JP6627211B2

JP6627211B2 - 発光装置の製造方法

Info

Publication number: JP6627211B2
Application number: JP2014201898A
Authority: JP
Inventors: 正和酒本
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2020-01-08
Anticipated expiration: 2034-09-30
Also published as: JP2016072500A

Description

本発明の実施形態は、発光素子を用いた発光装置およびその製造方法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）のような発光素子は、一般に実装基板に実装される。例えば、特許文献１に開示された発光装置では、絶縁性基板に正負一対の導電部材が設けられており、発光素子と導電部材とが、導電性ワイヤによって電気的に接続されている。
導電部材上には、発光装置の光の取り出しを高めるために、Ａｇ等の被膜が形成されることがある。また、導電性ワイヤとして、硫化しにくいＡｕワイヤが用いられることがある。

特開２００７−２８７８９６号公報

しかしながら、発光装置がおかれる環境にＳＯ_２等の腐食ガスが存在すると、導電部材上において被膜の腐食が起こるおそれがある。そして、腐食は、時間とともに拡大し、導電部材と導電性ワイヤとの電気的な接続不良を引き起こす恐れがある。さらに、腐食により導電部材が変色し、発光装置の光の取り出し効率を低下させる恐れがある。なかでも、Ａｇは光反射率が高いが、腐食が発生しやすい。

そこで、本発明の実施形態は、導電部材と導電性ワイヤとの接続部の腐食を抑制できる発光装置を提供することを目的とする。

本発明の実施形態に係る発光装置は、
表面にＡｇの被膜を有する導電部材と、発光素子の電極とが、Ａｕワイヤで接続され、
前記Ａｕワイヤと前記導電部材の接続部にＡｕ−Ａｇ合金が形成されることを特徴とする。

上記の目的を達成するために、本発明の一の側面に係る半導体発光装置の製造方法によれば、基材と、表面にＡｇの被膜を有する導電部材とを備え、前記導電部材の上面が位置する底面を有する凹部を備えるパッケージと、前記凹部の前記底面に配置される発光素子と、を備えた発光装置の製造方法であって、
前記凹部の前記底面に位置する前記上面の全域に鍍金法により形成したＡｇの被膜を有する前記導電部材と、前記発光素子の電極とを、Ａｕワイヤで接続する工程と、
前記Ａｕワイヤと前記導電部材の接続部にレーザ照射し、前記Ａｕワイヤと前記被膜の一部とを合金化する工程と、を有し、
前記レーザ照射する工程は、
平面視で、前記Ａｕワイヤの延在方向であって、前記接続部へ向かう方向をＹ軸正方向、前記Ｙ軸正方向の逆方向をＹ軸負方向とし、前記Ｙ軸正方向に直交する方向であって、前記接続部の一端から他端へ向かう方向をＸ軸正方向、前記Ｘ軸正方向の逆方向をＸ軸負方向とした時、
前記接続部のＸ軸正方向の一端の外側から他端の外側へとレーザを移動させ、次いで前記他端の外側からＹ軸負方向またはＹ軸正方向にずらしながら前記レーザを移動させ、次いでＸ軸負方向へ折り返して前記レーザを移動させる、折り返し照射工程を含み、
前記折り返し照射工程を１回または複数回繰り返す。

本発明の実施形態によれば、導電部材と導電性ワイヤとの接続部の腐食を抑制できる発光装置およびその製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態に係る発光装置の概略平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図と、Ａの拡大図である。図１のＡの拡大図であり、Ａｕワイヤと導電部材の接続部の概略図である。図１のＡの拡大図であり、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略図である。

以下、図面に基づいて本発明に係る実施形態の発光装置について説明する。

図１は、本実施形態に係る発光装置１０を示す概略平面図である。図３は、図１のＡの拡大図であり、Ａｕワイヤ１６と導電部材１４との接続部３２を示している。

図１に示すように、本実施形態に係る発光装置１０は、パッケージ１１と発光素子１２とを含んでいる。パッケージ１１は発光素子１２を実装する基板であり、基材１３と導電部材１４とから構成されている。導電部材１４は、正負一対の導電部材１４ａ、１４ｂを含んでおり、その上面にはＡｇの被膜１５が設けられている。発光素子１２は、正負一対の導電部材１４ａ、１４ｂのそれぞれと、Ａｕワイヤ１６により電気的に接続されている。図３に示されるように、導電部材１４とＡｕワイヤ１６との接続部３２には、Ａｕ−Ａｇ合金３０が形成されている。
以下、各構成部材について詳述する。
（発光素子）
本実施形態の発光装置１０は、複数の発光素子１２を有する。なお、発光素子１２は１つでもかまわない。本実施形態では、発光素子１２は、パッケージ１１の凹部２０の底面２０ｂの一部である導電部材１４ａ上に実装され、発光素子１２と、導電部材１４ａ、１４ｂとは、Ａｕワイヤ１６によって電気的に接続されている。
発光素子１２は、当該分野で一般的に用いられている発光素子を用いることができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅ、窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰなどの半導体層を用いたもの、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどの半導体層を用いたものが挙げられる。
発光素子１２は、サファイア等の絶縁性の半導体成長用の基板上に半導体層が積層されて形成されることがあるが、半導体成長用の基板は除去されていてもよい。
発光素子１２は、半導体層側に電極が配置されているもの（片面電極）でもよいし、半導体層の反対側に電極が配置されているもの（両面電極）であってもよい。発光素子１２は、少なくとも一方の電極が、Ａｕワイヤ１６によって導電部材１４と接続できるように、発光素子１２の上面側（実装面と反対側）にくるように実装される。本実施形態では、半導体層側に正負の電極が設けられ、半導体層と反対側の面がパッケージ上に接合されて実装（フェイスアップ実装）されている。なお、発光素子１２は、パッケージ１１の底面２０ｂ上であれば、導電部材１４上、基材１３上、どちらに実装されてもかまわない。

なお、発光装置１０は、保護素子１８を有していてもかまわない。保護素子１８は、例えばツェナーダイオードであり、発光素子１２と同様にパッケージ１１（底面２０ｂ）上に実装することができる。

発光素子１２及び／又は保護素子１８が複数実装される場合は、それらを並列、直列またはそれらの組み合わせなど、適宜所望の形態に接続することができる。

発光素子１２及び保護素子１８は、接着剤によってパッケージ１１の底面２０ｂに実装される。接着剤としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂、これらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。その他、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等の共晶合金、あるいは、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属のろう材等を用いてもよい。

（パッケージ）
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図であり、本実施形態の発光装置１０の断面図である。図２に示すように、本実施形態のパッケージ１１は、基材１３と正負の導電部材１４ａ、１４ｂにより構成されている。正負の導電部材１４ａ、１４ｂは、基材１３によって保持されており、電気的に絶縁されている。導電部材１４ａ、１４ｂの上面の一部は、基材１３から露出している。本実施形態では、パッケージ１１は凹部２０を有している。凹部２０は、基材１３による側壁２０ａと、導電部材１４ａ、１４ｂの上面及びその間の基材１３の上面からなる底面２０ｂとで構成される。側壁２０ａは、発光素子１２からの出射光を発光装置の光出射面側へ効率的に反射させることができる。特に、側壁２０ａの内面が傾斜面であると、光を効果的に上方へ反射させることができる。なお、基材１３の側壁２０ａ（凹部２０）はなくてもよい。

導電部材１４の上面は、Ａｇの被膜１５を有する。これにより、発光素子１２からの光を発光装置の光出射面へ効率的に反射することができる。Ａｇの被膜１５は、少なくとも、導電部材１４上であって、Ａｕワイヤ１６が接続される接続部３２に設けられており、導電部材１４上において広範囲に設けられると好ましい。例えば、パッケージ１１の凹部２０内に露出される導電部材１４上の６０〜８０％以上に設けられていることが好ましく、全域に設けられていると最も好ましい。そうすることで、発光装置の光の取り出しを向上させることができる。特に、発光素子１２の周辺にＡｇの被膜１５が形成されていると、効率的に光を反射することができるため好ましい。なお、Ａｇの被膜１５は、後述する基材１３に被覆される導電部材１４の表面に形成されていてもよい。

Ａｇの被膜１５は、導電部材１４上に厚み約０．５〜１５μｍで形成されると好ましい。また、Ａｇの被膜１５のＡｇの純度は、９９％以上であると、発光素子からの出射光を効率的に反射することができるため好ましい。

導電部材１４の材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、又はこれらの合金等が挙げられる。特に、発光素子１２からの出射光を反射可能な材料であると好ましい。導電部材は、最表面がＡｇの被膜であれば、その下方等にＡｇ以外の被膜が形成されていてもよい。例えば、Ａｌ、Ｒｈ、Ａｕ、又はこれらの合金等の被膜が設けられていてもよい。これらの被膜は、鍍金、蒸着、スパッタ、印刷等で設けることができる。

本実施形態の導電部材１４は、リードフレームで形成されている。リードフレームは、プレス、打ち抜き、折り曲げ、エッチング等の加工によって、容易に所望の形状に加工できるので好ましい。リードフレームの厚みや形状等は、所望の発光装置の大きさや形状等を考慮して適宜調整することができる。なお、導電部材１４はリードフレームに限らず、鍍金等で形成されたものでもかまわない。鍍金等で形成された導電部材は、リードフレームと比較して基材１３と剥離しにくく好ましい。

基材１３は、絶縁性を有する材料で形成される。例えば、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、液晶ポリマー、またはナイロンなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、またはアクリレート樹脂などの熱硬化性樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の複合樹脂を母材として用いることができる。特に、絶縁性、耐熱性及び耐光性に優れ、導電部材１４との密着性が良好なエポキシ樹脂が好適に用いられる。なお、ガラス、セラミックス等の無機物等を母材として用いてもよい。基材１３は光反射性を有していると好ましく、上述の母材に、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム等の光反射材料を含有していると好ましい。その他、着色剤等を添加してもよい。

（Ａｕワイヤ、接続部）
発光素子１２の電極と導電部材１４とは、Ａｕワイヤ１６をボンディングすることで電気的に接続される。本実施形態において、例えば、Ａｕワイヤ１６と発光素子１２の電極との接続部（以下、１ｓｔボンディング部と記載することがある）は、ボールボンディングにより形成することができ、Ａｕワイヤ１６と導電部材１４との接続部３２（以下、２ｎｄボンディング部と記載することがある）はウェッジボンディングにより形成することができる。

本実施形態において、Ａｕワイヤ１６は、例えば、純度９９．９９％以上であって、径が約１８〜４５μｍのものを用いることができる。特に、径は約２５μｍ程度であると好ましい。

図３に示される接続部３２は、２ｎｄボンディング部である。ウェッジボンディングにより接続された２ｎｄボンディング部では、Ａｕワイヤ１６が押しつぶされ、薄く伸びた形状となる。本実施形態では、点線で示した接続部３２において、Ａｕ−Ａｇ合金３０が形成されている。接続部３２が薄く伸びた形状であるほど、すなわち平面に近い形状であるほど、Ａｕ−Ａｇ合金３０が形成しやすいため好ましい。

このＡｕ−Ａｇ合金３０は、導電部材１４の表面のＡｇの被膜１５と、その上面に接続されるＡｕワイヤとが合金化することで形成されたものである。Ａｇの被膜は、発光素子１２の光を効率的に反射することができるが、ＳＯ₂等の腐食ガスによる腐食が進行しやすい。特に、Ａｕワイヤ１６との接続部３２及び接続部付近で腐食が進行すると、Ａｕワイヤ１６の接続不良や断線が発生する。しかし、接続部３２に腐食しにくいＡｕ−Ａｇ合金３０が形成されることで、腐食（組成の変化）が進行することを防止することができる。また、Ａｇの被膜１５とＡｕワイヤ１６との間にＡｕ−Ａｇ合金３０が介されることで、電位が急激に変化することなく緩やかに変化するので、急激な腐食の進行を防ぐことができる。すなわち、導電部材１４とＡｕワイヤ１６との接続部３２における腐食は、導電部材１４の最表面に施されたＡｇの被膜１５と、Ａｕワイヤ１６との間の電位差によって発生し得るところ、接続部３２において、Ａｕワイヤ１６とＡｇの被膜１５の一部を合金化することにより、ＡｕとＡｇの成分の比率を変化させることで、電位が急激に変化することなく緩やかに変化する。これにより、腐食しにくい構成を提供することができる。なお、合金化とは、単なる接合や溶着とは異なり、異なる金属どうしの少なくとも一部が、固溶体、共晶、金属化合物の状態になる状態を指す。

Ａｕ−Ａｇ合金３０中のＡｕとＡｇの比率は、腐食防止と、発光素子からの出射光の反射との観点から決定されることが好ましい。例えば、Ａｕ−Ａｇ合金中のＡｇの含有量は７０％以上であることが好ましく、より好ましくは、８０％以上である。そうすることで、導電部材１４上のＡｇの被膜１５により、発光装置１０の光の取り出しを向上しつつ、特に腐食が進行しやすいＡｇの被膜１５とＡｕワイヤ１６との接続部３２にＡｕ−Ａｇ合金３０を形成することで、導電部材１４とＡｕワイヤ１６との接触不良や断線を防ぐことができ、信頼性の高い発光装置を形成することができる。

（保護膜）
発光装置１０は、パッケージ１１表面を被覆する保護膜２２を有していてもかまわない。保護膜２２が形成されることで、発光装置１０における腐食が防止され、信頼性の高い発光装置を形成することができる。本実施形態では、保護膜２２は、パッケージ１１の表面、発光素子１２の表面及びＡｕワイヤ１６の表面に形成することができる。保護膜２２の厚みは、例えば３〜１００ｎｍとすることができる。

保護膜２２は、絶縁性を有する材料によって構成されると好ましい。具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛などが挙げられる。また、透光性を有する材料で構成されると好ましい。「透光性を有する」とは、発光素子１２からの出射光の吸収率が５０％以下であることを意味しており、特に２０％以下であることが好ましい。

保護膜２２は、従来知られている薄膜形成法によって形成することができる。薄膜形成法としてはＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはスパッタリング法を挙げることができる。特に、保護膜２２の緻密性を向上させたい場合には、ＣＶＤ法のうちＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）法が特に好ましい。これにより、信頼性の高い発光装置１０を形成することができる。図２の拡大図に示されるように、特に、２ｎｄボンディング部において、Ａｕワイヤ１６の表面と、導電部材１４の表面の両方を被うように保護膜２２が形成されていると、腐食が起こりにくく好ましい。

保護膜２２は、導電部材１４上に形成されていると、Ａｇの被膜１５の硫化を抑制することができる。しかし、Ａｕワイヤ１６と導電部材１４との接続部３２のように、平面でないような領域に対し、十分に緻密な保護膜２２を形成するのは困難な場合もある。この場合、使用環境に腐食ガスが存在すると、特にその領域で腐食が進行しやすくなる。そのため、後述するように、本実施形態に係る発光装置１０では、より優れた耐食効果を得るために、接続部３２においてＡｕ−Ａｇ合金３０を形成している。

その他、発光装置１０は、発光素子１２を被覆する透光部材２４を有していてもかまわない。本実施形態では、透光部材２４は、凹部２０を充填するように設けることができる。なお、基材１３の側壁２０ａを有さない場合は、少なくとも発光素子１２を被覆するように設けられるが、好ましくは、パッケージ１１の導電部材１４の上面を被覆するように形成されると好ましい。これにより、導電部材１４の腐食を防ぐことができる。
透光部材２４は、発光素子からの出射光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。

材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴｊ樹脂、又はこれらの変性樹脂、ハイブリッド樹脂等が挙げられる。特に、ガスバリア性が高く、硫化が起こりにくいフェニル系シリコーン樹脂がより好ましい。その他、ガラスや焼結体等でもかまわない。

透光部材２４には、蛍光体等の波長変換部材が含まれていることが好ましい。これにより、所望の色調の光を発光する発光装置を形成することができる。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）系蛍光体、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、量子ドット蛍光体等と呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。波長変換部材は、透光部材２４中に含有されることに限られず、透光部材２４の上面又は下面に配置させてもよいし、発光素子の周囲に配置させてもよい。その他、透光部材２４には拡散材等が添加されていてもよい。

透光部材２４は、ポッティング、圧縮成形、スプレー、静電塗布法、印刷法、電気泳動堆積法、シート状に成形したものを接着する方法等が挙げられる。透光部材２４の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、約１０〜３００μｍ程度が挙げられる。透光部材２４は、配光を制御するために、その表面を凸面、凹面、凹凸面にしてもよい。

（製造方法）
本実施形態は、最表面がＡｇの被膜１５で被われた導電部材１４を有するパッケージ１１に、発光素子１２を実装する工程と、Ａｕワイヤ１６によって発光素子１２の電極と導電部材１４とを接続する工程と、
Ａｕワイヤ１６と導電部材１４の接続部３２にレーザ照射し、Ａｕワイヤ１６と導電部材１４上のＡｇの被膜１５の一部とを合金化する工程と、保護膜２２を形成する工程と、透光部材２４を形成する工程と、を含む。

以下、各工程について詳述する。

（実装工程）
まず、電極を有する発光素子１２と、上面にＡｇの被膜１５が設けられた導電部材１４を有するパッケージ１１とを準備する。そして、発光素子１２をパッケージ１１の上面に実装する。発光素子１２は、例えば、Ａｇペーストなどの接着剤によって導電部材１４上に実装することができる。この時、発光素子１２の正負の電極のうち少なくとも一方が上面側となるように、すなわち、実装面とは反対側となるように、発光素子１２を実装する。

（ボンディング工程）
ボンディング工程では、パッケージ１１に実装された発光素子１２の電極と導電部材１４とをＡｕワイヤ１６によって電気的に接続する。具体的には、発光素子１２の電極上にＡｕワイヤの一端を接続し、Ａｕワイヤの他方の一端を導電部材１４に接続する。ボンディング工程では、例えば、キャピラリーを備えた従来のボンディング装置を用いることができる。本実施形態では、例えば、発光素子１２の電極とＡｕワイヤ１６との接続はボールボンディングにより行い、導電部材１４とＡｕワイヤ１６との接続はウェッジボンディングにより行うことができる。具体的には、キャピラリーから突出したＡｕワイヤ１６の一端を溶融させてボールを形成し、形成されたボールを発光素子１２の電極と接続した後に、Ａｕワイヤ１６を供給するキャピラリーを所望のワイヤ形状になるように移動させ、所望の形状に成形されたＡｕワイヤ１６の他端を導電部材１４に圧着により接続してキャピラリーから切り離す。２ｎｄボンディング部がウェッジボンディングされると、Ａｕワイヤ１６が導電部材１４上で薄く広がるので平面になりやすく、後にＡｕ−Ａｇ合金３０が形成しやすいため好ましい。なお、本実施形態に係る方法はこの形態に限定されない。例えば、発光素子１２の電極とＡｕワイヤとのボンディングをウェッジボンディングにより行い、導電部材１４とＡｕワイヤ１６とのボンディングもまたウェッジボンディングにより行ってもよい。

本実施形態のＡｕワイヤ１６を接続するワイヤボンディング法は、熱圧着または超音波併用熱圧着等であることが好ましいが、これに限定されない。

（Ａｕ−Ａｇ合金化工程）
本実施形態では、導電部材１４とＡｕワイヤ１６との接続部３２にレーザを照射し、Ａｕ−Ａｇ合金３０を形成する。
図４は、本実施形態にかかる発光装置１０の製造方法を説明するための概略図であり、２ｎｄボンディング部にレーザを照射する工程を概略的に示している。本実施形態では、例えば、まず始めに、レーザをＡｇの被膜１５上に接続されたＡｕワイヤ１６の先端部分の薄く広がった部分の左上端から、Ｘ軸の正方向に移動させる。そして、レーザをＡｕワイヤ１６の先端部分の薄く広がった部分の右端まで移動させ、次に、Ｙ軸の負方向（平面視で下方向）に一定距離移動させる。そして、さらに、Ａｕワイヤ１６の先端部分の薄く広がった部分の右端から左端までＸ軸の負方向に移動させる。このような動作を繰り返すことで、レーザにより、接続部３２を不足なく照射することができる。

照射するレーザとしては、約３５５ｎｍ以下の波長を有するものが好ましい。レーザ照射の条件（スポット径、強度、パルスの繰返し周波数、移動速度等）は、接続部の径、Ａｕワイヤの厚み、Ａｕワイヤ及びＡｇの被膜の組成、形成するＡｕ−Ａｇ合金の組成等によって適宜変更することができる。そうすることで、接続部３２の面積当たりのレーザの照射量を均一にでき、接続部３２においてＡｕ−Ａｇ合金３０をムラなく全体的に形成することができる。なお、レーザはＹ軸方向に移動させなくてもよい。例えば、レーザを接続部３２の左端又は右端から逆の端部へ折り返す際に、斜め下方向にレーザをずらしながら進行させることで、接続部３２にムラ無く全体的に（不足なく）照射することが可能である。レーザ照射の始点と終点は、接続部３２において適宜選択することができる。また、主にＸ軸方向に進行するレーザ照射の進路について説明したが、主にＹ軸方向に進行するようにレーザ照射してもよい。接続部３２に対してムラなく全体的にレーザ照射可能であり、Ａｕワイヤ１６とＡｇの被膜１５が合金化できれば、その照射方法は特に限定されない。
例えば、接続部３２の径が約５０〜１２０μｍである場合、波長約３５５ｎｍ、スポット径約１０〜３０μｍ、パルスエネルギー約３０μJ、繰返し周波数約２００ｋＨｚのレーザを用い、速度約４００ｍｍ／ｓで、接続部３２を均一に照射することで、Ａｕワイヤ１６とＡｇの被膜１５とを合金化することができる。

（保護膜形成工程）
Ａｕワイヤ１６と導電部材１４との接続部３２にレーザを照射してＡｕ−Ａｇ合金３０を形成した後、パッケージ１１上（発光素子１２の表面、導電部材１４の上面、Ａｕワイヤ１６表面、接続部３２の上面、基材１３の上面）に保護膜２２を形成することができる。保護膜２２の形成は、従来知られている薄膜形成法によって形成することができ、特にＡＬＤ法で設けられると好ましい。

（透光部材形成工程）
本実施形態では、発光素子１２が実装され、Ａｕワイヤ１６がボンディングされ、接続部３２にＡｕ−Ａｇ合金３０が形成されたパッケージ１１の凹部２０内に、蛍光体が含有された樹脂等の透光部材２４を形成する。これにより、所望の光を発光する発光装置１０を形成することができる。

以上のように、本実施形態に係る発光装置１０の製造方法によれば、導電部材１４上のＡｇの被膜１５により光の取り出しを向上しつつ、接続部３２に形成されたＡｕ−Ａｇ合金３０により、腐食によるＡｕワイヤ１６の接触不良や断線を防ぐことができ、信頼性の高い発光装置１０を形成することができる。なお、Ａｕ−Ａｇ合金３０は、Ａｕワイヤ１６と導電部材１４上のＡｇの被膜１５とをレーザ照射等で合金化することで容易に形成できる。

１０：発光装置
１１：パッケージ
１２：発光素子
１３：基材
１４：導電部材
１４ａ、１４ｂ：導電部材
１５：Ａｇの被膜
１６：Ａｕワイヤ
１８：保護素子
２０：凹部
２０ａ：側壁
２０ｂ：底面
２２：保護膜
２４：透光部材
３０：Ａｕ−Ａｇ合金
３２：接続部

Claims

基材と、表面にＡｇの被膜を有する導電部材とを備え、前記導電部材の上面が位置する底面を有する凹部を備えるパッケージと、前記凹部の前記底面に配置される発光素子と、を備えた発光装置の製造方法であって、
前記凹部の前記底面に位置する前記上面の全域に鍍金法により形成したＡｇの被膜を有する前記導電部材と、前記発光素子の電極とを、Ａｕワイヤで接続する工程と、
前記Ａｕワイヤと前記導電部材の接続部にレーザ照射し、前記Ａｕワイヤと前記被膜の一部とを合金化する工程と、を有し、
前記レーザ照射する工程は、
平面視で、前記Ａｕワイヤの延在方向であって、前記接続部へ向かう方向をＹ軸正方向、前記Ｙ軸正方向の逆方向をＹ軸負方向とし、前記Ｙ軸正方向に直交する方向であって、前記接続部の一端から他端へ向かう方向をＸ軸正方向、前記Ｘ軸正方向の逆方向をＸ軸負方向とした時、
前記接続部のＸ軸正方向の一端の外側から他端の外側へとレーザを移動させ、次いで前記他端の外側からＹ軸負方向またはＹ軸正方向にずらしながら前記レーザを移動させ、次いでＸ軸負方向へ折り返して前記レーザを移動させる、折り返し照射工程を含み、
前記折り返し照射工程を１回または複数回繰り返す、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
前記レーザ照射する工程の後で、前記接続部において、前記Ａｕワイヤの表面と前記導電部材の表面の両方を被うように保護膜を形成する工程を含む、請求項１に記載の発光装置の製造方法。