JP2023126315A - イメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】低消費電力な差分検知が可能な撮像装置を提供すること。【解決手段】撮像装置は、光電変換素子とトランジスタを含む画素と、アナログ処理回路と、デジタル処理回路と、を有する。撮像装置は、第1のモードと第2のモードで動作される。第1のモードにおいて、アナログ処理回路は、画素が撮像した第1の撮像データと、画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出し、前記差分の値に基づきトリガ信号を生成する。第2のモードにおいて、デジタル処理回路は、画素が撮像した第3の撮像データをデジタルデータに変換する。第1のモードから第2のモードへの遷移は、トリガ信号に基づき行われる。【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、撮像機能を有する撮像装置、監視装置、及び電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
撮像装置は、携帯電話に標準的に組み込まれており、普及が進んでいる(例えば、特許文
献1を参照)。特に、CMOSイメージセンサは、CCDイメージセンサに対して、低価
格、高解像度、低消費電力などの特徴があり、撮像装置の大部分はCMOSイメージセン
サで構成されている。
献1を参照)。特に、CMOSイメージセンサは、CCDイメージセンサに対して、低価
格、高解像度、低消費電力などの特徴があり、撮像装置の大部分はCMOSイメージセン
サで構成されている。
CMOSイメージセンサを防犯カメラに利用する場合、侵入者を発見した時にアラームを
鳴らすというシステムが考えられる。具体的には、CMOSイメージセンサで撮像した監
視区域内に侵入者がいない状態での撮像画像の撮像データと、現時点での撮像画像の撮像
データと、を比較する画像処理を行い、違いがあった場合にトリガ信号を発生するといっ
た構成が考えられる。
鳴らすというシステムが考えられる。具体的には、CMOSイメージセンサで撮像した監
視区域内に侵入者がいない状態での撮像画像の撮像データと、現時点での撮像画像の撮像
データと、を比較する画像処理を行い、違いがあった場合にトリガ信号を発生するといっ
た構成が考えられる。
上記画像処理を行う場合、まず、CMOSイメージセンサの各画素のデータを読み出して
、A/D変換によりデジタルデータに変換する。続いて、当該デジタルデータをコンピュ
ータに取り込み、コンピュータ上で画像処理ソフトウェアを実行させるという手順になる
。したがって、CMOSイメージセンサから読み出されるデータのA/D変換、大量のデ
ジタルデータをコンピュータに取り込むためのデータ転送、当該デジタルデータのコンピ
ュータ内の記憶装置への格納、読み出し、画像処理ソフトウェアの実行、など、膨大な電
力を消費しながら上記トリガ信号を生成することになる。
、A/D変換によりデジタルデータに変換する。続いて、当該デジタルデータをコンピュ
ータに取り込み、コンピュータ上で画像処理ソフトウェアを実行させるという手順になる
。したがって、CMOSイメージセンサから読み出されるデータのA/D変換、大量のデ
ジタルデータをコンピュータに取り込むためのデータ転送、当該デジタルデータのコンピ
ュータ内の記憶装置への格納、読み出し、画像処理ソフトウェアの実行、など、膨大な電
力を消費しながら上記トリガ信号を生成することになる。
そこで本発明の一態様は、新規な撮像装置等を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、低消費電力な差分検知が可能な、新規な構成の撮像装置等を
提供することを課題の一とする。
提供することを課題の一とする。
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、
他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び/又は他の課題のうち、少なくとも一
つの課題を解決するものである。
他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び/又は他の課題のうち、少なくとも一
つの課題を解決するものである。
本発明の一態様は、上記課題を鑑みなされたもので、複数の画素と、アナログ処理回路
と、デジタル処理回路と、を有する撮像装置において、画素は、第1のモードでは、第1
の状態での第1の撮像データと第2の状態での第2の撮像データとの差分データを格納し
、当該差分データを読み出すことができ、また、第2のモードでは、第3の状態での第3
の撮像データを格納し、当該第3のデータを読み出すことができ、アナログ処理回路は、
第1のモードでは、各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演算を行い
、当該演算の結果が規定の値より大きい場合はトリガ信号を発生し、デジタル処理回路は
、第2のモードでは、各画素から読み出した第3の撮像データをA/D変換によりデジタ
ルデータに変換する。なお、本撮像装置は、トリガ信号が発生した場合は、第1のモード
から第2のモードに遷移する。また、第2のモードで一定時間が経過した場合、もしくは
、第1のモードに戻る信号が供給された場合は、第2のモードから第1のモードに遷移す
る。
と、デジタル処理回路と、を有する撮像装置において、画素は、第1のモードでは、第1
の状態での第1の撮像データと第2の状態での第2の撮像データとの差分データを格納し
、当該差分データを読み出すことができ、また、第2のモードでは、第3の状態での第3
の撮像データを格納し、当該第3のデータを読み出すことができ、アナログ処理回路は、
第1のモードでは、各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演算を行い
、当該演算の結果が規定の値より大きい場合はトリガ信号を発生し、デジタル処理回路は
、第2のモードでは、各画素から読み出した第3の撮像データをA/D変換によりデジタ
ルデータに変換する。なお、本撮像装置は、トリガ信号が発生した場合は、第1のモード
から第2のモードに遷移する。また、第2のモードで一定時間が経過した場合、もしくは
、第1のモードに戻る信号が供給された場合は、第2のモードから第1のモードに遷移す
る。
また別の本発明の一態様は、上記課題を鑑みなされたもので、複数の画素と、アナログ
処理回路と、デジタル処理回路と、を有する撮像装置において、画素は、第1のモードで
は、第1の状態での第1の撮像データと第2の状態での第2の撮像データとの差分データ
を格納し、当該差分データを読み出すことができ、また、第2のモードでは、第3の状態
での第3の撮像データを格納し、当該第3のデータを読み出すことができ、アナログ処理
回路は、第1のモードでは、第1の撮像データと第2の撮像データの差分に応じた電流値
と、基準電流値と、の比較を行い、差を検出した場合にトリガ信号を発生し、デジタル処
理回路は、第2のモードでは、各画素から読み出した第3の撮像データをA/D変換によ
りデジタルデータに変換する。なお、本撮像装置は、トリガ信号が発生した場合は、第1
のモードから第2のモードに遷移する。また、第2のモードで一定時間が経過した場合、
もしくは、第1のモードに戻る信号が供給された場合は、第2のモードから第1のモード
に遷移する。
処理回路と、デジタル処理回路と、を有する撮像装置において、画素は、第1のモードで
は、第1の状態での第1の撮像データと第2の状態での第2の撮像データとの差分データ
を格納し、当該差分データを読み出すことができ、また、第2のモードでは、第3の状態
での第3の撮像データを格納し、当該第3のデータを読み出すことができ、アナログ処理
回路は、第1のモードでは、第1の撮像データと第2の撮像データの差分に応じた電流値
と、基準電流値と、の比較を行い、差を検出した場合にトリガ信号を発生し、デジタル処
理回路は、第2のモードでは、各画素から読み出した第3の撮像データをA/D変換によ
りデジタルデータに変換する。なお、本撮像装置は、トリガ信号が発生した場合は、第1
のモードから第2のモードに遷移する。また、第2のモードで一定時間が経過した場合、
もしくは、第1のモードに戻る信号が供給された場合は、第2のモードから第1のモード
に遷移する。
上記構成において、第1のモードでは、膨大な電力を消費するデジタル処理を行わず、ま
た、トリガ信号を生成するための最低限のアナログ処理を行うだけで良いため、消費電力
を低減することができる。また、第2のモードでは、デジタル処理により、トリガ信号が
生成した原因、すなわち、第1のモードでの撮像データとの違いを詳細に確認することが
できる。
た、トリガ信号を生成するための最低限のアナログ処理を行うだけで良いため、消費電力
を低減することができる。また、第2のモードでは、デジタル処理により、トリガ信号が
生成した原因、すなわち、第1のモードでの撮像データとの違いを詳細に確認することが
できる。
本発明の一態様の撮像装置は、光電変換素子とトランジスタを含む画素と、アナログ処理
回路と、デジタル処理回路と、を有する。撮像装置は、第1のモードと第2のモードで動
作する。第1のモードにおいて、アナログ処理回路は、画素が撮像した第1の撮像データ
と、画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出し、差分の値に基づきトリガ信号を生
成する。第2のモードにおいて、デジタル処理回路は、画素が撮像した第3の撮像データ
をデジタルデータに変換する。第1のモードから第2のモードへの遷移は、トリガ信号に
基づき行われる。
回路と、デジタル処理回路と、を有する。撮像装置は、第1のモードと第2のモードで動
作する。第1のモードにおいて、アナログ処理回路は、画素が撮像した第1の撮像データ
と、画素が撮像した第2の撮像データの差分を検出し、差分の値に基づきトリガ信号を生
成する。第2のモードにおいて、デジタル処理回路は、画素が撮像した第3の撮像データ
をデジタルデータに変換する。第1のモードから第2のモードへの遷移は、トリガ信号に
基づき行われる。
本発明の一態様の撮像装置が含むアナログ処理回路は、前記第1の撮像データと前記第2
の撮像データの差分絶対値和演算を行い、前記演算の結果が規定値と同一でない場合に前
記トリガ信号を発生する回路である。また、アナログ処理回路は、減算回路、絶対値回路
及び加算回路を有する。
の撮像データの差分絶対値和演算を行い、前記演算の結果が規定値と同一でない場合に前
記トリガ信号を発生する回路である。また、アナログ処理回路は、減算回路、絶対値回路
及び加算回路を有する。
本発明の一態様の撮像装置が含むデジタル処理回路は、A/D変換回路を有する。
本発明の一態様の撮像装置は、一定時間が経過した場合に、前記第2のモードから前記第
1のモードに遷移する。
1のモードに遷移する。
本発明の一態様は、新規な構成の半導体装置等を提供することができる。
または本発明の一態様により、低消費電力な差分検知が可能な撮像装置を提供することが
できる。
できる。
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び/又は他の効果のうち、少なくとも一
つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した
効果を有さない場合もある。
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び/又は他の効果のうち、少なくとも一
つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した
効果を有さない場合もある。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御
するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、
IGFET(Insulated Gate Field Effect Transi
stor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)
を含む。
するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、
IGFET(Insulated Gate Field Effect Transi
stor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)
を含む。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの序数は、構成要素の混同
を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
なお、本明細書等において、XとYとが接続されている、と明示的に記載する場合は、X
とYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、X
とYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例
えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係
以外のものも含むものとする。
とYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、X
とYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例
えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係
以外のものも含むものとする。
ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など)であるとする。
、など)であるとする。
XとYとが電気的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。
能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。
XとYとが機能的に接続されている場合の一例としては、XとYとの機能的な接続を可能
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。
なお、XとYとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、XとYとが電
気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている場合
(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている場合
(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
なお、例えば、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1を介して(又は介
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
例えば、「XとYとトランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
なお図面におけるブロック図の各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定する
ものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路
ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている
場合もある。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するもの
であり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの
回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
ものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路
ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている
場合もある。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するもの
であり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの
回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
85°以上95°以下の場合も含まれる。
れている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
85°以上95°以下の場合も含まれる。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
。
(実施の形態1)
本発明の一態様の撮像装置の構成について、図1を用いて説明する。本発明の一態様の撮
像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素100(PIX100)を含む画素部1
05、アナログ処理回路101(Analog101)、デジタル処理回路であるA/D
変換回路102(ADC102)、列ドライバ103(CDRV103)及び行ドライバ
104(RDRV104)を有する。
本発明の一態様の撮像装置の構成について、図1を用いて説明する。本発明の一態様の撮
像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素100(PIX100)を含む画素部1
05、アナログ処理回路101(Analog101)、デジタル処理回路であるA/D
変換回路102(ADC102)、列ドライバ103(CDRV103)及び行ドライバ
104(RDRV104)を有する。
画素100は、光電変換素子としての機能を有するフォトダイオードと、少なくとも一つ
以上のトランジスタと、を有する。アナログ処理回路101は、各画素100から出力さ
れたアナログデータである撮像データに対してアナログデータ処理をする。より具体的に
は、各画素100から出力された撮像データに対して、差分絶対値和演算を行う。当該演
算の結果が規定の値と異なる場合はトリガ信号(TRIGと表記)を発生する。A/D変
換回路102は、各画素100から出力された撮像データをA/D変換によりデジタルデ
ータに変換する。A/D変換されたデジタルデータは、列ドライバ103により、順次デ
ータDATAとして外部に取り出される。列ドライバ103と行ドライバ104には、様
々な回路、例えば、デコーダやシフトレジスタ等が用いられる。
以上のトランジスタと、を有する。アナログ処理回路101は、各画素100から出力さ
れたアナログデータである撮像データに対してアナログデータ処理をする。より具体的に
は、各画素100から出力された撮像データに対して、差分絶対値和演算を行う。当該演
算の結果が規定の値と異なる場合はトリガ信号(TRIGと表記)を発生する。A/D変
換回路102は、各画素100から出力された撮像データをA/D変換によりデジタルデ
ータに変換する。A/D変換されたデジタルデータは、列ドライバ103により、順次デ
ータDATAとして外部に取り出される。列ドライバ103と行ドライバ104には、様
々な回路、例えば、デコーダやシフトレジスタ等が用いられる。
次に、本発明の一態様の撮像装置の動作について、図2、3を用いて説明する。
まず、第1のモードの動作について説明する(図2参照)。第1のモードでは、アナログ
処理回路101にて、アナログ処理である差分絶対値和演算が行われ、画素100が撮像
した第1の撮像データと、第2の撮像データとの差分を検出する。当該アナログ処理によ
り第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が無ければ、すなわち、トリガ信号が発
生しなければ、引き続きアナログ処理を行う。一方、当該アナログ処理により第1の撮像
データと第2の撮像データとの差分があれば、すなわち、トリガ信号が発生すれば、第2
のモードに遷移する。
処理回路101にて、アナログ処理である差分絶対値和演算が行われ、画素100が撮像
した第1の撮像データと、第2の撮像データとの差分を検出する。当該アナログ処理によ
り第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が無ければ、すなわち、トリガ信号が発
生しなければ、引き続きアナログ処理を行う。一方、当該アナログ処理により第1の撮像
データと第2の撮像データとの差分があれば、すなわち、トリガ信号が発生すれば、第2
のモードに遷移する。
また別の動作として、第1のモードでは、アナログ処理回路101にて、撮像データの差
分に応じた電流値と、基準電流値と、の比較が行なわれ、画素100が撮像した第1の撮
像データと、第2の撮像データとの差分を検出する。当該アナログ処理により第1の撮像
データと第2の撮像データとの差分が検出できないほど小さければ、すなわち、トリガ信
号が発生しなければ、引き続きアナログ処理を行う。一方、当該アナログ処理により第1
の撮像データと第2の撮像データとの差分があれば、すなわち、トリガ信号が発生すれば
、第2のモードに遷移する。
分に応じた電流値と、基準電流値と、の比較が行なわれ、画素100が撮像した第1の撮
像データと、第2の撮像データとの差分を検出する。当該アナログ処理により第1の撮像
データと第2の撮像データとの差分が検出できないほど小さければ、すなわち、トリガ信
号が発生しなければ、引き続きアナログ処理を行う。一方、当該アナログ処理により第1
の撮像データと第2の撮像データとの差分があれば、すなわち、トリガ信号が発生すれば
、第2のモードに遷移する。
例えば、第1の撮像データが木立の画像のデータ(図3(A1)参照)であり、第2の撮
像データも木立の画像のデータ(図3(A2)参照)である場合、その差分はゼロである
。よって、トリガ信号は発生しない。一方、第1の撮像データが木立の画像のデータ(図
3(B1)参照)であり、第2の撮像データは木立と人物の画像のデータ(図3(B2)
)である場合、その差分はゼロではないため、トリガ信号が発生する。そして、トリガ信
号の発生に伴い、撮像装置のモードは第1のモードから第2のモードに遷移する。なお、
図示した例では、第1の撮像データと第2の撮像データは同じ風景を撮像したものであり
、撮像した時間が異なるものである。そのため、第1の撮像データは第1の状態の撮像デ
ータと表記し、第2の撮像データは第2の状態の撮像データと表記する場合がある。
像データも木立の画像のデータ(図3(A2)参照)である場合、その差分はゼロである
。よって、トリガ信号は発生しない。一方、第1の撮像データが木立の画像のデータ(図
3(B1)参照)であり、第2の撮像データは木立と人物の画像のデータ(図3(B2)
)である場合、その差分はゼロではないため、トリガ信号が発生する。そして、トリガ信
号の発生に伴い、撮像装置のモードは第1のモードから第2のモードに遷移する。なお、
図示した例では、第1の撮像データと第2の撮像データは同じ風景を撮像したものであり
、撮像した時間が異なるものである。そのため、第1の撮像データは第1の状態の撮像デ
ータと表記し、第2の撮像データは第2の状態の撮像データと表記する場合がある。
続いて、第2のモードの動作について説明する(図2参照)。第2のモードでは、画素1
00が撮像した第3の撮像データをA/D変換してデジタルデータに変換する。例えば、
第3の撮像データが木立と人物の画像のデータである場合(図3(C)参照)、第3の撮
像データをデジタルデータに変換し、このデータに関する詳細の解析を実行することで、
データ内の人物の詳細な情報を取得することができる。なお、撮像データの解析には、コ
ンピュータの画像処理ソフトウェアを用いたデジタル処理を行えばよい。
00が撮像した第3の撮像データをA/D変換してデジタルデータに変換する。例えば、
第3の撮像データが木立と人物の画像のデータである場合(図3(C)参照)、第3の撮
像データをデジタルデータに変換し、このデータに関する詳細の解析を実行することで、
データ内の人物の詳細な情報を取得することができる。なお、撮像データの解析には、コ
ンピュータの画像処理ソフトウェアを用いたデジタル処理を行えばよい。
続いて、第2のモードから第1のモードに遷移するときの動作について説明する(図2の
ステップ110参照)。これは、あらかじめ条件を設定しておくことで行われる。例えば
、特定の期間が経過、あるいは、デジタル処理を終了する制御信号の入力、などの条件で
ある。この条件が満たされた場合に、第2のモードから第1のモードに遷移する。
ステップ110参照)。これは、あらかじめ条件を設定しておくことで行われる。例えば
、特定の期間が経過、あるいは、デジタル処理を終了する制御信号の入力、などの条件で
ある。この条件が満たされた場合に、第2のモードから第1のモードに遷移する。
上記構成を有する本発明の一態様の撮像装置において、第1のモードでは、膨大な電力を
消費するデジタル処理を行わず、また、トリガ信号を生成するための最低限のアナログ処
理を行うだけで良いため、消費電力を低減することができる。また、第2のモードでは、
デジタル処理により、トリガ信号が生成した原因、すなわち、第1の撮像データと第2の
撮像データとの違いを詳細に確認することができる。
(実施の形態2)
消費するデジタル処理を行わず、また、トリガ信号を生成するための最低限のアナログ処
理を行うだけで良いため、消費電力を低減することができる。また、第2のモードでは、
デジタル処理により、トリガ信号が生成した原因、すなわち、第1の撮像データと第2の
撮像データとの違いを詳細に確認することができる。
(実施の形態2)
本発明の一態様の撮像装置が含む画素100の構成について図4(A)を用いて説明する
。画素100は、トランジスタ111、トランジスタ112、トランジスタ113、トラ
ンジスタ114、トランジスタ115、容量121、容量122及びフォトダイオード1
23を有する。また、画素100は、電源線VPD、電源線VPR、電源線VC、電源線
VFR及び電源線VOから電位が供給され、信号線TX、信号線PR、信号線FR及び信
号線SELから制御信号が供給され、信号線OUTに画素100の撮像データが出力され
る。また、電荷保持ノードFD1に撮像データに対応する電荷が蓄積する。ここで、容量
121の容量値は、容量122の容量値とトランジスタ114のゲート容量の容量値との
和より大きい構成が好ましい。
。画素100は、トランジスタ111、トランジスタ112、トランジスタ113、トラ
ンジスタ114、トランジスタ115、容量121、容量122及びフォトダイオード1
23を有する。また、画素100は、電源線VPD、電源線VPR、電源線VC、電源線
VFR及び電源線VOから電位が供給され、信号線TX、信号線PR、信号線FR及び信
号線SELから制御信号が供給され、信号線OUTに画素100の撮像データが出力され
る。また、電荷保持ノードFD1に撮像データに対応する電荷が蓄積する。ここで、容量
121の容量値は、容量122の容量値とトランジスタ114のゲート容量の容量値との
和より大きい構成が好ましい。
トランジスタ111は、ゲートが信号線TXに、ソース又はドレインの一方がフォトダイ
オード123の一方の端子に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ112のソース
又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ112は、ゲートが信号線
PRに、ソース又はドレインの他方が電源線VPRに電気的に接続されている。トランジ
スタ113は、ゲートが信号線FRに、ソース又はドレインの一方が容量122の一方の
電極に、ソース又はドレインの他方が電源線VFRに電気的に接続されている。トランジ
スタ114は、ゲートが容量122の一方の電極に、ソース又はドレインの一方が電源線
VOに、ソース又はドレインの他方がトランジスタ115のソース又はドレインの一方に
電気的に接続されている。トランジスタ115は、ゲートが信号線SELに、ソース又は
ドレインの他方が信号線OUTに電気的に接続されている。容量121は、一方の電極が
トランジスタ111のソース又はドレインの他方とトランジスタ112のソース又はドレ
インの一方に電気的に接続され、他方の電極が容量122の一方の電極とトランジスタ1
13のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。容量122の他方の電極は
電源線VCに電気的に接続されている。フォトダイオード123の他方の端子は電源線V
PDに電気的に接続されている。
オード123の一方の端子に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ112のソース
又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ112は、ゲートが信号線
PRに、ソース又はドレインの他方が電源線VPRに電気的に接続されている。トランジ
スタ113は、ゲートが信号線FRに、ソース又はドレインの一方が容量122の一方の
電極に、ソース又はドレインの他方が電源線VFRに電気的に接続されている。トランジ
スタ114は、ゲートが容量122の一方の電極に、ソース又はドレインの一方が電源線
VOに、ソース又はドレインの他方がトランジスタ115のソース又はドレインの一方に
電気的に接続されている。トランジスタ115は、ゲートが信号線SELに、ソース又は
ドレインの他方が信号線OUTに電気的に接続されている。容量121は、一方の電極が
トランジスタ111のソース又はドレインの他方とトランジスタ112のソース又はドレ
インの一方に電気的に接続され、他方の電極が容量122の一方の電極とトランジスタ1
13のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。容量122の他方の電極は
電源線VCに電気的に接続されている。フォトダイオード123の他方の端子は電源線V
PDに電気的に接続されている。
画素100の動作について、図4(B)、図5を用いて説明する。ここで、例えば、電源
線VPDは低電位、電源線VPRは高電位、電源線VCは低電位、電源線VFRは高電位
、電源線VOは高電位とする。まず、第2のモードにおける動作について、図4(B)を
用いて説明する。
線VPDは低電位、電源線VPRは高電位、電源線VCは低電位、電源線VFRは高電位
、電源線VOは高電位とする。まず、第2のモードにおける動作について、図4(B)を
用いて説明する。
時刻T1乃至時刻T2において、信号線PRを”H”、信号線FRを”H”、信号線TX
を”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の電位は電源線VFRの電位(V1とす
る)に設定され、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2とする)に設定される
。時刻T2乃至時刻T3において、信号線PRを”L”、信号線FRを”L”、信号線T
Xを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードFD
2の電位は低下する。ここで、ノードFD2の電圧降下分をΔV2とすると、ノードFD
2の電位はV2-ΔV2となる。また、容量121(容量値C1)と、容量122(容量
値C2)とトランジスタ114のゲート容量(容量値Cg)との合成容量と、の容量結合
により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。ここで、電荷保持ノードFD1の電圧
降下分をΔV1とすると、ΔV1=ΔV2・C1/(C1+C2+Cg)=ΔV2・αで
あり、電荷保持ノードFD1の電位はV1-ΔV1となる。なお、フォトダイオード12
3に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。また、電荷保持ノードFD1
の電位も低下する。時刻T4乃至時刻T5において、信号線SELを”H”とする。この
時、電荷保持ノードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が
出力される。なお、電荷保持ノードFD1の電位が低いほど、信号線OUTの電位は低く
なる。すなわち、フォトダイオード123に照射する光が強い程、信号線OUTの電位は
低くなる。時刻T6乃至時刻T10についても、時刻T1乃至時刻T5と同様の説明がで
きる。
を”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の電位は電源線VFRの電位(V1とす
る)に設定され、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2とする)に設定される
。時刻T2乃至時刻T3において、信号線PRを”L”、信号線FRを”L”、信号線T
Xを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードFD
2の電位は低下する。ここで、ノードFD2の電圧降下分をΔV2とすると、ノードFD
2の電位はV2-ΔV2となる。また、容量121(容量値C1)と、容量122(容量
値C2)とトランジスタ114のゲート容量(容量値Cg)との合成容量と、の容量結合
により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。ここで、電荷保持ノードFD1の電圧
降下分をΔV1とすると、ΔV1=ΔV2・C1/(C1+C2+Cg)=ΔV2・αで
あり、電荷保持ノードFD1の電位はV1-ΔV1となる。なお、フォトダイオード12
3に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。また、電荷保持ノードFD1
の電位も低下する。時刻T4乃至時刻T5において、信号線SELを”H”とする。この
時、電荷保持ノードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が
出力される。なお、電荷保持ノードFD1の電位が低いほど、信号線OUTの電位は低く
なる。すなわち、フォトダイオード123に照射する光が強い程、信号線OUTの電位は
低くなる。時刻T6乃至時刻T10についても、時刻T1乃至時刻T5と同様の説明がで
きる。
次に、第1のモードにおける動作について、図5を用いて説明する。
時刻T01乃至時刻T06は、第1の状態での第1の撮像データを取得する期間に相当す
る。時刻T01乃至時刻T02において、信号線PRを”H”、信号線FRを”H”、信
号線TXを”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の電位は電源線VFRの電位(
V1)に設定され、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定される。時
刻T02乃至時刻T03において、信号線PRを”L”、信号線FRを”H”、信号線T
Xを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードFD
2の電位は低下する。ここで、ノードFD2の電圧降下分をΔV2とすると、ノードFD
2の電位はV2-ΔV2となる。なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、
ノードFD2の電位は低下する。なお、電荷保持ノードFD1の電位は変化しない。時刻
T03乃至時刻T04において、信号線PRを”L”、信号線FRを”L”、信号線TX
を”H”とする。なお、時刻T02乃至時刻T03の間隔と時刻T03乃至時刻T04の
間隔とはTで等しいとする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノ
ードFD2の電位は低下し、V2-2・ΔV2となる。また、容量121と、容量122
とトランジスタ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位
も低下する。ここで、電荷保持ノードFD1の電圧降下分をΔV1とすると、ΔV1=Δ
V2・αであり、電荷保持ノードFD1の電位はV1-ΔV1となる。なお、フォトダイ
オード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。また、電荷保持ノ
ードFD1の電位も低下する。なお、ここでは、時刻T02乃至時刻T03の間隔と時刻
T03乃至時刻T04の間隔とはTで等しいとしたが、時刻T02乃至時刻T03と時刻
T03乃至時刻T04におけるノードFD2の電圧降下分が等しくなるように設定するこ
とが本発明の一態様の本質である。したがって、上記条件を満たすように、時刻T02乃
至時刻T03と時刻T03乃至時刻T04の間隔を適宜調整する構成が好ましい。時刻T
05乃至時刻T06において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノードF
D1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。なお、電
荷保持ノードFD1の電位が低いほど、信号線OUTの電位は低くなる。すなわち、フォ
トダイオード123に照射する光が強い程、信号線OUTの電位は低くなる。
る。時刻T01乃至時刻T02において、信号線PRを”H”、信号線FRを”H”、信
号線TXを”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の電位は電源線VFRの電位(
V1)に設定され、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定される。時
刻T02乃至時刻T03において、信号線PRを”L”、信号線FRを”H”、信号線T
Xを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードFD
2の電位は低下する。ここで、ノードFD2の電圧降下分をΔV2とすると、ノードFD
2の電位はV2-ΔV2となる。なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、
ノードFD2の電位は低下する。なお、電荷保持ノードFD1の電位は変化しない。時刻
T03乃至時刻T04において、信号線PRを”L”、信号線FRを”L”、信号線TX
を”H”とする。なお、時刻T02乃至時刻T03の間隔と時刻T03乃至時刻T04の
間隔とはTで等しいとする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノ
ードFD2の電位は低下し、V2-2・ΔV2となる。また、容量121と、容量122
とトランジスタ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位
も低下する。ここで、電荷保持ノードFD1の電圧降下分をΔV1とすると、ΔV1=Δ
V2・αであり、電荷保持ノードFD1の電位はV1-ΔV1となる。なお、フォトダイ
オード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。また、電荷保持ノ
ードFD1の電位も低下する。なお、ここでは、時刻T02乃至時刻T03の間隔と時刻
T03乃至時刻T04の間隔とはTで等しいとしたが、時刻T02乃至時刻T03と時刻
T03乃至時刻T04におけるノードFD2の電圧降下分が等しくなるように設定するこ
とが本発明の一態様の本質である。したがって、上記条件を満たすように、時刻T02乃
至時刻T03と時刻T03乃至時刻T04の間隔を適宜調整する構成が好ましい。時刻T
05乃至時刻T06において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノードF
D1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。なお、電
荷保持ノードFD1の電位が低いほど、信号線OUTの電位は低くなる。すなわち、フォ
トダイオード123に照射する光が強い程、信号線OUTの電位は低くなる。
時刻T11乃至時刻T15は、第2の状態での第2の撮像データを取得する期間に相当す
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合に相当する。時刻
T11乃至時刻T12において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線TX
を”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定され
る。すなわち、時刻T02乃至時刻T04における電圧降下分(2・ΔV2)、電位が上
昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容量
結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(2・ΔV1)は、時刻
T03乃至時刻T04における電圧降下分の2倍に相当する。すなわち、電源線VFRの
電位(V1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位
(V1+ΔV1)となる。時刻T12乃至時刻T13において、信号線PRを”L”、信
号線FRを”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射
する光に応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトラ
ンジスタ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下
する。なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下
する。また、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合に相当する。時刻
T11乃至時刻T12において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線TX
を”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定され
る。すなわち、時刻T02乃至時刻T04における電圧降下分(2・ΔV2)、電位が上
昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容量
結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(2・ΔV1)は、時刻
T03乃至時刻T04における電圧降下分の2倍に相当する。すなわち、電源線VFRの
電位(V1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位
(V1+ΔV1)となる。時刻T12乃至時刻T13において、信号線PRを”L”、信
号線FRを”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射
する光に応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトラ
ンジスタ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下
する。なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下
する。また、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。
ここで、時刻T12乃至時刻T13の間隔をTとし、時刻T02乃至時刻T04と同強度
の光がフォトダイオード123に照射しているものとすると、ノードFD2の電圧降下分
は時刻T03乃至時刻T04での降下分ΔV2に等しい。また、電荷保持ノードFD1の
電圧降下分も時刻T03乃至時刻T04での降下分ΔV1に等しい。したがって、電荷保
持ノードFD1の電位は、V1になる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データと
の差分がゼロに対応する。
の光がフォトダイオード123に照射しているものとすると、ノードFD2の電圧降下分
は時刻T03乃至時刻T04での降下分ΔV2に等しい。また、電荷保持ノードFD1の
電圧降下分も時刻T03乃至時刻T04での降下分ΔV1に等しい。したがって、電荷保
持ノードFD1の電位は、V1になる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データと
の差分がゼロに対応する。
時刻T14乃至時刻T15において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノ
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合の電
位になる。
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合の電
位になる。
時刻T21乃至時刻T25は、第2の状態での第2の撮像データを取得する期間に相当す
る。特に、時刻T11乃至時刻T15と同様に第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分がゼロの場合に相当する。
る。特に、時刻T11乃至時刻T15と同様に第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分がゼロの場合に相当する。
時刻T31乃至時刻T35は、第2の状態での第2の撮像データを取得する期間に相当す
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(負)の場合に相当する
。時刻T31乃至時刻T32において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号
線TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設
定される。すなわち、時刻T12乃至時刻T13における電圧降下分(ΔV2)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1)は、時刻T
12乃至時刻T13における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(V
1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1+
ΔV1)となる。時刻T32乃至時刻T33において、信号線PRを”L”、信号線FR
を”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に
応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジスタ
114のゲート容量との容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。なお
、フォトダイオード123に照射する光は、時刻T12乃至時刻T13に照射した光より
強いとする。ここで、時刻T32乃至時刻T33の間隔をTとすると、ノードFD2の電
圧降下分(ΔV2’)は時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV2)より大きい(Δ
V2’>ΔV2)。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分(ΔV1’=ΔV2’・α
)も時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV1)より大きい(ΔV1’>ΔV1)。
したがって、電荷保持ノードFD1の電位(V1+ΔV1-ΔV1’)は、電源線VFR
の電位(V1)より低いことになる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分が有限(負)に対応する。
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(負)の場合に相当する
。時刻T31乃至時刻T32において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号
線TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設
定される。すなわち、時刻T12乃至時刻T13における電圧降下分(ΔV2)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1)は、時刻T
12乃至時刻T13における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(V
1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1+
ΔV1)となる。時刻T32乃至時刻T33において、信号線PRを”L”、信号線FR
を”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に
応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジスタ
114のゲート容量との容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。なお
、フォトダイオード123に照射する光は、時刻T12乃至時刻T13に照射した光より
強いとする。ここで、時刻T32乃至時刻T33の間隔をTとすると、ノードFD2の電
圧降下分(ΔV2’)は時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV2)より大きい(Δ
V2’>ΔV2)。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分(ΔV1’=ΔV2’・α
)も時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV1)より大きい(ΔV1’>ΔV1)。
したがって、電荷保持ノードFD1の電位(V1+ΔV1-ΔV1’)は、電源線VFR
の電位(V1)より低いことになる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分が有限(負)に対応する。
時刻T34乃至時刻T35において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノ
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、時刻T24乃至時刻T25における当該信号の電位より低く、第
1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(負)の場合の電位になる。
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、時刻T24乃至時刻T25における当該信号の電位より低く、第
1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(負)の場合の電位になる。
時刻T41乃至時刻T45は、第2の状態での第2の撮像データを取得する期間に相当す
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が再びゼロの場合に相当する。
時刻T41乃至時刻T42において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線
TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定
される。すなわち、時刻T32乃至時刻T33における電圧降下分(ΔV2’)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1’)は、時刻
T32乃至時刻T33における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(
V1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1
+ΔV1)となる。時刻T42乃至時刻T43において、信号線PRを”L”、信号線F
Rを”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光
に応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジス
タ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。
なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。
また、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。ここで、時刻T42乃至時刻T43の間
隔をTとし、時刻T02乃至時刻T04と同強度の光がフォトダイオード123に照射し
ているものとすると、ノードFD2の電圧降下分は時刻T03乃至時刻T04での降下分
ΔV2に等しい。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分も時刻T03乃至時刻T04
での降下分ΔV1に等しい。したがって、電荷保持ノードFD1の電位は、V1になる。
これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロに対応する。時刻T44乃
至時刻T45において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の
電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。なお、当該信号
の電位は、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合の電位になる。
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が再びゼロの場合に相当する。
時刻T41乃至時刻T42において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線
TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設定
される。すなわち、時刻T32乃至時刻T33における電圧降下分(ΔV2’)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1’)は、時刻
T32乃至時刻T33における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(
V1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1
+ΔV1)となる。時刻T42乃至時刻T43において、信号線PRを”L”、信号線F
Rを”L”、信号線TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光
に応じて、ノードFD2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジス
タ114のゲート容量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。
なお、フォトダイオード123に照射する光が強い程、ノードFD2の電位は低下する。
また、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。ここで、時刻T42乃至時刻T43の間
隔をTとし、時刻T02乃至時刻T04と同強度の光がフォトダイオード123に照射し
ているものとすると、ノードFD2の電圧降下分は時刻T03乃至時刻T04での降下分
ΔV2に等しい。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分も時刻T03乃至時刻T04
での降下分ΔV1に等しい。したがって、電荷保持ノードFD1の電位は、V1になる。
これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロに対応する。時刻T44乃
至時刻T45において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノードFD1の
電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。なお、当該信号
の電位は、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分がゼロの場合の電位になる。
時刻T51乃至時刻T55は、第2の状態での第2の撮像データを取得する期間に相当す
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(正)の場合に相当する
。時刻T51乃至時刻T52において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号
線TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設
定される。すなわち、時刻T42乃至時刻T43における電圧降下分(ΔV2)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1)は、時刻T
42乃至時刻T43における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(V
1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1+
ΔV1)となる。
る。特に、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(正)の場合に相当する
。時刻T51乃至時刻T52において、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号
線TXを”H”とする。この時、ノードFD2の電位は電源線VPRの電位(V2)に設
定される。すなわち、時刻T42乃至時刻T43における電圧降下分(ΔV2)、電位が
上昇する。一方、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容量と、の容
量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も上昇するが、上昇分(ΔV1)は、時刻T
42乃至時刻T43における電圧降下分に相当する。すなわち、電源線VFRの電位(V
1)に、時刻T03乃至時刻T04における電圧降下分(ΔV1)を加えた電位(V1+
ΔV1)となる。
時刻T52乃至時刻T53において、信号線PRを”L”、信号線FRを”L”、信号線
TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードF
D2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容
量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。なお、フォトダイオ
ード123に照射する光は、時刻T12乃至時刻T13に照射した光より弱いとする。
TXを”H”とする。この時、フォトダイオード123に照射する光に応じて、ノードF
D2の電位は低下し、また、容量121と、容量122とトランジスタ114のゲート容
量と、の容量結合により、電荷保持ノードFD1の電位も低下する。なお、フォトダイオ
ード123に照射する光は、時刻T12乃至時刻T13に照射した光より弱いとする。
ここで、時刻T52乃至時刻T53の間隔をTとすると、ノードFD2の電圧降下分(Δ
V2’’)は時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV2)より小さい(ΔV2’’<
ΔV2)。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分(ΔV1’’=ΔV2’’・α)も
時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV1)より小さい(ΔV1’’<ΔV1)。し
たがって、電荷保持ノードFD1の電位(V1+ΔV1-ΔV1’’)は、電源線VFR
の電位(V1)より高いことになる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分が有限(正)に対応する。
V2’’)は時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV2)より小さい(ΔV2’’<
ΔV2)。また、電荷保持ノードFD1の電圧降下分(ΔV1’’=ΔV2’’・α)も
時刻T12乃至時刻T13での降下分(ΔV1)より小さい(ΔV1’’<ΔV1)。し
たがって、電荷保持ノードFD1の電位(V1+ΔV1-ΔV1’’)は、電源線VFR
の電位(V1)より高いことになる。これは、第1の撮像データと第2の撮像データとの
差分が有限(正)に対応する。
時刻T54乃至時刻T55において、信号線SELを”H”とする。この時、電荷保持ノ
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、時刻T24乃至時刻T25における当該信号の電位より高く、第
1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(正)の場合の電位になる。
ードFD1の電位に応じて、信号線OUTに撮像データに対応する信号が出力される。な
お、当該信号の電位は、時刻T24乃至時刻T25における当該信号の電位より高く、第
1の撮像データと第2の撮像データとの差分が有限(正)の場合の電位になる。
なお、本実施の形態では、時刻T05乃至時刻T06において、第1の撮像データを出力
する場合について説明したが、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分データが取
得できれば十分な場合、すなわち、第1の撮像データを出力する必要が無い場合は、時刻
T03乃至時刻T06の動作を省略することが可能である。時刻T03乃至時刻T06の
動作を省略した場合の動作は次のようになる。すなわち、時刻T11乃至時刻T12にお
いて、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線TXを”H”とした時、ノード
FD2の電位は時刻T03における電位V2-ΔV2から電位V2に設定される。また、
電荷保持ノードFD1の電位は時刻T03における電位V1から電位V1+ΔV1に上昇
する。なお、時刻T12以降の動作は、上記と同様に説明できる。
する場合について説明したが、第1の撮像データと第2の撮像データとの差分データが取
得できれば十分な場合、すなわち、第1の撮像データを出力する必要が無い場合は、時刻
T03乃至時刻T06の動作を省略することが可能である。時刻T03乃至時刻T06の
動作を省略した場合の動作は次のようになる。すなわち、時刻T11乃至時刻T12にお
いて、信号線PRを”H”、信号線FRを”L”、信号線TXを”H”とした時、ノード
FD2の電位は時刻T03における電位V2-ΔV2から電位V2に設定される。また、
電荷保持ノードFD1の電位は時刻T03における電位V1から電位V1+ΔV1に上昇
する。なお、時刻T12以降の動作は、上記と同様に説明できる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態3)
(実施の形態3)
本発明の一態様の撮像装置が含むアナログ処理回路の構成の一例について図6を用いて説
明する。アナログ処理回路は、減算回路SUB[1]乃至SUB[n]、絶対値回路AB
S[1]乃至ABS[n]、加算回路SUMを有する。
明する。アナログ処理回路は、減算回路SUB[1]乃至SUB[n]、絶対値回路AB
S[1]乃至ABS[n]、加算回路SUMを有する。
減算回路SUB[1]乃至減算回路SUB[n]は、各々画素の信号線OUT[1]乃至
信号線OUT[n]の電位と参照電位VREFとの減算を行う。参照電位VREFは、画
素100と等価のダミー回路を用意し、電荷保持ノードFD1の電位をVFRとした時の
信号線OUTの電位とすることで、生成することができる。減算回路SUB[1]乃至減
算回路SUB[n]は、各々OPアンプOP0、抵抗R01乃至抵抗R04を有する。こ
こで、減算回路SUB[1]について、信号線OUT[1]の電位をV10、VREFの
電位をV20とする。また、抵抗R01乃至抵抗R04の抵抗値を下記の式(1)、(2
)を満たすように設定する。
信号線OUT[n]の電位と参照電位VREFとの減算を行う。参照電位VREFは、画
素100と等価のダミー回路を用意し、電荷保持ノードFD1の電位をVFRとした時の
信号線OUTの電位とすることで、生成することができる。減算回路SUB[1]乃至減
算回路SUB[n]は、各々OPアンプOP0、抵抗R01乃至抵抗R04を有する。こ
こで、減算回路SUB[1]について、信号線OUT[1]の電位をV10、VREFの
電位をV20とする。また、抵抗R01乃至抵抗R04の抵抗値を下記の式(1)、(2
)を満たすように設定する。
R01=R04 (1)
R04/R01=R03/R02 (2)
そうすると、減算回路SUB[1]の出力は、下記式(3)を満たす。
V0=V20-V10 (3)
なお、減算回路SUB[2]乃至減算回路SUB[n]の出力についても同様に説明でき
る。
る。
絶対値回路ABS[1]乃至絶対値回路ABS[n]は、減算回路SUB[1]乃至減算
回路SUB[n]の出力の絶対値を各々出力する。絶対値回路ABS[1]乃至絶対値回
路ABS[n]は、各々OPアンプOP11、OPアンプOP12、抵抗R11乃至抵抗
R15、ダイオードD11、ダイオードD12を有する。ここで、絶対値回路ABS[1
]について、入力信号を電位V10’とし、R11=R12、R13×2=R14=R1
5となるように抵抗値を設定すると、絶対値回路ABS[1]の出力は|V10’|とな
る。
回路SUB[n]の出力の絶対値を各々出力する。絶対値回路ABS[1]乃至絶対値回
路ABS[n]は、各々OPアンプOP11、OPアンプOP12、抵抗R11乃至抵抗
R15、ダイオードD11、ダイオードD12を有する。ここで、絶対値回路ABS[1
]について、入力信号を電位V10’とし、R11=R12、R13×2=R14=R1
5となるように抵抗値を設定すると、絶対値回路ABS[1]の出力は|V10’|とな
る。
なお、絶対値回路ABS[2]乃至絶対値回路ABS[n]の出力についても同様に説明
できる。
できる。
加算回路SUMは、絶対値回路ABS[1]乃至絶対値回路ABS[n]の出力の和を出
力する。加算回路SUMは、OPアンプOP21、OPアンプOP22、抵抗R21乃至
抵抗R2n、抵抗R31乃至抵抗R33を有する。ここで、絶対値回路ABS[1]乃至
絶対値回路ABS[n]の各々の出力の電位をV10’’乃至Vn0’’とし、R21=
(中略)=R2n=R31、R32=R33となるように抵抗値を設定すると、加算回路
SUMの出力は、V10’’+(中略)+ Vn0’’、となる。これをトリガ信号TR
IGとすると、第1の撮像データと第2の撮像データが同一の場合、TRIG=0となる
。一方、第1の撮像データと第2の撮像データが異なる場合、TRIG=1となる。
力する。加算回路SUMは、OPアンプOP21、OPアンプOP22、抵抗R21乃至
抵抗R2n、抵抗R31乃至抵抗R33を有する。ここで、絶対値回路ABS[1]乃至
絶対値回路ABS[n]の各々の出力の電位をV10’’乃至Vn0’’とし、R21=
(中略)=R2n=R31、R32=R33となるように抵抗値を設定すると、加算回路
SUMの出力は、V10’’+(中略)+ Vn0’’、となる。これをトリガ信号TR
IGとすると、第1の撮像データと第2の撮像データが同一の場合、TRIG=0となる
。一方、第1の撮像データと第2の撮像データが異なる場合、TRIG=1となる。
以上のような構成とすることで、低消費電力な差分検知が可能な撮像装置を提供すること
ができる。
ができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態4)
本発明の一態様の撮像装置が含むアナログ処理回路の構成の一例について図7を用いて説
明する。アナログ処理回路は、トランジスタ136、トランジスタ137、トランジスタ
138、トランジスタ139、トランジスタ140、トランジスタ141、トランジスタ
142、トランジスタ143、トランジスタ144、トランジスタ145、トランジスタ
146、トランジスタ147、トランジスタ148、容量149、コンパレータCMP+
、コンパレータCMP-、から構成される。参照電位線Vref+、参照電位線Vref
-の電位は適宜設定する。
本発明の一態様の撮像装置が含むアナログ処理回路の構成の一例について図7を用いて説
明する。アナログ処理回路は、トランジスタ136、トランジスタ137、トランジスタ
138、トランジスタ139、トランジスタ140、トランジスタ141、トランジスタ
142、トランジスタ143、トランジスタ144、トランジスタ145、トランジスタ
146、トランジスタ147、トランジスタ148、容量149、コンパレータCMP+
、コンパレータCMP-、から構成される。参照電位線Vref+、参照電位線Vref
-の電位は適宜設定する。
図8は、アナログ処理回路の動作を示すタイミングチャートである。
時刻T61乃至時刻T62において、信号線ABUを”H”、信号線AOPを”L”、信
号線ATCを”H”とする。また、信号線FRを”H”、信号線SEL[x]を”H”と
する。なお信号線SEL[x]は、任意の行(第x行;xはm以下の自然数)の信号線S
ELである。この時、第y列の信号線OUT[y](yはn以下の自然数)に供給される
電流は、第x行における各画素PIXのトランジスタ114のゲート電位をVFRとした
時の電流量、すなわち、初期フレームの撮像データと現フレームの撮像データとで差分が
ゼロの時の電流量I0[y]になる。この電流量I0[y]は、(第y列の)基準電流量
という場合もある。なお、各列の基準電流量にあたる電流量I0[1]乃至電流量I0[
n]は常に同じではないが、以下の議論で明らかなように、電流量I0[1]乃至電流量
I0[n]の個々の値は、回路の動作に直接影響しない。したがって、以後、電流量I0
[1]乃至電流量I0[n]はすべて電流量I0と表記する。
号線ATCを”H”とする。また、信号線FRを”H”、信号線SEL[x]を”H”と
する。なお信号線SEL[x]は、任意の行(第x行;xはm以下の自然数)の信号線S
ELである。この時、第y列の信号線OUT[y](yはn以下の自然数)に供給される
電流は、第x行における各画素PIXのトランジスタ114のゲート電位をVFRとした
時の電流量、すなわち、初期フレームの撮像データと現フレームの撮像データとで差分が
ゼロの時の電流量I0[y]になる。この電流量I0[y]は、(第y列の)基準電流量
という場合もある。なお、各列の基準電流量にあたる電流量I0[1]乃至電流量I0[
n]は常に同じではないが、以下の議論で明らかなように、電流量I0[1]乃至電流量
I0[n]の個々の値は、回路の動作に直接影響しない。したがって、以後、電流量I0
[1]乃至電流量I0[n]はすべて電流量I0と表記する。
トランジスタ136を介して流れる電流Ip[1]乃至電流Ip[n]は電流量I0に等
しく、また、電流Ic[1]乃至電流Ic[n]も電流量I0に等しい。さらに、トラン
ジスタ138により、ドレインとゲートを接続されたトランジスタ137に流れる電流も
電流量I0に等しい。特に、容量149に充電される電位は、電流量I0を流すのに必要
なゲート電圧に相当する電位に設定される。
しく、また、電流Ic[1]乃至電流Ic[n]も電流量I0に等しい。さらに、トラン
ジスタ138により、ドレインとゲートを接続されたトランジスタ137に流れる電流も
電流量I0に等しい。特に、容量149に充電される電位は、電流量I0を流すのに必要
なゲート電圧に相当する電位に設定される。
時刻T63乃至時刻T64において、信号線ABUを”H”、信号線AOPを”H”、信
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[1]を”H”とする。この時、第1の行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第1の行における各画素の差分データはゼロとすると、各列の
信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n]に供給される電流はI0、トランジスタ13
6を介して流れる電流Ip[1]乃至電流Ip[n]はI0に等しく、また、電流Ic[
1]乃至電流Ic[n]も電流量I0に等しい。
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[1]を”H”とする。この時、第1の行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第1の行における各画素の差分データはゼロとすると、各列の
信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n]に供給される電流はI0、トランジスタ13
6を介して流れる電流Ip[1]乃至電流Ip[n]はI0に等しく、また、電流Ic[
1]乃至電流Ic[n]も電流量I0に等しい。
時刻T64乃至時刻T65において、信号線ABUを”H”、信号線AOPを”H”、信
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[2]を”H”とする。この時、第2の行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第2の行における各画素の差分データは有限(負)とし、第y
列の信号線OUT[y]に供給される電流を(I0-ΔIy)とすると、第y列のトラン
ジスタ136を介して流れる電流Ip[y]は(I0-ΔIy)に等しく、また、電流I
c[y]は電流量I0に等しいため、第y列のトランジスタ139とトランジスタ140
を介して、電流ΔIyが流れることになる。
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[2]を”H”とする。この時、第2の行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第2の行における各画素の差分データは有限(負)とし、第y
列の信号線OUT[y]に供給される電流を(I0-ΔIy)とすると、第y列のトラン
ジスタ136を介して流れる電流Ip[y]は(I0-ΔIy)に等しく、また、電流I
c[y]は電流量I0に等しいため、第y列のトランジスタ139とトランジスタ140
を介して、電流ΔIyが流れることになる。
ここで、各列のトランジスタ140に電流ΔI1乃至電流ΔInを流すためには、これら
の和に相当する電流 I-を供給する必要がある。ここで、コンパレータCMP-とトラ
ンジスタ142の働きにより、当該電流 I-が供給される。すなわち、各列のトランジ
スタ140に流れる電流の和がI-より少ない(多い)場合は、コンパレータCMP-の
+端子の電位が下がる(上がる)ことになり、コンパレータCMP-の出力は低下(上昇
)する。すなわち、トランジスタ142のゲート電圧が低下(上昇)し、より多い(少な
い)電流 I-を供給することができるようになる。
の和に相当する電流 I-を供給する必要がある。ここで、コンパレータCMP-とトラ
ンジスタ142の働きにより、当該電流 I-が供給される。すなわち、各列のトランジ
スタ140に流れる電流の和がI-より少ない(多い)場合は、コンパレータCMP-の
+端子の電位が下がる(上がる)ことになり、コンパレータCMP-の出力は低下(上昇
)する。すなわち、トランジスタ142のゲート電圧が低下(上昇)し、より多い(少な
い)電流 I-を供給することができるようになる。
さらに、トランジスタ142のゲートと同電位がトランジスタ143に印加されるため、
トランジスタ142に対するトランジスタ143のW/L比(n1)倍した電流n1・I
-がトランジスタ143に流れる。また、トランジスタ148とトランジスタ143とで
構成されるバッファにより、信号TRIGが”H”となる。なおトランジスタ148は、
ゲートにバイアス電圧biasが与えられる。
トランジスタ142に対するトランジスタ143のW/L比(n1)倍した電流n1・I
-がトランジスタ143に流れる。また、トランジスタ148とトランジスタ143とで
構成されるバッファにより、信号TRIGが”H”となる。なおトランジスタ148は、
ゲートにバイアス電圧biasが与えられる。
時刻T66乃至時刻T67において、信号線ABUを”H”、信号線AOPを”H”、信
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[m]を”H”とする。この時、第mの行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第mの行における各画素の差分データは、第1列が有限(正)
、第2列が有限(正)、第n列が有限(負)、その他の列がゼロとし、各列の信号線OU
T[1]、信号線OUT[2]、信号線OUT[n]に供給される電流が(I0+ΔI1
)、(I0+ΔI2)、(I0-ΔIn)とすると、トランジスタ136を介して流れる
電流Ip[1]、電流Ip[2]、電流Ip[n]は(I0+ΔI1)、(I0+ΔI2
)、(I0-ΔIn)に等しく、また、電流Ic[1]乃至電流Ic[n]は電流量I0
に等しいため、第1列、第2列のトランジスタ139とトランジスタ140を介して、電
流ΔI1、ΔI2が流れ、第n列のトランジスタ139とトランジスタ141を介して、
電流ΔInが流れることになる。
号線ATCを”L”とし、信号線SEL[m]を”H”とする。この時、第mの行におけ
る各画素の差分データに相当する電流が各列の信号線OUT[1]乃至信号線OUT[n
]に供給される。ここで、第mの行における各画素の差分データは、第1列が有限(正)
、第2列が有限(正)、第n列が有限(負)、その他の列がゼロとし、各列の信号線OU
T[1]、信号線OUT[2]、信号線OUT[n]に供給される電流が(I0+ΔI1
)、(I0+ΔI2)、(I0-ΔIn)とすると、トランジスタ136を介して流れる
電流Ip[1]、電流Ip[2]、電流Ip[n]は(I0+ΔI1)、(I0+ΔI2
)、(I0-ΔIn)に等しく、また、電流Ic[1]乃至電流Ic[n]は電流量I0
に等しいため、第1列、第2列のトランジスタ139とトランジスタ140を介して、電
流ΔI1、ΔI2が流れ、第n列のトランジスタ139とトランジスタ141を介して、
電流ΔInが流れることになる。
ここで、第1列、第2列のトランジスタ140に電流ΔI1、ΔI2を流すためには、こ
れらの和に相当する電流 I-=ΔI1+ΔI2を供給する必要がある。ここで、コンパ
レータCMP-とトランジスタ142の働きにより、当該電流 I-が供給される。すな
わち、各列のトランジスタ140に流れる電流がΔIより少ない(多い)場合は、コンパ
レータCMP-の+端子の電位が下がる(上がる)ことになり、コンパレータCMP-の
出力は低下(上昇)する。すなわち、トランジスタ142のゲート電圧が低下(上昇)し
、より多い(少ない)電流 I-を供給することができるようになる。
れらの和に相当する電流 I-=ΔI1+ΔI2を供給する必要がある。ここで、コンパ
レータCMP-とトランジスタ142の働きにより、当該電流 I-が供給される。すな
わち、各列のトランジスタ140に流れる電流がΔIより少ない(多い)場合は、コンパ
レータCMP-の+端子の電位が下がる(上がる)ことになり、コンパレータCMP-の
出力は低下(上昇)する。すなわち、トランジスタ142のゲート電圧が低下(上昇)し
、より多い(少ない)電流 I-を供給することができるようになる。
また、第n列のトランジスタ141に電流ΔInを流すためには、電流 I+=ΔInを
流す必要がある。ここで、コンパレータCMP+とトランジスタ144の働きにより、当
該電流I+が流せる。すなわち、第n列のトランジスタ141に流れる電流がΔInより
少ない(多い)場合は、コンパレータCMP+の+端子の電位が上がる(下がる)ことに
なり、コンパレータCMP+の出力は上昇(低下)する。すなわち、トランジスタ144
のゲート電圧が上昇(低下)し、より多い(少ない)電流 I+を流すことができるよう
になる。
流す必要がある。ここで、コンパレータCMP+とトランジスタ144の働きにより、当
該電流I+が流せる。すなわち、第n列のトランジスタ141に流れる電流がΔInより
少ない(多い)場合は、コンパレータCMP+の+端子の電位が上がる(下がる)ことに
なり、コンパレータCMP+の出力は上昇(低下)する。すなわち、トランジスタ144
のゲート電圧が上昇(低下)し、より多い(少ない)電流 I+を流すことができるよう
になる。
また、トランジスタ142のゲートと同電位がトランジスタ143に印加されるため、ト
ランジスタ142に対するトランジスタ143のW/L比(n1)倍した電流n1・I-
がトランジスタ143に流れる。
ランジスタ142に対するトランジスタ143のW/L比(n1)倍した電流n1・I-
がトランジスタ143に流れる。
さらに、トランジスタ144のゲートと同電位がトランジスタ145に印加されるため、
トランジスタ144に対するトランジスタ145のW/L比(n2)倍した電流n2・I
+がトランジスタ145に流れる。トランジスタ145に流れる電流がトランジスタ14
6にも流れ、さらに、トランジスタ146に対するトランジスタ147のW/L比(n3
)倍した電流n3・n2・I+がトランジスタ147に流れる。トランジスタ148とト
ランジスタ143とトランジスタ147とで構成されるバッファにより、信号TRIGが
”H”となる。
トランジスタ144に対するトランジスタ145のW/L比(n2)倍した電流n2・I
+がトランジスタ145に流れる。トランジスタ145に流れる電流がトランジスタ14
6にも流れ、さらに、トランジスタ146に対するトランジスタ147のW/L比(n3
)倍した電流n3・n2・I+がトランジスタ147に流れる。トランジスタ148とト
ランジスタ143とトランジスタ147とで構成されるバッファにより、信号TRIGが
”H”となる。
以上のような構成とすることで、低消費電力な差分検知が可能な撮像装置を提供すること
ができる。
ができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した画素の変形例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した画素の変形例について説明する。
図9(A)には、図4(A)の回路図における、トランジスタの半導体層を酸化物半導体
とする回路図の変形例を示す。図9(A)に示す画素100Aでは、トランジスタ111
乃至115は、酸化物半導体を半導体層に有する構成としている。
とする回路図の変形例を示す。図9(A)に示す画素100Aでは、トランジスタ111
乃至115は、酸化物半導体を半導体層に有する構成としている。
なお回路図において、酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタ(OSトランジスタ
ともいう)であることを明示するために、酸化物半導体を用いたトランジスタの回路記号
に「OS」の記載を付している。
ともいう)であることを明示するために、酸化物半導体を用いたトランジスタの回路記号
に「OS」の記載を付している。
OSトランジスタは、極めて低いオフ電流特性を有するといった特性を有する。そのため
、撮像のダイナミックレンジを拡大することができる。図9(A)に示す回路図では、フ
ォトダイオード123に入射される光の強度が大きいときに電荷保持ノードFD1の電位
が小さくなる。OSトランジスタは極めて低いオフ電流特性を有するため、ゲート電位が
極めて小さい場合においても当該ゲート電位に応じた電流を正確に出力することができる
。したがって、検出することのできる照度のレンジ、すなわちダイナミックレンジを広げ
ることができる。
、撮像のダイナミックレンジを拡大することができる。図9(A)に示す回路図では、フ
ォトダイオード123に入射される光の強度が大きいときに電荷保持ノードFD1の電位
が小さくなる。OSトランジスタは極めて低いオフ電流特性を有するため、ゲート電位が
極めて小さい場合においても当該ゲート電位に応じた電流を正確に出力することができる
。したがって、検出することのできる照度のレンジ、すなわちダイナミックレンジを広げ
ることができる。
また、OSトランジスタは極めて低いオフ電流特性を有するため、電荷保持ノードFD1
が電荷を保持できる期間を極めて長くすることができることから、回路構成や動作方法を
複雑にすることなくグローバルシャッタ方式を適用することができる。したがって、動体
であっても歪の小さい画像を容易に得ることができる。また、同様の理由により露光時間
(電荷の蓄積動作を行う期間)を長くすることもできることから、低照度環境における撮
像にも適する。
が電荷を保持できる期間を極めて長くすることができることから、回路構成や動作方法を
複雑にすることなくグローバルシャッタ方式を適用することができる。したがって、動体
であっても歪の小さい画像を容易に得ることができる。また、同様の理由により露光時間
(電荷の蓄積動作を行う期間)を長くすることもできることから、低照度環境における撮
像にも適する。
また、OSトランジスタは、Siトランジスタよりも電気特性変動の温度依存性が小さい
。そのため、極めて広い温度範囲で使用することができる。したがって、OSトランジス
タを有する撮像装置および半導体装置は、自動車、航空機、宇宙機などへの搭載にも適し
ている。
。そのため、極めて広い温度範囲で使用することができる。したがって、OSトランジス
タを有する撮像装置および半導体装置は、自動車、航空機、宇宙機などへの搭載にも適し
ている。
また図9(B)には、図9(A)をさらに変形した画素100Bの回路図の変形例を示す
。図9(B)に示す画素100Bでは、トランジスタ114、115を、シリコンを半導
体層に有する構成としている。
。図9(B)に示す画素100Bでは、トランジスタ114、115を、シリコンを半導
体層に有する構成としている。
なお回路図において、シリコンを半導体層に有するトランジスタ(Siトランジスタとも
いう)であることを明示するために、シリコンを用いたトランジスタの回路記号に「Si
」の記載を付している。
いう)であることを明示するために、シリコンを用いたトランジスタの回路記号に「Si
」の記載を付している。
Siトランジスタは、OSトランジスタに比べて優れた電界効果移動度を有するといった
特性を有する。そのため、増幅トランジスタとして機能するトランジスタに流れる電流量
を増やすことができる。例えば、図9(B)において電荷保持ノードFD1に蓄積された
電荷に応じて、トランジスタ114、115に流れる電流量を増やすことができる。
特性を有する。そのため、増幅トランジスタとして機能するトランジスタに流れる電流量
を増やすことができる。例えば、図9(B)において電荷保持ノードFD1に蓄積された
電荷に応じて、トランジスタ114、115に流れる電流量を増やすことができる。
また図10には、図4(A)の回路図における、フォトダイオード123をセンサ123
Aとする画素100Cの回路図を示す。
Aとする画素100Cの回路図を示す。
センサ123Aとしては、与えられる物理量を、素子を流れる電流量に変換できる素子で
あることが好ましい。あるいは、与えられる物理量を一度別の物理量に変換した上で、素
子を流れる電流量に変換できる素子であることが好ましい。
あることが好ましい。あるいは、与えられる物理量を一度別の物理量に変換した上で、素
子を流れる電流量に変換できる素子であることが好ましい。
センサ123Aにはさまざまなセンサを用いることができる。例えば、センサ123Aと
して、温度センサ、光センサ、ガスセンサ、炎センサ、煙センサ、湿度センサ、圧力セン
サ、流量センサ、振動センサ、音声センサ、磁気センサ、放射線センサ、匂いセンサ、花
粉センサ、加速度センサ、傾斜角センサ、ジャイロセンサ、方位センサ、電力センサなど
を用いることができる。
して、温度センサ、光センサ、ガスセンサ、炎センサ、煙センサ、湿度センサ、圧力セン
サ、流量センサ、振動センサ、音声センサ、磁気センサ、放射線センサ、匂いセンサ、花
粉センサ、加速度センサ、傾斜角センサ、ジャイロセンサ、方位センサ、電力センサなど
を用いることができる。
例えば、センサ123Aとして、光センサを用いる場合は、上述したフォトダイオードや
、フォトトランジスタを用いることが可能である。
、フォトトランジスタを用いることが可能である。
また、センサ123Aとして、ガスセンサを用いる場合は、酸化スズなどの金属酸化物半
導体にガスが吸着することによる抵抗の変化を検出する半導体式ガスセンサ、接触燃焼式
ガスセンサ、固体電解質式ガスセンサなどを用いることが可能である。
導体にガスが吸着することによる抵抗の変化を検出する半導体式ガスセンサ、接触燃焼式
ガスセンサ、固体電解質式ガスセンサなどを用いることが可能である。
また図15(A)には、図4(A)の回路図におけるフォトダイオード123、あるいは
図10の回路図におけるセンサ123Aを、光電変換素子であるセレン系半導体素子SS
eとする画素PIX_SEの回路図を示す。
図10の回路図におけるセンサ123Aを、光電変換素子であるセレン系半導体素子SS
eとする画素PIX_SEの回路図を示す。
セレン系半導体素子SSeとしては、電圧を印加することで1個の入射光子から複数の電
子を取り出すことのできる、アバランシェ増倍という現象を利用して光電変換が可能な素
子である。従って、セレン系半導体素子SSeを有する画素PIX_SEでは、入射され
る光量に対する電子の増幅率を大きく、高感度のセンサとすることができる。
子を取り出すことのできる、アバランシェ増倍という現象を利用して光電変換が可能な素
子である。従って、セレン系半導体素子SSeを有する画素PIX_SEでは、入射され
る光量に対する電子の増幅率を大きく、高感度のセンサとすることができる。
セレン系半導体素子SSeとしては、非晶質性を有するセレン系半導体、あるいは結晶性
を有するセレン系半導体を用いることができる。結晶性を有するセレン系半導体は、一例
として、非晶質性を有するセレン系半導体を成膜後、熱処理することで得ればよい。なお
結晶性を有するセレン系半導体の結晶粒径を画素ピッチより小さくすることで、画素ごと
の特性ばらつきが低減し、得られる画像の画質が均一になり好ましい。
を有するセレン系半導体を用いることができる。結晶性を有するセレン系半導体は、一例
として、非晶質性を有するセレン系半導体を成膜後、熱処理することで得ればよい。なお
結晶性を有するセレン系半導体の結晶粒径を画素ピッチより小さくすることで、画素ごと
の特性ばらつきが低減し、得られる画像の画質が均一になり好ましい。
セレン系半導体の中でも結晶性を有するセレン系半導体は、光吸収係数を広い波長帯域に
わたって有するといった特性を有する。そのため、可視光や、紫外光に加えて、X線や、
ガンマ線といった幅広い波長帯域の撮像素子として利用することができ、X線や、ガンマ
線といった短い波長帯域の光を直接電荷に変換できる、所謂直接変換型の素子として用い
ることができる。
わたって有するといった特性を有する。そのため、可視光や、紫外光に加えて、X線や、
ガンマ線といった幅広い波長帯域の撮像素子として利用することができ、X線や、ガンマ
線といった短い波長帯域の光を直接電荷に変換できる、所謂直接変換型の素子として用い
ることができる。
図15(B)には、図15(A)に示す回路構成の一部に対応する、断面構造の模式図で
ある。図15(B)では、トランジスタ111、トランジスタ111に接続される電極E
Pix、セレン系半導体素子SSe、電極EVPD、及び基板Subを図示している。
ある。図15(B)では、トランジスタ111、トランジスタ111に接続される電極E
Pix、セレン系半導体素子SSe、電極EVPD、及び基板Subを図示している。
電極EVPD、及び基板Subが設けられる側より、セレン系半導体SSeに向けて光を
入射する。そのため電極EVPD、及び基板Subは透光性を有することが好ましい。電
極EVPDとしては、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide
)を用い、基板Subとしては、ガラス基板を用いることができる。
入射する。そのため電極EVPD、及び基板Subは透光性を有することが好ましい。電
極EVPDとしては、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide
)を用い、基板Subとしては、ガラス基板を用いることができる。
セレン系半導体素子SSe、及びセレン系半導体素子SSeに積層して設ける電極EVP
Dは、画素ごとに形状を加工することなく用いることができる。形状を加工するための工
程を削減することができるため、作製コストの低減、及び作製歩留まりの向上を図ること
ができる。
Dは、画素ごとに形状を加工することなく用いることができる。形状を加工するための工
程を削減することができるため、作製コストの低減、及び作製歩留まりの向上を図ること
ができる。
なお、セレン系半導体は、一例として、カルコパイライト系半導体を挙げることができる
。具体例としては、CuIn1-xGaxSe2(0≦x≦1)(CIGSと略記)を挙
げることができる。CIGSは、蒸着法、スパッタリング法等を用いて形成することがで
きる。
。具体例としては、CuIn1-xGaxSe2(0≦x≦1)(CIGSと略記)を挙
げることができる。CIGSは、蒸着法、スパッタリング法等を用いて形成することがで
きる。
カルコパイライト系半導体であるセレン系半導体は、数V(5乃至20V)程度の電圧を
印加することで、アバランシェ増倍を発現できる。セレン系半導体に電圧を印加して光の
照射によって生じる信号電荷の移動における直進性を高めることができる。なおセレン系
半導体の膜厚は、1μm以下と薄くすることで、印加する電圧を小さくできる。
印加することで、アバランシェ増倍を発現できる。セレン系半導体に電圧を印加して光の
照射によって生じる信号電荷の移動における直進性を高めることができる。なおセレン系
半導体の膜厚は、1μm以下と薄くすることで、印加する電圧を小さくできる。
なおセレン系半導体の膜厚が小さい場合、電圧印加時に暗電流が流れるが、上述したカル
コパイライト系半導体であるCIGSに暗電流が流れることを防ぐための層(正孔注入障
壁層)を設けることで、暗電流が流れることを抑制できる。正孔注入障壁層としては、酸
化物半導体を用いればよく、一例としては酸化ガリウムを用いることができる。正孔注入
障壁層の膜厚は、セレン系半導体の膜厚より小さいことが好ましい。
コパイライト系半導体であるCIGSに暗電流が流れることを防ぐための層(正孔注入障
壁層)を設けることで、暗電流が流れることを抑制できる。正孔注入障壁層としては、酸
化物半導体を用いればよく、一例としては酸化ガリウムを用いることができる。正孔注入
障壁層の膜厚は、セレン系半導体の膜厚より小さいことが好ましい。
図15(C)には、図15(B)とは異なる、断面構造の模式図である。図15(C)で
は、トランジスタ111、トランジスタ111に接続される電極EPix、セレン系半導
体SSe、電極EVPD、及び基板Subの他に、正孔注入障壁層EOSを図示している
。
は、トランジスタ111、トランジスタ111に接続される電極EPix、セレン系半導
体SSe、電極EVPD、及び基板Subの他に、正孔注入障壁層EOSを図示している
。
以上説明したようにセンサとしてセレン系半導体SSeを用いることで、作製コストの低
減、及び作製歩留まりの向上、画素ごとの特性ばらつき低減することができ、高感度のセ
ンサとすることができる。
減、及び作製歩留まりの向上、画素ごとの特性ばらつき低減することができ、高感度のセ
ンサとすることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、撮像装置を構成する素子の断面構造について、図面を参照して説明す
る。本実施の形態では一例として、上記実施の形態4で図9(B)を用いて説明した、S
iトランジスタ及びOSトランジスタを用いて画素を構成する断面構造について説明する
。
本実施の形態では、撮像装置を構成する素子の断面構造について、図面を参照して説明す
る。本実施の形態では一例として、上記実施の形態4で図9(B)を用いて説明した、S
iトランジスタ及びOSトランジスタを用いて画素を構成する断面構造について説明する
。
図11は、撮像装置を構成する素子の断面図である。図11に示す撮像装置は、シリコン
基板40に設けられたSiトランジスタ51、Siトランジスタ51上に積層して設けら
れたOSトランジスタ52およびOSトランジスタ53、ならびにシリコン基板40に設
けられたフォトダイオード60を含む。各トランジスタおよびフォトダイオード60は、
種々のコンタクトプラグ70および配線層71と電気的な接続を有する。また、フォトダ
イオード60のアノード61は、低抵抗領域63を介してコンタクトプラグ70と電気的
な接続を有する。
基板40に設けられたSiトランジスタ51、Siトランジスタ51上に積層して設けら
れたOSトランジスタ52およびOSトランジスタ53、ならびにシリコン基板40に設
けられたフォトダイオード60を含む。各トランジスタおよびフォトダイオード60は、
種々のコンタクトプラグ70および配線層71と電気的な接続を有する。また、フォトダ
イオード60のアノード61は、低抵抗領域63を介してコンタクトプラグ70と電気的
な接続を有する。
また撮像装置は、シリコン基板40に設けられたSiトランジスタ51およびフォトダイ
オード60を有する層1100と、層1100と接して設けられ、配線層71を有する層
1200と、層1200と接して設けられ、OSトランジスタ52およびOSトランジス
タ53を有する層1300と、層1300と接して設けられ、配線層72および配線層7
3を有する層1400を備えている。
オード60を有する層1100と、層1100と接して設けられ、配線層71を有する層
1200と、層1200と接して設けられ、OSトランジスタ52およびOSトランジス
タ53を有する層1300と、層1300と接して設けられ、配線層72および配線層7
3を有する層1400を備えている。
なお図11の断面図の一例では、シリコン基板40において、Siトランジスタ51が形
成された面とは逆側の面にフォトダイオード60の受光面を有する構成とする。該構成と
することで、各種トランジスタや配線などの影響を受けずに光路を確保することができる
。そのため、高開口率の画素を形成することができる。なお、フォトダイオード60の受
光面をSiトランジスタ51が形成された面と同じとすることもできる。
成された面とは逆側の面にフォトダイオード60の受光面を有する構成とする。該構成と
することで、各種トランジスタや配線などの影響を受けずに光路を確保することができる
。そのため、高開口率の画素を形成することができる。なお、フォトダイオード60の受
光面をSiトランジスタ51が形成された面と同じとすることもできる。
なお上記実施の形態4で図9(A)を用いて説明した、OSトランジスタを用いて画素を
構成する場合には、層1100を、OSトランジスタを有する層とすればよい。または層
1100を省略し、OSトランジスタのみで画素を構成してもよい。
構成する場合には、層1100を、OSトランジスタを有する層とすればよい。または層
1100を省略し、OSトランジスタのみで画素を構成してもよい。
なお、シリコン基板40はバルクのシリコン基板に限らず、SOI基板であってもよい。
また、シリコン基板40に替えて、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン
、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、有機半導
体を材料とする基板を用いることもできる。
また、シリコン基板40に替えて、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン
、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、有機半導
体を材料とする基板を用いることもできる。
ここで、位置は限定されないが、Siトランジスタ51およびフォトダイオード60を有
する層1100と、OSトランジスタ52およびOSトランジスタ53を有する層130
0との間には絶縁層80が設けられる。
する層1100と、OSトランジスタ52およびOSトランジスタ53を有する層130
0との間には絶縁層80が設けられる。
Siトランジスタ51の活性領域近傍に設けられる絶縁層中の水素はシリコンのダングリ
ングボンドを終端し、Siトランジスタ51の信頼性を向上させる効果がある。一方、上
層に設けられるOSトランジスタ52およびOSトランジスタ53等の活性層である酸化
物半導体層の近傍に設けられる絶縁層中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する
要因の一つとなるため、OSトランジスタ52およびOSトランジスタ53等の信頼性を
低下させる要因となる場合がある。したがって、シリコン系半導体材料を用いたトランジ
スタの上層に酸化物半導体を用いたトランジスタを積層して設ける場合、これらの間に水
素の拡散を防止する機能を有する絶縁層80を設けることが好ましい。絶縁層80により
、下層に水素を閉じ込めることでSiトランジスタ51の信頼性が向上することに加え、
下層から上層に水素が拡散することが抑制されることでOSトランジスタ52およびOS
トランジスタ53等の信頼性も同時に向上させることができる。
ングボンドを終端し、Siトランジスタ51の信頼性を向上させる効果がある。一方、上
層に設けられるOSトランジスタ52およびOSトランジスタ53等の活性層である酸化
物半導体層の近傍に設けられる絶縁層中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する
要因の一つとなるため、OSトランジスタ52およびOSトランジスタ53等の信頼性を
低下させる要因となる場合がある。したがって、シリコン系半導体材料を用いたトランジ
スタの上層に酸化物半導体を用いたトランジスタを積層して設ける場合、これらの間に水
素の拡散を防止する機能を有する絶縁層80を設けることが好ましい。絶縁層80により
、下層に水素を閉じ込めることでSiトランジスタ51の信頼性が向上することに加え、
下層から上層に水素が拡散することが抑制されることでOSトランジスタ52およびOS
トランジスタ53等の信頼性も同時に向上させることができる。
絶縁層80としては、例えば酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、
酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒
化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)等を用いることができる。
酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒
化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)等を用いることができる。
また、図11の断面図において、層1100に設けるフォトダイオード60と、層130
0に設けるトランジスタとを重なるように形成することができる。そうすると、画素の集
積度を高めることができる。すなわち、撮像装置の解像度を高めることができる。
0に設けるトランジスタとを重なるように形成することができる。そうすると、画素の集
積度を高めることができる。すなわち、撮像装置の解像度を高めることができる。
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態7)
本実施の形態では、撮像装置にカラーフィルタ等を付加した形態の一例の断面構造につい
て、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、撮像装置にカラーフィルタ等を付加した形態の一例の断面構造につい
て、図面を参照して説明する。
図12(A)は、図11に示す撮像装置にカラーフィルタ等を付加した形態の一例の断面
図であり、3画素分の回路(回路91a、回路91b、回路91c)が占める領域を示し
ている。層1100に形成されるフォトダイオード60上には絶縁層1500が形成され
る。絶縁層1500は可視光に対して透光性の高い酸化シリコン膜などを用いることがで
きる。また、パッシベーション膜として窒化シリコン膜を積層する構成としてもよい。ま
た、反射防止膜として、酸化ハフニウムなどの誘電体膜を積層する構成としてもよい。
図であり、3画素分の回路(回路91a、回路91b、回路91c)が占める領域を示し
ている。層1100に形成されるフォトダイオード60上には絶縁層1500が形成され
る。絶縁層1500は可視光に対して透光性の高い酸化シリコン膜などを用いることがで
きる。また、パッシベーション膜として窒化シリコン膜を積層する構成としてもよい。ま
た、反射防止膜として、酸化ハフニウムなどの誘電体膜を積層する構成としてもよい。
絶縁層1500上には、遮光層1510が形成される。遮光層1510は、上部のカラー
フィルタを通る光の混色を防止する作用を有する。遮光層1510には、アルミニウム、
タングステンなどの金属層や当該金属層と反射防止膜としての機能を有する誘電体膜を積
層する構成とすることができる。
フィルタを通る光の混色を防止する作用を有する。遮光層1510には、アルミニウム、
タングステンなどの金属層や当該金属層と反射防止膜としての機能を有する誘電体膜を積
層する構成とすることができる。
絶縁層1500および遮光層1510上には平坦化膜として有機樹脂層1520が形成さ
れ、回路91a、回路91bおよび回路91c上においてそれぞれカラーフィルタ153
0a、カラーフィルタ1530bおよびカラーフィルタ1530cが対になるように形成
される。カラーフィルタ1530a、カラーフィルタ1530bおよびカラーフィルタ1
530cには、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)などの色を割り当てることにより
、カラー画像を得ることができる。
れ、回路91a、回路91bおよび回路91c上においてそれぞれカラーフィルタ153
0a、カラーフィルタ1530bおよびカラーフィルタ1530cが対になるように形成
される。カラーフィルタ1530a、カラーフィルタ1530bおよびカラーフィルタ1
530cには、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)などの色を割り当てることにより
、カラー画像を得ることができる。
カラーフィルタ1530a、カラーフィルタ1530bおよびカラーフィルタ1530c
上にはマイクロレンズアレイ1540が設けられ、一つのレンズを通る光が直下のカラー
フィルタを通り、フォトダイオードに照射されるようになる。
上にはマイクロレンズアレイ1540が設けられ、一つのレンズを通る光が直下のカラー
フィルタを通り、フォトダイオードに照射されるようになる。
また、層1400に接して支持基板1600が設けられる。支持基板1600としては、
シリコン基板などの半導体基板、ガラス基板、金属基板、セラミック基板などの硬質基板
を用いることができる。なお、層1400と支持基板1600との間には接着層となる無
機絶縁層や有機樹脂層が形成されていてもよい。
シリコン基板などの半導体基板、ガラス基板、金属基板、セラミック基板などの硬質基板
を用いることができる。なお、層1400と支持基板1600との間には接着層となる無
機絶縁層や有機樹脂層が形成されていてもよい。
上記撮像装置の構成において、カラーフィルタ1530a、カラーフィルタ1530bお
よびカラーフィルタ1530cの代わりに光学変換層1550を用いてもよい(図12(
B)参照)。光学変換層1550を用いることにより、様々な波長領域における画像が得
られる撮像装置とすることができる。
よびカラーフィルタ1530cの代わりに光学変換層1550を用いてもよい(図12(
B)参照)。光学変換層1550を用いることにより、様々な波長領域における画像が得
られる撮像装置とすることができる。
例えば、光学変換層1550に可視光線の波長以下の光を遮るフィルタを用いれば、赤外
線撮像装置とすることができる。また、光学変換層1550に近赤外線の波長以下の光を
遮るフィルタを用いれば、遠赤外線撮像装置とすることができる。また、光学変換層15
50に可視光線の波長以上の光を遮るフィルタを用いれば紫外線撮像装置とすることがで
きる。
線撮像装置とすることができる。また、光学変換層1550に近赤外線の波長以下の光を
遮るフィルタを用いれば、遠赤外線撮像装置とすることができる。また、光学変換層15
50に可視光線の波長以上の光を遮るフィルタを用いれば紫外線撮像装置とすることがで
きる。
また、光学変換層1550にシンチレータを用いれば、医療用のX線撮像装置など、放射
線の強弱を可視化した画像を得る撮像装置とすることができる。被写体を透過したX線等
の放射線がシンチレータに入射されると、フォトルミネッセンスと呼ばれる現象により可
視光線や紫外光線などの光(蛍光)に変換される。そして、当該光をフォトダイオード6
0で検知することにより画像データを取得する。
線の強弱を可視化した画像を得る撮像装置とすることができる。被写体を透過したX線等
の放射線がシンチレータに入射されると、フォトルミネッセンスと呼ばれる現象により可
視光線や紫外光線などの光(蛍光)に変換される。そして、当該光をフォトダイオード6
0で検知することにより画像データを取得する。
シンチレータは、X線やガンマ線などの放射線が照射されると、そのエネルギーを吸収し
て可視光や紫外光を発する物質、または当該物質を含む材料からなり、例えば、Gd2O
2S:Tb、Gd2O2S:Pr、Gd2O2S:Eu、BaFCl:Eu、NaI、C
sI、CaF2、BaF2、CeF3、LiF、LiI、ZnOなどの材料や、それらを
樹脂やセラミクスに分散させたものが知られている。
て可視光や紫外光を発する物質、または当該物質を含む材料からなり、例えば、Gd2O
2S:Tb、Gd2O2S:Pr、Gd2O2S:Eu、BaFCl:Eu、NaI、C
sI、CaF2、BaF2、CeF3、LiF、LiI、ZnOなどの材料や、それらを
樹脂やセラミクスに分散させたものが知られている。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態8)
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタについて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタについて説明する。
OSトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または
実質的に真性にすることでオフ電流を低くすることができる。ここで、実質的に真性とは
、酸化物半導体中のキャリア密度が、1×1017/cm3未満であること、好ましくは
1×1015/cm3未満であること、さらに好ましくは1×1013/cm3未満であ
ることを指す。酸化物半導体において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外
の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャ
リア密度を増大させてしまう。
実質的に真性にすることでオフ電流を低くすることができる。ここで、実質的に真性とは
、酸化物半導体中のキャリア密度が、1×1017/cm3未満であること、好ましくは
1×1015/cm3未満であること、さらに好ましくは1×1013/cm3未満であ
ることを指す。酸化物半導体において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外
の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャ
リア密度を増大させてしまう。
真性または実質的に真性にした酸化物半導体を用いたトランジスタは、キャリア密度が低
いため、閾値電圧がマイナスとなる電気特性になることが少ない。また、当該酸化物半導
体を用いたトランジスタは、酸化物半導体のキャリアトラップが少ないため、電気特性の
変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。また、当該酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタは、オフ電流を非常に低くすることが可能となる。
いため、閾値電圧がマイナスとなる電気特性になることが少ない。また、当該酸化物半導
体を用いたトランジスタは、酸化物半導体のキャリアトラップが少ないため、電気特性の
変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。また、当該酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタは、オフ電流を非常に低くすることが可能となる。
なおオフ電流を低くしたOSトランジスタでは、室温(25℃程度)にてチャネル幅1μ
mあたりの規格化されたオフ電流が1×10-18A以下、好ましくは1×10-21A
以下、更に好ましくは1×10-24A以下、又は85℃にて1×10-15A以下、好
ましくは1×10-18A以下、更に好ましくは1×10-21A以下とすることができ
る。
mあたりの規格化されたオフ電流が1×10-18A以下、好ましくは1×10-21A
以下、更に好ましくは1×10-24A以下、又は85℃にて1×10-15A以下、好
ましくは1×10-18A以下、更に好ましくは1×10-21A以下とすることができ
る。
なおオフ電流とは、nチャネル型トランジスタの場合、トランジスタが非導通状態のとき
にソースとドレインとの間に流れる電流をいう。nチャネル型トランジスタの閾値電圧が
、例えば、0V乃至2V程度であれば、ゲートとソースの間に印加される電圧が負の電圧
の場合に、ソースとドレインとの間を流れる電流をオフ電流ということができる。
にソースとドレインとの間に流れる電流をいう。nチャネル型トランジスタの閾値電圧が
、例えば、0V乃至2V程度であれば、ゲートとソースの間に印加される電圧が負の電圧
の場合に、ソースとドレインとの間を流れる電流をオフ電流ということができる。
なおOSトランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム
(In)又は亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にIn及びZnを含むことが好まし
い。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好まし
い。スタビライザーとしては、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)
、ハフニウム(Hf)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかを有すればよい。
(In)又は亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にIn及びZnを含むことが好まし
い。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好まし
い。スタビライザーとしては、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)
、ハフニウム(Hf)及びアルミニウム(Al)の少なくともいずれかを有すればよい。
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種又は複数種を有してもよい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種又は複数種を有してもよい。
トランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体としては、例えば、酸化インジウム、酸化
スズ、酸化亜鉛、In-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn
-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、In
-Ga-Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In-Al-Zn系酸化物、In-S
n-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al
-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-Zr-Zn系酸化物、In-Ti-
Zn系酸化物、In-Sc-Zn系酸化物、In-Y-Zn系酸化物、In-La-Zn
系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系
酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸
化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化
物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物
、In-Lu-Zn系酸化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Z
n系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In
-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物等がある。
スズ、酸化亜鉛、In-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn
-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、In
-Ga-Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In-Al-Zn系酸化物、In-S
n-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al
-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-Zr-Zn系酸化物、In-Ti-
Zn系酸化物、In-Sc-Zn系酸化物、In-Y-Zn系酸化物、In-La-Zn
系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系
酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸
化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化
物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物
、In-Lu-Zn系酸化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Z
n系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In
-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物等がある。
例えば、In:Ga:Zn=1:1:1、In:Ga:Zn=3:1:2、あるいはIn
:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸
化物を用いるとよい。
:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸
化物を用いるとよい。
半導体層を構成する酸化物半導体膜に水素が多量に含まれると、酸化物半導体と結合する
ことによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これに
より、トランジスタの閾値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半
導体膜の形成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から、水素
、又は水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
ことによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これに
より、トランジスタの閾値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半
導体膜の形成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から、水素
、又は水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
なお、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素化処理)によって、酸化物半導体膜から
酸素が減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素化処
理)によって減少してしまった酸素を酸化物半導体に加える、又は酸素を供給し酸化物半
導体膜の酸素欠損を補填することが好ましい。
酸素が減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素化処
理)によって減少してしまった酸素を酸化物半導体に加える、又は酸素を供給し酸化物半
導体膜の酸素欠損を補填することが好ましい。
このように、酸化物半導体膜は、脱水化処理(脱水素化処理)により、水素又は水分が
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化又はi
型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。なお
、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく(ゼ
ロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、1
×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下である
ことをいう。
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化又はi
型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。なお
、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく(ゼ
ロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、1
×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下である
ことをいう。
このように、i型又は実質的にi型である酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、極め
て優れたオフ電流特性を実現できる。
て優れたオフ電流特性を実現できる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態9)
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した撮像装置を監視装置(監視システムともい
う)に利用する場合について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した撮像装置を監視装置(監視システムともい
う)に利用する場合について説明する。
図13は、本実施の形態の監視装置の構成例を示すブロック図である。監視装置は、カメ
ラ200、記憶装置211、表示装置212、および警報装置213を有する。カメラ2
00は、撮像装置220を有する。カメラ200で撮影された画像は、記憶装置211に
記録され、表示装置212に表示される。また、警報装置213は、カメラ200が動き
を検出した場合等に管理者に警報を行う。
ラ200、記憶装置211、表示装置212、および警報装置213を有する。カメラ2
00は、撮像装置220を有する。カメラ200で撮影された画像は、記憶装置211に
記録され、表示装置212に表示される。また、警報装置213は、カメラ200が動き
を検出した場合等に管理者に警報を行う。
撮像装置220は、カメラ200で差分データを検知したときに、トリガ信号を発生する
。トリガ信号が発生しない場合にはアナログ処理を引き続き行い、発生する場合にはデジ
タル処理を行う。そのため、膨大な電力を消費するデジタル処理を継続的に行わなくても
よいため、消費電力を低減することができる。
。トリガ信号が発生しない場合にはアナログ処理を引き続き行い、発生する場合にはデジ
タル処理を行う。そのため、膨大な電力を消費するデジタル処理を継続的に行わなくても
よいため、消費電力を低減することができる。
例えば、第1の状態を監視区域内に侵入者が確実にいない状態、第2の状態を現在の状態
とする。ここで、撮像装置220が第1のモードで動作する場合に侵入者がいない場合は
、第1の撮像データと第2の撮像データとは同一のため、差分データはゼロである。した
がって、アナログ処理回路で各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演
算を行った結果はゼロで、トリガ信号が発生しない。一方、侵入者がいる場合は、第1の
撮像データと第2の撮像データとは異なるため、差分データは有限である。したがって、
アナログ処理回路で各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演算を行っ
た結果は有限で、トリガ信号が発生する。トリガ信号の発生に伴い、撮像装置220は第
2のモードに遷移し、第3の撮像データをデジタル処理回路でデジタルデータに変換し、
PCなどでのデジタル処理により、撮像画像に関する詳細の解析を実行する。その結果、
侵入者の詳細な情報を取得することができる。
とする。ここで、撮像装置220が第1のモードで動作する場合に侵入者がいない場合は
、第1の撮像データと第2の撮像データとは同一のため、差分データはゼロである。した
がって、アナログ処理回路で各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演
算を行った結果はゼロで、トリガ信号が発生しない。一方、侵入者がいる場合は、第1の
撮像データと第2の撮像データとは異なるため、差分データは有限である。したがって、
アナログ処理回路で各画素から読み出した差分データに対して、差分絶対値和演算を行っ
た結果は有限で、トリガ信号が発生する。トリガ信号の発生に伴い、撮像装置220は第
2のモードに遷移し、第3の撮像データをデジタル処理回路でデジタルデータに変換し、
PCなどでのデジタル処理により、撮像画像に関する詳細の解析を実行する。その結果、
侵入者の詳細な情報を取得することができる。
そのため画像に動きが検出されない期間は、撮像装置220はデジタル処理を行わない。
その結果、カメラ200での電力消費を抑えることができる。また、記憶装置211は、
動きが検出されない期間での画像データ分の、記憶装置211の記憶容量の節約ができる
ため、より長時間の録画が可能になる。
その結果、カメラ200での電力消費を抑えることができる。また、記憶装置211は、
動きが検出されない期間での画像データ分の、記憶装置211の記憶容量の節約ができる
ため、より長時間の録画が可能になる。
なお、警報装置213による周囲への警報は、トリガ信号が発生した場合に行えばよい。
あるいは、認証システムでの照合を基に判定し、警報を行うか否かの判定を行ってもよい
。
あるいは、認証システムでの照合を基に判定し、警報を行うか否かの判定を行ってもよい
。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
(実施の形態10)
本実施の形態では、本発明の一態様に係る撮像装置を用いた電子機器の一例について説明
する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る撮像装置を用いた電子機器の一例について説明
する。
本発明の一態様に係る撮像装置を用いた電子機器として、テレビ、モニタ等の表示装置、
照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ
、DVD(Digital Versatile Disc)などの記録媒体に記憶され
た静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルCDプレーヤ、ラジオ、テープレ
コーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、ナビゲーションシステム、置き時計、壁掛け時
計、コードレス電話子機、トランシーバ、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、タブ
レット型端末、パチンコ機などの大型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書
籍端末、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェー
バ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇
風機、毛髪乾燥機、エアコンディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器
、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、D
NA保存用冷凍庫、懐中電灯、チェーンソー等の工具、煙感知器、透析装置等の医療機器
、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動
販売機などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エス
カレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのため
の蓄電装置等の産業機器が挙げられる。また、燃料を用いたエンジンや、非水系二次電池
からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電子機器の範疇に含まれるもの
とする。上記移動体として、例えば、電気自動車(EV)、内燃機関と電動機を併せ持っ
たハイブリッド車(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)、これらのタイヤ
車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪
車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、
ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などが挙げられる。
照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ
、DVD(Digital Versatile Disc)などの記録媒体に記憶され
た静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルCDプレーヤ、ラジオ、テープレ
コーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、ナビゲーションシステム、置き時計、壁掛け時
計、コードレス電話子機、トランシーバ、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、タブ
レット型端末、パチンコ機などの大型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書
籍端末、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェー
バ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇
風機、毛髪乾燥機、エアコンディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器
、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、D
NA保存用冷凍庫、懐中電灯、チェーンソー等の工具、煙感知器、透析装置等の医療機器
、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動
販売機などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エス
カレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのため
の蓄電装置等の産業機器が挙げられる。また、燃料を用いたエンジンや、非水系二次電池
からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電子機器の範疇に含まれるもの
とする。上記移動体として、例えば、電気自動車(EV)、内燃機関と電動機を併せ持っ
たハイブリッド車(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)、これらのタイヤ
車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪
車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型又は大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、
ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などが挙げられる。
図14(A)はビデオカメラであり、筐体941、筐体942、表示部943、操作キー
944、レンズ945、接続部946等を有する。操作キー944およびレンズ945は
筐体941に設けられており、表示部943は筐体942に設けられている。そして、筐
体941と筐体942とは、接続部946により接続されており、筐体941と筐体94
2の間の角度は、接続部946により変更が可能である。表示部943における映像を、
接続部946における筐体941と筐体942との間の角度に従って切り替える構成とし
ても良い。レンズ945の焦点となる位置には本発明の一態様の撮像装置を備えることが
できる。
944、レンズ945、接続部946等を有する。操作キー944およびレンズ945は
筐体941に設けられており、表示部943は筐体942に設けられている。そして、筐
体941と筐体942とは、接続部946により接続されており、筐体941と筐体94
2の間の角度は、接続部946により変更が可能である。表示部943における映像を、
接続部946における筐体941と筐体942との間の角度に従って切り替える構成とし
ても良い。レンズ945の焦点となる位置には本発明の一態様の撮像装置を備えることが
できる。
図14(B)は携帯電話であり、筐体951に、表示部952、マイク957、スピーカ
ー954、カメラ959、入出力端子956、操作用のボタン955等を有する。カメラ
959には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
ー954、カメラ959、入出力端子956、操作用のボタン955等を有する。カメラ
959には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
図14(C)はデジタルカメラであり、筐体921、シャッターボタン922、マイク9
23、発光部927、レンズ925等を有する。レンズ925の焦点となる位置には本発
明の一態様の撮像装置を備えることができる。
23、発光部927、レンズ925等を有する。レンズ925の焦点となる位置には本発
明の一態様の撮像装置を備えることができる。
図14(D)は携帯型ゲーム機であり、筐体901、筐体902、表示部903、表示部
904、マイク905、スピーカー906、操作キー907、スタイラス908、カメラ
909等を有する。なお、図14(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部903
と表示部904とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定さ
れない。カメラ909には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
904、マイク905、スピーカー906、操作キー907、スタイラス908、カメラ
909等を有する。なお、図14(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部903
と表示部904とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定さ
れない。カメラ909には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
図14(E)は腕時計型の情報端末であり、筐体931、表示部932、リストバンド9
33、カメラ939等を有する。表示部932はタッチパネルとなっていてもよい。カメ
ラ939には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
33、カメラ939等を有する。表示部932はタッチパネルとなっていてもよい。カメ
ラ939には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
図14(F)は携帯データ端末であり、筐体911、表示部912、カメラ919等を有
する。表示部912が有するタッチパネル機能により情報の入出力を行うことができる。
カメラ919には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
する。表示部912が有するタッチパネル機能により情報の入出力を行うことができる。
カメラ919には本発明の一態様の撮像装置を用いることができる。
なお、本発明の一態様の撮像装置を具備していれば、上記で示した電子機器に特に限定さ
れないことは言うまでもない。
れないことは言うまでもない。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
である。
40 シリコン基板
51 Siトランジスタ
52 OSトランジスタ
53 OSトランジスタ
60 フォトダイオード
61 アノード
63 低抵抗領域
70 コンタクトプラグ
71 配線層
72 配線層
73 配線層
80 絶縁層
91a 回路
91b 回路
91c 回路
100 画素
100A 画素
100B 画素
100C 画素
101 アナログ処理回路
102 A/D変換回路
103 列ドライバ
104 行ドライバ
105 画素部
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 トランジスタ
115 トランジスタ
121 容量
122 容量
123 フォトダイオード
123A センサ
136 トランジスタ
137 トランジスタ
138 トランジスタ
139 トランジスタ
140 トランジスタ
141 トランジスタ
142 トランジスタ
143 トランジスタ
144 トランジスタ
145 トランジスタ
146 トランジスタ
147 トランジスタ
148 トランジスタ
149 容量
FD1 電荷保持ノード
FD2 ノード
SUB 減算回路
ABS 絶対値回路
SUM 加算回路
200 カメラ
211 記憶装置
212 表示装置
213 警報装置
220 撮像装置
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイク
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
909 カメラ
911 筐体
912 表示部
919 カメラ
921 筐体
922 シャッターボタン
923 マイク
925 レンズ
927 発光部
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
939 カメラ
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 筐体
952 表示部
954 スピーカー
955 ボタン
956 入出力端子
957 マイク
959 カメラ
1100 層
1200 層
1300 層
1400 層
1500 絶縁層
1510 遮光層
1520 有機樹脂層
1530a カラーフィルタ
1530b カラーフィルタ
1530c カラーフィルタ
1540 マイクロレンズアレイ
1550 光学変換層
1600 支持基板
51 Siトランジスタ
52 OSトランジスタ
53 OSトランジスタ
60 フォトダイオード
61 アノード
63 低抵抗領域
70 コンタクトプラグ
71 配線層
72 配線層
73 配線層
80 絶縁層
91a 回路
91b 回路
91c 回路
100 画素
100A 画素
100B 画素
100C 画素
101 アナログ処理回路
102 A/D変換回路
103 列ドライバ
104 行ドライバ
105 画素部
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 トランジスタ
115 トランジスタ
121 容量
122 容量
123 フォトダイオード
123A センサ
136 トランジスタ
137 トランジスタ
138 トランジスタ
139 トランジスタ
140 トランジスタ
141 トランジスタ
142 トランジスタ
143 トランジスタ
144 トランジスタ
145 トランジスタ
146 トランジスタ
147 トランジスタ
148 トランジスタ
149 容量
FD1 電荷保持ノード
FD2 ノード
SUB 減算回路
ABS 絶対値回路
SUM 加算回路
200 カメラ
211 記憶装置
212 表示装置
213 警報装置
220 撮像装置
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイク
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
909 カメラ
911 筐体
912 表示部
919 カメラ
921 筐体
922 シャッターボタン
923 マイク
925 レンズ
927 発光部
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
939 カメラ
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 筐体
952 表示部
954 スピーカー
955 ボタン
956 入出力端子
957 マイク
959 カメラ
1100 層
1200 層
1300 層
1400 層
1500 絶縁層
1510 遮光層
1520 有機樹脂層
1530a カラーフィルタ
1530b カラーフィルタ
1530c カラーフィルタ
1540 マイクロレンズアレイ
1550 光学変換層
1600 支持基板
Claims (1)
- アナログデータである第1の画像データを取得し、前記第1の画像データを取得した後にアナログデータである第2の画像データを取得し、前記第1の画像データと前記第2の画像データとを用いて演算を行う画素と、
前記演算の結果に応じてトリガ信号を発生させる第1の回路と、
前記トリガ信号の発生後に、前記画素において取得されたアナログデータである第3の画像データをデジタルデータに変換する第2の回路と、を有するイメージセンサ。
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JP2014101910 | 2014-05-16 | ||
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JP2014104842 | 2014-05-21 | ||
JP2014129984 | 2014-06-25 | ||
JP2014129988 | 2014-06-25 | ||
JP2014129984 | 2014-06-25 | ||
JP2014129988 | 2014-06-25 | ||
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JP2020015231A Active JP6811883B2 (ja) | 2014-05-16 | 2020-01-31 | 撮像装置 |
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KR102553553B1 (ko) | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
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KR20170061602A (ko) | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
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CN105656129A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-06-08 | 李小春 | 智能化充电平台 |
WO2017158478A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
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WO2022248972A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、及び電子機器 |
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