CN107534433A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及高频模块。高频模块中的发送滤波部具有：多个串联臂谐振子，串联地连接在连接共用端子与发送端子之间的串联臂；多个并联臂谐振子，串联地连接在连接上述串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个；第一电感器，连接在地线与连接上述多个并联臂谐振子中的至少两个上述并联臂谐振子的连接端之间；以及第二电感器，连接在地线与上述多个并联臂谐振子中与上述至少两个并联臂谐振子不同的一个并联臂谐振子之间，上述第二电感器与从由天线侧匹配元件、发送侧匹配元件以及发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合，上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具备发送滤波器以及接收滤波器的高频模块。
背景技术
具备无线通信功能的便携式设备等具备发送滤波器以及接收滤波器。发送滤波器仅使高频信号亦即发送信号中、通带的成分通过，使该通带以外的成分衰减。接收滤波器仅使天线接收到的接收信号中、通带的成分通过，使该通带以外的成分衰减(例如参照专利文献1)。
专利文献1公开的高频模块在与天线连接的共用端子与发送端子之间具备发送滤波器。该高频模块在共用端子与接收端子之间具备接收滤波器。该发送滤波器在连接共用端子与发送端子之间的串联臂具备串联地连接的多个串联臂谐振子。该发送滤波器在连接该串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个具备串联地连接的多个并联臂谐振子。
并且，在专利文献1中公开的高频模块具备在连接多个并联臂谐振子中的两个并联臂谐振子的连接端与地线之间连接的电感器。在该高频模块中，在该电感器与连接在共用端子的匹配用的电感器之间产生电感耦合。在专利文献1中公开的高频模块中，通过利用该电感耦合形成调整路径，提高发送端子与接收端子之间的隔离特性。
另外，在专利文献1中公开的高频模块除了在连接两个并联臂谐振子的连接端与地线之间连接的电感器，还具备在与该两个并联臂谐振子不同的其它的一个并联臂谐振子与地线之间连接的电感器。通过该电感器，使发送滤波器的衰减特性提高。
专利文献1：国际公开第2015/019722号小册子
然而，在专利文献1中公开的高频模块未考虑使隔离特性的提高及发送滤波器的谐波衰减特性的提高兼得的情况。例如在专利文献1公开的高频模块中，若为了隔离特性的调整而调整一方的电感器的配置等，则对发送滤波器的谐波衰减特性造成影响。换言之，在专利文献1公开的高频模块中，为了调整发送滤波器的谐波衰减特性，若调整另一方的电感器的电感，则对隔离特性产生影响。即在专利文献1公开的高频模块中，隔离特性的提高和发送滤波器的谐波衰减特性的提高的兼得是困难的。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种隔离特性优异、发送滤波器的谐波衰减特性优异的高频模块。
高频模块具备：
与天线连接的共用端子；
发送端子；
接收端子；
在上述共用端子与上述发送端子之间连接的发送滤波部；
在上述共用端子与上述接收端子之间连接的接收滤波部；
在上述发送滤波部和接收滤波部的连接部与上述共用端子之间连接的天线侧匹配元件，或者在上述发送端子以及上述发送滤波部之间连接的发送侧匹配元件，
上述发送滤波部具有：
多个串联臂谐振子，串联地连接在连接上述共用端子与发送端子之间的串联臂；
多个并联臂谐振子，串联地连接在连接上述串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个；
第一电感器，连接在地线与连接上述多个并联臂谐振子中的至少两个上述并联臂谐振子的连接端之间；以及
第二电感器，连接在地线与上述多个并联臂谐振子中与上述至少两个并联臂谐振子不同的一个并联臂谐振子之间，
上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合，
上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。
在具有这样的构造的本发明的高频模块中，能够兼得隔离特性的提高以及发送滤波部的谐波衰减特性的提高。
具体而言，例如第一电感器用于发送滤波部的谐波衰减特性的调整。例如通过调整第一电感器的电感器，发送滤波部的衰减特性的谐波的衰减极变化。调整第一电感器的电感器以便衰减极成为所希望的频率。
在本发明的高频模块中，第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合。
通过该电磁耦合，不同于从发送端子到共用端子的主路径而形成调整路径。若调整该电磁耦合的方式以及强度，则经由发送滤波部向共用端子传送的发送信号被经由调整路径向共用端子传送的发送信号抵消。具体而言，调整电磁耦合的耦合方式以及电磁耦合的强度，以便使经由发送滤波部向共用端子传送的发送信号与经由调整路径向共用端子传送的发送信号、的两信号的振幅一致，并且相位是180°不同。绕到接收端子的发送信号衰减，因此高频模块的隔离特性提高。
在本发明的高频模块中，上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。
由此，在第一电感器与第二电感器之间不产生电磁耦合。其中，在本发明中，不产生电磁耦合是指故意地设计为不产生电磁耦合。因此，不产生电磁耦合并不是现实中完全不产生电磁耦合。
在本发明的高频模块中，由于阻碍第一电感器与第二电感器之间的电磁耦合，所以能够不考虑相互的影响而分别独立地调整第一电感器以及第二电感器。即例如即使为了改善发送滤波部的谐波衰减特性而调整第一电感器的电感器，通过第二电感器的电磁耦合提高了的隔离特性也被维持。
即本发明的高频模块使用不受相互影响的第一电感器与第二电感器，所以能够兼得第二电感器的隔离特性的提高、及第一电感器的发送滤波部的谐波衰减特性的提高。
此外，在上述中，第二电感器构成用于隔离特性提高的调整路径，第一电感器用于发送滤波部的谐波衰减特性的调整。然而，在本发明中，为了形成用于使隔离特性提高的调整路径，也可替代第二电感器而选择第一电感器。即本发明的高频模块也可利用第一电感器的电磁耦合使隔离特性提高，利用第二电感器使发送滤波部的谐波衰减特性提高。
在本发明的高频模块中，也可构成为上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的一个进行电磁耦合。
在该结构中，通过第一电感器与其它电路元件进行电磁耦合，形成用于调整隔离特性的第二调整路径。因此，只要调整形成第二调整路径的电磁耦合的方式以及强度，高频模块的隔离特性就能够进一步提高。
在本发明的高频模块中，还具备接收侧匹配元件，连接在上述接收端子与上述接收滤波部之间，
也可构成为上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件、上述接收侧匹配元件、上述发送滤波部的上述串联臂的一部分以及从上述接收滤波部的一端到另一端的接收路径构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合。
在该结构中，高频模块的隔离特性进一步提高。
高频模块具备：
与天线连接的共用端子；
发送端子；
接收端子；
在上述共用端子与上述发送端子之间连接的发送滤波部；
在上述共用端子与上述接收端子之间连接的接收滤波部；
在上述发送滤波部和接收滤波部的连接部与上述共用端子之间连接的天线侧匹配元件，或者在上述发送端子以及上述发送滤波部之间连接的发送侧匹配元件，
上述发送滤波部具有：
多个串联臂谐振子，串联地连接在连接上述共用端子与上述发送端子之间的串联臂；
多个并联臂谐振子，串联地连接在连接上述串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个；
第一电感器，连接在地线与连接上述多个并联臂谐振子中的至少两个上述并联臂谐振子的连接端之间；以及
第二电感器，连接在地线与上述多个并联臂谐振子中与上述至少两个并联臂谐振子不同的一个并联臂谐振子之间，
上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合，
上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。
在这样的构造的本发明的高频模块中，能够兼得隔离特性的提高以及发送滤波部的谐波衰减特性的提高。
在本发明的高频模块中，也可构成为上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的一个进行电磁耦合。
在该结构中，第二电感器与其它电路元件进行电磁耦合，从而形成用于调整隔离特性的第二调整路径。因此，只要调整形成第二调整路径的电磁耦合的方式以及强度，高频模块的隔离特性就能够进一步提高。
在本发明的高频模块中，还具备接收侧匹配元件，连接在上述接收端子与上述接收滤波部之间，
也可构成为上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件、上述接收侧匹配元件、上述发送滤波部的上述串联臂的一部分以及从上述接收滤波部的一端到另一端的接收路径构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合。
在该结构中，高频模块的隔离特性进一步提高。
为了在第一电感器与第二电感器之间不产生电磁耦合，也可如以下那样构成高频模块。
本发明的高频模块可以，
还具备基板，
上述发送滤波部被安装于上述基板，
在俯视上述基板的情况下，上述第一电感器与上述第二电感器被配置在不同的位置。
在该结构中，隔离特性以及发送滤波部的谐波衰减特性进一步提高。
在本发明的高频模块中，可以是上述第一电感器以及上述第二电感器的一方作为片式电感器被配置在上述基板的主面，
上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方被形成在上述基板的内部。在该情况下，俯视基板时，第一电感器以及第二电感器也可以被配置为不重叠。
在该结构中，隔离特性以及发送滤波部的谐波衰减特性进一步提高。
本发明的高频模块中，
上述第一电感器以及上述第二电感器也可以经由上述基板内的地线而配置。
在该结构中，隔离特性以及发送滤波部的谐波衰减特性进一步提高。
根据本发明，能够实现隔离特性优异、发送滤波器的谐波衰减特性优异的高频模块。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的高频模块的第一电路例的电路框图。
图2是表示本发明的实施方式的高频模块的第二电路例的电路框图。
图3是表示本发明的实施方式的高频模块的第三电路例的电路框图。
图4是表示本发明的实施方式的高频模块的第四电路例的电路框图。
图5是表示本发明的实施方式的高频模块的第五电路例的电路框图。
图6是表示本发明的实施方式的高频模块的第六电路例的电路框图。
图7是表示本发明的实施方式的高频模块的第七电路例的电路框图。
图8是表示本发明的实施方式的高频模块的第八电路例的电路框图。
图9(A)～图9(H)是分别表示图1至图8所示的高频模块的匹配电路的具体例的电路图。
图10是表示本发明的实施方式的高频模块的第一外部连接端子与第二外部连接端子之间的隔离特性的图表。
图11是表示本发明的实施方式的高频模块的发送信号用的滤波部的谐波衰减特性的图表。
图12是表示高频模块的第一构造的主要构造的侧面概念图。
图13是表示高频模块的第二构造的主要构造的侧面概念图。
图14是表示高频模块的第三构造的主要构造的俯视概念图。
图15是表示高频模块的第四构造的主要构造的侧面概念图。
图16是表示高频模块的第五构造的主要构造的侧面概念图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式的高频模块进行说明。在以下的说明中，作为高频模块的一个例子使用双工器来说明。在说明书中，“电磁耦合”是指电场耦合、磁场耦合、或者该两方的耦合。另外，在图中，“否”表示在电路结构间没有产生电磁耦合。
图1是表示第一电路例的双工器101的电路框图。图2是表示第二电路例的双工器101A的电路框图。图3是表示第三电路例的双工器101B的电路框图。图4是表示第四电路例的双工器101C的电路框图。图5是表示第五电路例的双工器101D的电路框图。图6是表示第六电路例的双工器101E的电路框图。此外，在图1～图6中，为了容易辨认附图，表示了电感耦合或者电容耦合的代表例。
首先，针对图1～图6分别表示的双工器101、101A、101B、101C、101D、101E来说明共用的电路结构。以下，将双工器101、101A、101B、101C、101D、101E统称为双工器101～101E。
双工器101～101E具备：第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2、第三外部连接端子P3、发送信号用的滤波部20、接收信号用的滤波部30、电感器41L、电感器42L、电感器50以及电感器60。
发送信号用的滤波部20连接在第一外部连接端子P1与第三外部连接端子P3之间。接收信号用的滤波部30连接在第二外部连接端子P2与第三外部连接端子P3之间。电感器41L是匹配元件，相对于第一外部连接端子P1与发送信号用的滤波部20之间的路径401，并联连接。电感器42L是匹配元件，并联连接在第三外部连接端子P3与发送信号用的滤波部20之间的路径402。
发送信号用的滤波部20具备：串联连接端子P21、串联连接端子P22、并联连接端子P23以及并联连接端子P24。串联连接端子P21与第一外部连接端子P1连接。串联连接端子P22与第三外部连接端子P3连接。
并联连接端子P23经由电感器60与地线连接。并联连接端子P24经由电感器50与地线连接。电感器60相当于本发明的第二电感器。电感器50相当于本发明的第一电感器。
此外，在本申请中，并联连接是指路径与地线之间的连接。另外，串联连接是指电路结构间的串联连接。
发送信号用的滤波部20具备多个SAW谐振子201、202、203、204、205以及206(以下，在汇总这些SAW谐振子来说明的情况下称为SAW谐振子201～206)。另外，发送信号用的滤波部20具备多个SAW谐振子211、212、以及213。SAW谐振子201～206相当于本发明的串联臂谐振子。SAW谐振子211、212、213分别相当于本发明的并联臂谐振子。
SAW谐振子201～206串联地连接在串联连接端子P21与串联连接端子P22之间。即SAW谐振子201～206串联地连接在连接第一外部连接端子P1与第三外部连接端子P3之间的串联臂。具体而言，SAW谐振子201的一端经由连接导体301与串联连接端子P21连接，另一端与SAW谐振子202的一端连接。SAW谐振子202的另一端经由连接导体302与SAW谐振子203的一端连接。SAW谐振子203的另一端与SAW谐振子204的一端连接。SAW谐振子204的另一端经由连接导体303与SAW谐振子205的一端连接。SAW谐振子205的另一端与SAW谐振子206的一端连接。SAW谐振子206的另一端经由连接导体304与串联连接端子P22连接。
SAW谐振子211、212以及213分别连接在连接第一外部连接端子P1以及第三外部连接端子P3间的串联臂、与地线之间的多个并联臂。具体而言，SAW谐振子213的一端与连接导体301连接，另一端与并联连接端子P24连接。SAW谐振子212的一端与连接导体302连接，另一端与并联连接端子P24连接。即并联连接端子P24是相对于SAW谐振子212以及213的共用的端子，上述SAW谐振子212以及213的另一端一起与地线连接。SAW谐振子211的一端与连接导体303连接，另一端与并联连接端子P23连接。
SAW谐振子201～206、211、212以及213分别具有谐振频率。发送信号用的滤波部20通过这样的结构构成所谓梯形连接型滤波器，组合SAW谐振子201～206、211、212以及213，从而实现作为发送信号用的滤波部20的所希望的通过特性以及衰减特性。此外，在发送信号用的滤波部20中，SAW谐振子的数量、配置为了得到欲通过的信号的频带以及所希望的衰减特性也可适当地改变。
接收信号用的滤波部30具备：串联连接端子P33、SAW谐振子31、纵耦合型的SAW谐振子32、纵耦合型的SAW谐振子33、匹配电路34以及平衡连接端子P2A、P2B。
串联连接端子P33经由连接导体403与第三外部连接端子P3连接。SAW谐振子31的一端与串联连接端子P33连接，另一端经由连接导体312与SAW谐振子32的一端连接。纵耦合型的SAW谐振子32具有平衡-不平衡转换功能。SAW谐振子32的另一端与SAW谐振子33的一端平衡连接。SAW谐振子33的另一端与匹配电路34的一端连接。匹配电路34具备电感器以及电容器。匹配电路34的另一端与平衡连接端子P2A、P2B连接。平衡连接端子P2A、P2B与作为平衡端子的第二外部连接端子P2连接。但是，接收信号用的滤波部30的结构具有平衡-不平衡转换功能并不是本实施方式所必须的。因此，第二外部连接端子P2以及接收信号用的滤波部30的平衡连接端子P2A、P2B也可分别是不平衡端子。
在本实施方式的双工器101～101E中，如以下所示，配置电感器50与电感器60，以便阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合。由此，在电感器50与电感器60之间不产生电磁耦合。但是，在本实施方式中，不产生电磁耦合、或者阻碍电磁耦合是指有意设计为不产生电磁耦合。因此，不产生电磁耦合、或者阻碍电磁耦合在现实中并不是完全不产生电磁耦合。
通过在电感器50与电感器60之间不产生电磁耦合，电感器50与电感器60能够分别独立地调整各自的电感器而不相互影响。其结果是，能够使双工器101～101E的隔离特性与发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性这双方提高。通过相互不受影响的电感器50(第一电感器)与电感器60(第二电感器)，能够兼得双工器101～101E的隔离特性的提高及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。以下对详细内容进行说明。
(第一电路例)
在图1所示的双工器101中，配置电感器50与电感器60以便不阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合。例如在电感器60与电感器50之间配置地线，或者将电感器60与电感器50配置成电感器60与电感器50之间的距离比电感器60与电感器42L之间的距离长。由此，由于在电感器50与电感器60之间不产生电磁耦合，所以能够分别独立地调整电感器60与电感器50。
构成为在不与电感器50产生电磁耦合的电感器60、与电感器42L之间产生电磁耦合(电容耦合或者电感耦合)。通过该电磁耦合，形成用于调整隔离特性的调整路径。该调整路径包含连接导体303、SAW谐振子211、并联连接端子P23、电感器60、电感器42L。
调整形成调整路径的电磁耦合的耦合方式以及电磁耦合的强度，以便从第一外部连接端子P1通过发送信号用的滤波部20以及路径402的发送信号与通过该调整路径的发送信号在第三外部连接端子P3中抵消。具体而言，以在第三外部连接端子P3中、使从第一外部连接端子P1通过发送信号用的滤波部20以及路径402的发送信号与通过调整路径的发送信号的振幅一致并且相位180°不同的方式，调整电感器60与电感器42L的电磁耦合的方式以及强度。电磁耦合的方式包含电感器60以及电感器42L的电感耦合、以及构成电感器60以及电感器42L的导体间的电容耦合。电磁耦合的强度例如与电感器60与电感器42L的距离对应。通过电磁耦合的方式以及强度的调整，从第一外部连接端子P1通过发送信号用的滤波部20以及路径402的发送信号被流经调整路径的发送信号抵消，所以发送路径中的发送信号的衰减量增加。其结果是，由于在第二外部连接端子P2中发送信号也衰减，所以双工器101的发送-接收间的隔离特性得以提高。
对于不与电感器60电磁耦合的电感器50而言，调整该电感器，以便在第三外部连接端子P3中发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性成为所希望特性。若电感器50的电感器变化，则发送信号用的滤波部20的衰减特性的谐波区域的衰减极变化。电感器50的电感器被设定为在发送信号用的滤波部20的衰减特性中，衰减极成为所希望的频率。
此外，利用不与电感器60电磁耦合的电感器50的电感器的变化设定的衰减极而衰减的所希望的频率例如可例举发送信号的谐波的频率等。发送信号的谐波可例举发送信号的2倍波、3倍波等。
在图1所示的双工器101中，由于在电感器50与电感器60之间不产生电磁耦合，所以能够分别独立地调整电感器50以及电感器60。因此，即使调整电感器50的电感器，双工器101的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60以及电感器42L的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
(第二电路例)
图2的双工器101A与图1所示的双工器101在以下的点中不同。在双工器101A中，通过在电感器60A与电感器41L之间产生电磁耦合来形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。即在该例中，用于使隔离特性提高的调整路径包含电感器41L、电感器60A、并联连接端子P23、SAW谐振子211以及连接导体303。
如图2所示，在双工器101A中，也配置电感器60A与电感器50以便阻碍电感器60A与电感器50之间的电磁耦合。例如在电感器60A与电感器50之间配置地线，或者将电感器60A与电感器50配置成电感器60A与电感器50的距离比电感器60A与电感器41L的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60A与电感器50。
由此，即使调整电感器50的电感器，双工器101A的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60A以及电感器41L的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101A能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
(第三电路例)
图3的双工器101B与图1所示的双工器101在以下的点上不同。在双工器101B中，通过在电感器60B与连接导体302之间产生电磁耦合形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。即在该例中，用于使隔离特性提高的调整路径包含连接导体302、电感器60B、并联连接端子P23、SAW谐振子211以及连接导体303。
如图3所示，在双工器101B中，配置电感器60B与电感器50以便阻碍电感器60B与电感器50之间的电磁耦合。例如在电感器60B与电感器50之间配置地线，或者将电感器60B与电感器50配置成电感器60B与电感器50的距离比电感器60B与连接导体302的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60B与电感器50。
由此，即使调整电感器50的电感器，双工器101B的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60B以及连接导体302的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101B能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
此外，第三电路例也可是通过在电感器60B与连接导体301、电感器60B与连接导体303、或者电感器60B与连接导体304之间产生电磁耦合，构成调整路径的方式。
(第四电路例)
图4的双工器101C与图1所示的双工器101在以下的点上不同。在双工器101C中，通过在电感器60C与连接导体403之间产生电磁耦合来形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。即在该例中，用于使隔离特性提高的调整路径包含连接导体403、电感器60C、并联连接端子P23、SAW谐振子211以及连接导体303。
如图4所示，在双工器101C中，也构成为阻碍电感器60C与电感器50间的电磁耦合。例如在电感器60C与电感器50之间配置地线，或者将电感器60C与电感器50配置成电感器60C与电感器50的距离比电感器60C与连接导体403的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60C与电感器50。
由此，即使调整电感器50的电感器，双工器101C的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60C以及连接导体403的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101C能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
(第五电路例)
图5的双工器101D与图1所示的双工器101在以下的点上不同。在双工器101D中，通过在电感器60D与接收信号用的滤波部30的连接导体312之间产生电磁耦合来形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。即在该例中，用于使隔离特性提高的调整路径包含连接导体312、电感器60D、并联连接端子P23、SAW谐振子211以及连接导体303。
如图5所示，在双工器101D中，配置电感器60D与电感器50以便阻碍电感器60D与电感器50之间的电磁耦合。例如在电感器60D与电感器50之间配置地线。或者将电感器60D与电感器50配置成电感器60D与电感器50的距离比电感器60D与连接导体312的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60D与电感器50。
由此，即使调整电感器50的电感器，双工器101D的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60D以及连接导体312的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101D能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
(第六电路例)
图6的双工器101E与图1所示的双工器101在以下的点上不同。双工器101E通过在电感器60E与接收信号用的滤波部30的匹配电路34之间产生电磁耦合来形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。即在该例中，用于调整使隔离特性提高的发送信号的衰减量的调整路径包含匹配电路34、电感器60E、并联连接端子P23、SAW谐振子211以及连接导体303。
如图6所示，在双工器101E中，在电感器60E与电感器50之间配置地线，或者将电感器60E与电感器50配置成电感器60E与电感器50的距离比电感器60E与滤波部30的匹配电路34的距离长，以便阻碍电感器60E与电感器50之间的电磁耦合。因此，能够分别独立地调整电感器60E与电感器50。
由此，即使调整电感器50的电感器，双工器101E的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器60E以及匹配电路34的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101E能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
此外，上述例虽在电感器60～60E与一个电路结构要素之间产生电磁耦合，但也可在电感器60～60E与2个以上的电路结构要素之间产生电磁耦合。即双工器101～101E也可具备经由了电感器60～60E的多个调整路径。
另外，上述例通过至少一个电路结构要素与电感器60～60E中的一个进行电磁耦合，电感器60～60E中的一个形成调整路径，作为其结果使收发信号间隔离特性提高。通过未与电感器60～60E中的一个进行电磁耦合的电感器50使发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性提高。如以下那样，作为与形成用于使隔离特性提高的调整路径的至少一个电路结构要素进行电磁耦合的电感器，也可以代替电感器60～60E而选择电感器50。
(第七电路例)
图7是第七电路例的双工器101F的电路框图。如图7所示，双工器101F在电感器50F与电感器42L之间产生电磁耦合，从而形成调整路径。阻碍电感器60F与电感器50F之间的电磁耦合。
即在电感器50F与电感器42L之间产生电磁耦合，从而形成调整路径，作为其结果使双工器101F的收发信号间隔离特性提高。在双工器101F中，电感器60F用于调整发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性。
在第七电路例的双工器101F中，配置电感器60F与电感器50F，以便阻碍电感器60F与电感器50F之间的电磁耦合。例如在电感器60F与电感器50F之间配置地线。或者将电感器60F与电感器50F配置成电感器60F与电感器50F的距离比电感器50F与电感器42L的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60F与电感器50F。
由此，即使调整电感器60F的电感器，双工器101F的隔离特性也不受影响。同样，即使调整电感器50F以及电感器42L的电磁耦合的方式以及强度，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性也不受影响。其结果是，双工器101F能够兼得收发信号间的隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
虽省略图示，但用于使隔离特性提高的调整路径并不限于通过在电感器50F以及电感器42L之间产生的电磁耦合而形成的例子。调整路径也可通过在从由电感器41L、42L、连接导体301～304、连接导体403、连接导体312以及匹配电路34构成的组中选择的至少一个、与电感器50F之间产生电磁耦合而形成。
(第八电路例)
图8是第八电路例的双工器101G的电路框图。在双工器101G中，在电感器50G与电感器41L之间也产生电磁耦合。即在第八电路例中，在不与电感器60进行电磁耦合的电感器41L、与电感器50G之间产生电磁耦合。
在双工器101G中，配置电感器60与电感器50G以便阻碍电感器60与电感器50G之间的电磁耦合。例如在电感器60与电感器50G之间配置地线。或者将电感器60与电感器50G配置成电感器60与电感器50G的距离比电感器60与电感器42L的距离和/或电感器50G与电感器41L的距离长。因此，能够分别独立地调整电感器60与电感器50G。
在该例中，通过在电感器50G与电感器41L之间产生的电磁耦合，进一步形成调整路径。通过调整在电感器50G与电感器41L之间产生的电磁耦合的方式以及强度，使隔离特性提高。即在第八电路例中，由于使用基于电感器50G与电感器41L的调整路径、及基于电感器60与电感器42L之间产生的电磁耦合的调整路径，所以能够进一步使隔离特性提高。
此外，上述例作为第一外部连接端子P1侧的匹配元件，表示了并联连接型的匹配元件亦即电感器41L，作为第三外部连接端子P3侧的匹配元件，表示了并联连接型的电感器42L。然而，作为第一外部连接端子P1侧以及第三外部连接端子P3侧的匹配元件，也可使用以下所示的元件。
具体而言，第一外部连接端子P1侧的匹配元件并不限于图9(A)所示的电感器41L，也可是如图9(B)所示的并联连接型的电容器41C，也可是如图9(C)所示的串联连接的电感器43L，或者也可是如图9(D)所示的串联连接的电容器43C。
另外，第三外部连接端子P3侧的匹配元件并不局限于图9(E)所示的电感器42L，也可是如图9(F)所示的并联连接型的电容器42C，也可是如图9(G)所示的串联连接的电感器44L，或者也可是图9(H)所示的串联连接的电容器44C。
作为与电感器50或者电感器60电磁耦合的匹配元件，若使用电感器则电感耦合的强度增加。作为与电感器50或者电感器60电磁耦合的匹配元件，若使用电容器则电容耦合的强度增加。
其中，本发明的实施方式的双工器也可仅具备第一外部连接端子P1侧的匹配元件以及第三外部连接端子P3侧的匹配元件的任一方。并且，也可将组合了图9(A)～图9(H)所示的各元件的匹配电路配置在第一外部连接端子P1侧(第三外部连接端子P3侧)。
接下来，图10是表示图1所示的双工器101的隔离特性的图表。图10的横轴表示频率，图10的纵轴表示隔离量。其中，图10所示的隔离量表示第一外部连接端子P1与第二外部连接端子P2之间的隔离量。
在图10中，粗实线表示本申请实施例的双工器101的隔离特性。具体而言，在实施例的双工器101中，构成为阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合，并且通过电感器60与电感器42L之间的电磁耦合来形成调整路径。在图10中，细实线表示比较例1的双工器的隔离特性。具体而言，在比较例1的双工器中，没有形成用于隔离提高的调整路径。在图10中，点线表示比较例2的双工器的隔离特性。具体而言，在比较例2的双工器中，除了在电感器50与电感器60之间产生电磁耦合以外，具备与实施例的双工器101相同的电路结构。
如图10所示，在885MHz至897.5MHz中，与比较例1的双工器的隔离特性相比，实施例的双工器101的隔离特性被改善。该理由被认为是以下的理由。通过基于电感器60与电感器42L之间的电磁耦合的调整路径，经由实施例的双工器101的发送信号用的滤波部20向第三外部连接端子P3流动的发送信号被经由调整路径向第三外部连接端子P3流动的发送信号抵消，绕到第二外部连接端子P2的发送信号衰减。作为其结果，收发信号间隔离特性得以提高。在通过电感器50与电感器60形成调整路径的比较例2的双工器与本申请实施例的双工器101中，确保了相同程度的隔离量。
接下来，图11是表示图1所示的双工器101的发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的图表。图11的横轴表示频率，图11的纵轴表示从第一外部连接端子P1向第三外部连接端子P3传播的发送信号的衰减量。图11的实线表示实施例的双工器101的滤波部20的谐波衰减特性。图11的点线表示比较例2的双工器的发送滤波器的谐波衰减特性。
其中，比较例2以及实施例的双工器的发送滤波器(发送信号用的滤波部20)分别被设定为将800MHz带作为通带。实施例的双工器101构成为阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合，并且通过在电感器60与电感器42L之间电磁耦合来形成调整路径。另外，比较例2的双工器除了在电感器50与电感器60之间产生电磁耦合以外，具备与实施例的双工器101相同的电路结构。
如图11所示，在比较例2的双工器中，从1.0GHz至3.2GHz的衰减量是28dB至40dB。与此相对，在实施例的双工器101中，从1.0GHz至3.2GHz的衰减量是40dB以上。即，发送信号用的滤波部20的发送频带的谐波亦即2.0GHz至3.0GHz中，实施例的双工器101的衰减量比比较例的双工器的衰减量多10dB以上。即在实施例的双工器101中，与比较例2的双工器比较，发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性得以提高。
即使为了调整滤波部20的谐波衰减特性而调整电感器50的电感器，图10所示的双工器101的隔离特性也几乎不受影响。即使为了调整隔离特性而调整电感器60与电感器42L的电磁耦合的方式以及强度，图11所示的滤波部20的谐波衰减特性也几乎不受影响。即在实施例的双工器101中，能够分别独立地调整隔离特性、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性。其结果是，能够兼得实施例的双工器101隔离特性的提高、及发送信号用的滤波部20的谐波衰减特性的提高。
接下来，对本发明的实施方式的双工器的构造进行说明。以下，以上述双工器101～101F中双工器101的构造为代表来进行说明。
(第一构造)
图12是表示双工器101的第一构造的主要构造的侧面概念图。双工器101具备层叠基板100、滤波器基板200、罩层290、侧面罩层291以及安装型电路元件420。其中，双工器101的侧面是指与安装滤波器基板200的层叠基板100的顶面100S正交的面。
层叠基板100由层叠多个电介质层而成。在层叠基板100的顶面(安装面)100S以及内层形成有规定图案的电极，形成除了双工器101的发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30以外的布线图案。例如在第一构造中，电感器50以及电感器60被形成于层叠基板100的内层。
电感器50由线状电极(线状导体)构成。该线状电极的一端经由通孔导体51V与安装了成为发送信号用的滤波部20的并联连接端子P24的安装用电极294的焊盘电极连接。该焊盘电极被形成于层叠基板100的顶面100S。构成电感器50的线状电极的另一端经由通孔导体52V与被形成于层叠基板100内的内部地线图案连接。
电感器60由线状电极(线状导体)构成。该线状电极的一端经由通孔导体61V与安装了成为发送信号用的滤波部20的并联连接端子P23的安装用电极294的焊盘电极连接。该焊盘电极被形成于层叠基板100的顶面100S。构成电感器60的线状电极的另一端经由通孔导体62V与被形成于层叠基板100内的内部地线图案连接。
在层叠基板100的底面100R形成有外部连接用电极，通过这些外部连接用电极实现上述第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2以及第三外部连接端子P3。其中，层叠基板100的底面100R是指与安装滤波器基板200的层叠基板100的顶面100S对置的面。
发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30通过滤波器基板200、罩层290、侧面罩层291、连接电极293以及安装用电极294而形成。
滤波器基板200由平板状的压电基板构成。在滤波器基板200的第一主面形成有滤波器电极以及布线图案。滤波器电极例如由所谓IDT电极构成。这样，通过在压电基板的主面形成IDT电极，能够实现上述各SAW谐振子。在滤波器基板200的第一主面侧配置有平板状的罩层290。罩层290由平板状的绝缘性材料构成，在俯视时由与滤波器基板200相同的形状构成。另外，罩层290在俯视时，被配置为与滤波器基板200重叠，并距滤波器基板200的第一主面隔开规定距离的间隔地配置。其中，罩层290的俯视是指在将滤波器基板200安装于层叠基板100的顶面100S的状态下，沿顶面100S的法线方向观察罩层290。
在滤波器基板200的第一主面与罩层290之间配置有侧面罩层291。侧面罩层291也由绝缘性材料构成，在俯视时，遍及滤波器基板200以及罩层290的整周，从外周端到内侧仅被形成于规定宽度的范围。即侧面罩层291是在中央具有开口的框状的构造。
这样，通过配置罩层290与侧面罩层291，滤波器基板200的第一主面的形成滤波器电极的区域通过滤波器基板200、罩层290以及侧面罩层291被配置在封闭空间292内。由此，能够使SAW谐振子的共振特性提高，能够精确地实现滤波器的所希望的特性。
连接电极293由一端与滤波器基板200的第一主面接触，另一端在与罩层290的滤波器基板200侧相反的一侧的面露出的形状构成。此时，连接电极293被形成为贯通侧面罩层291以及罩层290。连接电极293的一端与被形成于滤波器基板200的第一主面的布线图案连接。
安装用电极294以与连接电极293的另一端连接，从与罩层290的滤波器基板200侧相反的一侧的面突出的形状而形成。通过设置多个该连接电极293与安装用电极294的组，实现上述发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30的串联连接端子P21、串联连接端子P22、并联连接端子P23、并联连接端子P24、串联连接端子P33、平衡连接端子P2A以及平衡连接端子P2B。此外，也可在连接电极293的另一端形成使用了焊接、Au等的凸块，经由该凸块与安装用电极294连接。
通过以上那样的构成，发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30成为所谓WLP(Wafer Level Package：晶圆级封装)的构造，能够小型地形成发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30。
而且，该WLP构造的发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30被安装于层叠基板100的顶面100S。由此，发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30与第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2以及第三外部连接端子P3连接。
电感器42L通过安装型电路元件420而实现。具体而言，安装型电路元件420具备由绝缘性材料构成的立方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器42L的螺旋电极。螺旋电极沿框体的外周伸长并通过线状电极与层间连接电极而实现。各层的线状电极通过层间连接电极连接为成为一根的线状电极。螺旋电极的两端与被形成于框体的对置的两端面的外部连接电极连接。
由这样的结构构成的安装型电路元件420被安装于层叠基板100的顶面100S，以便螺旋电极中心轴与顶面100S正交。其中，安装型电路元件420也可被安装为螺旋电极中心轴与顶面100S平行。
此外，虽省略图示，但电感器41L也可通过安装型电路元件而实现。其中，电感器41L、42L也可通过被形成于层叠基板100的顶面100S的线状电极而实现。另外，电感器41L、42L也可通过被形成于层叠基板100的内部的线状电极而实现。
而且，如图12所示，使实现电感器42L的安装型电路元件420、与构成电感器60的线状电极接近地配置。由此，在由安装型电路元件420的螺旋电极构成的电感器42L与由层叠基板100内的线状电极构成的电感器60之间，如图12的粗虚线箭头所示，能够产生电感耦合。此外，虽省略图示，但作为第三外部连接端子P3侧的匹配元件，在使用电容器的情况下，在构成电感器60的线状电极与该电容器之间产生电容耦合。
此时，通过使构成电感器60的线状电极与构成电感器42L的螺旋电极的距离变化，能够调整电感器42L与电感器60的电磁耦合的强度。由此，能够调整双工器101的隔离特性，能够更精确地实现所希望的隔离特性。另外，通过调整构成电感器60的线状电极的长度，能够调整在调整路径中传送的发送信号的频率特性。并且，调整调整路径的路径长度，从而能够调整通过了调整路径的发送信号的第二外部连接端子P2的相位。
在双工器101的第一构造中，使构成电感器50的线状电极与构成电感器60的线状电极远离地配置。在图12所示的构造中，各线状电极在平面方向被远离地配置。例如将电感器60与电感器50配置成电感器60与电感器50的距离比电感器60与电感器42L的距离长。如图12的侧面概念图所示，电感器50被配置在层叠基板100的一侧面侧，电感器60被配置在与层叠基板100的一侧面对置的另一侧面侧、例如俯视双工器101时与安装型电路元件420重叠的区域。由此，在电感器50与电感器60之间不产生电感耦合。当然，也可不仅在平面方向还在层叠方向远离地配置各线状电极。另外，也可在电感器60与电感器50之间设置阻碍电感器50与电感器60之间的电感耦合那样的构成。例如也可通过在电感器50与电感器60之间设置地线等，阻碍电感器50与电感器60之间的电感耦合。
另外，为了阻碍电感器50与电感器60之间的电感耦合，也可将构成电感器50的线状电极、与构成电感器60的线状电极配置为相互的长边方向不同。
(第二构造)
接下来，图13是表示双工器101的第二构造的主要构造的侧面概念图。在图12所示的例子中，电感器50以及电感器60虽被形成于层叠基板100内，但如图13所示，也可不被形成于层叠基板100内，而被形成于罩层290。在图13所示的构造中，电感器50以及电感器60由线状电极构成。而且，使实现电感器42L的安装型电路元件420、与构成电感器60的线状电极接近地配置。由此，与上述相同，如图13的粗虚线箭头所示，能够在电感器42L与电感器60之间产生电感耦合。
在第二构造中，构成电感器50的线状电极、与构成电感器60的线状电极在平面方向被远离地配置。例如将电感器60与电感器50配置成电感器60与电感器50的距离比电感器60与电感器42L的距离长。如图13的侧面概念图所示，电感器50被配置在罩层290的一端侧，电感器60被配置在与罩层290的一端对置的另一端侧。由此，与上述相同，在电感器50与电感器60之间不产生电感耦合。
(第三构造)
接下来，图14是表示双工器101的第三构造的主要构造的俯视概念图。在第三构造中，电感器50以及电感器60与电感器42L相同，通过被安装于层叠基板100的顶面100S的安装型电路元件(例如片式电感器)而实现。即电感器50以及电感器60通过具有由绝缘性材料构成的立方体形状的框体的安装型电路元件而实现。
如图14所示，电感器50通过安装型电路元件500而实现。电感器60通过安装型电路元件600而实现。而且，使实现电感器42L的安装型电路元件420、与实现电感器60的安装型电路元件600接近地配置。
在第三构造中，实现电感器50的安装型电路元件500、与实现电感器60的安装型电路元件600在平面方向被远离地配置。其中，平面方向是与层叠基板100的顶面100S平行的方向。在图14中，平面方向的第一方向与平面方向的第二方向正交。例如将电感器60与电感器50配置成电感器60与电感器50的距离比电感器60与电感器42L的距离长。实现电感器50的安装型电路元件500在俯视图中被配置在与层叠基板100的第二方向平行的边中的第一方向下游的边侧，实现电感器60的安装型电路元件600被配置在与层叠基板100的第二方向平行的边中的第一方向上游的边侧。
此外，在电感器60与电感器42L之间产生的电感耦合的强度能够通过安装型电路元件600与安装型电路元件420的距离来调整。
同样，为了阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合，将安装型电路元件500与安装型电路元件600配置为相互的长边方向不对置。
另外，为了阻碍电感器50与电感器60之间的电磁耦合，也可使安装型电路元件500的螺旋电极中心轴、与安装型电路元件600的螺旋电极中心轴正交。
(第四构造)
接下来，图15是表示双工器101的第四构造的主要构造的侧面概念图。第四构造在构成电感器50的线状电极、及构成电感器60的线状电极在层叠基板100的内部经由内部地线图案而被配置这些点上，与图12所示的第一构造不同。
如图15所示，构成电感器50的线状电极经由通孔导体52V与内部地线图案连接。构成电感器60的线状电极经由通孔导体62V与不同于内部地线图案的基准地线图案连接。构成电感器50的线状电极通过内部地线图案被配置在层叠方向。构成电感器60的线状电极通过内部地线图案被配置在与层叠方向的相反方向。由此，构成电感器50的线状电极、及构成电感器60的线状电极即使在层叠方向观察层叠基板100时具有重叠的部分，他们之间也不产生电感耦合。
此外，构成电感器50的线状电极、及构成电感器60的线状电极也可被配置为隔着内部地线图案，并且在层叠方向观察层叠基板100时不重叠。由此，进而在各线状电极间不产生电感耦合。另外，电感器50以及电感器60只要在层叠方向观察层叠基板100时相互不重叠，则一方也可被形成于罩层290、层叠基板100的顶面100S。
另外，图15虽表示电感器50与电感器60在层叠方向隔着内部地线图案，但双工器101的第四构造也可是在平面方向隔着内部地线图案的方式。
(第五构造)
接下来，图16是表示双工器101的第五构造的主要构造的侧面概念图。图16所示的双工器101由所谓CSP(Chip Sized Package：芯片尺寸封装)构造实现。
双工器101具备滤波器基板200。在滤波器基板200的第一主面形成有如上述那样实现发送信号用的滤波部20以及接收信号用的滤波部30的滤波器电极、布线图案。
双工器101还具备滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280例如由氧化铝基板构成，俯视的面积比滤波器基板200大规定量。在滤波器安装用基板280形成有规定图案的电极。
滤波器基板200通过凸块导体281被安装于滤波器安装用基板280的顶面(安装面)280S，以便使第一主面成为滤波器安装用基板280侧。另外，在滤波器安装用基板280的顶面280S安装有构成电感器42L的安装型电路元件420。在滤波器安装用基板280的底面280R形成有构成电感器50以及电感器60的线状电极以及外部连接用凸块导体282。
在滤波器安装用基板280的顶面280S涂覆树脂层283。但是，不对IDT电极涂敷树脂层283，IDT电极的部分成为中空构造。由此，能够防止滤波器电极以及布线图案暴露于外部环境，能够使SAW谐振子的共振特性提高，能够精确地实现作为滤波器的所希望的特性。
这里，构成电感器42L的螺旋电极与构成电感器60的线状电极被配置为在俯视层叠基板100时至少一部分重叠。由此，如图16所示，能够在电感器42L与电感器60之间产生电感耦合。特别是，在本实施方式结构中，由于能够使构成电感器42L的螺旋电极与构成电感器60的线状电极的间隔(距离)变短，所以能够容易地实现更强的电感耦合。
另外，如图16所示，构成电感器50的线状电极与构成电感器60的线状电极在平面方向被远离地配置。例如将电感器60与电感器50配置成电感器60与电感器50的距离比电感器60与电感器42L的距离长。如图16的侧面概念图所示，电感器50被配置在滤波器安装用基板280的底面100R的一端侧，电感器60被配置在与滤波器安装用基板280的底面100R的一端对置的另一端侧，例如被配置在俯视双工器101时与电感器42L重叠的区域。由此，阻碍电感器50与电感器60之间的电感耦合。
另外，双工器101整体是CSP构造，所以能够以小型且薄型来实现双工器101。
此外，在上述各实现构造中，作为匹配电路虽示出了使用电感器的例子，但匹配电路是电容器的情况下，也能够以相同的构造来实现。例如代替具有螺旋电极的安装型电路元件420，也可使用安装型的层叠电容器元件。
另外，上述发送信号用的滤波部20虽是所谓梯形连接型滤波器，但发送信号用的滤波部20例如也可以是纵耦合共振器滤波器。在该情况下，也能够通过调整上述匹配电路与电感器之间的电感耦合或电容耦合，实现隔离特性提高了的高频模块。
另外，本发明能够用于使用了所谓裸芯片型的滤波部的高频模块。
附图标记的说明：20…发送信号用的滤波部；30…接收信号用的滤波部；31、32、33…SAW谐振子；34…匹配电路；41C、42C、43C、44C…电容器；41L、42L、43L、44L…电感器；50、50F、50G…电感器；51V、51V、61V、62V…通孔导体；60、60A、60B、60C、60D、60E、60F…电感器；100…层叠基板；101…双工器；101…层叠基板；101、101A、101B、101C、101D、101E、101F、101G…双工器；200…滤波器基板；201、202、203、204、205、206、211、212、213…SAW谐振子；280…滤波器安装用基板；281…凸块导体；282…外部连接用凸块导体；283…树脂层；290…罩层；291…侧面罩层；292…封闭空间；293…连接电极；294…安装用电极；301、302、303、304、312、403…连接导体；420、500、600…安装型电路元件。

Claims (9)

1.一种高频模块，具备：
与天线连接的共用端子；
发送端子；
接收端子；
在上述共用端子与上述发送端子之间连接的发送滤波部；
在上述共用端子与上述接收端子之间连接的接收滤波部；
在上述发送滤波部和接收滤波部的连接部与上述共用端子之间连接的天线侧匹配元件，或者在上述发送端子以及上述发送滤波部之间连接的发送侧匹配元件，
其中，
上述发送滤波部具有：
多个串联臂谐振子，串联地连接在连接上述共用端子与发送端子之间的串联臂；
多个并联臂谐振子，串联地连接在连接上述串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个；
第一电感器，连接在地线与连接上述多个并联臂谐振子中的至少两个上述并联臂谐振子的连接端之间；以及
第二电感器，连接在地线与上述多个并联臂谐振子中与上述至少两个并联臂谐振子不同的一个并联臂谐振子之间，
上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合，
上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
构成为上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的一个进行电磁耦合。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
还具备接收侧匹配元件，连接在上述接收端子与上述接收滤波部之间，
构成为上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件、上述接收侧匹配元件、上述发送滤波部的上述串联臂的一部分以及从上述接收滤波部的一端到另一端的接收路径构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合。
4.一种高频模块，具备：
与天线连接的共用端子；
发送端子；
接收端子；
在上述共用端子与上述发送端子之间连接的发送滤波部；
在上述共用端子与上述接收端子之间连接的接收滤波部；
在上述发送滤波部和接收滤波部的连接部与上述共用端子之间连接的天线侧匹配元件，或者在上述发送端子以及上述发送滤波部之间连接的发送侧匹配元件，
其中，
上述发送滤波部具有：
多个串联臂谐振子，串联地连接在连接上述共用端子与上述发送端子之间的串联臂；
多个并联臂谐振子，串联地连接在连接上述串联臂与地线之间的多个并联臂的每一个；
第一电感器，连接在地线与连接上述多个并联臂谐振子中的至少两个上述并联臂谐振子的连接端之间；以及
第二电感器，连接在地线与上述多个并联臂谐振子中与上述至少两个并联臂谐振子不同的一个并联臂谐振子之间，
上述第一电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合，
上述第一电感器与上述第二电感器构成为阻碍两者之间的电磁耦合。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
构成为上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件以及上述发送滤波部的上述串联臂的一部分构成的组中选择的一个进行电磁耦合。
6.根据权利要求4或者5所述的高频模块，其中，
还具备接收侧匹配元件，连接在上述接收端子与上述接收滤波部之间，
构成为上述第二电感器与从由上述天线侧匹配元件、上述发送侧匹配元件、上述接收侧匹配元件、上述发送滤波部的上述串联臂的一部分以及从上述接收滤波部的一端到另一端的接收路径构成的组中选择的至少一个进行电磁耦合。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
还具备基板，
上述发送滤波部被安装于上述基板，
在俯视上述基板的情况下，上述第一电感器与上述第二电感器被配置在不同的位置。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
上述第一电感器以及上述第二电感器的一方作为片式电感器被配置在上述基板的主面，
上述第一电感器以及上述第二电感器的另一方被形成在上述基板的内部。
9.根据权利要求7或者8所述的高频模块，其中，
上述第一电感器以及上述第二电感器经由上述基板内的地线而配置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713407A (zh) * 2018-11-28 2019-05-03 天津大学 一种梯形结构双工器及改善双工器隔离度的方法
CN112511126A (zh) * 2020-10-30 2021-03-16 诺思(天津)微***有限责任公司 多工器和改善多工器隔离度的方法以及通信设备

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107431478B (zh) * 2015-04-01 2020-10-13 株式会社村田制作所 双工器
JP6790907B2 (ja) * 2017-02-23 2020-11-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
WO2018168603A1 (ja) * 2017-03-17 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP6791184B2 (ja) * 2017-06-26 2020-11-25 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6959819B2 (ja) * 2017-10-02 2021-11-05 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
US12040779B2 (en) 2020-04-20 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US10756697B2 (en) 2018-06-15 2020-08-25 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11929731B2 (en) 2018-02-18 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch
CN112106303B (zh) 2018-06-06 2022-06-07 株式会社村田制作所 多工器
US11349450B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11171629B2 (en) 2018-06-15 2021-11-09 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US11201601B2 (en) 2018-06-15 2021-12-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11329628B2 (en) 2020-06-17 2022-05-10 Resonant Inc. Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12040781B2 (en) 2018-06-15 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11323095B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11374549B2 (en) 2018-06-15 2022-06-28 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US11728785B2 (en) 2018-06-15 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US11228296B2 (en) 2018-06-15 2022-01-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter
KR102546477B1 (ko) * 2018-06-21 2023-06-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 및 멀티플렉서
US11108379B2 (en) 2018-09-05 2021-08-31 Resonant Inc. High isolation surface acoustic wave duplexer
US11901873B2 (en) 2019-03-14 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors
CN113615083A (zh) 2019-03-14 2021-11-05 谐振公司 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器
US11271541B2 (en) 2019-03-15 2022-03-08 Resonant Inc. Microwave duplexer using coupled inductors to improve isolation
US12034423B2 (en) 2019-06-27 2024-07-09 Murata Manufacturing Co., Ltd XBAR frontside etch process using polysilicon sacrificial layer
US20210273629A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US11469733B2 (en) 2020-05-06 2022-10-11 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress
US11482981B2 (en) 2020-07-09 2022-10-25 Resonanat Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate
US11264969B1 (en) 2020-08-06 2022-03-01 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells
US11271539B1 (en) 2020-08-19 2022-03-08 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm
US11671070B2 (en) 2020-08-19 2023-06-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes
US11894835B2 (en) 2020-09-21 2024-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sandwiched XBAR for third harmonic operation
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US11929733B2 (en) 2020-10-05 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements
US11476834B2 (en) 2020-10-05 2022-10-18 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors
US11658639B2 (en) 2020-10-05 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband
US11728784B2 (en) 2020-10-05 2023-08-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11496113B2 (en) 2020-11-13 2022-11-08 Resonant Inc. XBAR devices with excess piezoelectric material removed
US11405020B2 (en) 2020-11-26 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage
US11239816B1 (en) 2021-01-15 2022-02-01 Resonant Inc. Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002300003A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Kyocera Corp 弾性波フィルタ
CN1452431A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 松下电器产业株式会社 高频器件和通信设备
CN1913348A (zh) * 2005-08-08 2007-02-14 富士通媒体部品株式会社 分波器和梯形滤波器
US20100109802A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Branching filter
US20110018653A1 (en) * 2009-07-27 2011-01-27 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer having resonator filters
CN103339856A (zh) * 2011-02-09 2013-10-02 株式会社村田制作所 高频模块
CN104348442A (zh) * 2013-08-06 2015-02-11 株式会社村田制作所 高频模块
WO2015019722A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN104471857A (zh) * 2012-08-30 2015-03-25 株式会社村田制作所 滤波器装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002300003A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Kyocera Corp 弾性波フィルタ
CN1452431A (zh) * 2002-04-15 2003-10-29 松下电器产业株式会社 高频器件和通信设备
CN1913348A (zh) * 2005-08-08 2007-02-14 富士通媒体部品株式会社 分波器和梯形滤波器
US20100109802A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Branching filter
US20110018653A1 (en) * 2009-07-27 2011-01-27 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer having resonator filters
CN103339856A (zh) * 2011-02-09 2013-10-02 株式会社村田制作所 高频模块
CN104471857A (zh) * 2012-08-30 2015-03-25 株式会社村田制作所 滤波器装置
CN104348442A (zh) * 2013-08-06 2015-02-11 株式会社村田制作所 高频模块
WO2015019722A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. HIKITA等: ""Investigation of Attenuation Increase at Lower-Side Frequency Bands of SAW- and SMR-Filters"", 《2006 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM》 *
王新怀: ""卫星导航抗干扰接收***技术研究"", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713407A (zh) * 2018-11-28 2019-05-03 天津大学 一种梯形结构双工器及改善双工器隔离度的方法
CN109713407B (zh) * 2018-11-28 2021-02-26 天津大学 一种梯形结构双工器及改善双工器隔离度的方法
CN112511126A (zh) * 2020-10-30 2021-03-16 诺思(天津)微***有限责任公司 多工器和改善多工器隔离度的方法以及通信设备
WO2022089596A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 诺思(天津)微***有限责任公司 多工器和改善多工器隔离度的方法以及通信设备

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