JP6640336B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 40
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 40
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- -1 molybdenum (Mo) Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
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- H—ELECTRICITY
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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Description
1.実施の形態(第1電極を複数のサブ電極に分割し、サブ電極毎にリフレクタを有する開口部が設けられた表示装置の例)
2.変形例1−1〜1−3(サブ電極のストライプ状配置の他の例)
3.変形例2−1,2−2(サブ電極の面形状を円形状,楕円形状とした例)
4.変形例3−1,3−2(サブ電極の分割方向の他の例)
5.変形例4(第1電極の面形状の他の例)
6.変形例5(画素部の他の構成例)
7.適用例(電子機器の例)
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の全体構成を表したものである。表示装置1は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイ等であり、例えばR(赤),G(緑),B(青)のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型(トップエミッション型)の表示装置である。この表示装置1は、例えば、画素部2と、この画素部2を駆動するための回路部(走査線駆動部3、信号線駆動部4および電源線駆動部5)とを備えている。画素部2は、2次元配置された複数の画素pr,pg,pbを有している。
この駆動基板11aの上に、画素pr,pg,pb毎に有機EL素子10が形成されている。図3に示したように、有機EL素子10は、第1電極14上に、有機層16と第2電極17とを有している。第1電極14は、駆動基板11a上に複数配置されており、これらの複数の第1電極14を覆うように、第1絶縁膜15(絶縁膜)が形成されている。第1絶縁膜15は、各第1電極14に対向して複数の開口部(開口部H1a)を有している。有機層16は、第1絶縁膜15の各開口部H1aに形成されている。
n2−n1≧0.20 ………(2)
0.5≦t/R1≦2.0 ………(4)
次に、上記のような表示装置1において発生する画素欠陥の修復(リペア)について述べる。表示装置1では、例えば製造プロセス等に起因して、有機層16に異物が混入し、第1電極14と第2電極17とが電気的に短絡する場合がある。このような電気的短絡が生じた画素Pは、滅点(画素欠陥)となる。このため、短絡箇所に例えばレーザ光を照射し、画素欠陥を修復することが望まれる。
本実施の形態の表示装置1では、走査線駆動部3から各画素Pの書き込みトランジスタWsTrへ選択パルスが供給されることで、画素Pが選択される。この選択された画素Pに、信号線駆動部4から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Csに保持される。保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタDsTrがオンオフ制御され、有機EL素子10に駆動電流が注入される。これにより、有機EL素子10(有機電界発光層)では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第2電極17、第2絶縁膜18、封止層19、カラーフィルタ層(赤色フィルタ20R,緑色フィルタ20B,青色フィルタ20B)および第2基板21を透過して取り出される。これにより、各画素P(画素pr,pg,pb)から赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
図12Aは、変形例1−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図12Bは、変形例1−2に係る第1電極14の構成を表したものである。図12Cは、変形例1−3に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、第1電極14において3つのサブ電極14aがストライプ状に配置され、各サブ電極14aが端部(端部e1,e2)において接続された構成を例示した。しかしながら、第1電極14におけるサブ電極14aの端部の構成は、これに限定されるものではなく、様々な形態をとり得る。ここに記載する構成もあくまで一例である。
図13Aは、変形例2−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図13Bは、変形例3−2に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、サブ電極14aの面形状が矩形状を有する場合を例示したが、このサブ電極14aの面形状は、矩形状に限定されるものではなく、様々な形状をとり得る。ここに記載する構成もあくまで一例である。
図14Aは、変形例3−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図14Bは、変形例3−2に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、第1電極14がその矩形状の長辺方向に沿って分割される場合について説明したが、第1電極14の分割方向は、これに限定されるものではない。
図15は、変形例4に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態等では、第1電極14の面形状が矩形状を有する構成を例示したが、第1電極14の面形状は、矩形状に限定されるものではない。例えば、本変形例のように、正方形状の第1電極14が用いられてもよい。この場合にも、上記実施の形態と同様、スリット140を介して複数(ここでは5つ)のサブ電極14aが配置されることにより、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
図16は、変形例5に係る画素部の構成を表したものである。上記実施の形態では、有機EL素子10の有機層16が白色光を発生する構成(例えば真空蒸着法等のドライプロセスを想定した構成)を例示したが、画素部(有機層)の構成はこれに限定されない。本変形例のように、例えばウェットプロセス(印刷、塗布)により各色の有機層(有機層16R,16G,16B)が形成されてもよい。この例では、画素分離膜15は、第1絶縁膜15Aと第2絶縁膜15Bとの積層構造を有し、隔壁として機能する。
上記実施の形態において説明した表示装置1は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図17に、表示装置1が適用される電子機器(電子機器1A)の機能ブロック構成を示す。電子機器1Aとしては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ(PC)、スマートフォン、タブレット型PC、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
(1)
複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有する
表示装置。
(2)
前記複数の開口部はそれぞれリフレクタを有する
上記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記複数のサブ電極の各面形状は矩形状を有する
上記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状をなす
上記(3)に記載の表示装置。
(5)
前記複数のサブ電極は互いに電気的に接続されている
上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記複数の画素のうちの選択的な画素では、前記サブ電極のうちの一部分がその他の部分から切断されている
上記(1)〜(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(7)
前記複数のサブ電極の面形状はそれぞれ、複数の円形状部または多角形状部を有する
上記(1)〜(6)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有する
表示装置を備えた電子機器。
Claims (8)
- 複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有し、
前記複数のサブ電極は、互いに隙間を介して配置されるとともに、互いの一部で繋がっている
表示装置。 - 前記複数の開口部はそれぞれリフレクタを有する
請求項1記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極の各面形状は矩形状を有する
請求項1または請求項2に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状をなす
請求項3に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極は互いに電気的に接続されている
請求項1ないし請求項4のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記複数の画素のうちの選択的な画素では、前記サブ電極のうちの一部分がその他の部分から切断されている
請求項1ないし請求項5のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極の面形状はそれぞれ、複数の円形状部または多角形状部を有する
請求項1ないし請求項6のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有し、
前記複数のサブ電極は、互いに隙間を介して配置されるとともに、互いの一部で繋がっている
表示装置を備えた電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016095343 | 2016-05-11 | ||
JP2016095343 | 2016-05-11 | ||
PCT/JP2017/015896 WO2017195560A1 (ja) | 2016-05-11 | 2017-04-20 | 表示装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017195560A1 JPWO2017195560A1 (ja) | 2018-08-02 |
JP6640336B2 true JP6640336B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=60266534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018516919A Active JP6640336B2 (ja) | 2016-05-11 | 2017-04-20 | 表示装置および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11201309B2 (ja) |
JP (1) | JP6640336B2 (ja) |
CN (1) | CN109315049B (ja) |
WO (1) | WO2017195560A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017204150A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2019-03-14 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法 |
KR102353802B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
CN110767672B (zh) * | 2018-08-06 | 2020-11-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110767106B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-09-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110767831B (zh) * | 2018-12-28 | 2022-10-04 | 昆山国显光电有限公司 | 透明oled基板、显示面板、阵列基板、显示屏及显示装置 |
CN110767830A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 透明oled基板、阵列基板、显示屏及显示装置 |
CN110767713A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示装置及其oled基板、oled透光基板 |
CN110767139B (zh) * | 2019-03-29 | 2020-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
CN110767085B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-11-30 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
CN109873023B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN110767835B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-01-26 | 昆山国显光电有限公司 | 透明显示面板、显示屏、显示装置及掩膜板 |
KR20220024149A (ko) * | 2019-07-05 | 2022-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스, 기능 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치 |
CN112420962A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN114335368B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-04-19 | 北京京东方技术开发有限公司 | 发光器件及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4918752B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2012-04-18 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
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JP5061562B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
JP5353066B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2013-11-27 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法 |
KR101002663B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2010-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2010257957A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-11-11 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2011034849A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置 |
JP2014225329A (ja) * | 2011-09-12 | 2014-12-04 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
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KR101801913B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2017-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR101939366B1 (ko) * | 2012-09-11 | 2019-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9401180B2 (en) * | 2012-10-12 | 2016-07-26 | International Business Machines Corporation | High resolution tape directory (HRTD) stored at end of data in an index partition |
JP6115274B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-04-19 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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CN103616786B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-01-04 | 华映视讯(吴江)有限公司 | 薄膜晶体管基板及其修护方法 |
JP2015144087A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | ソニー株式会社 | 有機電界発光装置および電子機器 |
-
2017
- 2017-04-20 JP JP2018516919A patent/JP6640336B2/ja active Active
- 2017-04-20 CN CN201780027476.6A patent/CN109315049B/zh active Active
- 2017-04-20 WO PCT/JP2017/015896 patent/WO2017195560A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-11-07 US US16/183,663 patent/US11201309B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109315049B (zh) | 2021-10-08 |
JPWO2017195560A1 (ja) | 2018-08-02 |
US20190074471A1 (en) | 2019-03-07 |
US11201309B2 (en) | 2021-12-14 |
CN109315049A (zh) | 2019-02-05 |
WO2017195560A1 (ja) | 2017-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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