JP6615795B2 - モレキュラーシーブ触媒組成物、触媒複合体、システム、及び方法 - Google Patents
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Description
4NO+4NH3+O2→4N2+6H2O(標準SCR反応)
2NO2+4NH3→3N2+6H2O(低速SCR反応)
NO+NO2+NH3→2N2+3H2O(高速SCR反応)
本発明の第1の態様は、選択的接触還元(SCR)材料に関する。第1の実施形態では、選択的接触還元材料は、モレキュラーシーブの結晶の凝集体を包含する球状粒子を含み、ここで、球状粒子は、約0.5〜約5ミクロンの範囲のメジアン粒径を有する。
本発明のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本発明は、以下の説明に記載される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本発明は、他の実施形態が可能であり、かつ様々な手法で実施又は実行されることが可能である。
1つ以上の実施形態のモレキュラーシーブは、続けて、鉄、銅、コバルト、ニッケル、セリウム又は白金族金属などの1つ以上の助触媒金属でイオン交換されていてよい。ゼオライト並びに関連するマイクロポーラス材料及びメソポーラス材料の合成は、ゼオライト材料の構造型によって異なるが、しかし典型的には、合成ゲルを形成するためにいくつかの成分(例えばシリカ、アルミナ、リン、アルカリ金属、有機テンプレートなど)の組合せを必要とし、これが水熱結晶化されて最終生成物を形成する。構造指向剤は、有機物、すなわちテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)、又は無機カチオン、すなわち、Na+又はK+の形態をとってもよい。結晶化の間、四面体ユニットはSDAの周りで組織化して所望の骨格を形成し、かつSDAはゼオライト結晶の細孔構造内にしばしば埋め込まれる。1つ以上の実施形態では、モレキュラーシーブの結晶化は、構造指向剤/テンプレート、結晶核又は元素の添加によって得ることができる。場合によっては、結晶化は、100℃未満の温度で行うことができる。
1つ以上の実施形態では、触媒材料は、モレキュラーシーブの結晶の凝集体を包含する球状粒子を含む。本明細書で使用される「凝集体(agglomerate)」又は「凝集(agglomeration)」との用語は、一次粒子のクラスター又は集合体、すなわちモレキュラーシーブの結晶を指す。
政令により、軽量車及び大型車に対するNOx削減技術の使用が義務づけられている。アンモニアを用いたNOxの選択的接触還元(SCR)が、NOx制御のための効率的で支配的な排出制御技術である。例示的な実施形態では、400℃以上の温度での増大したアンモニア貯蔵容量と、水に対するアンモニア貯蔵を促進する能力とを有するSCR触媒複合体が提供される。1つ以上の実施形態の触媒材料は、ディーゼルエンジン、リーンバーンガソリン直噴エンジン及び圧縮天然ガスエンジンを含む任意のリーンバーンエンジンにおいて使用することができるものの、特定の実施形態では、触媒材料はリーンバーンガソリン直噴(GDI)エンジンにおいて使用されることになる。
1つ以上の実施形態では、モレキュラーシーブの結晶の凝集体を包含する球状粒子を含む選択的接触還元材料は、80000h−1の空間速度(Gas Hourly Space Velocity)で測定して、少なくとも50%の200℃での劣化NOx変換率を示す。特定の実施形態では、触媒は、80000h−1の空間速度で測定して、少なくとも70%の450℃での劣化NOx変換率を示す。より具体的には、NOx 500ppm、NH3 500ppm、O2 10%、H2O 5%、N2 残分のガス混合物において、最大NH3スリップ条件で定常状態条件下に80000h−1の空間速度(gas hourly volume-based space velocity:触媒単位体積当たり1時間に通過する反応ガスの流量)で測定して、200℃での劣化NOx変換率は、少なくとも55%であり、450℃では少なくとも75%であり、さらにより具体的には、200℃での劣化NOx変換率は、少なくとも60%であり、450℃では少なくとも80%である。コアは、管状炉内でH2O 10%、O2 10%、N2 残分を含有するガス流において、4,000h−1の空間速度で750℃にて5時間のあいだ、水熱劣化させた。
さらに、1つ以上の実施形態によれば、特にモレキュラーシーブが、ケイ素原子とアルミニウム原子の同形置換ゼオライト骨格材料を含み、ここで、ケイ素原子の一部分が4価の金属で同形置換されている場合、この材料は、NO+の形成を促進するのに有効である。理論に縛られることを意図するものではないが、ゼオライト骨格材料のd6rユニットが、NO+形成を容易にする重要なファクターであると考えられる。それというのも、d6rユニットは、2つの6員環の鏡映面間で短い距離の助触媒金属(例えばCu)の移動/ホッピングを促進してNO+(これはd6rユニットによっても提供される安定化配位環境を必要とする)のための適切な空位を作り出すからである。
1つ以上の実施形態では、触媒材料を、ウォッシュコートとして基材に適用することができる。本明細書で使用される「基材」との用語は、触媒が、典型的にはウォッシュコートの形態でその上に置かれるモノリシック材料を指す。ウォッシュコートは、液体ビヒクル中の触媒の特定の固形分(例えば30〜90質量%)を含有するスラリーを調製することによって形成され、次いでこれは基材上にコーティングされ、乾燥されてウォッシュコート層を提供する。
従来のCHA型モレキュラーシーブの合成
CHA構造を有するモレキュラーシーブは、当技術分野で知られている様々な技術、例えば米国特許第4,544,538号明細書(United States Patent Nos. 4,544,538)(Zones)及び米国特許第6,709,644号明細書(United States Patent Nos. 6,709,644)(Zones)に従って調製することができ、これらの全体を参照により本明細書に組み込む。
任意に、得られたアルカリ金属ゼオライトをNH4交換してNH4−チャバサイトを形成する。このNH4−イオン交換は、当該分野で公知の様々な技術、例えばBleken,F.;Bjorgen,M.Palumbo,L.;Bordiga,S.;Svelle,S.; Lillerud,K.−P.;及びOlsbye,U.Topics in Catalysis 52,(2009),218−228に従って行うことができる
スノーボールタイプの形態の水分を有するモレキュラーシーブは、アダマンチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド(ADAOH)、水酸化ナトリウム水溶液、アルミニウムイソプロポキシド粉末及びコロイド状シリカから調製することができる。
1つ以上の実施形態によれば、同形置換ゼオライト骨格材料を含む選択的接触還元触媒材料の合成法が提供される。特に触媒材料は、ケイ素原子とアルミニウム原子のゼオライト骨格材料を含み、ここで、ケイ素原子の一部分が4価の金属で同形置換されている。
1つ以上の実施形態によれば、酸化数IVを有する遷移金属を含むアンモニア貯蔵材料で同形置換されたモレキュラーシーブを含むSCR触媒材料を含むSCR触媒複合体の合成法が提供される。特にSCR触媒複合体は、ケイ素原子とアルミニウム原子のゼオライト骨格材料を有するSCR触媒材料を含み、ここで、ケイ素原子の一部分が、アンモニア貯蔵材料の酸化数IVを有する遷移金属で同形置換されている。
一般に、上記のゼオライト材料は、モレキュラーシーブ、吸着剤、触媒、触媒担体又はそれらのバインダーとして使用することができる。1つ以上の実施形態では、この材料は触媒として使用される。
比較例1−触媒組成物及び触媒物品の調製
CuCHA粉末触媒を、合成ゲルを含有するADAOH(トリメチル−1−アダマンチルアンモニウムヒドロキシド)を用いたチャバサイトの結晶化、チャバサイト生成物の分離、乾燥及び焼成によって、有機テンプレート(ADAOH)を除去することで調製した。水、ADAOH溶液及び水酸化ナトリウム水溶液をメイクダウンタンクの中に添加して数分間混合した。次いで、アルミニウム供給源を3〜5分間で添加した。次いで、コロイド状シリカを撹拌しながら5分間で添加した。混合をさらに30分間続けて、均一な組成の粘性ゲルを得た。ゲルをオートクレーブに移した。オートクレーブを170℃に加熱して、撹拌を維持しながら18時間結晶化を続けた。反応器を<50℃に冷却して、取り出す前に大気圧までベントした。水熱結晶化後、得られた懸濁液のpHは11.5であった。懸濁液を脱イオン水と混合して、磁器製の吸引フィルターで濾過した。次いで、湿った生成物を空気中で120℃の温度に4時間加熱した。次いでさらに、乾燥した生成物を、テンプレートを除去してC含有率が0.1質量%未満になるように空気中で600℃にて5時間焼成した。
追加的に水を添加した以外は、比較例1と同じ原料を使用して、本発明の凝集(スノーボール)CHA材料を調製した。ゲルメイクダウンの手順も比較例1と同じであった。オートクレーブを160℃に加熱して、撹拌を維持しながら結晶化を30時間続けた。反応器を<50℃に冷却して、取り出す前に大気圧までベントした。水熱結晶化後、得られた懸濁液のpHは12.0であった。懸濁液を脱イオン水と混合して、磁器製の吸引フィルターで濾過した。次いで、湿った生成物を空気中で120℃の温度に4時間加熱した。次いでさらに、乾燥した生成物を、テンプレートを除去してC含有率が0.1質量%未満になるように空気中で600℃にて5時間焼成した。
実施例2のNa型CHAと銅イオンとの間のイオン交換反応を、スラリーを約60℃で約1時間撹拌することにより行った。次いで、得られた混合物を濾過して濾過ケーキを得て、濾過ケーキを、濾液が透明かつ無色になるまで脱イオン水で3回に分けて洗浄して、洗浄したサンプルを乾燥した。
次いで、実施例3のスラリーを基材上に2.1g/in3のウォッシュコート負荷量までコーティングした。ウォッシュコートを空気中で130℃にて5分間乾燥した。最終コーティングの後、基材を450℃で1時間焼成した。
フレッシュ触媒コアの窒素酸化物選択的接触還元(SCR)効率及び選択率を、NO 500ppm、NH3 500ppm、O2 10%、H2O 5%、N2 残分の供給ガス混合物を1インチDx3インチLの触媒コアを収容する定常状態反応器に添加することによって測定した。反応は、150℃〜460℃の温度範囲にまたがって80,000hr−1の空間速度で行った。
フレッシュ触媒コアの窒素酸化物選択的接触還元(SCR)効率及び選択率を、NO 500ppm、NH3 500ppm、O2 10%、H2O 5%、N2 残分の供給ガス混合物を1インチDx3インチLの触媒コアを収容する定常状態反応器に添加することによって測定した。反応は、150℃〜460℃の温度範囲にまたがって80,000hr−1の空間速度で行った。
実施例7
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]CHA)を、0.03Al2O3:SiO2:0.07TiO2:0.06Na2O:0.08ATMAOH:2.33H2Oのゲル組成物から、155℃で5日間のオートクレーブ水熱合成により調製した。生成物を濾過によって回収し、かつテンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去した。最終的な結晶性材料は、CHA相>90%を示すX線粉末回折パターン及びXRFによる25のシリカ/アルミナ比(SAR)を有していた。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]CHA)を、実施例7の材料(Na−[Ti]CHA)との二回のNH4NO3(2.4M)交換を通して得られるNH4−[Ti]CHAの500℃での焼成(4時間)によって調製した。Tiレベルは、NH4NO3交換プロセスを通じて変化しない(4.3%対4.5%)。
ゼオライト材料H−CHAの調製を、実施例8(H−[Ti]CHA)のプロセスに従って行ったが、合成ゲルにTiは添加しなかった。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu2.72−[Ti]CHA)を、実施例8の材料(H−[Ti]CHA)及びCu(OAc)2(0.06M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製し、これはCu含有率2.72%(ICP)を示した。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu3.64−[Ti]CHA)を、実施例8の材料(H−[Ti]CHA)及びCu(OAc)2(0.125M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製し、これはCu含有率3.64%(ICP)を示した。
標準的な銅促進ゼオライト材料(Cu2.75−CHA)を、米国特許第8404203(B2)号明細書(U.S. 8404203B2)で提供される方法に従って調製し、これは実施例9に匹敵するCu含有率(2.75%)を有していた。この材料を、ベンチマークのための基準として提供する。
標準的な銅促進ゼオライト材料(Cu3.84−CHA)を、米国特許第8404203(B2)号明細書で提供される方法に従って調製し、これは実施例10に匹敵するCu含有率(3.84%)を有していた。この材料を、ベンチマークのための基準として提供する。
四面***置でのTiの取込みは、図12に示されるように、940〜980cm−1でのTiを伴う骨格ストレッチ(Ti−O−Si)のフィンガープリントによって証明される。
図13に示されるように、Tiを伴う骨格ストレッチからのフィンガープリント振動に加えて、高原子価の骨格Ti(IV)に基づく骨格の酸性度の向上が、その形成に強いルイス酸性を必要とするNO+の強度増大からも証明される。
実施例10及び11の化合物を提供する同形置換されたゼオライト材料[Ti]CHAの酸点にCuを交換した後、NO+の形成に影響はない。図14に示されるように、実施例10の材料(Cu2.72−[Ti]CHA)は、平衡状態で未改変の比較例12(Cu2.75−CHA)に比べてより多くのNO+を生成する優れた能力を示す。求核剤、例えばNH3に対するNO+の高い反応性の性質を考慮すると、実施例10(Cu−[Ti]CHA)からの低温(例えば200℃)で観察された有意な反応性の上昇は、触媒上でのNO+の改善された生成及び保持に基づくものと立証される。
図15のSEM画像で観察することができるように、合成時のままの[Ti]CHA(実施例8)は、5000xの倍率でのSEM分析(二次電子像)によって同定されるように、1〜2μmの直径サイズを有する球体として特徴的な二次構造を有する。
実施例10の材料(Cu−[Ti]CHA)を、フロースルー型セラミック基材上に2.1g/in3の負荷量でウォッシュコートした。典型的なSCR試験条件には、シミュレートされたディーゼル排気ガス(NO 500ppm、NH3 500ppm、O2 10%、H2O 5%及びN2 残分)並びに200℃〜600℃の温度点が含まれる。様々な温度でのNO及びNH3の変換をFTIRによってモニターする。長期水熱耐久性を評価する必要がある場合、H2O 10%に750℃で5時間暴露する劣化(aging)条件をとる。
この材料の多孔性及び粒子サイズは、図19に呈示されている。図19に示されるように、Hg浸入測定によって示すと、Cu−[Ti]CHA(実施例10)から形成されたウォッシュコートは、未改変のCu−CHA(実施例12)と比較して、より大きな細孔に向かって空隙率分布を有する。
触媒(Cu−[Ti]CHA)を、フロースルー型セラミック基材上に2.1g/in3の負荷量でウォッシュコートした。典型的なSCR試験条件には、シミュレートされたディーゼル排気ガス(NO 500ppm、NH3 500ppm、O2 10%、H2O 5%及びN2 残分)並びに200℃〜600℃の温度点が含まれる。様々な温度でのNO及びNH3の変換をFTIRによってモニターする。長期水熱耐久性を評価する必要がある場合、H2O 10%に750℃で5時間暴露する劣化条件をとる。
図17に示されるように、高温水熱劣化後の高いCu含有率(例えば、SAR=30でCu%>2.5%)の結果、CuOが形成し、これがNH3を活発に消費し、高温端でのSCR性能を低下させる。骨格Ti(実施例11)の存在は、Cu負荷量が高いサンプルによる高温領域でのNH3消費を軽減するのに役立つ。
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]AEI)を、実施例7の材料と同じように調製する。生成物を濾過によって回収して、テンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去する。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]AEI)を、実施例22の材料(Na−[Ti]AEI)との二回のNH4NO3交換(2.4M)を通して得られるNH4−[Ti]AEIの500℃での焼成(4時間)によって調製する。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu−[Ti]AEI)を、実施例23の材料(H−[Ti]AEI)及びCu(OAc)2(0.06M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製する。
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]AFX)を、実施例7の材料と同じように調製する。生成物を濾過によって回収して、テンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去する。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]AFX)を、実施例25の材料(Na−[Ti]AFX)との二回のNH4NO3交換(2.4M)を通して得られるNH4−[Ti]AFXの500℃での焼成(4時間)によって調製する。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu−[Ti]AFX)を、実施例26の材料(H−[Ti]AFX)及びCu(OAc)2(0.06M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製する。
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]CHA)を、0.03Al2O3:SiO2:0.07TiO2:0.06Na2O:0.08ATMAOH:2.33H2Oのゲル組成物から、155℃で5日間のオートクレーブ水熱合成により調製した。生成物を濾過によって回収して、テンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去した。最終的な結晶性材料は、CHA相>90%を示すX線粉末回折パターン及びXRFによる25のSARを有していた。他のSAR、例えば20は、出発ゲルにおけるSi/Al比を適切に調節することによっても得ることができる。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]CHA)を、実施例28の材料(Na−[Ti]CHA)との二回のNH4NO3(2.4M)交換を通して得られるNH4−[Ti]CHAの500℃での焼成(4時間)によって調製した。Tiレベルは、NH4NO3交換プロセスを通じて変化しなかった(4.3%対4.5%)。
ゼオライト材料H−CHAの調製を、実施例28及び29の方法に従って行ったが、ゼオライト水熱結晶化のための初期合成ゾルゲルにTiは添加しなかった。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu−[Ti]CHA(SAR20))を、実施例29の材料(H−[Ti]CHA)及びCu(OAc)2を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製した。交換プロセスにおいてCu濃度を変化させることで、一連の銅ゼオライトがもたらされた:例えばCu2.46−[Ti]CHA(実施例31a)、Cu3.03−[Ti]CHA(実施例31b)、Cu3.64−[Ti]CHA(実施例31c)及びCu3.78−[Ti]CHA(実施例31d)(Cuの後の数字はCu百分率を示す)。
標準的な銅促進ゼオライト材料(Cu2.75−CHA)を、米国特許第8404203(B2)号明細書で提供される方法に従って調製し、かつベンチマークのための基準として提供した。
Fe−CHA(Fe:2.5%)の合成を、Cu−CHAと同じように行い(ただし、Fe(NO3)3を溶液交換で用いた)、比較サンプルとして選択した。
BASF社からの市販のFe−ベータを比較サンプルとして選択した。
Sued−Chemie社からの市販のFe−MFI(SCP−306)を比較サンプルとして選択した。
図20に示されるように、骨格Tiの存在下では、高温ゾーンで吸着されたNH3は、15.2から19.1cm3/gに増加しただけでなく、脱着温度はわずかに10℃だけ上昇しており(例えば470℃から480℃に)、これはNH3貯蔵成分として機能する酸性プロトン以外のルイス酸点がより強いことを示す(実施例29対実施例30)。
図21に示されるように、Cu交換後、Cu百分率の上昇により向上したのは、中間温度ゾーン、例えば250℃〜400℃におけるNH3貯蔵量のみであった。最高脱着ピークの積分値は、Cu−CHA(実施例32)、Cu2.46−[Ti]CHA(実施例31a)、Cu3.03−[Ti]CHA(実施例31)、Cu3.64−[Ti]CHA(実施例31c)について、それぞれ12.8、23.8、28.8及び23.8cm3/gであった。Ti含有Cu−[Ti]CHAサンプルは、400℃超で二倍のNH3保持能を一貫して示した(実施例32対実施例31)。
図22に示されるように、しかしながら、他のより低い原子価遷移金属、例えばFe(III)の存在は、400℃超でのNH3貯蔵量の効果的な促進を有していなかった。Fe−MFI、Fe−CHA、Fe−ベータの高温時(>400℃)貯蔵容量は、それぞれ13.6、12.8、7.9cm3/gであり、これらは未改変のCu−CHAと同様のレベルであった。
Cu−CHA(実施例32)及びCu3.64−[Ti]CHA(実施例31c)の両方を、等しいウォッシュコート負荷量でハニカム上にコーティングして、温度(200℃、300℃、400℃、450℃及び500℃)にてH2O 5%の存在下でのNH3貯蔵量を測定した。図23に示されるように、骨格Tiにより補助されて、400℃までで未改変のCu−CHAの場合よりも多くの化学吸着されたNH3がCu−[Ti]CHA上に一貫して見出された。
共沈プロセスからのTi、Si、Alベースの酸化物からなるTiO2、Al2O3及びSiO2を有する市販の非ゼオライト複合材料もまた、高温でのNH3貯蔵特性を示した。図24に示されるように、Cu−CHA(実施例32)と比較して市販の材料の貯蔵容量は低いが、脱着温度はさらに上昇した。
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]AEI)を、実施例22の材料と同じように調製する。生成物を濾過によって回収して、テンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去する。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]AEI)を、実施例41の材料(Na−[Ti]AEI)との二回のNH4NO3(2.4M)交換を通して得られるNH4−[Ti]AEIの500℃での焼成(4時間)によって調製する。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu−[Ti]AEI)を、実施例42の材料(H−[Ti]AEI)及びCu(OAc)2(0.06M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製する。
同形置換されたゼオライト材料(Na−[Ti]AFX)を、実施例25の材料と同じように調製する。生成物を濾過によって回収して、テンプレートを600℃で5時間の焼成によって除去する。
同形置換されたゼオライト材料(H−[Ti]AFX)を、実施例44の材料(Na−[Ti]AFX)との二回のNH4NO3(2.4M)交換を通して得られるNH4−[Ti]AFXの500℃での焼成(4時間)によって調製する。
銅で促進された同形置換ゼオライト材料(Cu−[Ti]AFX)を、実施例45の材料(H−[Ti]AFX)及びCu(OAc)2(0.06M)を用いた50℃でのイオン交換(2時間)によって調製する。
Claims (16)
- モレキュラーシーブの結晶の凝集体を包含する球状粒子を含む選択的接触還元(SCR)触媒材料であって、ここで、前記球状粒子が、0.5〜5ミクロンの範囲のメジアン粒径を有し、前記モレキュラーシーブが、Cuで促進されており、前記モレキュラーシーブが、ケイ素原子とアルミニウム原子のゼオライト骨格材料を含み、ここで、ケイ素原子の一部分が4価の金属で同形置換されており、前記4価の金属が、Tiを含む4価の遷移金属を含む、前記SCR触媒材料。
- 前記モレキュラーシーブがd6rユニットを含む、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 前記モレキュラーシーブが、AEI、AFT、AFX、CHA、EAB、EMT、ERI、FAU、GME、JSR、KFI、LEV、LTL、LTN、MOZ、MSO、MWW、OFF、SAS、SAT、SAV、SBS、SBT、SFW、SSF、SZR、TSC、WEN及びそれらの組合せからなる群から選択される構造型を有する、請求項2に記載のSCR触媒材料。
- 前記モレキュラーシーブが、AEI、CHA及びAFXから選択される構造型を有する、請求項3に記載のSCR触媒材料。
- 前記モレキュラーシーブがCHA構造型を有する、請求項4に記載のSCR触媒材料。
- 前記CHA構造型を有するモレキュラーシーブが、アルミノシリケートゼオライトである、請求項5に記載のSCR触媒材料。
- 前記CHA構造型を有するモレキュラーシーブが、SSZ−13、SSZ−62、天然チャバサイト、ゼオライトK−G、Linde D、Linde R、LZ−218、LZ−235、LZ−236、ZK−14及びZYT−6からなる群から選択される、請求項5に記載のSCR触媒材料。
- 前記モレキュラーシーブが、Cuで促進されており、ここで、前記Cuは、酸化物ベースで0.1〜10質量%の範囲の量で存在する、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 前記SCR触媒材料が、200℃〜600℃の温度で還元剤の存在下に窒素酸化物の選択的接触還元を触媒するのに有効である、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 前記CHA構造型を有するモレキュラーシーブが、10〜100の範囲のシリカ/アルミナ比を有する、請求項5に記載のSCR触媒材料。
- 前記球状粒子が、1.2〜3.5ミクロンの範囲のメジアン粒径を有するか、又は前記球状粒子の少なくとも80%が、0.5〜2.5ミクロンの範囲のメジアン粒径を有する、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 前記結晶が、1〜250nmの範囲の結晶サイズを有する、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 前記結晶が、100〜250nmの範囲の結晶サイズを有する、請求項12に記載のSCR触媒材料。
- 前記SCR触媒材料がウォッシュコートの形態をとり、前記ウォッシュコートが、基材上に堆積された層であり、かつ前記基材が、ウォールフロー型フィルター又はフロースルー型基材を含む、請求項1に記載のSCR触媒材料。
- 窒素酸化物(NOx)を選択的に還元する方法であって、NOxを含有する排気ガス流を、請求項1から14までのいずれか1項に記載のSCR触媒材料と接触させることを含む、前記方法。
- NOxを含有するリーンバーンエンジンからの排気ガスを処理するためのシステムであって、請求項1から14までのいずれか1項に記載のSCR触媒材料と、少なくとも1つの他の排気ガス処理コンポーネントとを含む、前記システム。
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