JP2009099728A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理室を急速に冷却することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ200を処理する処理室201を形成するプロセスチューブ203と、処理室201内に設けられるウエハ200に膜を形成するための原料ガスを処理室201内に供給するノズル230と、プロセスチューブ203を覆い、プロセスチューブ203を加熱する加熱ヒータ206と、プロセスチューブ203と加熱ヒータ206との間に冷却ガスを供給する給気管260と、プロセスチューブ203と加熱ヒータ206との間の冷却ガスを排気するブロア262と、を有し、加熱ヒータ206の一部に開口部100が設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ200を処理する処理室201を形成するプロセスチューブ203と、処理室201内に設けられるウエハ200に膜を形成するための原料ガスを処理室201内に供給するノズル230と、プロセスチューブ203を覆い、プロセスチューブ203を加熱する加熱ヒータ206と、プロセスチューブ203と加熱ヒータ206との間に冷却ガスを供給する給気管260と、プロセスチューブ203と加熱ヒータ206との間の冷却ガスを排気するブロア262と、を有し、加熱ヒータ206の一部に開口部100が設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体製造装置に関し、特に基板を処理する処理室内に原料ガスを供給してその基板に膜を形成する半導体製造装置に関する。
この種の半導体製造装置では、容器内に基板を処理する処理室が形成されており、その容器が、例えば図8に示すような円筒状の加熱ヒータ1000に覆われている。加熱ヒータ1000は円筒状を呈した断熱材1001を有し、その断熱材1001中又はその内側にヒータ素線が配された構造を有している。実際の基板処理に際しては、加熱ヒータ1000が作動して容器を加熱し、その容器内の処理室を室全体にわたり加熱して処理室内での温度分布を均一とするように温度調整している。
しかしながら、基板処理後において容器から処理済の基板を取り出す場合に、加熱ヒータの作動を停止させて容器内の温度を下降させようとするが、余熱の影響により容器やその内部(特には処理室)が冷え難く、処理済の基板を取り出して後続の未処理の基板を容器内に搬入するまで時間がかかる。
したがって、本発明の主な目的は、処理室を急速に冷却することができる半導体製造装置を提供することにある。
上記課題を解決するため本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
本発明によれば、冷却ガス供給系と冷却ガス排気系とを有するから、冷却ガス供給系から冷却ガス排気系への冷却ガスの流通で処理室を冷却することができる。これに加えて、加熱ヒータの一部に開口部が形成されているから、処理室の余熱を容易に放熱させることができ、処理室の冷却を助長することができる。以上から、処理室を急速に冷却することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例に係る半導体製造装置は図1に示す処理炉202を有している。処理炉202は加熱機構としての加熱ヒータ206を有している。加熱ヒータ206は、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。
図2に示す通り、加熱ヒータ206は円筒形状を呈した断熱部材206aと複数本のヒータ素線206bとを備えており、断熱部材206aに対しヒータ素線206bが設けられた構成を有している。断熱部材206aの一部には矩形状の開口部100が形成されており、開口部100は蓋体110で覆われている。例えば、処理炉202で処理されるウエハ200が直径300mmの円形状を呈する場合には、開口部100の幅は10〜20cm程度とされる。蓋体110は金属以外の材料(例えばガラスウォール,断熱クロス材)で構成されている。なお、蓋体110が開口部100に対し開閉可能とされ、ウエハ200を加熱する場合には閉じておき、加熱ヒータ206の熱を放出する場合には開けるような構成としてもよい。
ヒータ素線206bは図2中上下に湾曲した波形状を呈しており、開口部100の近傍で折り返されている(ヒータ素線206bは蓋体110には配されていない。)。加熱ヒータ206はヒータ素線206bが通電されることでその内部を加熱することができるようになっている。
図2中では、ヒータ素線206bの構成を分かり易く説明するため断熱部材206aの外周面に設けられているように図示しているが、ヒータ素線206bは断熱部材206aの内周面又はその内部に設けられている。
本実施例では、加熱ヒータ206に形成される開口部100は、図2,図3(a)に示す通りに上下方向に延在する長方形状を呈しているが、図3(b)に示す通りに略正方形状を呈した2つの開口部100を上下に配列した構成としてもよいし、更に図3(c)に示す通りに複数の開口部100を上下に配列した構成としてもよい。すなわち、図3(b),(c)に示す通り、開口部100同士の間に断熱部材206aによる仕切りが介在してもよい。
図1,図4に示す通り、加熱ヒータ206の内側には、加熱ヒータ206と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ203が配設されている。プロセスチューブ203は内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205とから構成されている。
インナーチューブ204は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。インナーチューブ204の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されており、後述するボート217が収容されている。ウエハ200はボート217によって水平姿勢を保持するように支持されており、図1中上下方向に多段に整列した状態で処理室201に収容されている。
アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きい。アウターチューブ205は上端が閉塞しかつ下端が開口した円筒形状を呈しており、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。
なお、加熱ヒータ206の外側には金属製の冷却板300が設けられており、加熱ヒータ206や冷却板300を含む処理炉202はヒータ室310内に設けられている。
アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。マニホールド209は、インナーチューブ204とアウターチューブ205に係合しており、これらを支持するように設けられている。
なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間にはシール部材としてのOリング220aが設けられている。プロセスチューブ203はマニホールド209に支持されながら垂直に据え付けられた状態となっている。本実施例では、少なくともプロセスチューブ203とマニホールド209により容器が形成されている。
マニホールド209にはガス導入部としてのノズル230が処理室201内に連通するように接続されており、ノズル230には原料ガスを処理室201に供給するためのガス供給管232が接続されている。
図1に示す通り、ノズル230は処理室201の下方から上方に延在している。本実施例では、ノズル230は4本存在している。ノズル230は図4に示す通りにインナーチューブ204の内側に配されており、インナーチューブ204の内壁に沿うように1列に配列されている。4本のノズル230は直径1cm程度の筒状の細管であり、加熱ヒータ206の開口部100と対向配置されている。本実施例では、ノズル230同士の間には3cm程度の間隔が開けられるのが好ましい。
図5に示す通り、ノズル230は高さがそれぞれ異なっており、各ノズル230間に段差が形成されている。各ノズル230間に段差を形成すると、上部(Top)のウエハ200と下部(Bottom)のウエハ200との間で膜質を改善することができる。また、例えば、本実施例のように、ノズル230の本数を4本として各ノズル230間に段差を形成した場合にはウエハ200の同一面間における膜厚差を3%以内に抑えることができ、更にノズル230の本数を6本と増設した場合にはウエハ200の同一面間における膜厚差を2%以内に抑えることができ、ウエハ200への膜の形成の均一性を向上させることができる。
ガス供給管232のノズル230との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241を介してウエハ200に膜を形成するための原料ガス供給源(図示略)や不活性ガス供給源(図示略)が接続されている。
MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間に形成されている筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。排気管231のマニホールド209との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ245および圧力調整装置242が設けられている。圧力調整装置242には真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置242および圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は圧力センサ245により検出された圧力に基づいて処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて圧力調整装置242の動作を制御するように構成されている。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219はマニホールド209の下端に対し図1中方向下方から上方に当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状を呈している。シールキャップ219の上面にはマニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219はプロセスチューブ203の外部に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって図1中上下方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入・搬出することが可能となっている。
回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されており、駆動制御部237は回転機構254及びボートエレベータ115が所望の動作をするよう所望のタイミングにて回転機構254及びボートエレベータ115の動作を制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状を呈した断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、加熱ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよう構成されている。
プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。加熱ヒータ206と温度センサ263には、電気的に温度制御部238が接続されている。温度制御部238は、温度センサ263により検出された温度情報に基づき加熱ヒータ206への通電具合を調整することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて加熱ヒータ206を制御するように構成されている。
ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、半導体製造装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239はコントローラ240として構成されている。
次に、図6を参照しながら、上記構成に係る半導体製造装置を用いた半導体装置(半導体デバイス)の製造方法について説明し、特に半導体装置の製造工程の一工程として、CVD法によりウエハ200上に薄膜を形成する方法について詳細に説明する。なお、以下の説明において、半導体製造装置を構成する各部の動作はコントローラ240により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器242が、フィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように加熱ヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づき加熱ヒータ206への通電具合がフィードバック制御される(図6中「昇温」期間参照)。
続いて、回転機構254により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転する。
次いで、原料ガス供給源から供給され、MFC241にて所望の流量となるように制御された原料ガスは、ガス供給管232を流通してノズル230から処理室201内に導入される。導入された原料ガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250に流出して排気管231から排気される。ガスは処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される(図6中「処理」期間参照)。
ここで、処理中のウエハ200及びノズル230の温度に関し、ノズル230の温度は処理中のウエハ200の温度より20〜100℃程度低くなると考えられ、例えば、インナーチューブ204がない状態でウエハ200が400〜800℃、ノズル230が300℃位になると考えられる。
本実施例を想定した場合、低温成膜(Poly膜,BTBAS+NH3によるSiN膜(600℃位),高温酸化膜(HTO))が実施可能である。また、SiO膜の形成は500℃まで下げることができれば実施可能である。一方、ジクロロシラン(DCS)を用いたSiN膜の形成は650℃と高温なので実施可能性が低いと考えられる。なお、ノズル230の温度がウエハ200の温度より低くなるといってもノズル230に不要な膜が付着するような場合には、ノズル230の長さを短縮したり、ノズル230の本数を減らしたりすることにより、ノズル230で不要な膜が形成されるのを抑制することができる。
そして予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が大気圧に復帰される。
また、予め設定された処理時間が経過したら、炉内温度を下降させる。この降温工程において、炉内温度を急激に冷却する際は、給気管260よりN2等の冷却ガスを加熱ヒータ206とアウターチューブ205との間の空間に供給し、開口部100を通して排気路261を介しブロア262により排気する。即ち、処理室201の外壁付近に冷却ガスの流れを作り、処理室201を急速に冷却する。この降温工程の際も、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づき加熱ヒータ206への通電具合がフィードバック制御される(図6中「急冷」期間参照)。
なお、昇温シーケンス、熱処理シーケンス及び降温シーケンスの制御は温度制御部238により行う。
なお、昇温シーケンス、熱処理シーケンス及び降温シーケンスの制御は温度制御部238により行う。
その後、処理室201内が大気圧に戻り処理室201内の温度が一定の温度に下降したら、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させ、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下方からプロセスチューブ203の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
ボート217に支持された全てのウエハ200が冷えるまで、ボート217を所定位置で待機させる。その後、処理済ウエハ200はボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
以上の本実施例によれば、処理室201を冷却する際に給気管260から冷却ガスを供給してブロア262より排気するから、その冷却ガスの流通で処理室201を急激に冷却することができる。この場合に、図7に示す通りに加熱ヒータ206の一部に開口部100が形成されているから、インナーチューブ204やアウターチューブ205、処理室201の余熱を開口部100から容易に放熱させることができ、処理室201の冷却を助長することができる。
また、加熱ヒータ206の一部に開口部100が形成されているから、加熱ヒータ206が作動しているウエハ200の処理中においては、処理室201内の領域であって開口部100と対向する領域はウエハ200が配置されている領域より温度が低い(図4参照)。そのため、当該低温領域に配置されているノズル230には膜が形成され難く、ノズル230で不要な膜が形成されるのを抑制することができ、ウエハ200への処理を円滑に行うことができる。
なお、この場合に、処理室201内では開口部100に対向する領域の温度がやや低くなって処理室201内での温度分布は不均一となるが、回転機構254によりウエハ200を回転させながらウエハ200に膜を形成するので、ウエハ200の膜質(例えば膜厚の均一性)はその不均一な温度分布の影響を受け難い。
以上から、処理室201を急速で冷却することができ、ウエハ200が配置される領域以外の他の領域での不要な処理も抑制することができる。
更に、本実施例では、開口部100を蓋体110で覆い、加熱ヒータ206とアウターチューブ205との間で冷却ガスを流通させてその冷却ガスをブロア262により排気するから、加熱ヒータ206の内部で発生する金属を強制的に排気することができ、その金属がアウターチューブ205やインナーチューブ204を透過してウエハ200を汚染するのを未然に防止することができる。
本実施例に係る処理炉202では、図7に示す通り、加熱ヒータ206は片側面のみ加熱する箇所が設けられ、その反対側に放熱冷却用の開口部100が形成された形状を呈している。つまり、加熱ヒータ206に覆われた処理室201においては、開口部100が形成された領域以外の領域のみが加熱される。この場合に、処理室201内においては、ウエハ200が配置された領域から開口部100に向かって温度が傾斜(低下)するような不均一な温度分布が形成されるが、回転機構254によりウエハ200が回転した状態で処理を受けるから、ウエハ200内面の膜厚均一性は保たれる。
また、開口部100を原料ガスの供給側に設ける、つまりノズル230側に設ける(ノズル230と対向している)ことにより、ノズル230が配置された領域は膜を形成するための処理温度より低温領域となり、ノズル230への成膜が減るという利点もある。
さらに、開口部100を金属以外の部材である蓋体110で覆い、且つ、N2等の冷却ガスを排気路261に沿って流通させ、加熱ヒータ206の内部から放出される金属を強制排気する。
具体的には、処理炉202のアウターチューブ205とインナーチューブ204は石英部材等で構成されているため、高温になる程加熱ヒータ206の表面の冷却板300の金属(銅、鉄、ニッケル等)がアウターチューブ205とインナーチューブ204を透過して処理室201内に侵入し、処理炉202内のウエハ200が前記金属によって汚染される。そのため、処理室201内に金属が透過するのを防止する必要があり、水素アニールの爆発防止に似た現象のように、加熱ヒータ206とアウターチューブ205との間に窒素(N2)等を供給すればよい。よって、本実施例のように、開口部100を金属以外の部材である蓋体110で覆い、さらにN2等の冷却ガスを供給して開口部100からブロア262等で連続的に熱排気ダクトを行うことで、加熱ヒータ206とアウターチューブ205との間の金属を強制排気するような構成が好ましい。
以上より、本実施例では、加熱ヒータ206に開口部100が形成されているから、加熱ヒータ206に開口部100がない場合と比較して、ウエハ200の熱履歴低減性を限りなく追求することができる。さらに、開口部100を介して冷却ガスをブロア262で排気することによって、急冷却を改善することができるようになり、これを連続的に継続することにより低温時の維持制御が容易になる。
また、ノズル230等への成膜を低減することができるためガスクリーニング手法で運用でき、メンテナンス周期を伸ばせる。すなわち、本実施例では、ノズル230に膜が形成され難いから、ノズル230を処理炉202から取り外して専用の洗浄液で洗浄するといった作業をするまでもなく、クリーニング用のガスを単にノズル230に流通させるだけでノズル230のメンテナンスをすることができる。
以上の本実施例において、開口部100を設ける主な目的は、処理炉202の急冷却を行うことにより処理時間を短縮し、ハイスループットを実現することであり、もうひとつの他の目的は、開口部100を設けてそこから冷却ガスを排気することにより、加熱ヒータ206の表面から発生する金属も同時に排気してウエハ200の金属汚染を防止することである。
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする第1の半導体製造装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする第1の半導体製造装置が提供される。
ここで、本実施例に係る加熱ヒータ206の比較例として開口部100が形成されていない構成を想定することができる(図8参照)。当該構成では、基板の処理中において、処理室内の温度分布が均一となるように温度調整されるから、処理室内の基板が配置される領域のみならず、例えば原料ガスの供給部等が配置される領域で不要な処理がなされ、基板への処理を円滑に行なえないときがある。例えば、処理室内の領域であって基板が配置された領域から離間した領域に原料ガスを供給するノズル等が配置されている場合に、当該ノズルで不要な膜が形成されることが考えられ、この場合には当該ノズルで原料ガスの詰まりが発生して所定量の原料ガスが基板に到達しないときがある。
これに対し、本実施形態では、好ましくは、第1の半導体製造装置において、
前記処理室内には前記原料ガスを供給するノズルが設けられ、
前記ノズルが前記開口部と対向して配置されている第2の半導体製造装置が提供される。
前記処理室内には前記原料ガスを供給するノズルが設けられ、
前記ノズルが前記開口部と対向して配置されている第2の半導体製造装置が提供される。
第2の半導体製造装置によれば、ノズルが加熱ヒータの一部に形成された開口部に対向して配置されている。すなわち、ノズルが配置されている領域は、処理室内の領域であって開口部と対向する領域であり、加熱ヒータが作動する基板の処理中においては基板の配置される領域より温度が低い。そのため、当該ノズルで不要な処理がなされる(不要な膜が形成される)のを抑制することができ、ひいては基板への処理を円滑に行なうことができるのである。
また、好ましくは、第1の半導体製造装置において、
前記開口部が金属以外の部材で覆われている第3の半導体製造装置が提供される。
前記開口部が金属以外の部材で覆われている第3の半導体製造装置が提供される。
100 開口部
110 蓋体
115 ボートエレベータ
201 処理室
202 処理炉
203 プロセスチューブ
204 インナーチューブ
205 アウターチューブ
206 加熱ヒータ
206a 断熱部材
206b ヒータ素線
209 マニホールド
216 断熱板
217 ボート
219 シールキャップ
220a,220b Oリング
230 ノズル
231 排気管
232 ガス供給管
235 ガス流量制御部
236 圧力制御部
237 駆動制御部
238 温度制御部
239 主制御部
240 コントローラ
241 MFC(マスフローコントローラ)
242 圧力調整装置
245 圧力センサ
246 真空排気装置
250 筒状空間
251 ヒータベース
254 回転機構
255 回転軸
260 給気管
261 排気路
262 ブロア
263 温度センサ
300 冷却板
310 ヒータ室
110 蓋体
115 ボートエレベータ
201 処理室
202 処理炉
203 プロセスチューブ
204 インナーチューブ
205 アウターチューブ
206 加熱ヒータ
206a 断熱部材
206b ヒータ素線
209 マニホールド
216 断熱板
217 ボート
219 シールキャップ
220a,220b Oリング
230 ノズル
231 排気管
232 ガス供給管
235 ガス流量制御部
236 圧力制御部
237 駆動制御部
238 温度制御部
239 主制御部
240 コントローラ
241 MFC(マスフローコントローラ)
242 圧力調整装置
245 圧力センサ
246 真空排気装置
250 筒状空間
251 ヒータベース
254 回転機構
255 回転軸
260 給気管
261 排気路
262 ブロア
263 温度センサ
300 冷却板
310 ヒータ室
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007269047A JP2009099728A (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007269047A JP2009099728A (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099728A true JP2009099728A (ja) | 2009-05-07 |
Family
ID=40702455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007269047A Pending JP2009099728A (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009099728A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117684156A (zh) * | 2024-01-11 | 2024-03-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备 |
-
2007
- 2007-10-16 JP JP2007269047A patent/JP2009099728A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN117684156A (zh) * | 2024-01-11 | 2024-03-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20100204 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20100210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |