素は、第１加熱部１１、第２加熱部１２および第４加熱部１４に供給される。
第４実施形態においても、第１実施形態と同様である。さらに、第４実施形態においても、第３実施形態と同様に、冷却器６０の消費電力を削減できる。 The circulation pipe 43 is connected to the booth pipe 40, the first heating unit 11, the second heating unit 12, and the fourth heating unit 14. The nitrogen exhausted from the exhaust opening 39 is supplied to the circulation pipe 43 and the cooler 60 via the booth pipe 40. The nitrogen that has passed through the circulation pipe 43 is supplied to the first heating unit 11, the second heating unit 12, and the fourth heating unit 14.
The fourth embodiment is the same as the first embodiment. Furthermore, in the fourth embodiment, similarly to the third embodiment, the power consumption of the cooler 60 can be reduced.

（第５実施形態）
第５実施形態では、基板が固定されておらず、移動している点を除き、第１実施形態と同様である。
図８に示すように、搬送ベルト９４により、基板９０は、第１加熱部１１から第６加熱部１６に向かって、移動する。第５実施形態のリフロー装置５は、所謂、連続炉である。
基板９０は、リフロー装置５に対し、所定の速度Ｖで相対移動する。 (Fifth embodiment)
The fifth embodiment is the same as the first embodiment except that the substrate is not fixed but is moving.
As shown in FIG. 8, the substrate 90 moves from the first heating unit 11 to the sixth heating unit 16 by the transport belt 94. The reflow device 5 of the fifth embodiment is a so-called continuous furnace.
The substrate 90 moves relative to the reflow device 5 at a predetermined speed V.

リフロー装置５の制御部８０の制御について、図９のタイムチャートを参照して説明する。
制御部８０が第１−第６加熱部１１−１６の制御を開始する時刻をＹ０とする。
図９において、低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２を実線で示す。
第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６を一点鎖線で示す。はんだの融点Ｔｐを二点鎖線で示す。 The control of the control unit 80 of the reflow device 5 will be described with reference to the time chart of FIG.
The time at which the control unit 80 starts controlling the first to sixth heating units 11-16 is defined as Y0.
In FIG. 9, the low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 are indicated by solid lines.
The first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are indicated by alternate long and short dash lines. The melting point Tp of the solder is indicated by a two-dot chain line.

図９に示すように、時刻Ｙ０に、第１加熱部１１に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第１加熱部１１を制御している。第１熱風温度Ｔｗ１は、比較的温度が高く設定されている。
低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２は、昇温する。 As shown in FIG. 9, at time Y0, the substrate 90 passes through a position facing the first heating unit 11, and the control unit 80 controls the first heating unit 11. The first hot air temperature Tw1 is set relatively high.
The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.

時刻Ｙ１に、第２加熱部１２に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第２加熱部１２を制御している。制御部８０は、第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６がはんだの融点Ｔｐ以上になるように、第１−第６加熱部１１−１６を制御している。第２熱風温度Ｔｗ２は、第１熱風温度Ｔｗ１と同一に設定されている。
低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２は、昇温する。 At time Y1, the substrate 90 passes through the position facing the second heating unit 12, and the control unit 80 controls the second heating unit 12. The control unit 80 controls the first to sixth heating units 11-16 such that the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 are equal to or higher than the melting point Tp of the solder. The second hot air temperature Tw2 is set to be the same as the first hot air temperature Tw1.
The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.

時刻Ｙ２に、第３加熱部１３に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第３加熱部１３を制御している。第３熱風温度Ｔｗ３は、第１熱風温度Ｔｗ１および第２熱風温度Ｔｗ２よりも低く設定されている。
基板９０上で第１熱容量Ｈ１が小さいため、低熱容量温度Ｔ１は低下する。基板９０上で第２熱容量Ｈ２が大きいため、高熱容量温度Ｔ２は徐々に増加する。 At time Y2, the substrate 90 passes through a position facing the third heating unit 13, and the control unit 80 controls the third heating unit 13. The third hot air temperature Tw3 is set lower than the first hot air temperature Tw1 and the second hot air temperature Tw2.
Since the first heat capacity H1 is small on the substrate 90, the low heat capacity temperature T1 decreases. Since the second heat capacity H2 is large on the substrate 90, the high heat capacity temperature T2 gradually increases.

時刻Ｙ３に、第４加熱部１４に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第４加熱部１４を制御している。第４熱風温度Ｔｗ４は、第３熱風温度Ｔｗ３より高く、第１熱風温度Ｔｗ１および第２熱風温度Ｔｗ２よりも低く設定されている。
低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。 At time Y3, the substrate 90 passes through the position facing the fourth heating unit 14, and the control unit 80 controls the fourth heating unit 14. The fourth hot air temperature Tw4 is set higher than the third hot air temperature Tw3 and lower than the first hot air temperature Tw1 and the second hot air temperature Tw2.
The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.

時刻Ｙ４に、第５加熱部１５に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第５加熱部１５を制御している。第５熱風温度Ｔｗ５は、第４熱風温度Ｔｗ４よりも低く設定されている。
低熱容量温度Ｔ１は低下し、高熱容量温度Ｔ２は徐々に増加する。時刻Ｙ４に、高熱容量温度Ｔ２がはんだの融点Ｔｐ以上になる。 At time Y4, the substrate 90 passes through the position facing the fifth heating unit 15, and the control unit 80 controls the fifth heating unit 15. The fifth hot air temperature Tw5 is set lower than the fourth hot air temperature Tw4.
The low heat capacity temperature T1 decreases and the high heat capacity temperature T2 gradually increases. At time Y4, the high heat capacity temperature T2 becomes equal to or higher than the melting point Tp of the solder.

時刻Ｙ５に、第６加熱部１６に対向する位置を基板９０が通過し、制御部８０は、第６加熱部１６を制御している。第６熱風温度Ｔｗ６は、第５熱風温度Ｔｗ５よりも低く設定されている。
低熱容量温度Ｔ１および高熱容量温度Ｔ２が昇温する。 At time Y5, the substrate 90 passes through the position facing the sixth heating unit 16, and the control unit 80 controls the sixth heating unit 16. The sixth hot air temperature Tw6 is set lower than the fifth hot air temperature Tw5.
The low heat capacity temperature T1 and the high heat capacity temperature T2 rise.

時刻Ｙ６に、第１−第６加熱部１１−１６を基板９０が通過完了し、基板９０が冷却される。なお、時刻Ｙ０から時刻Ｙ６までの時間間隔は、等間隔で、基板９０の移動距離および速度Ｖを用いて演算される。   At time Y6, the substrate 90 completes passing through the first to sixth heating units 11-16, and the substrate 90 is cooled. The time interval from the time Y0 to the time Y6 is calculated at regular intervals using the moving distance and the speed V of the substrate 90.

第５実施形態のリフロー装置５を用いた基板９０の製造方法では、ステップ１０２の基板搬送工程が第１実施形態のリフロー装置１を用いた基板９０の製造方法と異なる。
ステップ１０２の基板搬送工程では、基板９０がリフロー装置５に対向するように、速度Ｖで移動する。
ステップ１０３−１０５では、基板９０が移動している状態で、制御部８０が第１−第６熱風温度Ｔｗ１−Ｔｗ６の温度制御を行う。
このように、基板９０が移動しても、第１実施形態と同様の効果を奏する。 In the method of manufacturing the substrate 90 using the reflow device 5 of the fifth embodiment, the substrate transporting process of Step 102 is different from the method of manufacturing the substrate 90 using the reflow device 1 of the first embodiment.
In the substrate transfer step of step 102, the substrate 90 moves at a speed V such that the substrate 90 faces the reflow device 5.
In Steps 103 to 105, the control unit 80 controls the first to sixth hot air temperatures Tw1 to Tw6 while the substrate 90 is moving.
Thus, even if the substrate 90 moves, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

（その他の実施形態）
（ｉ）リフロー装置の加熱部は、熱風によるもの限らず、電磁波の一種である赤外線を用いて、基板を加熱してもよい。赤外線による加熱により、エネルギー効率が高くなり、加熱時間が短縮される。
（ｉｉ）複数の加熱部は、６つに限定されず、少なくとも２つ以上備えておればよい。
（ｉｉｉ）図１０に示すように、リフロー装置６の冷却器６０に送風機４５が設けられてもよい。 (Other embodiments)
(I) The heating unit of the reflow device is not limited to the one using hot air, and the substrate may be heated using infrared light, which is a kind of electromagnetic wave. Heating with infrared radiation increases energy efficiency and reduces heating time.
(Ii) The number of the plurality of heating units is not limited to six, and at least two or more heating units may be provided.
(Iii) As shown in FIG. 10, a blower 45 may be provided in the cooler 60 of the reflow device 6.

（ｉｖ）図１１に示すように、１つの基板９０を挟むように、複数のリフロー装置１を設けてもよい。
（ｖ）第４実施形態におけるリフロー装置４においても、バッチ炉に限らず、連続炉であってもよい。リフロー装置４においては、連続炉の場合、冷却器６０の消費電力をより削減する効果がある。
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。 (Iv) As shown in FIG. 11, a plurality of reflow devices 1 may be provided so as to sandwich one substrate 90.
(V) The reflow apparatus 4 in the fourth embodiment is not limited to the batch furnace, but may be a continuous furnace. In the case of a continuous furnace, the reflow device 4 has an effect of further reducing the power consumption of the cooler 60.
As described above, the present invention is not limited to such an embodiment, and can be implemented in various forms without departing from the spirit of the invention.

１、２、３、４、５、６ ・・・リフロー装置、
１１、１２、１３、１４、１５、１６ ・・・加熱部、
３１、３２、３３、３４、３５、３６ ・・・排気流路、
３８ ・・・内壁、
３９ ・・・排気開口部、
４０ ・・・ブース、
８０ ・・・制御部、
９１ ・・・第１部品、
９２ ・・・第２部品
Ｔ１ ・・・低熱容量温度（第１部品の温度）、
Ｔ２ ・・・高熱容量温度（第２部品の温度）。 1, 2, 3, 4, 5, 6 ... reflow device,
11, 12, 13, 14, 15, 16 ... heating unit,
31, 32, 33, 34, 35, 36 ... exhaust passage,
38 ... inner wall,
39 ··· Exhaust opening
40 ... booth,
80 ... control unit,
91 ... first parts,
92 ... second part T1 ... low heat capacity temperature (temperature of first part)
T2: High heat capacity temperature (temperature of the second part).

Claims (10)

第１部品（９１）および前記第１部品の熱容量よりも熱容量が大きい第２部品（９２）を有する基板（９０）をリフローはんだ付けするリフロー装置（１、２、３、４、５、６）において、
前記基板に気体を送風し、前記第１部品の温度（Ｔ１）および前記第２部品の温度（Ｔ２）を昇温可能な複数の加熱部（１１、１２、１３、１４、１５、１６）と、
前記加熱部同士の間または前記加熱部と内壁（３８）との間に区画形成されている排気流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７）および前記排気流路に連通する排気開口部（３９）を有し、前記加熱部を収容し、前記排気流路および前記排気開口部を経由して前記加熱部が送風した気体を排気するブース（４０）と、
前記第１部品の温度および前記第２部品の温度を昇温し、その後、前記第１部品の温度が低下するように、かつ、前記第２部品の温度が上昇するように、前記加熱部を制御することを少なくとも２回以上行う制御部（８０）と、
を備えるリフロー装置。 A reflow device (1, 2, 3, 4, 5, 6) for reflow soldering a substrate (90) having a first component (91) and a second component (92) having a heat capacity larger than the heat capacity of the first component. At
A plurality of heating units (11, 12, 13, 14, 15, 16) capable of blowing gas to the substrate and raising the temperature (T1) of the first component and the temperature (T2) of the second component; ,
An exhaust passage (31, 32, 33, 34, 35, 36, 37) defined between the heating units or between the heating unit and the inner wall (38) and communicates with the exhaust passage. A booth (40) having an exhaust opening (39), accommodating the heating unit, and exhausting the gas blown by the heating unit via the exhaust passage and the exhaust opening;
Raising the temperature of the first component and the temperature of the second component, and then reducing the temperature of the first component and increasing the temperature of the second component so as to increase the temperature of the second component. A control unit (80) for performing control at least twice or more;
A reflow device comprising: 前記制御部は、前記第１部品の温度および前記第２部品の温度を昇温後、前記第１部品の温度が低下するとき、前記加熱部が送風する気体の温度（Ｔｗ１、Ｔｗ２、Ｔｗ３、Ｔｗ４、Ｔｗ５、Ｔｗ６）がはんだの融点（Ｔｐ）以上となるように、前記加熱部を制御する請求項１に記載のリフロー装置。   The control unit, after raising the temperature of the first component and the temperature of the second component, when the temperature of the first component decreases, the temperature of the gas blown by the heating unit (Tw1, Tw2, Tw3, The reflow apparatus according to claim 1, wherein the heating unit is controlled such that Tw4, Tw5, and Tw6) are equal to or higher than the melting point (Tp) of the solder. 複数の前記加熱部は、前記加熱部から前記ブースの内壁までの距離（Ｌ１、Ｌ７）が
前記加熱部同士の間の距離（Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６）の半分となるように、設けられている請求項１または２に記載のリフロー装置。 The plurality of heating units are configured such that a distance (L1, L7) from the heating unit to the inner wall of the booth is half of a distance (L2, L3, L4, L5, L6) between the heating units. The reflow device according to claim 1, wherein the reflow device is provided. 複数の前記加熱部において、前記ブースの内壁に対向する加熱部（１１、１６）が送風する気体の風量（Ｑｗ１、Ｑｗ６）は、前記ブースの内壁に対向する加熱部の間に設けられる加熱部（１２、１３、１４、１５）が送風する気体の風量（Ｑｗ２、Ｑｗ３、Ｑｗ４、Ｑｗ５）よりも大きい請求項１から３のいずれか一項に記載のリフロー装置。   In the plurality of heating units, the air volume (Qw1, Qw6) of the gas blown by the heating units (11, 16) facing the inner wall of the booth is determined by a heating unit provided between the heating units facing the inner wall of the booth. The reflow device according to any one of claims 1 to 3, wherein (12, 13, 14, 15) is larger than the air volume (Qw2, Qw3, Qw4, Qw5) of the gas to be blown. 前記ブースに接続され、前記排気流路および前記排気開口部を経由した気体を取り込んで冷却し、前記加熱部が送風する気体の温度を、複数の前記加熱部が送風する気体の温度のうちの最低温度（Ｔｍｉｎ）以下となるように制御する冷却器（６０）をさらに備える請求項１から４のいずれか一項に記載のリフロー装置。   It is connected to the booth, cools by taking in the gas that has passed through the exhaust passage and the exhaust opening, and sets the temperature of the gas blown by the heating unit to the temperature of the gas blown by the plurality of heating units. The reflow apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a cooler (60) for controlling the temperature to be equal to or lower than the minimum temperature (Tmin). 前記排気開口部と前記冷却器とを接続するブース配管（４０）と、
前記ブース配管に接続され、前記冷却器に気体を補充可能な補充配管（４１）と、
をさらに備える請求項５に記載のリフロー装置。 A booth pipe (40) connecting the exhaust opening and the cooler,
A replenishing pipe (41) connected to the booth pipe and capable of refilling the cooler with gas;
The reflow apparatus according to claim 5, further comprising: 前記排気開口部と前記冷却器とを接続するブース配管（４０）と、
前記加熱部と前記冷却器とを接続する冷却配管（６１）と、
前記ブース配管と前記冷却配管とを接続する迂回配管（４２）と、
をさらに備える請求項５に記載のリフロー装置。 A booth pipe (40) connecting the exhaust opening and the cooler,
A cooling pipe (61) connecting the heating unit and the cooler;
A bypass pipe (42) connecting the booth pipe and the cooling pipe;
The reflow apparatus according to claim 5, further comprising: 前記ブースの開口と前記冷却器とを接続するブース配管（４０）と、
前記ブース配管と前記加熱部とを接続する循環配管（４３）と、
をさらに備える請求項５に記載のリフロー装置。 A booth pipe (40) connecting the opening of the booth and the cooler,
A circulation pipe (43) connecting the booth pipe and the heating unit;
The reflow apparatus according to claim 5, further comprising: 第１部品（９１）および前記第１部品の熱容量よりも大きい第２部品（９２）を有する基板（９０）をリフローはんだ付けするリフロー装置（１、２、３、４、５）において、
前記基板に気体を送風し、前記第１部品の温度（Ｔ１）および前記第２部品の温度（Ｔ２）を昇温可能な複数の加熱部（１１、１２、１３、１４、１５、１６）と、
前記加熱部を収容し、前記加熱部同士の間または前記加熱部と内壁（３８）との間に形成される排気流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７）および前記排気流路に連通する排気開口部（３９）を有し、前記排気流路および前記排気開口部を経由して前記加熱部が送風した気体を排気するブース（４０）と、
前記加熱部を制御可能な制御部（８０）と、
を備えるリフロー装置を用いた基板の製造方法であって、
前記第１部品の温度および前記第２部品の温度を昇温する第１温度制御工程（Ｓ１０３）と、
前記第１温度制御工程の後、前記第１部品の温度が低下し、かつ、前記第２部品の温度が昇温する第２温度制御工程（Ｓ１０４）と、
前記第１温度制御工程、前記第２温度制御工程の順番で、前記第１温度制御工程および前記第２温度制御工程を少なくとも２回以上行う繰り返し工程（Ｓ１０５）と、
を含む基板の製造方法。 In a reflow apparatus (1, 2, 3, 4, 5) for reflow soldering a substrate (90) having a first component (91) and a second component (92) larger than the heat capacity of the first component,
A plurality of heating units (11, 12, 13, 14, 15, 16) capable of blowing gas to the substrate and raising the temperature (T1) of the first component and the temperature (T2) of the second component; ,
An exhaust passage (31, 32, 33, 34, 35, 36, 37) formed between the heating sections or between the heating sections and the inner wall (38) for accommodating the heating sections, and the exhaust A booth (40) having an exhaust opening (39) communicating with the flow path, and exhausting gas blown by the heating unit via the exhaust flow path and the exhaust opening;
A control unit (80) capable of controlling the heating unit;
A method for manufacturing a substrate using a reflow apparatus comprising:
A first temperature control step (S103) of raising the temperature of the first component and the temperature of the second component;
After the first temperature control step, a second temperature control step (S104) in which the temperature of the first component decreases and the temperature of the second component increases;
A repetition step (S105) of performing the first temperature control step and the second temperature control step at least twice or more in the order of the first temperature control step and the second temperature control step;
The manufacturing method of the board | substrate containing. 前記第２温度制御工程において、前記第１部品の温度が低下するとき、前記加熱部が送風する気体の温度（Ｔｗ１、Ｔｗ２、Ｔｗ３、Ｔｗ４、Ｔｗ５、Ｔｗ６）は、はんだの融点（Ｔｐ）以上である請求項９に記載の基板の製造方法。   In the second temperature control step, when the temperature of the first component decreases, the temperature (Tw1, Tw2, Tw3, Tw4, Tw5, Tw6) of the gas blown by the heating unit is equal to or higher than the melting point (Tp) of the solder. The method for manufacturing a substrate according to claim 9, wherein:
JP2016225140A 2016-11-18 2016-11-18 Reflow device and substrate manufacturing method using the same Active JP6642386B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016225140A JP6642386B2 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Reflow device and substrate manufacturing method using the same
CN201780070356.4A CN109952818B (en) 2016-11-18 2017-10-18 Reflow soldering apparatus and method for manufacturing substrate using the same
PCT/JP2017/037612 WO2018092493A1 (en) 2016-11-18 2017-10-18 Reflow device and manufacturing method for substrate using same
TW106137026A TWI645758B (en) 2016-11-18 2017-10-27 Reflow device and manufacturing method of substrate using the same
US16/407,806 US11090751B2 (en) 2016-11-18 2019-05-09 Reflow device and method for manufacturing substrate using the reflow device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016225140A JP6642386B2 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Reflow device and substrate manufacturing method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018082119A JP2018082119A (en) 2018-05-24
JP6642386B2 true JP6642386B2 (en) 2020-02-05

Family

ID=62146308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016225140A Active JP6642386B2 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Reflow device and substrate manufacturing method using the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11090751B2 (en)
JP (1) JP6642386B2 (en)
CN (1) CN109952818B (en)
TW (1) TWI645758B (en)
WO (1) WO2018092493A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4213600A4 (en) * 2020-11-12 2024-05-29 Senju Metal Industry Co Soldering apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01262069A (en) 1988-04-13 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heating device for substrate and heating method
JPH10145037A (en) 1996-11-06 1998-05-29 Nihon Dennetsu Keiki Co Ltd Reflow soldering device
JPH1154903A (en) 1997-07-31 1999-02-26 Fujitsu Ltd Reflow soldering method and reflow furnace
JP3318514B2 (en) 1997-08-06 2002-08-26 日本碍子株式会社 Semiconductor support device
JP2000022325A (en) 1998-07-07 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflowing apparatus and heating method using the same
JP2001127422A (en) * 1999-10-29 2001-05-11 Fuji Xerox Co Ltd Soldering method and soldering apparatus
JP2002016352A (en) 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for reflow substrate heating
JP2002324972A (en) 2001-04-25 2002-11-08 Sharp Corp Reflow device and reflow soldering method using it
DE10211647B4 (en) * 2002-03-15 2014-02-13 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Method for loading and soldering a printed circuit board
US7026582B2 (en) * 2003-05-07 2006-04-11 Visteon Global Technologies, Inc. Vector transient reflow of lead free solder for controlling substrate warpage
JP4724224B2 (en) * 2006-03-30 2011-07-13 富士通株式会社 Method for manufacturing solder bonded product, solder bonding apparatus, reflow apparatus, and solder bonding method
JP2009200072A (en) * 2008-02-19 2009-09-03 Nippon Antomu Co Ltd Reflow soldering apparatus and reflow soldering method using the same
JP2012064689A (en) * 2010-09-15 2012-03-29 Toyota Motor Corp Reflow device and reflow method
JP5694546B2 (en) * 2011-09-15 2015-04-01 富士通テレコムネットワークス株式会社 Reflow soldering apparatus and method
JP5077475B1 (en) * 2011-11-02 2012-11-21 オムロン株式会社 Heating furnace, its control device, its control program, and its control method
JP5459294B2 (en) 2011-11-15 2014-04-02 株式会社デンソー Reflow device

Also Published As

Publication number Publication date
US11090751B2 (en) 2021-08-17
TWI645758B (en) 2018-12-21
CN109952818B (en) 2021-09-24
CN109952818A (en) 2019-06-28
WO2018092493A1 (en) 2018-05-24
JP2018082119A (en) 2018-05-24
TW201828791A (en) 2018-08-01
US20190262924A1 (en) 2019-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6135344A (en) Reflow soldering method and a reflow soldering furnace
JP6188671B2 (en) Steam reflow apparatus and steam reflow method
JP6642386B2 (en) Reflow device and substrate manufacturing method using the same
KR101006632B1 (en) Decompressing type heater, its heating method, and electronic product manufacturing method
JP2010286179A (en) Electric furnace and method for controlling the same
JP4602536B2 (en) Reflow soldering equipment
JP2002016352A (en) Method and apparatus for reflow substrate heating
WO2002051221A1 (en) Reflow soldering apparatus and reflow soldering method
JP6336707B2 (en) Reflow device
JP2008279502A (en) Reflow apparatus
JP2023010606A (en) System and method for controlling temperature in three-dimensional (3d) printer
JP2005079466A (en) Reflow device having cooling mechanism and reflow furnace using the reflow device
JP2005308267A (en) Heating furnace temperature control method and its device
JP4041627B2 (en) Heating device and heating method
JPH036890A (en) Heating and device therefor
JP2009099761A (en) Reflow device
JP5130643B2 (en) Heating method and heating apparatus
JP2011119464A (en) Reflow device
JP2006173471A (en) Reflow soldering apparatus
JP2001320163A (en) Reflow device and its board heating method
JPH1098263A (en) Soldering apparatus and method therefor
CN107755842A (en) A kind of vacuum furnace chamber of heating furnace
JP7170222B2 (en) Gas phase heating device
JP2008246515A (en) Reflow apparatus
JPH11298135A (en) Heating furnace for soldering

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191216

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6642386

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250