JP7137079B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本開示は、発光装置及びその製造方法に関するものである。
発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子を用いた発光装置は、室内照明等の一般照明、車載用光源、液晶ディスプレイのバックライト等を含む多くの分野で用いられている。これらの発光装置で求められる性能は日増しに高まっており、さらなる信頼性の向上が要求されている。
発光装置としては、リードの上面に載置された発光素子と、発光素子を囲むようにリードの上面に設けられた枠体と、枠体側面と発光素子側面とを覆う反射部材と、を備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、発光装置においては、用途が広がるにつれて、光取出し性をさらに向上させることと、反射部材の枠体及びリードに対する密着性をさらに向上させることが求められるようになってきている。
そこで、本開示に係る実施形態は、光取出し性及び密着性に優れた発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
そこで、本開示に係る実施形態は、光取出し性及び密着性に優れた発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、第１リードと第２リードとが樹脂部材により支持された基体と、前記基体の上面に載置された発光素子と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂と、を備え、前記第１樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する。
上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、母材と、前記母材の上面に形成された配線層とを有する基体と、前記基体の上面に載置された発光素子と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂と、を備え、前記第１樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、前記反射材層は、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有する。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基体の上面に発光素子を載置する第１工程と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に樹脂枠を形成する第２工程と、前記樹脂枠の内側に反射材を含有する第１樹脂を注入して、前記第１樹脂が前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆うようにする第３工程と、前記基体に公転による遠心力をかけ、前記第１樹脂を、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材を含有しない樹脂層と、に分離する第４工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、光取出し性及び発光装置の各部材の密着性に優れた発光装置を得ることができる。
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一機能もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。
［第１実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、図１Ｂを部分的に拡大した断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置において、樹脂枠及び第１樹脂を省略して描いた平面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置において、第１樹脂を省略して描いた平面図である。
＜発光装置＞
はじめに、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、図１Ｂを部分的に拡大した断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置において、樹脂枠及び第１樹脂を省略して描いた平面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置において、第１樹脂を省略して描いた平面図である。
図１Ａ～図１Ｃに示すように、発光装置１０は、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとが樹脂部材２０Ｃにより支持された基体２０と、基体２０の上面に載置された発光素子４０と、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられた樹脂枠５０と、樹脂枠５０の内側に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂３０と、を備え、第１樹脂３０は、反射材を含有する反射材層３２と、反射材層３２の上面に設けられ反射材を含有しない樹脂層３１と、を有し、反射材層３２は、基体２０の上面を覆うように反射材が配置され、樹脂層３１の上面は、断面視において、平坦領域３１Ａと、基体２０の上面からの高さｈ１が樹脂枠５０の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域３１Ｂと、を有する。以下、各構成について説明する。
（基体）
図２に示すように、基体２０は、第１リード２０Ａと、第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを離間した状態で支持する樹脂部材２０Ｃと、を有している。
第１リード２０Ａは、例えば、基体２０の中央にほぼ多角形に形成され発光素子４０を載置する載置部２１Ａと、基体２０の一端側に配置される端子部２３Ａと、載置部２１Ａと端子部２３Ａとを接続する接続部２２Ａと、を有している。接続部２２Ａの幅Ｗ２２は、載置部２１Ａの幅Ｗ２１及び端子部２３Ａの幅Ｗ２３よりも狭くなっている。端子部２３Ａの幅Ｗ２３は、載置部２１Ａの幅Ｗ２１よりも広く基体２０と同等となっている。なお、接続部２２Ａは、発光素子４０のワイヤ６０が接続する領域を有する。ここで、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂにおいて、幅とは、載置部２１Ａの中心と接続部２２Ａの中心とを結ぶ直線に対し直交する方向の最大長さをいう。
また、載置部２１Ａは、ほぼ八角形に形成されている。そして、載置部２１Ａは、接続部２２Ａの幅Ｗ２２と同じ長さの第１辺２１Ａ１と、第１辺２１Ａ１に平行でかつ対向する第２辺２１Ａ２と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交する第３辺２１Ａ３と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交し第３辺２１Ａ３と対向する第４辺２１Ａ４と、第１辺２１Ａ１と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第５辺２１Ａ５と、第１辺２１Ａ１と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第６辺２１Ａ６と、第２辺２１Ａ２と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第７辺２１Ａ７と、第２辺２１Ａ２と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第８辺２１Ａ８と、を有している。さらに、載置部２１Ａは、第３辺２１Ａ３及び第４辺２１Ａ４に辺から突出して形成された凸部を有している。
図２に示すように、基体２０は、第１リード２０Ａと、第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを離間した状態で支持する樹脂部材２０Ｃと、を有している。
第１リード２０Ａは、例えば、基体２０の中央にほぼ多角形に形成され発光素子４０を載置する載置部２１Ａと、基体２０の一端側に配置される端子部２３Ａと、載置部２１Ａと端子部２３Ａとを接続する接続部２２Ａと、を有している。接続部２２Ａの幅Ｗ２２は、載置部２１Ａの幅Ｗ２１及び端子部２３Ａの幅Ｗ２３よりも狭くなっている。端子部２３Ａの幅Ｗ２３は、載置部２１Ａの幅Ｗ２１よりも広く基体２０と同等となっている。なお、接続部２２Ａは、発光素子４０のワイヤ６０が接続する領域を有する。ここで、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂにおいて、幅とは、載置部２１Ａの中心と接続部２２Ａの中心とを結ぶ直線に対し直交する方向の最大長さをいう。
また、載置部２１Ａは、ほぼ八角形に形成されている。そして、載置部２１Ａは、接続部２２Ａの幅Ｗ２２と同じ長さの第１辺２１Ａ１と、第１辺２１Ａ１に平行でかつ対向する第２辺２１Ａ２と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交する第３辺２１Ａ３と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交し第３辺２１Ａ３と対向する第４辺２１Ａ４と、第１辺２１Ａ１と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第５辺２１Ａ５と、第１辺２１Ａ１と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第６辺２１Ａ６と、第２辺２１Ａ２と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第７辺２１Ａ７と、第２辺２１Ａ２と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第８辺２１Ａ８と、を有している。さらに、載置部２１Ａは、第３辺２１Ａ３及び第４辺２１Ａ４に辺から突出して形成された凸部を有している。
第２リード２０Ｂは、載置部２１Ａの第２辺２１Ａ２と第６辺２１Ａ６及び第７辺２１Ａ７との間隔がほぼ一定となる形状で配置されている。また、第２リード２０Ｂは、端子部２３Ａの幅Ｗ２３とほぼ同じ幅を有し、長手方向の一端部と他端部が載置部２１Ａ側に屈曲して面積が広くなるように接続端部２０Ｂ１、２０Ｂ２等が形成されている。一方の接続端部２０Ｂ１は、保護素子８０を載置する領域を有している。また、他方の接続端部２０Ｂ２は、発光素子４０のワイヤ６０を接続する領域を有している。
平面視において、第１リード２０Ａの面積が第２リード２０Ｂの面積より大きい方か好ましい。第１リード２０Ａの載置部２１Ａの上面には発光素子４０が載置されるので、第１リード２０Ａの載置部２１Ａの面積が大きいことで、発光素子４０で発生した熱を第１リード２０Ａに伝導しやすくなる。これにより、発光素子４０の温度上昇を抑制できるので発光装置１０の信頼性を向上できる。
第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂの端部は凹部あるいは凸部を備えることが好ましい。第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと、樹脂部材２０Ｃと、が接触する箇所に凹部あるいは凸部を備えることで、第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと、樹脂部材２０Ｃと、の接触面積を大きくすることができる。これにより、第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと樹脂部材２０Ｃとの密着性を向上させることができる。
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、発光素子４０等の電子部品に外部電源からの電圧を印加するために用いられる。第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有している材料を用いることにより、発光素子４０で発生した熱を第１リード２０Ａに伝導しやすくなる。
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、打ち抜き加工や切断加工等が容易な強度の高い材料で形成されることが好ましい。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅等の単層又は積層体を基材とすることができる。なお、この積層体の金属層は、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの全面に設けられてもよいし、部分的に設けられてもよい。また、片方のリードのみに設けられてもよい。
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、表面に反射膜を備えていてもよい。反射膜は、アルミニウム、銅、金等の１又は２以上の金属を用いることができる。特に、反射膜に銀を用いることが好ましい。このようにすることで、発光装置１０の光取り出し効率を向上させることができる。
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂに反射膜を形成する方法は、めっき法、蒸着法、スパッタ法、イオンビームアシスト蒸着法等の種々の方法が挙げられる。その膜厚は、発光素子４０からの光を有効に反射させることができる膜厚であればよく、例えば２０ｎｍ～１０μｍ程度であり、５０ｎｍ～５μｍ程度が好ましく、１００ｎｍ～３μｍ程度がより好ましい。なお、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの厚み及び形状は、当該分野で公知の範囲において適宜設定することができる。
樹脂部材２０Ｃは、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに設けられて、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを支持する。この樹脂部材２０Ｃは、例えば、端子部２３Ａと載置部２１Ａの２つの傾斜した第５辺２１Ａ５及び第６辺２１Ａ６との間の接続部２２Ａから離れるにしたがって間隔が広くなった領域（樹脂注入部）から成形樹脂を注入して、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を充填することにより形成される。このように、樹脂注入部から成形樹脂を注入することにより、樹脂注入部から離れた、例えば、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間の領域にも容易に成形樹脂を充填することができる。また、第１リード２０Ａの載置部２１Ａの形状をほぼ多角形とし、角の部分に傾斜した第５辺２１Ａ５、第６辺２１Ａ６、第７辺２１Ａ７及び第８辺２１Ａ８を設けているので、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を導きやすくなる。
樹脂部材２０Ｃの材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＢＴレジン、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、不飽和ポリエステル等が挙げられる。これらの樹脂材料に、当該分野で公知の着色剤、充填材、強化繊維等を含有させてもよい。着色剤として、酸化チタン、酸化亜鉛等の白色のフィラーを用いると発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、これらの樹脂材料に、熱放射係数の大きいカーボンブラック等の黒色フィラーを含有させることにより、発光素子４０からの熱を効率的に逃がすことができる。充填材としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等が挙げられる。強化繊維としては、ガラス、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム等が挙げられる。
（発光素子４０）
発光素子４０は、第１リード２０Ａの載置部２１Ａの上面に載置される。発光素子４０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、上面に発光面を有する。発光素子４０は、基体２０側に配置されるサファイア等からなる素子基板４１と、素子基板４１に設けられた窒化物半導体等から構成される半導体層４２と、を備えることが好ましい。発光素子４０の発光波長は、可視域（３８０～７８０ｎｍ）を含め、窒化物半導体の組成により、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長４３０～４９０ｎｍの発光素子４０では、窒化物半導体として、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等を用いることができる。また、発光素子４０はサブマウントを介して第１リード２０Ａの上面に配置されてもよい。
発光素子４０は、第１リード２０Ａの載置部２１Ａの上面に載置される。発光素子４０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、上面に発光面を有する。発光素子４０は、基体２０側に配置されるサファイア等からなる素子基板４１と、素子基板４１に設けられた窒化物半導体等から構成される半導体層４２と、を備えることが好ましい。発光素子４０の発光波長は、可視域（３８０～７８０ｎｍ）を含め、窒化物半導体の組成により、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長４３０～４９０ｎｍの発光素子４０では、窒化物半導体として、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等を用いることができる。また、発光素子４０はサブマウントを介して第１リード２０Ａの上面に配置されてもよい。
発光素子４０の形状は、上面視で、三角形、四角形、六角形等の多角形、又はこれらに近似する形状等、任意の形状でよい。また、発光素子４０は、同じ面側にｎ電極４３及びｐ電極４４が形成された片面電極の構成、あるいは、ｎ電極４３とｐ電極４４が異なる２つの面（例えば上面と下面）に各々形成された両面電極の構成であってもよい。発光素子４０のｎ電極４３とｐ電極４４は、それぞれワイヤ６０を介して第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとに接続される。なお、発光素子４０のｎ電極４３とｐ電極４４は、それぞれ第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとに直接接続される構成であってもよい。ワイヤ６０には、金、アルミニウム、銅、銀等の導電性に優れた金属材料を用いることができる。
発光素子４０が片面電極の場合は、第１リード２０Ａの上面にフェイスアップ実装される。フェイスアップ実装とは、発光素子４０の電極形成面と反対側の面を基体２０に向けて実装する形態である。発光素子４０と第１リード２０Ａの接合部材は、絶縁性の接合部材でも導電性の接合部材でもよく、公知の接合部材を用いることができる。例えば、絶縁性の接合部材としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらの変性樹脂等が挙げられ、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Ａｕ－Ｓｎ共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
発光素子４０が両面電極の場合は、発光素子４０と第１リード２０Ａとの接合部材として、導電性の接合部材であればよく公知の接合部材を用いてよい。例えば、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Ａｕ－Ｓｎ共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
発光素子４０が両面電極の場合は、発光素子４０と第１リード２０Ａとの接合部材として、導電性の接合部材であればよく公知の接合部材を用いてよい。例えば、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Ａｕ－Ｓｎ共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
（樹脂枠）
図３に示すように、樹脂枠５０は、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられた環状の枠体である。樹脂枠５０の内縁と外縁の形状は、上面視において円形状、楕円形状、正方形、六角形、八角形等の多角形状、多角形状の角部を面取りした形状等、様々な形状にしてもよい。樹脂枠５０が発光素子４０を囲むように設けられるため、樹脂枠５０の内側に設けられる第１樹脂３０となる未硬化状態の原料を樹脂枠５０の内側に止めることができる。樹脂枠５０は、樹脂枠５０の元となる未硬化の原料を、樹脂枠５０を形成したい領域に配置し、当該原料を硬化させることにより形成される。
図３に示すように、樹脂枠５０は、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられた環状の枠体である。樹脂枠５０の内縁と外縁の形状は、上面視において円形状、楕円形状、正方形、六角形、八角形等の多角形状、多角形状の角部を面取りした形状等、様々な形状にしてもよい。樹脂枠５０が発光素子４０を囲むように設けられるため、樹脂枠５０の内側に設けられる第１樹脂３０となる未硬化状態の原料を樹脂枠５０の内側に止めることができる。樹脂枠５０は、樹脂枠５０の元となる未硬化の原料を、樹脂枠５０を形成したい領域に配置し、当該原料を硬化させることにより形成される。
樹脂枠５０は、第１リード２０Ａと樹脂部材２０Ｃとの連結部を覆うように、すなわち、樹脂枠５０の内側に第１リード２０Ａの載置部２１Ａのみが露出し、樹脂部材２０Ｃが露出しないように設けられることが好ましい。樹脂枠５０の内側に樹脂部材２０Ｃが露出しないため、樹脂部材２０Ｃに含有される黒色フィラー等で第１樹脂３０を透過した光が吸収されることがない。その結果、第１樹脂３０を透過した光が載置部２１Ａの上面で反射され、発光装置１０の光取出し性が向上する。
また、樹脂枠５０の断面径Ｄ（図３参照）の大きさは、樹脂枠５０の内側には第１リード２０Ａの載置部２１Ａが露出し、樹脂枠５０の外側には第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの一部と樹脂部材２０Ｃの一部とが露出するように、適宜設定される。
また、樹脂枠５０の断面径Ｄ（図３参照）の大きさは、樹脂枠５０の内側には第１リード２０Ａの載置部２１Ａが露出し、樹脂枠５０の外側には第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの一部と樹脂部材２０Ｃの一部とが露出するように、適宜設定される。
樹脂枠５０の断面形状（図１Ｃ参照）は、樹脂枠５０の内側に未硬化状態の第１樹脂３０を止めることができれば、部分円を含む円形状、部分楕円を含む楕円形状、矩形形状等の様々な形状を有することができる。樹脂枠５０の断面形状は、樹脂枠５０の内側面が発光素子４０に対面する側が凸となり、この凸の頂点、すなわち樹脂枠５０の最も内側の点Ｐを有する湾曲形状を有する部分円を含む円形状が好ましい。樹脂枠５０の断面形状が部分円の頂点Ｐを含む円形状であることによって、樹脂枠５０の下部に反射材を含有する第１樹脂３０の反射材層３２が形成される。
そして、反射材層３２は、樹脂枠５０の頂点Ｐの下側に入り込んだ状態となる。その結果、発光素子４０からの光が樹脂枠５０の下部に潜り込む光を反射材層３２によって光取出し方向である上方に反射されるため、発光装置１０の光取出し性が向上する。
そして、反射材層３２は、樹脂枠５０の頂点Ｐの下側に入り込んだ状態となる。その結果、発光素子４０からの光が樹脂枠５０の下部に潜り込む光を反射材層３２によって光取出し方向である上方に反射されるため、発光装置１０の光取出し性が向上する。
樹脂枠５０の材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンやＰＰＡやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、樹脂枠５０の材料としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。樹脂枠５０は、樹脂枠５０の母体となる母材樹脂が、第１樹脂３０の母材樹脂と同一材料であることが好ましい。これにより、樹脂枠５０と第１樹脂３０との密着性が向上する。
樹脂枠５０は、母材樹脂に、発光素子４０からの光を吸収しにくく、かつ、母材樹脂よりも屈折率の大きい反射材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子４０からの光を反射させることができる。反射部材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。樹脂枠５０は、発光素子４０からの光に対する反射率が６０％以上、好ましくは７０％以上の部材である。このようにすることで、樹脂枠５０に達した光が樹脂枠５０に吸収されにくくなり、発光装置１０の光取出し性が向上する。
（第１樹脂）
第１樹脂３０は、樹脂枠５０の内側、すなわち樹脂枠５０で囲まれた領域に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部を覆い、側面全体を覆っていないため、発光素子４０から側方に出射された光が遮られることがなく、発光装置１０の光取出し性が向上する。第１樹脂３０が樹脂枠５０の側面の一部を覆うため、第１樹脂３０と樹脂枠５０との密着性が向上する。
第１樹脂３０は、樹脂枠５０の内側、すなわち樹脂枠５０で囲まれた領域に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部を覆い、側面全体を覆っていないため、発光素子４０から側方に出射された光が遮られることがなく、発光装置１０の光取出し性が向上する。第１樹脂３０が樹脂枠５０の側面の一部を覆うため、第１樹脂３０と樹脂枠５０との密着性が向上する。
第１樹脂３０は、反射材を含有する反射材層３２と、反射材層３２の上面に設けられ反射材を含有しない、すなわち第１樹脂３０の母体となる母材樹脂のみから構成される樹脂層３１と、を有する。なお、反射材層３２は、樹脂層３１内に反射材が沈降して形成されたもので、樹脂層３１との間に界面が存在するものではない。したがって、第１樹脂３０は、樹脂層３１と反射材層３２という２つの部材からなるものではない。また、便宜上、反射層３２における樹脂層３１と区分けされる部分を「反射層３２の上面」と表現する場合もある。
反射材層３２は、樹脂枠５０と発光素子４０との間で基体２０の上面を覆うように反射材が配置される。これにより、第１樹脂３０と基体２０との接合が、金属粒子からなる反射材と、金属材料からなる基体２０の第１リード２０Ａとの接合となるため、第１樹脂３０と基体２０との密着性が向上する。また、基体２０を構成する第１リード２０Ａの表面がＡｇメッキされている場合には、Ａｇメッキ層が反射材層３２で覆われることで、Ａｇの硫化が抑制される。
樹脂層３１は、その上面が、断面視において、平坦領域３１Ａと、基体２０の上面からの樹脂枠５０側の高さｈ１が樹脂枠５０の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域３１Ｂと、を有する。好ましくは、樹脂層３１の樹脂枠５０側の全側面と樹脂枠５０の内側面とが接する。また、樹脂層３１は、その上面が、断面視において、基体２０の上面からの発光素子４０側の高さｈ２が発光素子４０の側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域３１Ｂも有することが好ましい。
第１樹脂３０では、樹脂層３１の上面が樹脂枠５０側に傾斜領域３１Ｂを有し、樹脂層３１の樹脂枠５０側の側面全体が樹脂枠５０の内側面に接するため、樹脂枠５０と樹脂層３１との接触面積が増加して、樹脂枠５０と第１樹脂３０との密着性が向上する。また、第１樹脂３０では、樹脂層３１の上面が発光素子４０側に傾斜領域３１Ｂを有するため、発光素子４０と樹脂層３１との接触面積が増加して、発光素子４０と第１樹脂３０との密着性が向上する。また、樹脂枠５０側及び発光素子４０側の傾斜領域３１Ｂは、湾曲形状であることが好ましい。傾斜領域３１Ｂが湾曲形状であると、応力が集中する部分がなく、密着性がより向上する。
樹脂層３１の基体２０からの高さｈ１は、樹脂層３１の基体２０からの高さｈ２よりも高いことが好ましい。これにより、樹脂枠５０と樹脂層３１との接触面積がさらに増加するため、樹脂枠５０と第１樹脂３０との密着性がさらに向上する。
樹脂層３１の樹脂枠５０側の傾斜領域３１Ｂの傾斜具合は、傾斜角度３０～６０度であることが好ましい。また、発光素子４０側の傾斜領域３１Ｂの傾斜具合についても同様である。傾斜領域３１Ｂの傾斜具合が前記であると、第１樹脂３０と樹脂枠５０あるいは発光素子４０との接触面積が増加するため、密着性が向上する。
樹脂層３１の基体２０からの高さｈ１は、樹脂層３１の基体２０からの高さｈ２よりも高いことが好ましい。これにより、樹脂枠５０と樹脂層３１との接触面積がさらに増加するため、樹脂枠５０と第１樹脂３０との密着性がさらに向上する。
樹脂層３１の樹脂枠５０側の傾斜領域３１Ｂの傾斜具合は、傾斜角度３０～６０度であることが好ましい。また、発光素子４０側の傾斜領域３１Ｂの傾斜具合についても同様である。傾斜領域３１Ｂの傾斜具合が前記であると、第１樹脂３０と樹脂枠５０あるいは発光素子４０との接触面積が増加するため、密着性が向上する。
反射材層３２は、その上面が、断面視において平坦であることが好ましい。すなわち、反射材層３２の上面が、基体２０の上面に沿って、一定の厚みになっていることが好ましい。反射材層３２は、樹脂枠５０との密着性に劣る反射材を含有する。一方、樹脂層３１は、母体が樹脂で構成されているため、樹脂枠５０との密着性に優れている。したがって、反射材層３２の上面が平坦であると、反射材層３２が樹脂枠５０の頂点Ｐよりも下で部分円と基体２０の上面との間に入り込んだ状態となる。その結果、反射材層３２の端部が樹脂枠５０の下部に入り込んで、反射材層３２が剥離しにくくなる。また、反射材層３２の上面が断面視において平坦であれば、反射材層３２の上面が樹脂層３１の上面と同様に樹脂枠５０の内側面側に近づくにつれて高くなる構成と比べて、反射材層３２が樹脂枠５０と接する面積を少なくできる。そのため、樹脂層３１は、樹脂枠５０と接する面積を大きくすることができるので、第１樹脂３０と樹脂枠５０との密着性が向上する。
発光素子４０が基体２０側に配置される素子基板４１と素子基板４１に設けられた半導体層４２とを備える際には、発光素子４０の側面を覆う第１樹脂３０の上面、すなわち発光素子４０側の傾斜領域３１Ｂの上面は、基体２０からの高さｈ２が半導体層４２の下面よりも低いことが好ましい。これにより、発光素子４０から側方に出射された光が遮られることがないため、発光装置１０の光取出し性がさらに向上する。
樹脂枠５０の内側面が発光素子４０に対面する側に凸となる湾曲形状を有する際には、樹脂枠５０の内側面を覆う第１樹脂３０の傾斜領域３１Ｂの上面は、基体２０からの高さｈ１が湾曲形状の頂点Ｐよりも低いことが好ましい。これにより、第１樹脂３０の基体２０からの浮き上がりを抑制できるため、第１樹脂３０と基体２０との密着性がさらに向上する。
第１樹脂３０は、母材樹脂に反射材を含有させた樹脂層である。母材樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンやＰＰＡやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、母材樹脂としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。樹脂枠５０および第１樹脂３０は、第１樹脂３０の母体となる母材樹脂が、樹脂枠５０の母材樹脂と同一材料であることが好ましい。これにより、樹脂枠５０と第１樹脂３０との密着性が向上する。
第１樹脂３０は、母材樹脂に、発光素子４０からの光を吸収されにくく、かつ、母材樹脂よりも屈折率の大きい反射材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子４０からの光を反射させることができる。反射材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。反射材は、発光素子４０からの光に対する反射率が６０％以上、好ましくは７０％以上の材料である。このようにすることで、第１樹脂３０に達した光が第１樹脂３０に吸収されにくくなり、発光装置１０の光取出し性が向上する。
発光装置１０の説明は、１つの発光素子４０を含む発光装置１０について説明した。しかしながら、実施形態の発光装置１０では、複数の発光素子４０を用い、その複数の発光素子４０を一括して囲むように樹脂枠５０を形成してもよい。また、図１Ａに示すように、実施形態の発光装置１０は、保護素子８０を備えてもよい。
保護素子８０は、例えば、発光素子４０に逆方向の電圧が印加されたときに、逆方向に流れる電流を阻止したり、発光素子４０の動作電圧よりも高い順方向の電圧が印加されたときに、発光素子４０に過電流が流れるのを阻止したりする。保護素子８０としては、保護回路や静電保護素子が挙げられ、具体的には、ツェナーダイオードが利用できる。
保護素子８０は、例えば、発光素子４０に逆方向の電圧が印加されたときに、逆方向に流れる電流を阻止したり、発光素子４０の動作電圧よりも高い順方向の電圧が印加されたときに、発光素子４０に過電流が流れるのを阻止したりする。保護素子８０としては、保護回路や静電保護素子が挙げられ、具体的には、ツェナーダイオードが利用できる。
発光装置１０では、反射材を含有する第１樹脂３０を備えることにより、発光素子４０から側方に出射される光が反射材で光取出し方向である上方に反射されるため、光取出し性が向上する。そして、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部を覆うことにより、発光素子４０から出射される光が遮られることがないため、光取出し性がさらに向上する。また、第１樹脂３０が反射材層３２を有し、その反射材層３２により反射材が基体の上面を覆うように配置されることにより、反射材層３２と基体２０とが金属間接合となり、反射材層３２が基体２０に対して介在層的な役割を果たすため、第１樹脂３０と基体２０との密着性が向上する。さらに、第１樹脂３０が樹脂層３１を有し、その樹脂層３１の上面が傾斜領域３１Ｂを有することにより、樹脂層３１と樹脂枠５０の内側面との接触面積が増加するため、第１樹脂３０と樹脂枠５０との密着性が向上する。
＜発光装置の製造方法＞
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。図５Ａは、図２のＶＡ－ＶＡ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第１工程において発光素子を載置した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｂは、図３のＶＢ－ＶＢ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第２工程において樹脂枠を形成した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第３工程において第１樹脂を注入した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第４工程において第１樹脂を樹脂層と反射材層とに分離する方法を模式的に示す断面図である。
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。図５Ａは、図２のＶＡ－ＶＡ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第１工程において発光素子を載置した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｂは、図３のＶＢ－ＶＢ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第２工程において樹脂枠を形成した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｃは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第３工程において第１樹脂を注入した基体を模式的に示す断面図である。図５Ｄは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の第４工程において第１樹脂を樹脂層と反射材層とに分離する方法を模式的に示す断面図である。
図４、図５Ａ～図５Ｄに示すように、発光装置１０の製造方法は、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとが樹脂部材２０Ｃにより支持された基体２０の上面に発光素子４０を載置する第１工程Ｓ１と、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に樹脂枠５０を形成する第２工程Ｓ２と、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆うように、樹脂枠５０の内側に、反射材を含有する第１樹脂３０を注入する第３工程Ｓ３と、基体２０に公転による遠心力をかけ、第１樹脂３０を、反射材を含有する反射材層３２と、反射材を含有しない樹脂層３１と、に分離する第４工程Ｓ４と、を含む。
（第１工程）
図５Ａに示すように、第１工程Ｓ１は、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとが樹脂部材２０Ｃに支持された基体２０の上面に発光素子４０を載置する工程である。好ましくは、第１リード２０Ａの載置部２１Ａに発光素子４０を載置する。
第１工程Ｓ１では、発光素子４０の基体２０への搭載は公知の方法で行い、公知の接合部材を用いて、発光素子４０の素子基板４１側の下面と基体２０の上面とを接合する。次に、発光素子４０のｎ電極４３を、ワイヤ６０を介して第１リード２０Ａに電気的に接続する。また、図示しないが、発光素子４０のｐ電極４４を、ワイヤ６０を介して第２リード２０Ｂに電気的に接続する。なお、図示しない保護素子８０を、ワイヤ６０を介して第１リード２０Ａに電気的に接続してもよい。ワイヤボンディングの方法としては、ボールボンディング、ウェッジボンディング等の公知の方法を用いてもよい。
図５Ａに示すように、第１工程Ｓ１は、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとが樹脂部材２０Ｃに支持された基体２０の上面に発光素子４０を載置する工程である。好ましくは、第１リード２０Ａの載置部２１Ａに発光素子４０を載置する。
第１工程Ｓ１では、発光素子４０の基体２０への搭載は公知の方法で行い、公知の接合部材を用いて、発光素子４０の素子基板４１側の下面と基体２０の上面とを接合する。次に、発光素子４０のｎ電極４３を、ワイヤ６０を介して第１リード２０Ａに電気的に接続する。また、図示しないが、発光素子４０のｐ電極４４を、ワイヤ６０を介して第２リード２０Ｂに電気的に接続する。なお、図示しない保護素子８０を、ワイヤ６０を介して第１リード２０Ａに電気的に接続してもよい。ワイヤボンディングの方法としては、ボールボンディング、ウェッジボンディング等の公知の方法を用いてもよい。
（第２工程）
図５Ｂに示すように、第２工程Ｓ２は、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に樹脂枠５０を形成する工程である。第２工程Ｓ２では、樹脂枠５０の母体となる母材樹脂を未硬化の状態で、基体２０の上面の樹脂枠５０を形成したい領域に公知の方法で配置し、母材樹脂を硬化させることにより樹脂枠５０を形成する。なお、樹脂枠５０が、硬化後に枠の形状になるように、母材樹脂の粘度は予め調整されている。
図５Ｂに示すように、第２工程Ｓ２は、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に樹脂枠５０を形成する工程である。第２工程Ｓ２では、樹脂枠５０の母体となる母材樹脂を未硬化の状態で、基体２０の上面の樹脂枠５０を形成したい領域に公知の方法で配置し、母材樹脂を硬化させることにより樹脂枠５０を形成する。なお、樹脂枠５０が、硬化後に枠の形状になるように、母材樹脂の粘度は予め調整されている。
（第３工程）
図５Ｃに示すように、第３工程Ｓ３は、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆うように、樹脂枠５０の内側に、反射材を含有する第１樹脂３０を注入する工程である。
第３工程Ｓ３では、第１樹脂３０の母体となる母材樹脂を未硬化状態で樹脂枠５０の内側にポッティングやスプレー等で注入する。この母材樹脂の注入量は、発光素子４０の半導体層に到達しないように調整される。その後、次の第４工程を行った後に母材樹脂を硬化させる。また、第３工程Ｓ３では、未硬化状態の母材樹脂を樹脂枠５０の内側に注入する際、ノズル９０を樹脂枠５０の直上に配置し、未硬化状態の母材樹脂が樹脂枠５０の内側面に沿って基体２０の上面及び発光素子４０の側面に流れるように注入することが好ましい。なお、未硬化状態の母材樹脂の注入は、基体２０の上面の中央から行ってもよい。
図５Ｃに示すように、第３工程Ｓ３は、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２０の上面とを覆うように、樹脂枠５０の内側に、反射材を含有する第１樹脂３０を注入する工程である。
第３工程Ｓ３では、第１樹脂３０の母体となる母材樹脂を未硬化状態で樹脂枠５０の内側にポッティングやスプレー等で注入する。この母材樹脂の注入量は、発光素子４０の半導体層に到達しないように調整される。その後、次の第４工程を行った後に母材樹脂を硬化させる。また、第３工程Ｓ３では、未硬化状態の母材樹脂を樹脂枠５０の内側に注入する際、ノズル９０を樹脂枠５０の直上に配置し、未硬化状態の母材樹脂が樹脂枠５０の内側面に沿って基体２０の上面及び発光素子４０の側面に流れるように注入することが好ましい。なお、未硬化状態の母材樹脂の注入は、基体２０の上面の中央から行ってもよい。
このように母材樹脂を樹脂枠５０側から注入すると、基体２０の上面と、樹脂枠５０の内側面及び発光素子４０の側面との母材樹脂に対する濡れ性の違いにより、母材樹脂の上面に、樹脂枠５０の内側面及び発光素子４０の側面に対して這い上がる傾斜領域３１Ｂが、基体２０の直上に形成される平坦領域３１Ａの両側、すなわち樹脂枠５０側及び発光素子４０側に形成される。樹脂枠５０の内側面及び発光素子４０の側面は、金属表面である基体２０すなわち第１リード２０Ａの上面に比べると光沢度等の違いにより濡れ性は高い。また、未硬化状態の母材樹脂を注入する前に、樹脂枠５０の内側面を有機溶剤で浸しておくこともできる。予め樹脂枠５０の内側面を有機溶剤で浸しておくことで、傾斜領域３１Ｂの這い上がりを促進することができる。なお、傾斜領域３１Ｂの形状等は、注入する母材樹脂の粘度等により調整する。
（第４工程）
図５Ｄに示すように、第４工程Ｓ４は、基体２０に公転による遠心力をかけ、第１樹脂３０を、反射材を含有する反射材層３２と、反射材を含有しない樹脂層３１と、に分離する工程である。
第４工程Ｓ４では、基体２０の上面側に回転軸Ｓを有するように、基体２０を公転させる。基体２０の上面が内側になるような回転軸Ｓで遠心力をかける。基体２０の上面側の回転軸Ｓは、基体２０の上面に対し平行であり、樹脂枠５０を横切る方向であり、かつ、基体２０の上方に位置する。基体２０の公転により、第１樹脂３０に含有されている反射材が基体２０の上面側に強制的に沈降される。すなわち、反射材が基体２０の上面を覆うように層状に配置される。なお、また、反射材層３２の上面の形状は、回転速度等により決定される遠心力の大きさ等により調整することができ、反射材層３２の上面は、平坦であることが好ましい。なお、第４工程Ｓ４では、公転方向への回転の後、基体２０の長さ方向の中心に垂直な方向に回転軸を有するように、自転方向に基体２０を回転させてもよい。この自転方向の回転により、樹脂層３１の傾斜領域３１Ｂの基体２０からの高さｈ１、ｈ２（図１Ｃ参照）をより高く形成できる。
また、傾斜領域３１Ｂの這い上がりは、第４工程Ｓ４後に第１樹脂３０を硬化する時にも生じる。
図５Ｄに示すように、第４工程Ｓ４は、基体２０に公転による遠心力をかけ、第１樹脂３０を、反射材を含有する反射材層３２と、反射材を含有しない樹脂層３１と、に分離する工程である。
第４工程Ｓ４では、基体２０の上面側に回転軸Ｓを有するように、基体２０を公転させる。基体２０の上面が内側になるような回転軸Ｓで遠心力をかける。基体２０の上面側の回転軸Ｓは、基体２０の上面に対し平行であり、樹脂枠５０を横切る方向であり、かつ、基体２０の上方に位置する。基体２０の公転により、第１樹脂３０に含有されている反射材が基体２０の上面側に強制的に沈降される。すなわち、反射材が基体２０の上面を覆うように層状に配置される。なお、また、反射材層３２の上面の形状は、回転速度等により決定される遠心力の大きさ等により調整することができ、反射材層３２の上面は、平坦であることが好ましい。なお、第４工程Ｓ４では、公転方向への回転の後、基体２０の長さ方向の中心に垂直な方向に回転軸を有するように、自転方向に基体２０を回転させてもよい。この自転方向の回転により、樹脂層３１の傾斜領域３１Ｂの基体２０からの高さｈ１、ｈ２（図１Ｃ参照）をより高く形成できる。
また、傾斜領域３１Ｂの這い上がりは、第４工程Ｓ４後に第１樹脂３０を硬化する時にも生じる。
発光装置１０の製造方法では、第１樹脂３０を注入する第３工程Ｓ３と、第１樹脂３０を反射材層３２と樹脂層３１とに分離する第４工程Ｓ４とを行うことにより、樹脂枠５０の内側面の一部を覆う傾斜領域３１Ｂを覆う樹脂層３１と、基体２０の上面を覆うように反射材が配置された反射材層３２と、有する第１樹脂３０を形成できるため、光取出し性及び密着性に優れた発光装置１０が製造できる。以下、各工程について説明する。
［第２実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第２実施形態に係る発光装置ついて説明する。図６は、第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
［第２実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第２実施形態に係る発光装置ついて説明する。図６は、第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
発光装置１０Ａは、前記発光装置１０と同一構成に加えて、発光素子４０の上面と第１樹脂３０の上面とを覆う第２樹脂７０をさらに備える。また、発光装置１０Ａは、第２樹脂７０が蛍光体を含有することが好ましい。
（第２樹脂７０）
第２樹脂７０は、発光素子４０の半導体層４２の上面と、第１樹脂３０の樹脂層３１の上面を覆う樹脂層で、断面視において樹脂枠５０の高さを超えない高さで樹脂枠５０の内側面に接するように設けられている。
第２樹脂７０の材料としては、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等を用いることができる。特に、第２樹脂７０の材料に樹脂材料を用いることが好ましい。第１樹脂３０及び樹脂枠５０がそれぞれ樹脂材料を含有しているので、第２樹脂７０も樹脂材料であることで、第２樹脂７０と第１樹脂３０との密着性、及び、第２樹脂７０と樹脂枠５０との密着性を向上させることができる。第２樹脂７０の樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。特に、第２樹脂７０の材料としては耐光性に優れたジメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂が好ましい。第２樹脂７０は、蛍光体を含むことが好ましく、光拡散剤を含んでもよい。また、第２樹脂７０が蛍光体を含有する場合には、第２樹脂７０の上面形状は、発光効率を考慮して、蛍光体と発光素子４０との距離が近くなるように中央が下に向かって湾曲する形状が好ましい。
第２樹脂７０は、発光素子４０の半導体層４２の上面と、第１樹脂３０の樹脂層３１の上面を覆う樹脂層で、断面視において樹脂枠５０の高さを超えない高さで樹脂枠５０の内側面に接するように設けられている。
第２樹脂７０の材料としては、透光性を有する樹脂材料又はガラス材料等を用いることができる。特に、第２樹脂７０の材料に樹脂材料を用いることが好ましい。第１樹脂３０及び樹脂枠５０がそれぞれ樹脂材料を含有しているので、第２樹脂７０も樹脂材料であることで、第２樹脂７０と第１樹脂３０との密着性、及び、第２樹脂７０と樹脂枠５０との密着性を向上させることができる。第２樹脂７０の樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。特に、第２樹脂７０の材料としては耐光性に優れたジメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂が好ましい。第２樹脂７０は、蛍光体を含むことが好ましく、光拡散剤を含んでもよい。また、第２樹脂７０が蛍光体を含有する場合には、第２樹脂７０の上面形状は、発光効率を考慮して、蛍光体と発光素子４０との距離が近くなるように中央が下に向かって湾曲する形状が好ましい。
（蛍光体）
蛍光体としては、発光素子４０からの光で励起して、発光素子４０から出射あるいは第１樹脂３０で反射した光の波長を変換可能な蛍光体の粒子が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2：Ｅｕ，Ｃｒ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ）、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置１０を製造することができる。
蛍光体としては、発光素子４０からの光で励起して、発光素子４０から出射あるいは第１樹脂３０で反射した光の波長を変換可能な蛍光体の粒子が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2：Ｅｕ，Ｃｒ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ）、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置１０を製造することができる。
（光拡散剤）
光拡散剤の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
光拡散剤の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
発光装置１０Ａでは、第２樹脂７０を備えることにより、発光装置１０Ａへ外部から塵埃等が混入することを抑制でき、信頼性が向上する。また、発光装置１０Ａでは、第２樹脂７０が蛍光体を含有することにより、発光素子４０から出射あるいは第１樹脂３０で反射された光の波長を変換できるため、取出し光の色調を調整できる。特に、第１樹脂３０が傾斜領域３１Ｂを有する際には、第２樹脂７０の蛍光体と発光素子４０との距離が近くなるので、発光効率が向上する。さらに、樹脂枠５０の断面形状が湾曲形状で樹脂層３１が樹脂枠５０の頂点Ｐの直下まで形成される場合には、第２樹脂７０の蛍光体が樹脂枠５０の下部に入り込むことがないため、取出し光の発光効率が向上する。
＜発光装置の製造方法＞
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図７は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同一の工程については、第１実施形態と同一の符号を付して、これらの説明を省略する。
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図７は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同一の工程については、第１実施形態と同一の符号を付して、これらの説明を省略する。
発光装置１０Ａの製造方法は、発光装置１０の製造方法と同一工程Ｓ１～Ｓ４に加えて、第２樹脂を注入する第５工程Ｓ５をさらに含む。発光装置１０Ａの製造方法では、第５工程Ｓ５を含むことにより、発光装置１０Ａの信頼性、及び、取出し光の色調調整性が向上する。
（第５工程）
第５工程Ｓ５は、第２樹脂７０が発光素子４０の上面、及び、第１樹脂３０の樹脂層３１の上面を覆うように樹脂枠５０の内側に第２樹脂７０を注入する工程である。好ましくは、第２樹脂７０を樹脂枠５０の内側面と第２樹脂７０が接するように注入する。第２樹脂７０の注入方法は、第１樹脂３０と同様にポッティングやスプレー等によって行う。
なお、第２樹脂７０は、一例として、中央が下に向かって湾曲するように形成することとして説明したが、一様に同じ高さとなるように形成してもよい。また、第２樹脂７０は、第２樹脂７０が発光素子４０の直上で高くなるように中央が上に向かって湾曲するように形成してもよい。
第５工程Ｓ５は、第２樹脂７０が発光素子４０の上面、及び、第１樹脂３０の樹脂層３１の上面を覆うように樹脂枠５０の内側に第２樹脂７０を注入する工程である。好ましくは、第２樹脂７０を樹脂枠５０の内側面と第２樹脂７０が接するように注入する。第２樹脂７０の注入方法は、第１樹脂３０と同様にポッティングやスプレー等によって行う。
なお、第２樹脂７０は、一例として、中央が下に向かって湾曲するように形成することとして説明したが、一様に同じ高さとなるように形成してもよい。また、第２樹脂７０は、第２樹脂７０が発光素子４０の直上で高くなるように中央が上に向かって湾曲するように形成してもよい。
［第３実施形態］
＜発光装置＞
次に、第３実施形態に係る発光装置ついて説明する。図８Ａは、第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図８Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図８Ｃは、図８ＢのＶＩＩＩＣ－ＶＩＩＩＣ線における断面を模式的に示す断面図である。
発光装置１０Ｂは、母材２０１と、母材２０１の上面に形成された配線層２０２とを有する基体２００と、基体２００の上面に載置された発光素子４０と、発光素子４０を囲むように、基体２００の上面に設けられた樹脂枠５０と、樹脂枠５０の内側に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂３０と、を備えている。そして、第１樹脂３０は、反射材を含有する反射材層３２と、反射材層３２の上面に設けられ反射材を含有しない樹脂層３１と、を有している。さらに、反射材層３２は、基体２００の上面を覆うように反射材が配置され、樹脂層３１の上面は、断面視において、平坦領域３１Ａと、基体２００の上面からの高さが樹脂枠５０の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域３１Ｂと、を有している。
この発光装置１０Ｂは、基本的には発光装置１０と同じ構成を備えており、基体２００の構成が異なるので、異なる部分を主に説明し、その他の既に説明した部分は適宜省略する。
＜発光装置＞
次に、第３実施形態に係る発光装置ついて説明する。図８Ａは、第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図８Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図８Ｃは、図８ＢのＶＩＩＩＣ－ＶＩＩＩＣ線における断面を模式的に示す断面図である。
発光装置１０Ｂは、母材２０１と、母材２０１の上面に形成された配線層２０２とを有する基体２００と、基体２００の上面に載置された発光素子４０と、発光素子４０を囲むように、基体２００の上面に設けられた樹脂枠５０と、樹脂枠５０の内側に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂３０と、を備えている。そして、第１樹脂３０は、反射材を含有する反射材層３２と、反射材層３２の上面に設けられ反射材を含有しない樹脂層３１と、を有している。さらに、反射材層３２は、基体２００の上面を覆うように反射材が配置され、樹脂層３１の上面は、断面視において、平坦領域３１Ａと、基体２００の上面からの高さが樹脂枠５０の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域３１Ｂと、を有している。
この発光装置１０Ｂは、基本的には発光装置１０と同じ構成を備えており、基体２００の構成が異なるので、異なる部分を主に説明し、その他の既に説明した部分は適宜省略する。
基体２００は、セラミック等により形成される母材２０１と、この母材の上面に形成された配線層２０２とを有している。そして、発光素子４０は、は、基体２００の中央の載置領域に整列して配置されている。発光素子４０の周りには、配線層２０２が形成されると共に、樹脂枠５０が配線層２０２の円形に形成された部分を覆うように設けられている。
母材２０１は、絶縁部材で板状に形成されている。ここでは、母材２０１は、放熱性が高い材料を用いるのが好ましく、さらに、高い遮光性や基材強度を備える材料であることがより好ましい。具体的には、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン（bismaleimide triazine resin）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの樹脂、金属（アルミニウムや銅など）、さらに、樹脂と金属又はセラミックスとで構成される複合材などが挙げられる。また、透過性が高い材料を母材２０１として使用する場合には、遮光性を備えるように公知の遮光材料を含有させる。
母材２０１は、絶縁部材で板状に形成されている。ここでは、母材２０１は、放熱性が高い材料を用いるのが好ましく、さらに、高い遮光性や基材強度を備える材料であることがより好ましい。具体的には、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン（bismaleimide triazine resin）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの樹脂、金属（アルミニウムや銅など）、さらに、樹脂と金属又はセラミックスとで構成される複合材などが挙げられる。また、透過性が高い材料を母材２０１として使用する場合には、遮光性を備えるように公知の遮光材料を含有させる。
配線層２０２は、複数の発光素子４０が配置される配置領域を環状に囲うと共に、外部との電気的な接続を行うアノード側の正極パッド配線電極２０２Ａ１と、カソード側の負極パッド配線電極２０２Ｂ１とを有するように母材２０１上に形成されている。正極パッド配線電極２０２Ａ１及び負極パッド配線電極２０２Ｂ１は、矩形に形成され外部からの電気的な接続がされやすいように配線面積を他の配線部分よりも広くなるように形成されている。そして、正極パッド配線電極２０２Ａ１には、延出配線２０２Ａ２が連続して形成され、さらに、延出配線２０２Ａ２に連続して円弧状に第１接続配線２０２Ａ３が形成されている。同様に、負極パッド配線電極２０２Ｂ１には、延出配線２０２Ｂ２が連続して形成され、さらに、延出配線２０２Ｂ２に連続して円弧状に第２接続配線２０２Ｂ３が形成されている。そして、第１接続配線２０２Ａ３及び第２接続配線２０２Ｂ３は、その他の円弧状に形成された複数の第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４と断続的に円環状に配置されている。第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４は、円弧状の配線を４か所に、ここでは形成している。この第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４は、第１接続配線２０２Ａ３及び第２接続配線２０２Ｂ３と併せて全体として断続的な円環状の配線となればよく、第１接続配線２０２Ａ３及び第２接続配線２０２Ｂ３の円弧形状の長さによっては、一つが形成されることや全く形成されない状態であっても構わない。配線層２０２（正極パット配線電極２０２Ａ１、延出配線２０２Ａ２、第１接続配線２０２Ａ３、負極パット配線電極２０２Ｂ１、延出配線２０２Ｂ２、第２接続配線２０２Ｂ３、第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４）は、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗ，Ｐｄ，Ｆｅ，Ｎｉなどの金属又はこれらを含む合金などを用いて形成することができる。このような配線は、印刷、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。なお、母材２０１が金属の場合、母材２０１と配線層２０２の間にガラエポ等の絶縁層を形成するようにしてもよい。
樹脂枠５０は、第１接続配線２０２Ａ３、第２接続配線２０２Ｂ３及び第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４の上面を覆い円環状に形成されている。この樹脂枠５０は、既に説明したものと同じ構成及び材質で形成されている。
第１樹脂３０は、樹脂枠５０の内側、すなわち樹脂枠５０で囲まれた領域に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。この第１樹脂３０も既に説明した構成及び材質で形成されている。
また、発光素子４０は、基体２００の樹脂枠５０内に複数が設置され、ワイヤにより第１配線電極２０２Ａ３、第２配線電極２０２Ｂ３あるいは第３配線電極２０２Ｃ１～２０２Ｃ４のいずれかに接続されている。
さらに、基体２００の上面には、カソードとアノードと区別するための電極識別マークＭ１０を形成する共に、樹脂枠５０を設けるときの目安となる複数の目安マークＭ１１を形成しても構わない。
なお、その他の構成、例えば、第２樹脂７０が発光素子４０と第１樹脂３０を樹脂枠５０内において覆うように設けられてもよいこと等、すでに説明した構成と同等である。
このように形成された発光装置１０Ｂは、既に説明した発光装置１０、１０Ａと同等の効果を奏する。
第１樹脂３０は、樹脂枠５０の内側、すなわち樹脂枠５０で囲まれた領域に設けられ、発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。この第１樹脂３０も既に説明した構成及び材質で形成されている。
また、発光素子４０は、基体２００の樹脂枠５０内に複数が設置され、ワイヤにより第１配線電極２０２Ａ３、第２配線電極２０２Ｂ３あるいは第３配線電極２０２Ｃ１～２０２Ｃ４のいずれかに接続されている。
さらに、基体２００の上面には、カソードとアノードと区別するための電極識別マークＭ１０を形成する共に、樹脂枠５０を設けるときの目安となる複数の目安マークＭ１１を形成しても構わない。
なお、その他の構成、例えば、第２樹脂７０が発光素子４０と第１樹脂３０を樹脂枠５０内において覆うように設けられてもよいこと等、すでに説明した構成と同等である。
このように形成された発光装置１０Ｂは、既に説明した発光装置１０、１０Ａと同等の効果を奏する。
＜発光装置の製造方法＞
つぎに発光装置１０Ｂの製造方法について説明する。なお、発光装置１０Ｂは、図４で既に説明した製造方法と同等の製造工程により製造されることになる。
発光装置１０Ｂの製造方法は、基体２００の上面に発光素子４０を載置する第１工程Ｓ１と、発光素子４０を囲むように、基体２００の上面において、第１接続配線２０２Ａ３、第２接続配線２０２Ｂ３及び第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４の上面を円環状に覆うように樹脂枠５０を形成する第２工程Ｓ２と、樹脂枠５０の内側面に反射材を含有する第１樹脂３０を注入して、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆うようにする第３工程と、基体２００に公転による遠心力をかけ、第１樹脂３０を、反射材を含有する反射材層３２と、反射材を含有しない樹脂層３１と、に分離する第４工程Ｓ４と、を含むように形成される。なお、発光素子４０を載置する第１工程では、発光素子４０、第１接続配線２０２Ａ３、第２接続配線２０２Ｂ３及び第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４が電気的に接続できるようにワイヤを介して接続されることになる。そして、各工程は、既に説明した各工程と同等の作業を行うため、説明を省略する。
つぎに発光装置１０Ｂの製造方法について説明する。なお、発光装置１０Ｂは、図４で既に説明した製造方法と同等の製造工程により製造されることになる。
発光装置１０Ｂの製造方法は、基体２００の上面に発光素子４０を載置する第１工程Ｓ１と、発光素子４０を囲むように、基体２００の上面において、第１接続配線２０２Ａ３、第２接続配線２０２Ｂ３及び第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４の上面を円環状に覆うように樹脂枠５０を形成する第２工程Ｓ２と、樹脂枠５０の内側面に反射材を含有する第１樹脂３０を注入して、第１樹脂３０が発光素子４０の側面の一部と樹脂枠５０の内側面の一部と基体２００の上面とを覆うようにする第３工程と、基体２００に公転による遠心力をかけ、第１樹脂３０を、反射材を含有する反射材層３２と、反射材を含有しない樹脂層３１と、に分離する第４工程Ｓ４と、を含むように形成される。なお、発光素子４０を載置する第１工程では、発光素子４０、第１接続配線２０２Ａ３、第２接続配線２０２Ｂ３及び第３接続配線２０２Ｃ１～２０２Ｃ４が電気的に接続できるようにワイヤを介して接続されることになる。そして、各工程は、既に説明した各工程と同等の作業を行うため、説明を省略する。
前記した実施形態では、発明を実施するための形態をより具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
１０，１０Ａ、１０Ｂ 発光装置
２０，２００ 基体
２０Ａ 第１リード
２１Ａ 載置部
２１Ａ１ 第１辺
２１Ａ２ 第２辺
２１Ａ３ 第３辺
２１Ａ４ 第４辺
２１Ａ５ 第５辺
２１Ａ６ 第６辺
２１Ａ７ 第７辺
２１Ａ８ 第８辺
２２Ａ 接続部
２３Ａ 端子部
２０Ｂ 第２リード
２０Ｃ 樹脂部材
３０ 第１樹脂
３１ 樹脂層
３１Ａ 平坦領域
３１Ｂ 傾斜領域
３２ 反射材層
４０ 発光素子
４１ 素子基板
４２ 半導体層
４３ ｎ電極
４４ ｐ電極
５０ 樹脂枠
６０ ワイヤ
７０ 第２樹脂
８０ 保護素子
２０１ 母材
２０２ 配線層
Ｓ１ 第１工程
Ｓ２ 第２工程
Ｓ３ 第３工程
Ｓ４ 第４工程
Ｓ５ 第５工程
２０，２００ 基体
２０Ａ 第１リード
２１Ａ 載置部
２１Ａ１ 第１辺
２１Ａ２ 第２辺
２１Ａ３ 第３辺
２１Ａ４ 第４辺
２１Ａ５ 第５辺
２１Ａ６ 第６辺
２１Ａ７ 第７辺
２１Ａ８ 第８辺
２２Ａ 接続部
２３Ａ 端子部
２０Ｂ 第２リード
２０Ｃ 樹脂部材
３０ 第１樹脂
３１ 樹脂層
３１Ａ 平坦領域
３１Ｂ 傾斜領域
３２ 反射材層
４０ 発光素子
４１ 素子基板
４２ 半導体層
４３ ｎ電極
４４ ｐ電極
５０ 樹脂枠
６０ ワイヤ
７０ 第２樹脂
８０ 保護素子
２０１ 母材
２０２ 配線層
Ｓ１ 第１工程
Ｓ２ 第２工程
Ｓ３ 第３工程
Ｓ４ 第４工程
Ｓ５ 第５工程
Claims (14)
- 第１リードと第２リードとが樹脂部材により支持された基体と、
前記基体の上面に載置された発光素子と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、
前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂と、を備え、
前記第１樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、
前記反射材層は、その上面が断面視において平坦であると共に、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、
前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる第１傾斜領域と、前記基体の上面からの前記発光素子側の高さが前記発光素子の側面に近づくにつれて高くなる第２傾斜領域と、を有する発光装置。 - 母材と、前記母材の上面に形成された配線層とを有する基体と、
前記基体の上面に載置された発光素子と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられた樹脂枠と、
前記樹脂枠の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆う、反射材を含有する第１樹脂と、を備え、
前記第１樹脂は、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材層の上面に設けられ前記反射材を含有しない樹脂層と、を有し、
前記反射材層は、その上面が断面視において平坦であると共に、前記基体の上面を覆うように前記反射材が配置され、
前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる第１傾斜領域と、前記基体の上面からの前記発光素子側の高さが前記発光素子の側面に近づくにつれて高くなる第２傾斜領域と、を有する発光装置。 - 前記樹脂層の前記樹脂枠側の側面全体が前記樹脂枠と接する請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記基体側に配置される素子基板と、前記素子基板に設けられた半導体層と、を備え、
前記発光素子の側面を覆う前記第１樹脂の上面は、断面視において前記基体からの高さが前記半導体層の下面の高さよりも低い請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記発光素子の上面と前記第１樹脂の上面とを覆う第２樹脂と、をさらに備える請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第２樹脂は、蛍光体を含有する請求項５に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記第１リードの上面に載置され、
前記樹脂枠は、前記第１リードと前記樹脂部材の連結部を覆うように設けられた請求項１に記載の発光装置。 - 前記反射材は、酸化チタンである請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記樹脂枠と前記第１樹脂とは、同一材料の母材樹脂を含有する請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記樹脂枠の内側面は、断面視において、前記発光素子に対面する側に凸となる湾曲形状を有する請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記樹脂枠の内側面を覆う前記第１樹脂の上面は、断面視において、前記基体の上面からの高さが前記湾曲形状の頂点の位置よりも低い請求項１０に記載の発光装置。
- 前記反射材層の上面が、前記基体の上面に沿って、一定の厚みになっている請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光装置。
- 基体の上面に発光素子を載置する第１工程と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に樹脂枠を形成する第２工程と、
前記樹脂枠の内側に反射材を含有する第１樹脂を注入して、前記第１樹脂が前記発光素子の側面の一部と前記樹脂枠の内側面の一部と前記基体の上面とを覆うようにする第３工程と、
前記基体の上面に対して平行であり、前記樹脂枠を横切る方向で、かつ、前記基体の上方に位置する回転軸を中心に、前記基体の上面が内側になるように、前記基体に遠心力をかけ、前記第１樹脂を、前記反射材を含有する反射材層と、前記反射材を含有しない樹脂層と、に分離する第４工程と、を含み、
前記第４工程において、前記樹脂層の上面は、断面視において、平坦領域と、前記基体の上面からの高さが前記樹脂枠の内側面に近づくにつれて高くなる第１傾斜領域と、前記基体の上面からの前記発光素子側の高さが前記発光素子の側面に近づくにつれて高くなる第２傾斜領域と、を有する発光装置の製造方法。 - 前記第４工程の後に、前記発光素子の上面と前記樹脂層の上面に第２樹脂を注入する第５工程をさらに含む請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/687,853 US11189764B2 (en) | 2018-11-22 | 2019-11-19 | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US17/514,536 US11677054B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-10-29 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018219726 | 2018-11-22 | ||
| JP2018219726 | 2018-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020092251A JP2020092251A (ja) | 2020-06-11 |
| JP7137079B2 true JP7137079B2 (ja) | 2022-09-14 |
Family
ID=71013138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019162884A Active JP7137079B2 (ja) | 2018-11-22 | 2019-09-06 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7137079B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11769862B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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| JP2012099544A (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2012156442A (ja) | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US20120214264A1 (en) | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Manufacturing method for led package |
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| JP2014209602A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2016066742A (ja) | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置 |
| JP2016072412A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3704941B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2005-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5940775B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-06-29 | ローム株式会社 | 液晶表示装置バックライト用ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置 |
| JP2015012023A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | ローム株式会社 | Ｌｅｄ光源モジュール |
| JP6520482B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6668996B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212352A (ja) | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置用基板及び発光装置並びにそれらの製造方法、並びに、発光モジュール |
| JP2012099544A (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2012156442A (ja) | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US20120214264A1 (en) | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Manufacturing method for led package |
| JP2013153105A (ja) | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Sharp Corp | 蛍光体板、蛍光体板を用いた発光装置及び蛍光体板の製造方法 |
| JP2014209602A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2016066742A (ja) | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置 |
| JP2016072412A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020092251A (ja) | 2020-06-11 |
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