JP6635113B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
アンテナに接続される共通端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記共通端子及び前記送信端子の間に接続される送信フィルタ部と、
前記共通端子及び前記受信端子の間に接続される受信フィルタ部と、
前記共通端子と、前記送信フィルタ部と受信フィルタ部の接続部との間に接続されるアンテナ側整合素子、または、前記送信端子及び前記送信フィルタ部の間に接続される送信側整合素子と、
を備え、
前記送信フィルタ部は、
前記共通端子と送信端子との間を接続する直列腕に、直列に接続される複数の直列腕共振子と、
前記直列腕とグラウンドとの間を接続する複数の並列腕のそれぞれに、直列に接続される複数の並列腕共振子と、
前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも2つの前記並列腕共振子を接続する接続端とグラウンドとの間に接続された第1インダクタと、
前記複数の並列腕共振子のうちの前記少なくとも2つの並列腕共振子と異なる1つの並列腕共振子とグラウンドとの間に接続された第2インダクタと、を有し、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第2インダクタとは、電磁界結合し、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、両者の間の電磁界結合を阻害するように構成される。
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、前記受信側整合素子、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部、及び前記受信フィルタ部の一方端から他方端への受信経路からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第1インダクタとが電磁界結合するように構成されてもよい。
アンテナに接続される共通端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記共通端子及び前記送信端子の間に接続される送信フィルタ部と、
前記共通端子及び前記受信端子の間に接続される受信フィルタ部と、
前記共通端子と、前記送信フィルタ部と受信フィルタ部の接続部との間に接続されるアンテナ側整合素子、または、前記送信端子及び前記送信フィルタ部の間に接続される送信側整合素子と、
を備え、
前記送信フィルタ部は、
前記共通端子と前記送信端子との間を接続する直列腕に、直列に接続される複数の直列腕共振子と、
前記直列腕とグラウンドとの間を接続する複数の並列腕のそれぞれに、直列に接続される複数の並列腕共振子と、
前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも2つの前記並列腕共振子を接続する接続端とグラウンドとの間に接続された第1インダクタと、
前記複数の並列腕共振子のうちの前記少なくとも2つの並列腕共振子と異なる1つの並列腕共振子とグラウンドとの間に接続された第2インダクタと、を有し、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第1インダクタとは、電磁界結合し、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、両者の間の電磁界結合を阻害するように構成される。
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、前記受信側整合素子、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部、及び前記受信フィルタ部の一方端から他方端への受信経路からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第2インダクタとが電磁界結合するように構成されてもよい。
基板をさらに備え、
前記送信フィルタ部は前記基板に実装され、
前記基板の平面視において、前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、異なる位置に配置されてもよい。
前記第1インダクタ及び前記第2インダクタの他方は、前記基板の内部に形成されてもよい。この場合も、基板の平面視において、第1インダクタ及び第2インダクタは、重ならないように配置されてもよい。
前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記基板内のグラウンドを介して配置されてもよい。
図1に示すデュプレクサ101では、インダクタ50とインダクタ60との間の電磁界結合を阻害するようにインダクタ50とインダクタ60は配置される。例えば、インダクタ60とインダクタ50との間にグラウンドが配置される、あるいはインダクタ60とインダクタ50との間の距離は、インダクタ60とインダクタ42Lとの間の距離と比べて、長くなるようにインダクタ60とインダクタ50は配置される。これにより、インダクタ50とインダクタ60との間に電磁界結合が生じなくなるため、インダクタ60とインダクタ50とは、個別に調整可能である。
図2のデュプレクサ101Aは図1に示すデュプレクサ101と以下の点において相違する。デュプレクサ101Aにおいては、インダクタ60Aとインダクタ41Lとの間に電磁界結合が生じることで調整経路が形成され、その結果として送受信間アイソレーション特性を向上させる。すなわち、この例では、アイソレーション特性を向上させるための調整経路は、インダクタ41L、インダクタ60A、シャント接続端子P23、SAW共振子211、および接続導体303を含む。
図3のデュプレクサ101Bは、図1に示すデュプレクサ101と以下の点で相違する。デュプレクサ101Bにおいては、インダクタ60Bと接続導体302との間に電磁界結合が生じることで調整経路が形成され、その結果として送受信間アイソレーション特性を向上させる。すなわち、この例では、アイソレーション特性を向上させるための調整経路は、接続導体302、インダクタ60B、シャント接続端子P23、SAW共振子211、および接続導体303を含む。
図4のデュプレクサ101Cは、図1に示すデュプレクサ101と以下の点で相違する。デュプレクサ101Cにおいては、インダクタ60Cと接続導体403との間に電磁界結合が生じることで調整経路が形成され、その結果として送受信間アイソレーション特性を向上させる。すなわち、この例では、アイソレーション特性を向上させるための調整経路は、接続導体403、インダクタ60C、シャント接続端子P23、SAW共振子211、および接続導体303を含む。
図5のデュプレクサ101Dは、図1に示すデュプレクサ101と以下の点で相違する。デュプレクサ101Dにおいては、インダクタ60Dと受信信号用のフィルタ部30の接続導体312との間に電磁界結合が生じることで調整経路が形成され、その結果として送受信間アイソレーション特性を向上させる。すなわち、この例では、アイソレーション特性を向上させるための調整経路は、接続導体312、インダクタ60D、シャント接続端子P23、SAW共振子211、および接続導体303を含む。
図6のデュプレクサ101Eは、図1に示すデュプレクサ101と以下の点で相違する。デュプレクサ101Eは、インダクタ60Eと受信信号用のフィルタ部30の整合回路34との間に電磁界結合が生じることで調整経路が形成され、その結果として送受信間アイソレーション特性を向上させる。すなわち、この例では、アイソレーション特性を向上させるための送信信号の減衰量を調整するための調整経路は、整合回路34、インダクタ60E、シャント接続端子P23、SAW共振子211、および接続導体303を含む。
図7は、第7回路例のデュプレクサ101Fの回路ブロック図である。図7に示すように、デュプレクサ101Fは、インダクタ50Fとインダクタ42Lとの間に電磁界結合が生じることで、調整経路が形成される。インダクタ60Fとインダクタ50Fとの間の電磁界結合が阻害される。
図8は、第8回路例のデュプレクサ101Gの回路ブロック図である。デュプレクサ101Gにおいては、インダクタ50Gとインダクタ41Lとの間にも電磁界結合が生じる。すなわち、第8回路例では、インダクタ60と電磁界結合していないインダクタ41Lと、インダクタ50Gとの間に電磁界結合が生じている。
図12は、デュプレクサ101の第1の構造の主要構造を示す側面概念図である。デュプレクサ101は、積層基板100、フィルタ基板200、カバー層290、側面カバー層291、および実装型回路素子420を備える。ただし、デュプレクサ101の側面とは、フィルタ基板200が実装される積層基板100の天面100Sに直交する面である。
次に、図13は、デュプレクサ101の第2の構造の主要構造を示す側面概念図である。図12に示す例では、インダクタ50及びインダクタ60は、積層基板100内に形成されていたが、図13に示すように、積層基板100内ではなく、カバー層290に形成されていてもよい。図13に示す構造では、インダクタ50およびインダクタ60は、線状電極から構成されている。そして、インダクタ42Lを実現する実装型回路素子420と、インダクタ60を構成する線状電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ42Lとインダクタ60との間で、図13の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。
次に、図14は、デュプレクサ101の第3の構造の主要構造を示す上面概念図である。第3の構造では、インダクタ50及びインダクタ60は、インダクタ42Lと同様に、積層基板100の天面100Sに実装される実装型回路素子(例えば、チップインダクタ)によって実現される。すなわち、インダクタ50及びインダクタ60は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を有する実装型回路素子によって実現される。
次に、図15は、デュプレクサ101の第4の構造の主要構造を示す側面概念図である。第4の構造は、インダクタ50を構成する線状電極と、インダクタ60を構成する線状電極とが、積層基板100の内部において内部グラウンドパターンを介して配置される点において、図12に示す第1の構造と相違する。
次に、図16は、デュプレクサ101の第5の構造の主要構造を示す側面概念図である。図16に示すデュプレクサ101は、所謂CSP(Chip Sized Package)構造で実現されている。
30…受信信号用のフィルタ部
31,32,33…SAW共振子
34…整合回路
41C,42C,43C,44C…キャパシタ
41L,42L,43L,44L…インダクタ
50,50F,50G…インダクタ
51V,51V,61V,62V…ビア導体
60,60A,60B,60C,60D,60E,60F…インダクタ
100…積層基板
101…デュプレクサ
101…積層基板
101,101A,101B,101C,101D,101E,101F,101G…デュプレクサ
200…フィルタ基板
201,202,203,204,205,206,211,212,213…SAW共振子
280…フィルタ実装用基板
281…バンプ導体
282…外部接続用バンプ導体
283…樹脂層
290…カバー層
291…側面カバー層
292…密閉空間
293…接続電極
294…実装用電極
301,302,303,304,312,403…接続導体
420,500,600…実装型回路素子
Claims (9)
- アンテナに接続される共通端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記共通端子及び前記送信端子の間に接続される送信フィルタ部と、
前記共通端子及び前記受信端子の間に接続される受信フィルタ部と、
前記共通端子と、前記送信フィルタ部と受信フィルタ部の接続部との間に接続されるアンテナ側整合素子、または、前記送信端子及び前記送信フィルタ部の間に接続される送信側整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記送信フィルタ部は、
前記共通端子と送信端子との間を接続する直列腕に、直列に接続される複数の直列腕共振子と、
前記直列腕とグラウンドとの間を接続する複数の並列腕のそれぞれに、直列に接続される複数の並列腕共振子と、
前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも2つの前記並列腕共振子を接続する接続端とグラウンドとの間に接続された第1インダクタと、
前記複数の並列腕共振子のうちの前記少なくとも2つの並列腕共振子と異なる1つの並列腕共振子とグラウンドとの間に接続された第2インダクタと、を有し、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第2インダクタとは、電磁界結合し、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、前記グラウンドとは異なる基準電位に接続されるグラウンドパターンを介して配置され、両者の間の電磁界結合を阻害するように構成され、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、複数の誘電体層を積層してなる積層基板に形成された線状電極であり、
前記グラウンドパターンは、前記積層基板における前記第1インダクタを形成する線状電極と前記第2インダクタを形成する線状電極との間に形成された内部グラウンドパターンである、
高周波モジュール。 - 前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される1つと、前記第1インダクタとが電磁界結合するように構成される、
請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記受信端子及び前記受信フィルタ部との間に接続される受信側整合素子、
をさらに備え、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、前記受信側整合素子、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部、及び前記受信フィルタ部の一方端から他方端への受信経路からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第1インダクタとが電磁界結合するように構成される、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - アンテナに接続される共通端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記共通端子及び前記送信端子の間に接続される送信フィルタ部と、
前記共通端子及び前記受信端子の間に接続される受信フィルタ部と、
前記共通端子と、前記送信フィルタ部と受信フィルタ部の接続部との間に接続されるアンテナ側整合素子、または、前記送信端子及び前記送信フィルタ部の間に接続される送信側整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記送信フィルタ部は、
前記共通端子と前記送信端子との間を接続する直列腕に、直列に接続される複数の直列腕共振子と、
前記直列腕とグラウンドとの間を接続する複数の並列腕のそれぞれに、直列に接続される複数の並列腕共振子と、
前記複数の並列腕共振子のうちの少なくとも2つの前記並列腕共振子を接続する接続端とグラウンドとの間に接続された第1インダクタと、
前記複数の並列腕共振子のうちの前記少なくとも2つの並列腕共振子と異なる1つの並列腕共振子とグラウンドとの間に接続された第2インダクタと、を有し、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第1インダクタとは、電磁界結合し、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、前記グラウンドとは異なる基準電位に接続されるグラウンドパターンを介して配置され、両者の間の電磁界結合を阻害するように構成され、
前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、複数の誘電体層を積層してなる積層基板に形成された線状電極であり、
前記グラウンドパターンは、前記積層基板における前記第1インダクタを形成する線状電極と前記第2インダクタを形成する線状電極との間に形成された内部グラウンドパターンである、
高周波モジュール。 - 前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、および、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部からなる群から選択される1つと、前記第2インダクタとが電磁界結合するように構成される、
請求項4に記載の高周波モジュール。 - 前記受信端子及び前記受信フィルタ部との間に接続される受信側整合素子、
をさらに備え、
前記アンテナ側整合素子、前記送信側整合素子、前記受信側整合素子、前記送信フィルタ部における前記直列腕の一部、及び前記受信フィルタ部の一方端から他方端への受信経路からなる群から選択される少なくとも1つと、前記第2インダクタとが電磁界結合するように構成される、
請求項4または5に記載の高周波モジュール。 - 基板をさらに備え、
前記送信フィルタ部は前記基板に実装され、
前記基板の平面視において、前記第1インダクタと前記第2インダクタとは、異なる位置に配置される、
請求項1〜6のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記第1インダクタ及び前記第2インダクタの一方は、チップインダクタとして、前記基板の主面に配置され、
前記第1インダクタ及び前記第2インダクタの他方は、前記基板の内部に形成される、
請求項7に記載の高周波モジュール。 - 前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記基板内のグラウンドを介して配置される、
請求項7又は8に記載の高周波モジュール。
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