JP6630146B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6630146B2 JP6630146B2 JP2015253777A JP2015253777A JP6630146B2 JP 6630146 B2 JP6630146 B2 JP 6630146B2 JP 2015253777 A JP2015253777 A JP 2015253777A JP 2015253777 A JP2015253777 A JP 2015253777A JP 6630146 B2 JP6630146 B2 JP 6630146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- processing chamber
- substrate
- heater
- heat insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 143
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 30
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 53
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- LPVJWXJBZPCDLM-HUWNQDJBSA-N 7-boat Chemical compound O([C@H]1\C(C)=C/[C@]23O[C@@]2(C([C@H](C)[C@@H](OC(C)=O)[C@H]2[C@H](C2(C)C)[C@@H]1OC(C)=O)=O)C[C@H]([C@H]3OC(C)=O)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 LPVJWXJBZPCDLM-HUWNQDJBSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具の下方に設けられた断熱部と、
前記基板保持具を収納し、前記基板を処理する処理室と、
前記処理室の周囲に設置され、前記処理室内を側部から加熱する第1加熱部と、
前記処理室内であって、前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられた第2加熱部と、を具備し、
前記第2加熱部は、
略環状の発熱部と、
前記発熱部より下方に延伸する垂下部と、を有し、
前記発熱部が前記基板より小さい径の環状領域に収まるように構成される技術が提供される。
次いで、原料ガス供給源から原料ガスが処理室6内に供給される。原料ガスは、MFC14にて所望の流量となるように制御され、ガス導入部9からノズル12を流通し、ガス導入孔16から処理室6内に導入される。
予め設定された原料ガス供給時間が経過すると、原料ガスの処理室6内への供給を停止し、排気装置22により処理室6内を真空排気する。この時、不活性ガス供給源から不活性ガスを処理室6内に供給しても良い(不活性ガスパージ)。
予め設定された排気時間が経過すると、次に、反応ガス供給源から反応ガスが供給される。MFC14にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス導入部9からノズル12を流通し、ガス導入孔16から処理室6内に導入される。
更に予め設定された処理時間が経過すると、反応ガスの処理室6内への供給を停止し、排気装置22により処理室6内を真空排気する。この時、不活性ガス供給源から不活性ガスを処理室6内に供給しても良い(不活性ガスパージ)。
処理温度(ウェハ温度):300℃〜700℃、
処理圧力(処理室内亜圧力)1Pa〜4000Pa、
DCSガス:100sccm〜10000sccm、
O2ガス:100sccm〜10000sccm、
N2ガス:100sccm〜10000sccm、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
(a)キャップヒータの発熱部をウェハの直径よりも小さい円弧状(馬蹄形状)とし、キャップヒータの保護部材を板厚の小さい石英製としているので、キャップヒータの昇温及び降温が容易であり、リカバリ時間が短縮され、スループットを向上させることができる。
(b)キャップヒータの直径がウェハの直径よりも小さくなっているので、ガス導入孔からガス排気部に向って流れるガスの流れを妨げることがなく、ガスがウェハの表面に均一に供給され、ウェハの面内均一性を向上させることができる。
(c)キャップヒータにより最下段のウェハの周縁部よりも中心側の環状領域を積極的に加熱するようになっているので、最下段のウェハの周縁部が側部ヒータとキャップヒータにより2重に加熱されることが防止され、温度の下がり易いボトム領域を効率的に均一に加熱することができ、ウェハの面内温度均一性を向上させることができる。
(d)キャップヒータは、発熱部から外周側に突出するV字形の補強部を有し、補強部の根本から下方に屈曲させて垂下部を形成しているので、別途補強部材を設けることなくキャップヒータの強度の確保が可能であり、部品点数の低減を図ることができる。
(e)補強部がガス排気部の上方に位置しているので、V字形の補強部によりガスに乱流が生じた場合でも乱流を速やかに排気することができ、乱流の発生が抑制され、ウェハに均一にガスが供給され面内均一性を向上させることができる。
(f)垂下部は断熱部の上下方向全長に亘って形成された第1切欠き部に挿通され、垂下部が断熱部の周面から突出しないようになっているので、垂下部によりガスの流れが妨げられるのを防止することができる。
(g)垂下部内では、束ねられた導線のうち、一方のみが保護ガラスに挿通されるようになっているので、垂下部の内径を小さくすることができ、キャップヒータの省スペース化を図ることができる。
(h)キャップヒータは固定的に設けられ、ボートがキャップヒータに対して独立して回転するようになっているので、キャップヒータを用いる際のウェハの加熱むらが抑制され、ウェハを均一に加熱することができる。
(i)断熱部の上面にスペーサを設けたので、キャップヒータが熱により変形し、垂れ下がった際に断熱部と直接接触することがなく、断熱部に熱を奪われることがなく、キャップヒータの耐久性を向上させることができる。
(j)第2温度センサをキャップヒータの発熱部の上面に接触するように設け、キャップヒータの温度を被加熱体であるウェハ側から計測することができるので、キャップヒータの温度の測定精度が向上し、加熱制御性が向上し、ウェハの面内均一性を向上させることができる。
(k)第2温度センサは、発熱部の、補強部の根本部から90°変位した位置から更に所定角度変位した位置に設けられたサポート部により固定されるので、第2温度センサと発熱部との接触面積が大きくなり、熱電対を保護する石英管を短時間で加熱することができ、測定誤差を小さくできると共に、第2温度センサを容易に位置合せすることができる。
(l)キャップヒータによる加熱位置を、ウェハの半径の中間又は中間近傍とすることで、処理室内のボトム領域に於ける外周側と中心側の温度差が小さくなり、ボトム領域が効率的に均一に加熱され、ウェハの温度の面内均一性を更に向上させることができる。
(m)キャップヒータにより処理室下部の温度が低下しやすい部分を加熱することにより、均熱長を処理室下方まで伸ばすことができるため、ダミーウェハを削減することができる。すなわち、製品ウェハの処理枚数を増やすことが可能となり、生産性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具の下方に設けられた断熱部と、
前記基板を処理する処理室を内部に有する反応管と、
前記反応管の周囲に設けられた第1加熱部と、
前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられた第2加熱部と、を具備し、
前記第2加熱部は、
略環状の発熱部と、
前記発熱部より下方に延伸する垂下部と、を有し、
前記発熱部が前記基板より小さい径の環状領域に収まるように構成される基板処理装置が提供される。
付記1に記載の装置であって、好ましくは、
前記環状領域は前記基板の直径の1/5以上3/5以下である。
付記1または2に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部の表面に温度測定部材が接続される。
付記1乃至3のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記第1加熱部は、
前記処理室内の前記基板保持具が収納される上部領域を加熱する上部ヒータと、
前記処理室内の前記断熱部が収納される下部領域を加熱する下部ヒータと、を備え、
前記発熱部は、少なくとも前記上部ヒータと前記下部ヒータとの境界の高さ位置以上の高さに設置される。
付記4に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部の温度は、前記下部ヒータの温度以下である。
付記1乃至3に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部は円弧状(馬蹄形状)に形成される。
付記4に記載の装置であって、好ましくは、
前記第2加熱部は、前記発熱部から外周側に向って突出するV字形の補強部を有する。
付記3に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部に温度測定部材支持部が設けられ、前記温度測定部材支持部により温度検出器が前記発熱部の上面に接触した状態で支持される。
付記8に記載の装置であって、好ましくは、
前記温度測定部材支持部は、前記発熱部の中心線が形成する仮想円に対して前記温度検出器の中心線が接線又は略接線となる位置に設けられる。
付記7に記載の装置であって、好ましくは、
前記補強部の根本部と前記垂下部とが接続され、前記垂下部内では1対の発熱体のうち一方のみに絶縁部材が装着される。
付記8に記載の装置であって、好ましくは、
前記断熱部上面の前記発熱部の下方にスペーサが設けられ、前記スペーサと前記発熱部との間に間隙が形成されている。
付記11に記載の装置であって、好ましくは、
前記補強部は前記処理室の排気部の上方に設けられる。
付記1または2に記載の装置であって、好ましくは、
前記第2加熱部は同心に複数設けられる。
付記1または2に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部は同心多重円状に設けられた外円部と内円部とを有し、前記外円部が基端側で前記補強部と接続され、前記外円部と前記内円部とが先端側で接続される。
付記1乃至14に記載の装置であって、好ましくは、
前記断熱部の周面に上下方向全長に亘って切欠き部が形成され、前記切欠き部に前記垂下部が挿通される。
付記1または2又に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部はカージオイド形(心臓形)に形成される。
付記16に記載の装置であって、好ましくは、
前記垂下部は、平面視において前記発熱部の中心位置に形成される。
付記2に記載の装置であって、好ましくは、
前記環状領域は前記基板の直径の1/5以上3/5以下である。
付記18に記載の装置であって、好ましくは、
前記環状領域は前記基板の直径の3/10以上8/15以下である。
付記1乃至19に記載の装置であって、好ましくは、
前記発熱部の直径は、最下段の基板の面内温度分布が均一となる位置で加熱できる大きさである。
本発明の他の態様によれば、
断熱部の上方に設置され、複数の基板を保持する基板保持具を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室の周囲に設けられた第1加熱部および前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられた略環状の第2加熱部が前記処理室内を加熱する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、を有し、
前記処理室内を加熱する工程では、前記基板より小さい径の環状領域に収まるように形成された前記第2加熱部の前記発熱部が前記処理室内のボトム領域を加熱する基板処理方法、又は、半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
断熱部の上方に設置され、複数の基板を保持する基板保持具を処理室内に搬入する手順と、
前記処理室の周囲に設けられた第1加熱部および前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられた略環状の第2加熱部が前記処理室内を加熱する手順と、
前記処理室内に処理ガスを供給する手順と、を有し、
前記処理室内を加熱する手順では、前記基板より小さい径の環状領域に収まるように形成された前記第2加熱部の前記発熱部が前記処理室内のボトム領域を加熱するようにコンピュータに実行させるプログラム、又は、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
複数の基板を保持する基板保持具と前記基板保持具の下方に設置された断熱部との間に設置される加熱部であって、
前記加熱部は、
略環状の発熱部と、
前記発熱部より下方に延伸する垂下部と、を有し、
前記発熱部が前記基板より小さい径の環状領域に収まるように、前記発熱部が構成される加熱部が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、該基板保持具の下方に設けられた断熱部と、基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の周囲を囲繞する様設けられた第1加熱部と、前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられた第2加熱部とを具備し、該第2加熱部は基板よりも径の小さい環状であり、前記処理室下部の径方向の一部を加熱する様構成された基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を保持する基板保持具を処理室内に装入する工程と、第1加熱部及び第2加熱部が前記処理室内を加熱する工程と、該処理室内に処理ガスを供給し排気する工程と、前記処理室内から前記基板保持具を装脱する工程とを有し、前記処理室内を加熱する工程では、前記第2加熱部が前記基板保持具の下方から基板の周縁よりも中心側で径方向の一部を環状に加熱する基板処理方法、または、半導体装置の製造方法が提供される。
6 処理室
7 ボート
31 断熱部
34 キャップヒータ
38 温度制御部
51、66 発熱部
53 垂下部
61 抵抗発熱体
Claims (12)
- 複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具の下方に設けられた断熱部と、
前記基板保持具を収納し、前記基板を処理する処理室と、
前記処理室の周囲に設置され、前記処理室内を側部から加熱する第1加熱部と、
前記処理室内に設けられる第2加熱部と、を具備し、
前記第2加熱部は、
前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられ、リング形状の1巻きの発熱体が設けられる環状部と、
前記環状部より下方に延伸する垂下部と、を有し、
前記発熱体が前記基板より小さい径の環状領域に収まるように構成される基板処理装置。 - 前記環状領域は前記基板の直径の1/5以上3/5以下である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2加熱部は、保護管内に前記発熱体が封入された構造を有し、
前記発熱体は、コイル状の抵抗発熱体を、一部が開放した前記リング形状に形成されたものであり、その中心線が円を形成し、
前記垂下部は、前記環状部の前記保護管の両端と接続する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1加熱部は、
前記処理室内の前記基板保持具が収納される上部領域を加熱する上部ヒータと、
前記処理室内の前記断熱部が収納される下部領域を加熱する下部ヒータと、を備え、
前記環状部の内の前記発熱体が設けられた部分である発熱部は、少なくとも前記上部ヒータと前記下部ヒータとの境界の高さ位置以上の高さに設置される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記発熱部の表面に温度測定部材が接続され、前記発熱部の温度は、前記下部ヒータの温度以下に設定される請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記発熱部に温度測定部材支持部が設けられ、前記温度測定部材支持部により温度検出器が前記発熱部の上面に接触した状態で支持され、
前記断熱部上面の前記発熱部の下方にスペーサが設けられ、前記スペーサと前記発熱部との間に間隙が形成されている請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記環状部は、前記環状部の内の前記発熱体が設けられた部分である発熱部の両端から外周側に向って突出するV字形の補強部を有し、前記補強部は、前記発熱部と前記補強部の境界部に掛かる力であって、接線方向及び半径方向の両方のモーメントを軽減する請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第2加熱部は、前記垂下部の上方で水平方向に屈曲され、前記断熱部の中心から外方に向って延出し、前記環状部の内の前記発熱体が設けられた部分である発熱部の両端に接続するようにI字形状に形成された一対の延出部を更に備える請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記断熱部に上下方向全長に亘って切欠き部が形成され、前記切欠き部に前記垂下部が挿通される請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記垂下部は、平面視において前記発熱部の中心位置に形成される請求項8に記載の基板処理装置。
- 断熱部の上方に設置され、複数の基板を保持する基板保持具を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室の周囲に設けられた第1加熱部および前記処理室内に設けられた第2加熱部が、前記処理室内を加熱する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、を有し、
前記処理室内を加熱する工程では、前記第2加熱部が、前記基板保持具と前記断熱部との間に設けられリング形状の1巻きの発熱体が封入される環状部と、前記環状部より下方に延伸する垂下部と、を有し、前記基板より小さい径の環状領域に収まるように形成された前記発熱体が、前記処理室内のボトム領域を加熱する半導体装置の製造方法。 - 減圧される基板処理装置内の、基板保持具と断熱部との間に設置される加熱部であって、
前記加熱部は、
保護管内にリング形状の1巻きの発熱体が封入される環状部と、
前記環状部の前記保護管の両端と接続し、前記環状部より下方に延伸する垂下部と、を有し、
前記環状部の内の、前記発熱体が封入された部分である発熱部が前記基板より小さい径の環状領域に収まるように構成される加熱部。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105100685A TWI613316B (zh) | 2015-02-25 | 2016-01-11 | 基板處理裝置,半導體裝置的製造方法及加熱部 |
CN201610084003.7A CN105914163B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-06 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部 |
CN201811535202.0A CN109616434A (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-06 | 衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法以及加热部 |
KR1020160017774A KR101767469B1 (ko) | 2015-02-25 | 2016-02-16 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가열부 |
US15/051,740 US9957616B2 (en) | 2015-02-25 | 2016-02-24 | Substrate processing apparatus and heating unit |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035845 | 2015-02-25 | ||
JP2015035845 | 2015-02-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019221768A Division JP6886000B2 (ja) | 2015-02-25 | 2019-12-09 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157923A JP2016157923A (ja) | 2016-09-01 |
JP6630146B2 true JP6630146B2 (ja) | 2020-01-15 |
Family
ID=56826576
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015253777A Active JP6630146B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-12-25 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
JP2019221768A Active JP6886000B2 (ja) | 2015-02-25 | 2019-12-09 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019221768A Active JP6886000B2 (ja) | 2015-02-25 | 2019-12-09 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6630146B2 (ja) |
KR (1) | KR101767469B1 (ja) |
TW (1) | TWI613316B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11232963B2 (en) * | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
JP6916920B1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-08-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、治具、半導体装置の製造方法および基板処理装置の校正方法 |
CN116437507B (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-22 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 一种半导体用加热设备、半导体镀膜设备以及加热方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2583503B2 (ja) * | 1987-05-08 | 1997-02-19 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 熱処理装置 |
JP2705012B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1998-01-26 | ウシオ電機株式会社 | ヒータランプの製造方法 |
JP3423131B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2003-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理装置 |
JP3383784B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2003-03-04 | 一郎 高橋 | 半導体ウェハの熱処理装置 |
JP3598032B2 (ja) | 1999-11-30 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット |
JP2002043238A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Seiko Epson Corp | 熱処理装置 |
JP3912208B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4276813B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-06-10 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置および半導体製造方法 |
JP4537201B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2010-09-01 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | バッチ炉 |
US6727194B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-04-27 | Wafermasters, Inc. | Wafer batch processing system and method |
JP4885438B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2012-02-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーター及びこれを備えた基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーターにおける発熱体の保持構造及び基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法 |
US20050217799A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Wafer heater assembly |
KR101223489B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 가공 장치 |
-
2015
- 2015-12-25 JP JP2015253777A patent/JP6630146B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-11 TW TW105100685A patent/TWI613316B/zh active
- 2016-02-16 KR KR1020160017774A patent/KR101767469B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-12-09 JP JP2019221768A patent/JP6886000B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6886000B2 (ja) | 2021-06-16 |
TWI613316B (zh) | 2018-02-01 |
JP2016157923A (ja) | 2016-09-01 |
KR101767469B1 (ko) | 2017-08-11 |
KR20160103928A (ko) | 2016-09-02 |
TW201704525A (zh) | 2017-02-01 |
JP2020057796A (ja) | 2020-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI611043B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
JP6605398B2 (ja) | 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム | |
JP6886000B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 | |
JP6764514B2 (ja) | 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法 | |
JP6815526B2 (ja) | 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法 | |
CN105914163B (zh) | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部 | |
TWI458033B (zh) | 基板處理裝置,半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 | |
JP6715975B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI783238B (zh) | 隔熱構造體、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP6736755B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2019194958A (ja) | 熱処理装置 | |
KR102391762B1 (ko) | 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
JP7023147B2 (ja) | 断熱構造体及び縦型熱処理装置 | |
JP2019021910A (ja) | 基板処理装置、基板保持具及び半導体装置の製造方法 | |
WO2021187277A1 (ja) | 基板処理装置、断熱材アセンブリ及び半導体装置の製造方法 | |
JP6890114B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5950530B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP7236420B2 (ja) | 温度センサ、ヒータユニット、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6561148B2 (ja) | 基板処理装置、継手部および半導体装置の製造方法 | |
KR20210044849A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP2010086985A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005093747A (ja) | 半導体処理装置 | |
JP2013191695A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008071939A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009099728A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180323 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6630146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |