JP6612056B2 - 撮像装置、及び監視装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 185
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 title description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 77
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 72
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 36
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 24
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000156302 Porcine hemagglutinating encephalomyelitis virus Species 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020156 CeF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Inorganic materials [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 lanthanum (La) Chemical class 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Inorganic materials [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
- G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
- G08B13/194—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using image scanning and comparing systems
- G08B13/196—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using image scanning and comparing systems using television cameras
- G08B13/19602—Image analysis to detect motion of the intruder, e.g. by frame subtraction
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Description
本発明の一態様の撮像装置の構成について、図1を用いて説明する。本発明の一態様の撮像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素100(PIX100)を含む画素部105、アナログ処理回路101(Analog101)、デジタル処理回路であるA/D変換回路102(ADC102)、列ドライバ103(CDRV103)及び行ドライバ104(RDRV104)を有する。
(実施の形態2)
(実施の形態3)
本発明の一態様の撮像装置が含むアナログ処理回路の構成の一例について図7を用いて説明する。アナログ処理回路は、トランジスタ136、トランジスタ137、トランジスタ138、トランジスタ139、トランジスタ140、トランジスタ141、トランジスタ142、トランジスタ143、トランジスタ144、トランジスタ145、トランジスタ146、トランジスタ147、トランジスタ148、容量149、コンパレータCMP+、コンパレータCMP−、から構成される。参照電位線Vref+、参照電位線Vref−の電位は適宜設定する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した画素の変形例について説明する。
本実施の形態では、撮像装置を構成する素子の断面構造について、図面を参照して説明する。本実施の形態では一例として、上記実施の形態4で図9(B)を用いて説明した、Siトランジスタ及びOSトランジスタを用いて画素を構成する断面構造について説明する。
本実施の形態では、撮像装置にカラーフィルタ等を付加した形態の一例の断面構造について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタについて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した撮像装置を監視装置(監視システムともいう)に利用する場合について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る撮像装置を用いた電子機器の一例について説明する。
51 Siトランジスタ
52 OSトランジスタ
53 OSトランジスタ
60 フォトダイオード
61 アノード
63 低抵抗領域
70 コンタクトプラグ
71 配線層
72 配線層
73 配線層
80 絶縁層
91a 回路
91b 回路
91c 回路
100 画素
100A 画素
100B 画素
100C 画素
101 アナログ処理回路
102 A/D変換回路
103 列ドライバ
104 行ドライバ
105 画素部
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 トランジスタ
115 トランジスタ
121 容量
122 容量
123 フォトダイオード
123A センサ
136 トランジスタ
137 トランジスタ
138 トランジスタ
139 トランジスタ
140 トランジスタ
141 トランジスタ
142 トランジスタ
143 トランジスタ
144 トランジスタ
145 トランジスタ
146 トランジスタ
147 トランジスタ
148 トランジスタ
149 容量
FD1 電荷保持ノード
FD2 ノード
SUB 減算回路
ABS 絶対値回路
SUM 加算回路
200 カメラ
211 記憶装置
212 表示装置
213 警報装置
220 撮像装置
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイク
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
909 カメラ
911 筐体
912 表示部
919 カメラ
921 筐体
922 シャッターボタン
923 マイク
925 レンズ
927 発光部
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
939 カメラ
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 筐体
952 表示部
954 スピーカー
955 ボタン
956 入出力端子
957 マイク
959 カメラ
1100 層
1200 層
1300 層
1400 層
1500 絶縁層
1510 遮光層
1520 有機樹脂層
1530a カラーフィルタ
1530b カラーフィルタ
1530c カラーフィルタ
1540 マイクロレンズアレイ
1550 光学変換層
1600 支持基板
Claims (11)
- 画素と、
アナログ処理回路と、
デジタル処理回路と、を有し、
前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第1の撮像データと、前記画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出する機能を有し、
前記デジタル処理回路は、前記画素が撮像した第3の撮像データをデジタルデータに変換する機能を有し、
前記画素は、第1のトランジスタ乃至第5のトランジスタと、容量と、フォトダイオードとを有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、信号線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートに、第1の撮像データに対応する電荷を蓄積することができ、
前記第5のトランジスタがオンとなるとき、前記信号線を介して、第2の撮像データを出力することができる、撮像装置。 - 請求項1において、
前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第1の撮像データと、前記画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出し、前記差分の値に基づきトリガ信号を生成する機能を有する、撮像装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第5のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体層を有
する、撮像装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のトランジスタ乃至前記第3のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体層を有し、
前記第4のトランジスタ及び前記第5のトランジスタはそれぞれ、シリコン半導体層を有する、撮像装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記アナログ処理回路は、減算回路、絶対値回路及び加算回路を有する、撮像装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記デジタル処理回路は、A/D変換回路を有する、撮像装置。 - 光電変換素子とトランジスタを含む画素と、
アナログ処理回路と、
デジタル処理回路と、を有する撮像装置であって、
前記アナログ処理回路は、第1の撮像データと第2の撮像データの差分に応じた電流値と、基準電流値と、の差の大小関係に従って電流の供給を行う機能を有し、
前記電流の供給が生じた場合にトリガ信号を発生する回路であり、
前記撮像装置は、第1のモードと第2のモードとで動作する機能を有し、
前記第1のモードにおいて、前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第1の撮像データと、前記画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出し、前記差分の値に基づき前記トリガ信号を生成する機能を有し、
前記第2のモードにおいて、前記デジタル処理回路は、前記画素が撮像した第3の撮像データをデジタルデータに変換する機能を有し、
前記第1のモードから前記第2のモードへの遷移は、前記トリガ信号に基づき行われる、撮像装置。 - 請求項7において、
前記アナログ処理回路は、減算回路、絶対値回路及び加算回路を有する、撮像装置。 - 請求項7又は請求項8において、
前記デジタル処理回路は、A/D変換回路を有する、撮像装置。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか一項において、
前記撮像装置は、一定時間が経過した場合に、前記第2のモードから前記第1のモードに遷移することを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の撮像装置を有するカメラと、
前記カメラに電気的に接続された表示装置と、
前記カメラに電気的に接続された記憶装置と、
前記カメラに電気的に接続された警報装置と、を有する、監視装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015094487A JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2015-05-04 | 撮像装置、及び監視装置 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014101910 | 2014-05-16 | ||
JP2014101910 | 2014-05-16 | ||
JP2014104842 | 2014-05-21 | ||
JP2014104842 | 2014-05-21 | ||
JP2014129988 | 2014-06-25 | ||
JP2014129984 | 2014-06-25 | ||
JP2014129988 | 2014-06-25 | ||
JP2014129984 | 2014-06-25 | ||
JP2015094487A JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2015-05-04 | 撮像装置、及び監視装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019197325A Division JP2020025324A (ja) | 2014-05-16 | 2019-10-30 | 撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016027694A JP2016027694A (ja) | 2016-02-18 |
JP2016027694A5 JP2016027694A5 (ja) | 2018-05-31 |
JP6612056B2 true JP6612056B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=54538988
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015094487A Active JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2015-05-04 | 撮像装置、及び監視装置 |
JP2019197325A Withdrawn JP2020025324A (ja) | 2014-05-16 | 2019-10-30 | 撮像装置 |
JP2020015231A Active JP6811883B2 (ja) | 2014-05-16 | 2020-01-31 | 撮像装置 |
JP2021073236A Active JP7311555B2 (ja) | 2014-05-16 | 2021-04-23 | イメージセンサ、携帯情報端末及び監視システム |
JP2023111300A Pending JP2023126315A (ja) | 2014-05-16 | 2023-07-06 | イメージセンサ |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019197325A Withdrawn JP2020025324A (ja) | 2014-05-16 | 2019-10-30 | 撮像装置 |
JP2020015231A Active JP6811883B2 (ja) | 2014-05-16 | 2020-01-31 | 撮像装置 |
JP2021073236A Active JP7311555B2 (ja) | 2014-05-16 | 2021-04-23 | イメージセンサ、携帯情報端末及び監視システム |
JP2023111300A Pending JP2023126315A (ja) | 2014-05-16 | 2023-07-06 | イメージセンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10593172B2 (ja) |
JP (5) | JP6612056B2 (ja) |
KR (3) | KR102345975B1 (ja) |
TW (1) | TWI665920B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6545541B2 (ja) | 2014-06-25 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
JP6581825B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
JP6555956B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
JP6670451B2 (ja) * | 2014-10-01 | 2020-03-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、信号処理方法、及び、電子機器 |
US9773832B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6685240B2 (ja) | 2015-01-27 | 2020-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 乗員保護装置 |
US10389961B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9848146B2 (en) | 2015-04-23 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
JP6777421B2 (ja) | 2015-05-04 | 2020-10-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6681780B2 (ja) | 2015-05-07 | 2020-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システムおよび電子機器 |
KR20160144314A (ko) | 2015-06-08 | 2016-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 그 동작 방법, 및 전자 기기 |
KR102553553B1 (ko) | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
US9860465B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9876946B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US10373991B2 (en) | 2015-08-19 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device, operating method thereof, and electronic device |
JP6796461B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2020-12-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
KR20170061602A (ko) | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US10027896B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display system, operation method of the same, and electronic device |
CN105957250A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-09-21 | 李小春 | 电力远距离巡线充电站 |
CN105656129A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-06-08 | 李小春 | 智能化充电平台 |
KR102593880B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2023-10-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
US11145778B2 (en) | 2019-09-20 | 2021-10-12 | Waymo Llc | Monolithic silicon photomultiplier array |
US11290671B2 (en) * | 2020-09-01 | 2022-03-29 | Pixart Imaging Inc. | Pixel circuit outputting pulse width signals and performing analog operation |
CN111739072A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-02 | 浙江大华技术股份有限公司 | 像素点的匹配方法及装置、存储介质和电子装置 |
JPWO2022248972A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 |
Family Cites Families (138)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
US4789890A (en) * | 1985-12-05 | 1988-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Judgement circuit and adaptive filter incorporating the same |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP3082987B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2000-09-04 | 株式会社日立製作所 | ミックスモードシミュレーション方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
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-
2022
- 2022-08-25 US US17/895,760 patent/US20230206735A1/en active Pending
- 2022-11-25 KR KR1020220160266A patent/KR102616098B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-07-06 JP JP2023111300A patent/JP2023126315A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI665920B (zh) | 2019-07-11 |
KR20150131999A (ko) | 2015-11-25 |
US11430311B2 (en) | 2022-08-30 |
TW201547280A (zh) | 2015-12-16 |
JP2016027694A (ja) | 2016-02-18 |
JP6811883B2 (ja) | 2021-01-13 |
KR20220166222A (ko) | 2022-12-16 |
JP2020025324A (ja) | 2020-02-13 |
US20150332568A1 (en) | 2015-11-19 |
KR102472507B1 (ko) | 2022-12-01 |
US20230206735A1 (en) | 2023-06-29 |
KR102345975B1 (ko) | 2022-01-03 |
JP7311555B2 (ja) | 2023-07-19 |
US20200152029A1 (en) | 2020-05-14 |
KR20220002226A (ko) | 2022-01-06 |
JP2020074622A (ja) | 2020-05-14 |
JP2023126315A (ja) | 2023-09-07 |
KR102616098B1 (ko) | 2023-12-21 |
US10593172B2 (en) | 2020-03-17 |
JP2021121112A (ja) | 2021-08-19 |
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