JP6626537B2 - 半導体装置および光結合装置 - Google Patents
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Description
しかしながら、第1樹脂部と第2樹脂部は通常、熱膨張係数が異なっているため、第1樹脂部と第2樹脂部との密着性が高いと、第2樹脂部からの応力を受けて、発光チップが剥離してしまうおそれがある。
前記第1半導体素子上に設けられた第2半導体素子と、
前記第2半導体素子の表面を覆うゲル状のシリコーンと、
前記シリコーンの表面と前記第1半導体素子の表面とを覆う樹脂部と、を備える半導体装置が提供される。
図1Aは本実施形態による光結合装置1の斜視図、図1Bは図1AのA−A線の断面図である。本実施形態による光結合装置1は、基板2上にそれぞれ離して配置される第1パッド3、第2パッド4および第3パッド5と、第1パッド3上に設けられる受光チップ6と、受光チップ6上に設けられる発光チップ7と、第2パッド4上に設けられる第1MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)8と、第3パッド5上に設けられる第2MOSFET9と、発光チップ7の表面を覆うゲル状のシリコーン10と、シリコーン10の表面を覆う樹脂部11とを備えている。第1MOSFET8と第2MOSFET9は、IGBT等のパワー半導体素子である。
K 6253またはJIS K 7215(タイプA)に準拠してデュロメータで計測した硬さの値が10〜24の範囲内のものである。本発明者が硬さの値を種々に変えて実験を行ったところ、硬さの値が10未満となると、ゲル状のシリコーンの形状が崩れやすくなり、シリコーンの外形形状を安定に維持できなくなるおそれがあることがわかった。
硬さが16以上でより安定な形状が形成できることが分かった。また、硬さの値が24を超えると、硬くなりすぎて、樹脂部11との密着性が悪くなり、隙間ができるおそれがあることがわかった。
第2の実施形態は、ゴム状のシリコーン10を用いて、発光チップ7の剥離を防止するものである。
Claims (2)
- 基板上に配置された第1半導体素子と、
上面及び側面を有し、前記第1半導体素子上に接着された第2半導体素子と、
前記第2半導体素子の表面の上面側よりも側面側をより厚く覆うゴム状のシリコーンと、
前記シリコーンの表面と前記第1半導体素子の表面とを覆う樹脂部と、
前記第2半導体素子の上面に一端が接続され、前記ゴム状のシリコーンと前記樹脂部とに一部が覆われたボンディングワイヤと、
前記第2半導体素子の上面における前記シリコーンと前記樹脂部との間に設けられた第1空隙部と、
前記第2半導体素子の側面における前記シリコーンと前記樹脂部との間に設けられ、前記第1空隙部よりも空隙の寸法が大きい第2空隙部と、を備え、
前記第1半導体素子は、受光部を含み、
前記第2半導体素子は、発光部を含み、
前記発光部の発光面は、前記受光部の受光面に対向して配置される、半導体装置。 - 基板上に配置された受光チップと、
上面及び側面を有し、前記受光チップ上に接着された発光チップと、
前記発光チップの表面の上面側よりも側面側をより厚く覆うゴム状のシリコーンと、
前記シリコーンの表面と前記受光チップの表面とを覆う樹脂部と、
前記発光チップの上面に一端が接続され、前記ゴム状のシリコーンと前記樹脂部とに一部が覆われたボンディングワイヤと、
前記発光チップの上面における前記シリコーンと前記樹脂部との間に設けられた第1空隙部と、
前記発光チップの側面における前記シリコーンと前記樹脂部との間に設けられ、前記第1空隙部よりも空隙の寸法が大きい第2空隙部と、
を備え、
前記受光チップは、受光部を含み、
前記発光チップは、発光部を含み、
前記発光部の発光面は、前記受光部の受光面に対向して配置される、光結合装置。
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