JP6634729B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6634729B2 JP6634729B2 JP2015159388A JP2015159388A JP6634729B2 JP 6634729 B2 JP6634729 B2 JP 6634729B2 JP 2015159388 A JP2015159388 A JP 2015159388A JP 2015159388 A JP2015159388 A JP 2015159388A JP 6634729 B2 JP6634729 B2 JP 6634729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- resin composition
- semiconductor chip
- circuit forming
- forming surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 422
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 120
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 58
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 50
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 42
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 30
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 11
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 7
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 10-(2-methylprop-2-enoyloxy)decyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 10-prop-2-enoyloxydecyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C=C RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001283 Polyalkylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- JUDXBRVLWDGRBC-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)-2-(2-methylprop-2-enoyloxymethyl)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CO)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C JUDXBRVLWDGRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- FAIDIRVMPHBRLT-UHFFFAOYSA-N propane-1,2,3-triol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(O)CO FAIDIRVMPHBRLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
粘着部材と、前記粘着部材の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップとを備え、複数の前記半導体チップは互いに所定の間隙をおいて配置され、かつ前記半導体チップの回路形成面に設けられている半田バンプの一部が前記粘着部材に埋設されて、前記粘着部材の粘着面に対して前記半田バンプが貼り付けられており、前記回路形成面が露出している構造体を準備する工程と、
流動状態にある半導体封止用樹脂組成物を複数の前記半導体チップに接触させて、前記間隙に前記半導体封止用樹脂組成物を充填するとともに、前記半導体チップの前記回路形成面と、前記回路形成面とは反対側の面および側面を前記半導体封止用樹脂組成物により覆い封止する工程と、
前記半導体封止用樹脂組成物を硬化させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
図1は、本実施形態に係る半導体装置8の一例を示す断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置8は、半導体チップ5と、半導体チップ5の回路形成面(下面)に設けられた半田バンプ2と、半導体チップ5の回路形成面とは反対側の面(天面)および回路形成面の側面にくわえて、半導体チップ5の回路形成面を覆う封止材40と、を備え、半田バンプ2の一部分が露出している。このように、本実施形態に係る半導体装置8は、半導体チップ5の回路形成面とは反対側の面および側面にくわえて、半導体チップ5の回路形成面が封止材40により覆われている半導体チップ5を備えている。こうすることで、半導体装置8を製造する際に、半導体チップ5をコレットによりピックアップしたとしても、当該半導体チップ5が破損してしまうことを未然に防ぐことができる。このため、本実施形態に係る製造プロセスにより得られた半導体装置8は、従来の半導体装置と比べて、信頼性に優れている。
本実施形態に係る半導体装置8によれば、当該半導体装置8を基板に実装した際に、封止材に基板が接合した従来の半導体装置の構造とは異なる、封止材40と基板とが接触することのない、両者が離間した構造を実現できる。この結果、従来の半導体装置と比べて小型化された半導体装置8を提供することができる。また、半導体装置8は、封止材に基板が接合した従来の半導体装置の構造とは異なる構造であるが故、インターポーザを介することなくマザーボードに対して直接実装することも可能である。さらに、半導体装置8は、封止材40と基板とが接触することなく両者が離間した構造を実現できるものであるため、従来の半導体装置において生じていた基板と封止材との界面における密着不良の問題を解決することができる。このため、従来の半導体装置と比べて、信頼性という点においても優れた半導体装置8を実現することができる。くわえて、半導体装置8は、半導体チップ5の回路形成面にくわえて、反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物の硬化体40で覆い保護された状態の構成を備えたものであるが故、従来の半導体装置と比べて、チッピング耐性という点においても優れている。
本実施形態に係る半導体装置8の製造方法は、粘着部材10または30と、粘着部材10または30の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップ5とを備え、複数の半導体チップ5は互いに所定の間隙をおいて配置され、粘着部材10または30の粘着面に対して複数の半導体チップ5の回路形成面に設けられている半田バンプ2の一部が貼り付けられており、上記回路形成面が露出している構造体7を準備する工程と、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物40を複数の半導体チップ5に接触させて、隣接する半導体チップ5間の間隙に半導体封止用樹脂組成物40を充填するとともに、半導体チップ5の回路形成面と、上記回路形成面とは反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物40により覆い封止する工程と、半導体封止用樹脂組成物40を硬化させる工程とを含むものである。こうすることで、半導体チップ5の回路形成面とともに、反対側の面および側面を半導体封止用樹脂組成物の硬化体40で覆い保護した状態で、コレットによりピックアップすることができる半導体装置8を得ることができる。これにより、コレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に半導体チップ5に対して直接ハンドリング装置が接触することを防止したり、コレット等のハンドリング装置が接触した時に半導体チップ5に対して加わる衝撃を半導体封止用樹脂組成物の硬化体40で緩和することができる。このため、本実施形態に係る製造方法によれば、半導体チップ5をコレット等のハンドリング装置によりピックアップする際に加わる衝撃により、半導体チップ5が破損してしまうことを未然に防ぐことができる。それ故、従来の製造プロセスと比べて、信頼性に優れた半導体装置8を得ることができる。
また、本実施形態に係る半導体装置8の製造方法において、粘着部材10または30は、粘着部材が紫外線硬化樹脂により形成された紫外線硬化層210を表面に有する部材であることが好ましい。さらに、粘着部材10または30が、上述した紫外線硬化層210を表面に有する部材である場合、構造体7は、半田バンプ2の一部が紫外線硬化層210に埋設されたものであることが好ましい。
図5および6は、隣接する半導体チップ5間の間隙を拡大させる際に使用できる装置の構成例である。図5は、隣接する半導体チップ5間の間隙を拡大させる前の状態を示す図であり、(a)は側面断面図、(b)は平面図である。図6は、隣接する半導体チップ5間の間隙を拡大させた後の状態を示す図であり、(a)は側面断面図、(b)は平面図である。
半導体封止用樹脂組成物40を用いて半導体チップ5を封止する方法は、特に限定されるわけではなく、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法等が挙げられるが、固定された半導体チップ5の位置ずれが発生し難い圧縮成形法が好ましい。また、圧縮成形して半導体チップ5を封止する場合には、粉粒状の樹脂組成物を用いて樹脂封止してもよい。なお、半導体封止用樹脂組成物40の詳細については、後述する。
ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧下にしながら樹脂封止を行うことが好ましく、真空条件下であるとさらに好ましい。こうすることで、隣接する半導体チップ5間に形成された間隙に対して半導体封止用樹脂組成物40を、未充填部分を残すことなく良好に充填することができる。
図7は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための図である。
本実施形態に係る製造方法は、図7に示すように、支持基材250上に形成され、かつ紫外線硬化樹脂により形成された紫外線硬化層260を表面に有する保護フィルム10と、当該保護フィルム10の紫外線硬化層260の表面に貼り付けられた状態の複数の半導体チップ5と、を備えた構造体7を準備し、保護フィルム10が複数の半導体チップ5に貼り付けられた状態を維持したまま、半導体チップ5を封止している点で第1の実施形態と異なる。具体的には、保護フィルム10を貼り付けた状態の半導体ウエハ1を個片化して、図7(a)に示す保護フィルム10が貼り付いた状態の複数の半導体チップ5を作製する。なお、半導体ウエハ1を個片化する際には、保護フィルム10は切断されることなく、得られた複数の半導体チップ5が貼りついた状態を保持できるようにする必要がある。次に、図7(b)に示すように、保護フィルム10を半導体チップ5の面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ5間の間隙を所定の間隙に拡大させる。次いで、図7(c)および(d)に示すように、流動状態にある半導体封止用樹脂組成物40を、複数の半導体チップ5の回路形成面とは反対側の面に接触させて、隣接する半導体チップ5間の間隙に半導体封止用樹脂組成物40を充填するとともに、半導体封止用樹脂組成物40により半導体チップ5の回路形成面とともに、その反対側の面および側面を覆い封止する。こうすることで、第1の実施形態と同様の構成を備えた半導体装置8を得ることができる。また、本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。くわえて、本実施形態の製造方法によれば、半導体装置8の製造工程を簡略化することができるため、従来の製造方法と比べて、生産効率をより一層飛躍的に向上させることが可能となる。
本実施形態に係る製造方法は、上記第1の実施形態において図3(a)および(b)を用いて説明した、ダイシングフィルム20における複数の半導体チップ5が貼り付けられた領域を、フィルム面内方向に拡張させて、隣接する半導体チップ5間の間隙を拡大させる工程を有さない点で第1の実施形態と異なる。具体的には、本実施形態に係る製造方法は、ダイシングフィルム20上に貼り付けられた個々の半導体チップ5を、公知の半導体チップ検出装置を用いて検出し、複数の半導体チップ5の間隔が不規則である場合には、レーザーダイシングを行って当該間隔が規則的になるよう修正するものである。すなわち、本実施形態に係る製造方法は、図3(a)の構成を経ることなく、図3(b)を出発して半導体装置8を作製する手法である。ここで、図2(e)に示した回路形成面とは反対側の面にダイシングフィルム20を貼り付けた状態の半導体ウエハ1を個片化することにより、隣接する半導体チップ5間の間隙が図3(a)の構成を経ることなく、図3(b)の状態となるようにするためには、半導体ウエハ1上に取り付ける半田バンプ2の間隔を調整すればよい。こうすることで、第1の実施形態と同様の構成を備えた半導体装置8を得ることができる。
以下、半導体封止用樹脂組成物40が、顆粒状の樹脂組成物である態様について詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
本実施形態に係るダイシングフィルム20は、半導体ウエハ1を個片化する際に、切断されることなく得られた半導体チップ5に貼りついた状態を保持できるものである。このダイシングフィルム20は、半導体ウエハ1に対して接着するものであれば、特に限定されないが、たとえば、支持フィルムと粘着剤層で構成されているものでもよい。
次に、本実施形態に係る転写部材30は、上述したように、半導体封止用樹脂組成物40を硬化させるために加える熱に耐えうる程度の耐熱性と、当該転写部材30上に固定する半導体チップ5が脱離しない程度の粘着性とを兼ね備えた構成であることが好ましい。具体的には、本実施形態に係る転写部材30は、支持基材200と紫外線硬化層210とが積層されてなる構成であることが好ましい。
充填材の具体例としては、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の無機充填材、シリコンゴム、ポリイミド等の微粒子の有機充填材が挙げられる。これらの中でもシリカフィラー等の無機充填材が好ましい。
次に、保護フィルム10は、半導体ウエハ1の回路形成面とは反対側の面を研磨する際に、回路形成面を保護するものである。この保護フィルム10は、半導体ウエハ1に対して接着するものであればよく、たとえば、支持基材200(バックグラインドテープ)と、紫外線硬化層260とが積層されてなる構成であればよい。また、図7に示すように、保護フィルム10は、半導体ウエハ1を個片化する際の保護部材として使用することもあるし、当該保護フィルム10を面内方向に拡張させることもあるし、半導体封止用樹脂組成物40を硬化させるために熱を加えることもある。このため、保護フィルム10は、ある程度の拡張性と、半導体封止用樹脂組成物40を硬化させるために加える熱に耐えうる程度の耐熱性と、保護フィルム10上に固定する半導体チップ5が脱離しない程度の粘着性とを兼ね備えた構成であることが好ましい。
次に、本実施形態に係る離型フィルム50は、優れた離型性を有する構成であればよく、たとえば、ポリエステル樹脂材料を含む離型層を有するものであると好ましい。
また、上記実施形態では、半導体チップ5を封止する際に、顆粒状の半導体封止用樹脂組成物40を用いて圧縮成形する場合を例に挙げて説明したが、半導体チップ5の回路形成面とは反対側の面に対して液状の半導体封止用樹脂組成物40を、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法により塗布した後、乾燥させてもよいし、液状の半導体封止用樹脂組成物40を隣接する半導体チップ5間の間隙に毛細管現象を利用して流れ込ませてもよい。
まず、ロール形状で準備したシート状の半導体封止用樹脂組成物40を、真空加圧式ラミネーターの巻き出し装置に取り付け、巻き取り装置まで接続する。次に、第1金属パターン50を形成した下地基板10をダイアフラム(弾性膜)式ラミネーター部まで搬送する。次いで、減圧下、プレスを開始するとシート状の半導体封止用樹脂組成物40は、所定温度に加熱され、溶融状態となり、その後、溶融状態の半導体封止用樹脂組成物40を、ダイアフラムを介してプレスすることにより半導体チップ5に対して押し当てることで、隣接する半導体チップ5間に形成された間隙を溶融状態の半導体封止用樹脂組成物40で埋めることができるとともに、半導体チップ5の回路形成面、回路形成面とは反対側の面および回路形成面の側面を溶融状態の半導体封止用樹脂組成物40で覆うことができる。その後、所定時間をかけて有機樹脂膜形成用樹脂組成物を硬化させる。こうすることで、隣接する半導体チップ5間に形成された間隙に対して半導体封止用樹脂組成物40を、未充填部分を残すことなく良好に充填することができる。
なお、半導体封止用樹脂組成物40に対し、より高精度な平坦性が要求される場合は、ダイアフラム式ラミネーターでのプレスの後に、高精度に調整された平坦プレス装置によるプレス工程を追加して成型することもできる。
以下、実施形態の例を付記する。
1. 半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面に設けられた半田バンプと、前記半導体チップの前記回路形成面とは反対側の面および前記回路形成面の側面にくわえて、前記半導体チップの前記回路形成面を覆う封止材と、
を備え、
前記半田バンプの一部分が露出している、半導体装置。
2. 前記半導体チップの前記回路形成面を覆う前記封止材の厚みが、前記半田バンプの平均高さをRとした時、1/4R以上3/4R以下である、1.に記載の半導体装置。
3. 前記半導体チップの前記回路形成面を覆う前記封止材の厚みが、10μm以上200μm以下である、1.または2.に記載の半導体装置。
4. 粘着部材と、前記粘着部材の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップとを備え、複数の前記半導体チップは互いに所定の間隙をおいて配置され、かつ前記粘着部材の粘着面に対して複数の前記半導体チップの回路形成面に設けられている半田バンプの一部が貼り付けられており、前記回路形成面が露出している構造体を準備する工程と、
流動状態にある半導体封止用樹脂組成物を複数の前記半導体チップに接触させて、前記間隙に前記半導体封止用樹脂組成物を充填するとともに、前記半導体チップの前記回路形成面と、前記回路形成面とは反対側の面および側面を前記半導体封止用樹脂組成物により覆い封止する工程と、
前記半導体封止用樹脂組成物を硬化させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
5. 前記粘着部材が紫外線硬化樹脂により形成された紫外線硬化層を表面に有する部材である、4.に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記構造体が、前記半田バンプの一部が前記紫外線硬化層に埋設されたものである、5.に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記間隙に充填された半導体封止用樹脂組成物の硬化体を切断し、前記半導体封止用樹脂組成物により封止された複数の半導体チップに個片化する工程、をさらに含む、4.乃至6.のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
2 半田バンプ
5 半導体チップ
7 構造体
8 半導体装置
10 保護フィルム(粘着部材)
20 ダイシングフィルム
30 転写部材(粘着部材)
40 半導体封止用樹脂組成物(封止材、硬化体)
50 離型フィルム
100 枠体
110 中央部
120 周辺部
130 加熱部
140 拡張台
200 支持基材
210 紫外線硬化層
250 支持基材
260 紫外線硬化層
Claims (4)
- 半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面に設けられた半田バンプと、前記半導体チップの前記回路形成面とは反対側の面および前記回路形成面の側面にくわえて、前記半導体チップの前記回路形成面を覆う封止材と、を備え、前記半田バンプの一部が露出しており、前記半導体チップの前記回路形成面を覆う前記封止材の厚みが、前記半田バンプの平均高さをRとした時、(1/4)R以上(3/4)R以下である半導体装置を製造するための方法であって、
粘着部材と、前記粘着部材の粘着面に貼り付けられた複数の半導体チップとを備え、複数の前記半導体チップは互いに所定の間隙をおいて配置され、かつ前記半導体チップの回路形成面に設けられている半田バンプの一部が前記粘着部材に埋設されて、前記粘着部材の粘着面に対して前記半田バンプが貼り付けられており、前記回路形成面が露出している構造体を準備する工程と、
流動状態にある半導体封止用樹脂組成物を複数の前記半導体チップに接触させて、前記間隙に前記半導体封止用樹脂組成物を充填するとともに、前記半導体チップの前記回路形成面と、前記回路形成面とは反対側の面および側面を前記半導体封止用樹脂組成物により覆い封止する工程と、
前記半導体封止用樹脂組成物を硬化させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記粘着部材が紫外線硬化樹脂により形成された紫外線硬化層を表面に有する部材である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記間隙に充填された半導体封止用樹脂組成物の硬化体を切断し、前記半導体封止用樹脂組成物により封止された複数の半導体チップに個片化する工程、
をさらに含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップの前記回路形成面を覆う前記封止材の厚みが、10μm以上200μm以下である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015159388A JP6634729B2 (ja) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 半導体装置の製造方法 |
TW105124537A TWI698962B (zh) | 2015-08-12 | 2016-08-03 | 半導體裝置之製造方法 |
KR1020160101917A KR20170020253A (ko) | 2015-08-12 | 2016-08-10 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN201610663079.5A CN106449529A (zh) | 2015-08-12 | 2016-08-12 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015159388A JP6634729B2 (ja) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017038004A JP2017038004A (ja) | 2017-02-16 |
JP6634729B2 true JP6634729B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=58049302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015159388A Active JP6634729B2 (ja) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6634729B2 (ja) |
KR (1) | KR20170020253A (ja) |
CN (1) | CN106449529A (ja) |
TW (1) | TWI698962B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102514503B1 (ko) * | 2017-03-13 | 2023-03-27 | 서울반도체 주식회사 | 디스플레이 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09107046A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体パッケ−ジ |
JP3456462B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4243075B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101387706B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2014-04-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 패키지, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자소자 |
JP5496692B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-05-21 | 三洋電機株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
JP5534594B2 (ja) | 2010-03-30 | 2014-07-02 | リンテック株式会社 | シート貼付方法およびウエハ加工方法 |
JP5728423B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、半導体集積装置及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-08-12 JP JP2015159388A patent/JP6634729B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-03 TW TW105124537A patent/TWI698962B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-08-10 KR KR1020160101917A patent/KR20170020253A/ko unknown
- 2016-08-12 CN CN201610663079.5A patent/CN106449529A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI698962B (zh) | 2020-07-11 |
JP2017038004A (ja) | 2017-02-16 |
CN106449529A (zh) | 2017-02-22 |
KR20170020253A (ko) | 2017-02-22 |
TW201717332A (zh) | 2017-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6459872B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101968428B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
CN106449436B (zh) | 半导体装置的制造方法和半导体装置 | |
TW202136448A (zh) | 保護膜形成用片、具保護膜之晶片的製造方法、以及積層物 | |
CN107614641B (zh) | 半导体加工用带 | |
JP6634729B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW202107667A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 | |
JP6655576B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6013709B2 (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP6440657B2 (ja) | 電子デバイス用テープ | |
TWI830905B (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 | |
TWI844668B (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法、支撐片的製造方法、以及支撐片形成用積層膜 | |
TWI830906B (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法及支持片的製造方法 | |
WO2023276731A1 (ja) | 保護膜付きチップの製造方法 | |
TW202107670A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 | |
TW202107665A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法、支撐片的製造方法、以及支撐片形成用積層膜 | |
TW202044423A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法 | |
TW202420557A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法 | |
JP2017084973A (ja) | 一次実装半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6634729 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |