JP6631029B2 - 永久磁石、及び、それを備えた回転機 - Google Patents
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Description
薄膜試料の作製には、10−7Pa以下に排気可能なマグネトロン・スパッタリング装置を用いた。ターゲットは純度99.9%のFe、Co、Ni、Cr、Mnを準備し、プレスパッタによって清浄な表面を露出させた。基板には熱酸化膜(1μm)付Si基板(6mm×6mm×0.65mm)を準備し、十分な洗浄の後に、基板導入室を経て−50〜200℃に制御された基板ホルダ上に配置した。成膜は圧力1PaのArガス雰囲気中にておこなった。Fe層およびT層としてCoもしくはNiを成膜する際、ターゲットに印加する電力はいずれもDC50Wとし成膜時間によって膜厚を制御した。T層としてFeNiのような化合物組成を成膜する際は、各ターゲットに印加する電力の比を所望の組成比が得られるように調整した。Fe層およびT層の成膜を交互に繰り返し、周期構造の組成がFe1−xTx(T=Co,Ni,Co50Ni50,Co45Ni45Cr10,Co45Ni45Mn10、 0.0≦x≦1.0)、周期構造の周期が0.3〜7.9nmとなる総厚8〜48nmの試料を得た。積層後の試料に対し、ランプ加熱装置を用いて熱処理をおこなった。熱処理は10−5Pa以下の真空中にておこない、0.5〜50℃/秒の昇温速度にて200℃まで加熱した後に、0〜600秒の保持の後、0.5〜50℃/秒の降温速度にて室温まで冷却した。
バルク試料の作製には、遊星ボールミルおよび放電プラズマ焼結(SPS:Spark Plasma Sintering)装置を用いた。出発原料として、純度99.9%、粒径3μm以下のFe2O3粉末およびCo3O4粉末を準備し、周期構造の組成がFe1−xCox(x=0.5)となるように秤量した。原料をステンレス製の媒体(Φ10mm×30個)ともに、ガス導入バルブが備えられたステンレス鋼製の容器(80cc)に封入し、15時間のミリングをおこない酸化物混合微粉を得た。次いで、酸化物混合微粉を含む容器内の雰囲気を水素ガスに置換し、一定時間ごとに置換を繰り返しながら5時間のミリングをおこない、還元によって金属混合微粉を得た。次いで、金属混合微粉を含む容器内の雰囲気を窒素ガスに置換し、さらに液体窒素を充填しながら、15時間のミリングをおこないFeT微粉を得た。次いで、FeT微粉を酸素濃度5ppm、露点−70℃に制御されたグローブボックス中にてグラファイトダイにタップ充填しパルス通電加熱にて熱処理をおこなった。熱処理の後、FeT微粉はグラファイトダイに充填されたまま、配向磁場印加機構が備えられたSPS装置にて圧縮焼結した。
FeとTの濃度が交互に変化する周期構造(以下、周期構造という)の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、周期構造の周期(以下、周期という)を0.3〜7.9nmまで変化させて試料を作製した。周期の増大に伴って、飽和磁化Isおよび保磁力HcJが低下し、特に保磁力HcJは周期が3.3nmよりも大きい場合に30kA/m未満まで著しく低下した。なお、周期が3.3nm以下の試料のXRDパターンはすべて体心立方構造もしくは体心正方構造に指数付することができた。周期が微細となればFeとCoの界面が増大し、FeやCoよりも飽和磁化Isの大きいFeCoが界面近傍に生成することによって、試料全体の飽和磁化Isが増大するものと発明者らは考える。また、周期が極めて微細となり、FeCoにひずみがおよぶサイズ以下となることによって、FeCoのひずみに起因する磁気異方性が発現し、保磁力が急峻に増大するものと発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成Fe1−xTx(T=Co)におけるFeに対するTの量xを0.0〜1.0まで変化させて試料を作製した。xの増大に伴って、飽和磁化Is増大するものの、x≧0.85およびx≦0.1にて1.6T以下まで急峻に低下した。また、0.1≦x≦0.95の範囲にて周期構造におけるFeの濃度差が5at%を超え、飽和磁化Is≧1.6Tかつ保磁力HcJ≧30kA/mからなる、高い磁気特性が観測された。さらに、0.15≦x≦0.8の範囲では周期構造におけるFeの濃度差が10at%を超え、飽和磁化Is≧1.7Tかつ保磁力HcJ≧70kA/mからなる、特に優れた磁気特性が得られた。なお、特に優れた磁気特性が得られた範囲にて、試料のXRDパターンはすべて体心立方構造もしくは体心正方構造に指数付することができた。すなわち、0.1≦x≦0.95の範囲(望ましくは、0.15≦x≦0.8の範囲)にて高い飽和磁化Isと保磁力HcJを兼ね備えた永久磁石が得られることがわかった。置換型固溶体であるFeCoが、Feの構造である体心立方(bcc)構造を維持したままFeの固有位置を置換できるのは、Feに対してCoは約80at%までであるため、x≧0.85ではFeCoがbcc構造を維持できなくなったために保磁力HcJが急峻に低下したものと発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、総膜厚を8〜48nmまで変化させて作製した試料では、総膜厚に関わらず、飽和磁化Is≧1.7Tかつ保磁力HcJ≧70kA/mからなる、優れた磁気特性が得られた。なお、すべての試料において周期構造におけるFeの濃度差は10at%を超え、XRDパターンはすべて体心立方構造もしくは体心正方構造に指数付することができた。薄膜は基板との界面においてひずめられ得ることが知られているが、総膜厚の増大(すなわち、薄膜体積に占める基板と薄膜の界面の割合の低下)に関わらず同様の磁気特性が得られる本件発明の周期構造は、基板と薄膜の界面におけるひずみに起因するものではないことが明らかである。すなわち、本件発明は周期を有する構造に固有の磁気異方性を有しており、この磁気異方性は周期構造に起因するひずみを起源としているものと発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成Fe1−xTx(x=0.6)におけるTの種類を、Co,Ni,Co50Ni50,Co45Ni45Cr10,Co45Ni45Mn10として作製した試料では、Tの種類に関わらず、飽和磁化Is≧1.7Tかつ保磁力HcJ≧70kA/mからなる、優れた磁気特性が得られた。なお、すべての試料において周期構造におけるFeの濃度差は10at%を超え、XRDパターンはすべて体心立方構造もしくは体心正方構造に指数付することができた。すなわち、TはCoまたはNiを必須とする1種類以上の遷移金属元素であれば、高い飽和磁化Isと保磁力HcJを兼ね備えた永久磁石が得られることがわかった。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、総膜厚を40nmとし、成膜時の基板温度が−50〜200℃として試料を作製した。基板温度の上昇に伴って、周期構造におけるFeの濃度差は著しく低下し、保磁力HcJは30kA/m未満まで著しく低下した。高いエネルギーを有するスパッタ粒子は基板に到達した後に拡散するが、基板を冷却することによって拡散が抑制され、FeとTの濃度が交互に変化する周期構造が得られたものと発明者らは考える。一方、基板の冷却が十分でない、もしくは基板が加熱されている場合には基板に到達したスパッタ粒子が拡散してしまい、FeとTの濃度が交互に変化する周期構造が得られなかったものと発明者らは考える。なお、基板をより低い温度にて冷却することができれば、スパッタ粒子の拡散を低減させ、より急峻な濃度勾配(すなわち、急峻な格子定数の変化)を有し、大きなひずみを包含する構造が得られる可能性があると発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、総膜厚を40nmとし、成膜時の基板温度を−50℃とし、熱処理時の昇温速度を0.5〜50℃/秒として試料を作製した。昇温速度の低下に伴って、周期構造におけるFeの濃度差および保磁力HcJは30kA/m未満まで著しく低下し、飽和磁化Isはわずかに向上した。昇温速度が十分に大きい場合にはFeとTの濃度が交互に変化する周期構造によってひずみを包含する構造が得られ、ひずみに起因する磁気異方性が発現したものと発明者らは考える。一方、昇温速度が十分に大きくない場合には、FeとTの拡散が過度に進行し、全体の組成が均一化してしまったことによって、ひずみに起因する磁気異方性が発現に必要なFeとTの濃度が交互に変化する周期構造が失われたものと発明者らは考える。なお、昇温速度をより大きくすることができれば、FeとTの拡散を低減させ、より急峻な濃度勾配(すなわち、急峻な格子定数の変化)を有し、大きなひずみを包含する構造が得られる可能性があると発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、総膜厚を40nmとし、成膜時の基板温度を−50℃とし、熱処理時の保持時間を0〜600秒として試料を作製した。保持時間の増大に伴って、周期構造におけるFeの濃度差および保磁力HcJは30kA/m未満まで著しく低下し、飽和磁化Isはわずかに向上した。保持時間が十分に小さい場合にはFeとTの濃度が交互に変化する周期構造によってひずみを包含する構造が得られ、ひずみに起因する磁気異方性が発現したものと発明者らは考える。一方、保持時間が十分に小さくない場合には、FeとTの拡散が過度に進行し、全体の組成が均一化してしまったことによって、ひずみに起因する磁気異方性が発現に必要なFeとTの濃度が交互に変化する周期構造が失われたものと発明者らは考える。
周期構造の周期を1.1nmとし、周期構造の組成をFe1−xTx(T=Co、x=0.6)とし、総膜厚を40nmとし、成膜時の基板温度を−50℃とし、熱処理時の降温速度を0.5〜50℃/秒として試料を作製した。周期構造におけるFeの濃度差および保磁力HcJは30kA/m未満まで著しく低下し、飽和磁化Isはわずかに向上した。降温速度が十分に大きい場合にはFeとTの濃度が交互に変化する周期構造によってひずみを包含する構造が得られ、ひずみに起因する磁気異方性が発現したものと発明者らは考える。一方、降温速度が十分に大きくない場合には、FeとTの拡散が過度に進行し、全体の組成が均一化してしまったことによって、ひずみに起因する磁気異方性が発現に必要なFeとTの濃度が交互に変化する周期構造が失われたものと発明者らは考える。なお、降温速度をより大きくすることができれば、FeとTの拡散を低減させ、より急峻な濃度勾配(すなわち、急峻な格子定数の変化)を有し、大きなひずみを包含する構造が得られる可能性があると発明者らは考える。
Claims (3)
- FeとT(TはCoおよび/またはNi)の濃度が交互に変化する周期構造を有し、前記濃度の変化の周期が0.7nm以上3.3nm以下であり、前記濃度の変化におけるFeの濃度差が5at%以上であるFeT永久磁石であって、
前記FeT永久磁石はFe、Tおよび格子間元素のみからなり、TはCo/および/またはNiのみからなり、前記格子間元素はB、C、および/または、Nのみからなることを特徴とするFeT永久磁石。 - 前記周期構造における組成がFe1−xTx(0.15≦x≦0.8)であることを特徴とする、請求項1に記載のFeT永久磁石。
- 請求項1または2に記載のFeT永久磁石を備える回転機。
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JP2000114017A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 永久磁石材料および永久磁石 |
US7736753B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Formation of nanostructures comprising compositionally modulated ferromagnetic layers by pulsed ECD |
JP2013055076A (ja) * | 2009-12-04 | 2013-03-21 | Hitachi Ltd | 軽希土類磁石及び磁気デバイス |
JP5247754B2 (ja) | 2010-03-30 | 2013-07-24 | 株式会社日立製作所 | 磁性材料及びその磁性材料を用いたモータ |
CN102050419B (zh) * | 2010-12-02 | 2012-08-15 | 台州学院 | 磁性双纳米结构阵列材料及其制备方法 |
JP2014194958A (ja) * | 2011-06-21 | 2014-10-09 | Hitachi Ltd | 焼結磁石 |
US10332661B2 (en) * | 2011-07-14 | 2019-06-25 | Northeastern University | Rare earth-free permanent magnetic material |
EP2745298B1 (en) * | 2011-08-17 | 2019-12-11 | Regents of the University of Minnesota | Technique and system for forming iron nitride permanent magnet |
JP5979608B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2016-08-24 | 株式会社豊田中央研究所 | ナノヘテロ構造永久磁石およびその製造方法 |
JP6304600B2 (ja) * | 2012-12-14 | 2018-04-04 | 日本電気株式会社 | 磁性材料とその製造方法 |
US9959961B2 (en) * | 2014-06-02 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Permanent magnetic chuck for OLED mask chucking |
JP2017535062A (ja) * | 2014-09-02 | 2017-11-24 | ノースイースタン・ユニバーシティ | Fe−Niに基づくレアアースフリー永久磁性材料 |
JP6256360B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2018-01-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 永久磁石およびその製造方法 |
-
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