JP6606608B2 - 圧力センサ - Google Patents

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Description

本発明は、圧力センサに関する。
従来から内燃機関の吸気圧の検出、あるいは、大気圧の検出などに用いられる半導体圧力センサに関する発明が知られている（下記特許文献１を参照）。
この従来の半導体圧力センサは、センサ素子、プリント基板、およびベースを備えている。センサ素子は、圧力導入管を有している。プリント基板は、このセンサ素子を所定の間隔、隔てて支持する。ベースは、このプリント基板を保持するとともにセンサ素子の圧力導入管が嵌挿される圧力通路を有する。センサ素子とプリント基板との間の隔たり距離は、自然放冷時におけるセンサ素子の温度低下速度が、ベースの圧力通路の温度低下速度より小さくなるように設定されている（同文献、請求項１および図１等を参照）。
この構成により、機関の停止後などに、センサ素子および圧力導入管は、圧力通路より高温の状態に保たれ、圧力通路、圧力導入管、圧力を電気信号に変換する変換部に導入される導入空気の湿度は、温度の低い圧力通路でまず結露する。これにより、導入空気の湿度が低下してセンサ素子の圧力導入管や変換部における結露や凍結を防止することができる。したがって、内燃機関の再始動時等の低温時の運転においても圧力検出精度の低下や動作不良が発生することのない優れた半導体圧力センサを得ることができる（同文献、段落００１２および００１９等を参照）。
また、圧力検出素子がセンサチップとして構成された圧力センサが知られている（下記特許文献２、段落００２９および図１等を参照）。この従来の圧力センサは、内部に付着したゴミや汚れ等を取り除くことを課題とし、被測定体内が負圧のとき、逆止弁が圧力導入孔の壁面から離れることにより、ポート部の外部、貫通孔、圧力導入孔、および被計測体を通過する経路で空気が流れるようになっている（同文献、要約等を参照）。
前記特許文献１に記載された半導体圧力センサは、センサ素子での結露を防止することができる反面、設計自由度が低く、小型化に適さないという課題がある。一方、前記特許文献２に記載された圧力センサは、圧力検出素子としてセンサチップを用いることで、特許文献１に記載された半導体圧力センサと比較して、設計自由度を向上させることができ、小型化に適しているという利点がある。
特開平１１−１１８６３９号公報 特開２０１０−１９６６３号公報
前記特許文献２に記載された圧力センサは、センサチップがケースの凹部に備えられ、この凹部にフッ素ゲルやフッ素ゴム等からなる保護材が充填されることで、ボンディングワイヤ等が被覆され、防食などが図られている（同文献、段落００２９から００３１および図１等を参照）。しかし、たとえばケースが冷却されてセンサチップを覆う保護材の温度がポート内に導入された内燃機関の吸気等の被測定気体の温度よりも低下すると、被測定気体から保護材に浸透した水蒸気がセンサチップの周囲で結露し、ボンディングワイヤ等が電食によって断線するおそれがある。
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、圧力測定素子としてセンサチップを用い、被測定気体から保護材に浸透した水蒸気がセンサチップの周囲で結露するのを抑制することができる圧力センサを提供することを目的とする。
前記目的を達成すべく、本発明の圧力センサは、被測定気体が導入される圧力測定室と、該圧力測定室に臨むセンサチップと、該センサチップを支持する支持面を有するセンサ支持体と、前記センサチップを覆う保護材とを備えた圧力センサであって、前記センサ支持体の前記支持面と反対側の背面に臨む保温室と、該保温室と前記圧力測定室とを連通する気体通路と、を備えることを特徴とする。
本発明の圧力センサは、圧力測定室に導入された被測定気体の圧力を、この圧力測定室に臨むセンサチップによって測定することができる。また、圧力測定室と保温室とを連通する気体通路によって、センサ支持体の支持面に臨む圧力測定室と、センサ支持体の背面に臨む保温室の双方に被測定流体を導入し、センサ支持体の支持面と背面の双方の温度低下を抑制することができる。
したがって、本発明の圧力センサによれば、センサ支持体の支持面に支持されたセンサチップを覆う保護材の温度が、被測定気体の露点以下の温度に低下することが抑制され、被測定気体から保護材に浸透した水蒸気がセンサチップの周囲で結露するのを抑制することができる。
本発明の実施形態１に係る圧力センサの断面図。 本発明の実施形態２に係る圧力センサの断面図。 本発明の実施形態３に係る圧力センサの断面図。 本発明の実施形態４に係る圧力センサの断面図。 本発明の実施形態に対する比較例に係る圧力センサの断面図。
以下、図面を参照して本発明に係る圧力センサの実施形態を説明する。
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係る圧力センサ１の断面図である。
本実施形態の圧力センサ１は、たとえば、内燃機関の吸気圧の測定や排気圧の測定に用いることができる。圧力センサ１は、たとえば、外装ケース１０と、この外装ケース１０に固定されたセンサ支持体２０と、このセンサ支持体２０に支持されたセンサチップ３０と、センサ支持体２０を覆うカバー４０と、を備えることができる。
外装ケース１０は、たとえば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、または、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂等の熱可塑性樹脂を素材として、金型によって成型することによって製作される。外装ケース１０は、たとえば、センサ支持体２０を支持する本体部１１と、この本体部１１に被測定気体Ａを導入する圧力導入管１２と、本体部１１に接続されたコネクタ部１３とを有している。
外装ケース１０の本体部１１は、たとえば軸線Ｌ１方向の両端に開口を有する円筒状に形成されている。本体部１１は、軸線Ｌ１方向の一端の開口が圧力導入管１２に接続され、その開口の内側に圧力測定室Ｃ１を画定している。圧力測定室Ｃ１は、センサチップ３０を支持するセンサ支持体２０の支持面２１に臨み、圧力導入管１２を介して被測定気体Ａが導入される。
本体部１１は、圧力導入管１２が接続された端部と軸線Ｌ１方向の反対側の端部の開口の周囲に、センサ支持体２０およびカバー４０を配置するため凹部１１ａを有している。この凹部１１ａには、コネクタ部１３のコネクタピン１３ａ、センサ支持体２０の接続端子２３、およびこれらの接続部を覆う充填材５０が充填されている。充填材５０は、たとえば、電気絶縁性に優れた液状またはゲル状のエポキシ樹脂等を凹部１１ａに充填して硬化させることによって、センサ支持体２０およびカバー４０を凹部１１ａに固定する。
外装ケース１０の圧力導入管１２は、一端が本体部１１の底部の開口に接続され、他端が開放された管状に形成されている。本体部１１に接続された圧力導入管１２の端部と反対側の端部は、外周にテーパ状の拡径部１２ａを有し、たとえば内燃機関の吸気管や排気管に対してチューブやコネクタを介して接続される。圧力導入管１２は、圧力センサ１による測定対象である被測定気体Ａを本体部１１の開口に導入する。
外装ケース１０のコネクタ部１３は、たとえば圧力導入管１２および本体部１１の軸線Ｌ１方向と垂直な軸線Ｌ２方向に延び、一端が本体部１１の側部に接続され、他端が外周に突起を有する概ね円筒形の形状を有している。コネクタ部１３は、たとえば図示を省略するエンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）に接続された配線のコネクタ部に接続され、本体部１１側の端部から円筒状の端部の内側へ延びる複数のコネクタピン１３ａを介してセンサチップ３０の出力信号をＥＣＵに出力する。
コネクタピン１３ａは、たとえばインサート成形によって外装ケース１０と一体に設けられている。コネクタピン１３ａは、コネクタ部１３の軸線Ｌ２方向に延び、一端が本体部１１の軸線Ｌ１方向に延びて本体部１１に埋め込まれ、他端がコネクタ部１３の円筒状の端部の内側に軸線Ｌ２方向に突出し、たとえばＥＣＵに接続された配線のコネクタ部のピン孔に挿入される。コネクタピン１３ａの本体部１１側の端部には、たとえばセンサ支持体２０に設けられた接続端子２３が接続される。
センサ支持体２０は、たとえば外装ケース１０と同様の樹脂材料を素材として金型により成型することによって製作されている。センサ支持体２０は、たとえば円盤状または円柱状に形成され、外周面から径方向に突出して外周面に沿って延びる突出部２４を有している。本実施形態の圧力センサ１において、センサ支持体２０は、センサチップ３０を支持する支持面２１と、この支持面２１と反対側の背面２２と、センサ支持体２０にインサート成形された接続端子２３と、支持面２１に設けられた凹部２５と、センサ支持体２０を貫通する気体通路２６と、を有している。
センサ支持体２０の支持面２１に設けられた凹部２５は、センサチップ３０を覆う保護材３１を収容する保護材収容凹部２５ａと、この保護材収容凹部２５ａの底部に設けられてセンサチップ３０およびガラス台座３２を収容するセンサ収容凹部２５ｂと、を有している。センサ収容凹部２５ｂには、センサチップ３０およびガラス台座３２が収容される。
センサチップ３０は、たとえばシリコンによって構成された半導体センサであり、被測定気体Ａの圧力を電気信号に変換するセンシング部を有している。センシング部は、たとえば、被測定気体Ａの圧力によって弾性変形するダイアフラムに固定されてブリッジ回路を構成する圧電素子やひずみゲージを備えることができる。
センサチップ３０は、センシング部のダイアフラムがガラス台座３２に設けられた凹部を塞ぐように、たとえばアノーディックボンディングによってガラス台座３２に接合される。ガラス台座３２は、たとえば接着剤を介してセンサ支持体２０の支持面２１に設けられたセンサ収容凹部２５ｂの底部に固定される。センサチップ３０は、センサ収容凹部２５ｂの底部にガラス台座３２を介して固定されることで、センサ支持体２０の支持面２１に支持される。
保護材収容凹部２５ａには、センサチップ３０、ガラス台座３２、ワイヤ３３、接続端子２３、およびこれらの接続部を覆うように保護材３１が充填されている。このセンサチップ３０等を覆う保護材３１によってセンサチップ３０等を被測定気体Ａに含まれる可能性がある腐食性ガスや液体から保護するとともに、保護材３１に被覆された各部の絶縁性および防食性の向上を図っている。
保護材３１としては、たとえば電気絶縁性および耐薬品性に優れた高分子材料を用いることができる。高分子材料としては、たとえばシリコーンゲル、フッ素ゲル等を用いることができる。保護材３１は、たとえば、センサ収容凹部２５ｂにガラス台座３２を介してセンサチップ３０を固定したあとに、保護材収容凹部２５ａにゲル状または液状のポッティング材を注入して硬化させることによって、センサチップ３０等を覆うように形成することができる。
気体通路２６は、センサ支持体２０を支持面２１から背面２２まで貫通し、センサ支持体２０の支持面２１に臨む圧力測定室Ｃ１と、センサ支持体２０の支持面２１と反対側の背面２２に臨む保温室Ｃ２とを連通している。図１に示す例では、センサ支持体２０に１つの気体通路２６が設けられているが、センサ支持体２０に複数の気体通路２６を設けることもできる。気体通路２６は、たとえば、センサ支持体２０の軸線Ｌ１方向に平行に設けることができる。
接続端子２３は、たとえばニッケルめっきされたリン青銅製の端子であり、センサ支持体２０にインサート成形され、保護材収容凹部２５ａの底部からセンサ支持体２０の外周面の外方までセンサ支持体２０の径方向に延びている。接続端子２３は、基端部が保護材収容凹部２５ａの底部に露出し、先端部がセンサ支持体２０の外周面の突出部２４から径方向に突出して、コネクタ部１３のコネクタピン１３ａに電気的に接続されている。接続端子２３は、たとえばアルミまたは金を材料としてワイヤボンディングによって形成されたワイヤ３３を介してセンサチップ３０に接続される。センサチップ３０、接続端子２３、ワイヤ３３、およびこれらの接続部は、保護材３１によって覆われる。
カバー４０は、センサ支持体２０の支持面２１と反対側の背面２２を覆う蓋状またはキャップ状の部材であり、平坦な円板状の上壁部４１とその上壁部４１の周縁部からセンサ支持体２０の軸線Ｌ１方向に沿って下方に垂下する側壁部４２とを有する平たい円筒状の部材である。カバー４０の側壁部４２の下端は、センサ支持体２０の突出部２４によって支持され、カバー４０の径方向外側に曲折されている。カバー４０は、センサ支持体２０の背面２２に臨む保温室Ｃ２を画定している。カバー４０は、その周囲に設けられた外装ケース１０の凹部１１ａに充填された充填材５０が硬化することで、充填材５０によって外装ケース１０に固定され、充填材５０とともにセンサ支持体２０を外装ケース１０の凹部１１ａに固定している。
以下、本実施形態の圧力センサ１の作用について説明する。
本実施形態の圧力センサ１は、前述のように、たとえば内燃機関の吸気や排気等の被測定気体Ａを測定するために用いられる。圧力センサ１は、外装ケース１０に設けられた圧力導入管１２が、吸気管や排気管に対してチューブやコネクタを介して接続され、外装ケース１０に設けられたコネクタ部１３がＥＣＵに接続された配線のコネクタ部１３に接続される。吸気や排気等の被測定気体Ａは、外装ケース１０の圧力導入管１２を介して外装ケース１０の本体部１１の圧力測定室Ｃ１に導入される。
圧力測定室Ｃ１に導入された被測定気体Ａの圧力によって、圧力測定室Ｃ１に臨むセンサチップ３０のセンシング部のダイアフラムが変形し、センシング部から被測定気体Ａの圧力に応じた電気信号が出力される。センサチップ３０のセンシング部の出力は、ワイヤ３３および接続端子２３を介して外装ケース１０のコネクタ部１３のコネクタピン１３ａに出力され、ＥＣＵに接続された配線のコネクタ部を介してＥＣＵに入力される。これにより、圧力センサ１の出力に基づく被測定気体Ａの圧力がＥＣＵにおいて計測される。
圧力センサ１のカバー４０や外装ケース１０は、たとえば車両の走行時に取り込まれた外気によって冷却され、被測定気体Ａの温度よりも低い温度になる傾向がある。特に、車両が高速走行を行った後に一時的に停車し、再び高速走行を行うような場合には、被測定気体Ａの温度が上昇した状態で外気による冷却作用が大きくなり、圧力センサ１のカバー４０や外装ケース１０と被測定気体Ａとの間の温度差が大きくなりやすい。また、ディーゼル微粒子捕集フィルター（Diesel particulate filter：DPF）の再生時に、被測定気体Ａの温度が外気よりも高温になり、圧力センサ１のカバー４０や外装ケース１０と被測定気体Ａとの間の温度差が大きくなりやすい。
また、センサチップ３０等を覆う保護材３１として、たとえば高分子材料を用いた場合には、保護材３１によって被測定気体Ａに含まれる液体を遮断することができるが、高分子材料は水蒸気を透過させる性質を有する。そのため、被測定気体Ａに含まれる水蒸気が保護材３１に浸透した状態になる傾向がある。
図５は、図１に示す本実施形態の圧力センサ１に対する比較例の圧力センサ１Ｘの断面図である。
図５に示す比較例の圧力センサ１Ｘは、図１に示す本実施形態の圧力センサ１と異なり、カバー４０と、このカバー４０によって画定される保温室Ｃ２と、この保温室Ｃ２と圧力測定室Ｃ１とを連通する気体通路２６とを有しない。図５に示す比較例の圧力センサ１Ｘのその他の構成は、図１に示す本実施形態の圧力センサ１と同一であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
図５に示す比較例の圧力センサ１Ｘは、センサ支持体２０の背面２２が外部に露出し、外気によってセンサ支持体２０が冷却されやすい構造を有している。そのため、前述のように、外気によるセンサ支持体２０の背面２２の冷却効果が大きくなったり、外気と被測定気体Ａとの温度差が大きくなったりすると、センサ支持体２０の温度が、被測定気体Ａの温度よりも低くなり、ひいては被測定気体Ａの露点よりも低くなる場合がある。センサ支持体２０の温度が低下すると、支持面２１のセンサチップ３０等を覆う保護材３１の温度も同様に低下する
保護材３１に水蒸気が浸透した状態で、保護材３１の温度が、たとえば被測定気体Ａの温度よりも大幅に低下し、たとえば被測定気体Ａの露点よりも低下すると、保護材３１によって覆われたセンサチップ３０、ワイヤ３３、接続端子２３、およびこれらの接続部において、保護材３１に浸透した水蒸気が結露して電食が生じ、圧力測定時の不具合や断線が発生するおそれがある。また、外気温等の条件によって、さらに保護材３１の温度が低下して氷点下になると、保護材３１内部で結露した水分が氷結するおそれがある。
ここで、図１に示す本実施形態の圧力センサ１は、被測定気体Ａが導入される圧力測定室Ｃ１と、該圧力測定室Ｃ１に臨むセンサチップ３０と、該センサチップ３０を支持する支持面２１を有するセンサ支持体２０と、センサチップ３０を覆う保護材３１とを備える点は、図５に示す比較例の圧力センサ１Ｘと共通している。さらに、本実施形態の圧力センサ１は、この比較例の圧力センサ１Ｘと共通する構成に加えて、センサ支持体２０の支持面２１と反対側の背面２２に臨む保温室Ｃ２と、この保温室Ｃ２と圧力測定室Ｃ１とを連通する気体通路２６と、を備えている。
そのため、圧力導入管１２を介して圧力測定室Ｃ１に導入された被測定気体Ａは、センサ支持体２０の背面２２に臨む保温室Ｃ２と、センサ支持体２０の支持面２１に臨む圧力測定室Ｃ１とを連通する気体通路２６によって、保温室Ｃ２に導入される。保温室Ｃ２に導入された被測定気体Ａは、センサ支持体２０の背面２２を保温する。すなわち、センサ支持体２０は、支持面２１に臨む圧力測定室Ｃ１と背面２２に臨む保温室Ｃ２の双方に導入された被測定気体Ａによって、支持面２１と背面２２の両側が被測定気体Ａに覆われて保温され、または温められる。
これにより、前述のように、外気によるカバー４０や外装ケース１０の冷却効果が大きくなったり、外気と被測定気体Ａとの温度差が大きくなったりしても、センサ支持体２０の温度が、被測定気体Ａの露点よりも低くなったり、被測定気体Ａの温度よりも大幅に低下したりするのを抑制することができる。そのため、被測定気体Ａから保護材３１に浸透した水蒸気がセンサチップ３０の周囲で結露するのを抑制することができ、保護材３１の内部で水分が氷結するのを防止できる。
また、本実施形態の圧力センサ１において、圧力測定室Ｃ１と保温室Ｃ２とを連通する気体通路２６は、センサ支持体２０に設けられている。そのため、外装ケース１０の設計をほとんど変更することなく、気体通路２６を形成することができる。
また、本実施形態の圧力センサ１は、被測定気体Ａを導入する圧力導入管１２を備え、圧力導入管１２は、圧力測定室Ｃ１に接続されている。これにより、圧力測定室Ｃ１に導入される被測定気体Ａの圧力損失を低減することができ、被測定気体Ａの圧力をより高精度に測定することができる。
また、本実施形態の圧力センサ１において、センサチップ３０は、コネクタピン１３ａとともに出力端子を構成する接続端子２３にワイヤ３３を介して接続され、保護材３１は、ワイヤ３３を覆っている。このようなワイヤ３３は、保護材３１の温度低下時に結露による影響を受けやすいが、本実施形態の圧力センサ１によれば、保護材３１の温度低下を抑制して、ワイヤ３３に対する結露を抑制することができる。
また、本実施形態の圧力センサ１において、保護材３１の素材は、高分子材料である。そのため、被測定気体Ａに含まれる水蒸気が保護材３１に浸透するが、本実施形態の圧力センサ１によれば、保護材３１の温度低下を抑制して、保護材３１に浸透した水蒸気の結露を防止し、保護材３１内部で結露した水分の氷結を防止することができる。
以上説明したように、本実施形態の圧力センサ１によれば、圧力測定素子としてセンサチップ３０を用い、被測定気体Ａから保護材３１に浸透した水蒸気がセンサチップ３０の周囲で結露するのを抑制することができ、圧力測定時の不具合や断線の発生を防止することができる。
［実施形態２］
図２は、本発明の実施形態２に係る圧力センサ１Ａの断面図である。
本実施形態の圧力センサ１Ａは、センサ支持体２０が軸線Ｌ１方向において反転され、外装ケース１０の本体部１１によって保温室Ｃ２が画定され、カバー４０によって圧力測定室Ｃ１が画定されている点で、図１に示す実施形態１の圧力センサ１と異なっている。本実施形態の圧力センサ１Ａのその他の構成は、図１に示す実施形態１の圧力センサ１と同様であるので、同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の圧力センサ１Ａは、被測定気体Ａを導入する圧力導入管１２を備え、この圧力導入管１２は、外装ケース１０の本体部１１によって画定された保温室Ｃ２に接続されている。そのため、圧力導入管１２を介して外装ケース１０の本体部１１に導入された被測定気体Ａは、まず、本体部１１によって画定された保温室Ｃ２に導入され、その後、センサ支持体２０に設けられた気体通路２６を介して、カバー４０によって画定された圧力測定室Ｃ１に導入される。これにより、被測定気体Ａに含まれる水分や異物などがセンサチップ３０を覆う保護材３１に付着することが防止され、圧力センサ１Ａの耐久性が向上する。
また、本実施形態の圧力センサ１Ａは、前述の実施形態１の圧力センサ１と同様に、圧力測定室Ｃ１と保温室Ｃ２に導入された被測定気体Ａによって、センサ支持体２０の支持面２１と背面２２の両側が被測定気体Ａによって覆われて温められ、または保温される。したがって、本実施形態の圧力センサ１Ａによれば、前述の実施形態１の圧力センサ１と同様の効果を得ることができる。
［実施形態３］
図３は、本発明の実施形態３に係る圧力センサ１Ｂの断面図である。
本実施形態の圧力センサ１Ｂは、気体通路１４が外装ケース１０に設けられている点で、図１に示す実施形態１の圧力センサ１と異なっている。本実施形態の圧力センサ１Ｂのその他の構成は、図１に示す実施形態１の圧力センサ１と同様であるので、同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の圧力センサ１Ｂは、センサ支持体２０を支持する外装ケース１０を備え、圧力測定室Ｃ１と保温室Ｃ２とを連通する気体通路１４が外装ケース１０に設けられている。これにより、センサ支持体２０の設計をほとんど変更することなく、圧力センサ１Ｂに気体通路１４を形成することができる。
また、本実施形態の圧力センサ１Ｂは、前述の実施形態１の圧力センサ１と同様に、圧力測定室Ｃ１と保温室Ｃ２に導入された被測定気体Ａによって、センサ支持体２０の支持面２１と背面２２の両側が被測定気体Ａによって覆われて温められ、または保温される。したがって、本実施形態の圧力センサ１Ｂによれば、前述の実施形態１の圧力センサ１と同様の効果を得ることができる。
［実施形態４］
図４は、本発明の実施形態４に係る圧力センサ１Ｃの断面図である。
本実施形態の圧力センサ１Ｃは、主に、センサ支持体２０の軸線Ｌ３方向が圧力導入管１２の軸線Ｌ１方向と垂直になるように、センサ支持体２０が外装ケース１０に支持され、気体通路１４が外装ケース１０に設けられている点で、図２に示す実施形態２の圧力センサ１Ｂと異なっている。本実施形態の圧力センサ１Ｃのその他の構成は、図２に示す実施形態２の圧力センサ１Ｂと同様であるので、同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の圧力センサ１Ｃにおいて、外装ケース１０の本体部１１は、側部に開口１５を有し、開口１５の周囲にカバー４０の側壁部４２の端部を嵌合させる溝部１６を有している。カバー４０は、たとえばエポキシ樹脂を充填した外装ケース１０の溝部１６に側壁部４２の端部を嵌合させてエポキシ樹脂を硬化させることによって外装ケース１０に固定され、本体部１１の側部の開口１５を閉塞し、本体部１１の側部の開口１５の内側に圧力測定室Ｃ１を画定している。
外装ケース１０の本体部１１の開口１５の内側には、センサ支持体２０の軸線Ｌ３方向が圧力導入管１２の軸線Ｌ１方向と垂直になるように、センサ支持体２０を外装ケース１０に支持する支持部１７が設けられている。支持部１７は、センサ支持体２０の背面２２を外装ケース１０によって画定された保温室Ｃ２に露出させる開口１７ａと、保温室Ｃ２と圧力測定室Ｃ１とを連通する気体通路１４とを有している。
また、図４において図示を省略するコネクタ部１３が、センサ支持体２０の軸線Ｌ３方向および圧力導入管１２の軸線Ｌ１方向に垂直な方向に設けられている。また、外装ケース１０の本体部１１には、センサ支持体２０の軸線Ｌ３方向に平行で圧力導入管１２の軸線Ｌ１方向に垂直な方向に突出するフランジ１８が設けられている。
本実施形態の圧力センサ１Ｃにおいて、圧力導入管１２は、センサ支持体２０の背面２２と平行に、本体部１１によって画定された保温室Ｃ２に接続されている。これにより、被測定気体Ａに含まれる水分や異物が、センサ支持体２０の背面２２に衝突するのを防止して、圧力センサ１Ｃの耐久性をさらに向上させることができる。
また、本実施形態の圧力センサ１Ｃは、前述の実施形態２の圧力センサ１Ｂと同様に、圧力導入管１２を介して保温室Ｃ２に導入された被測定気体Ａと、気体通路１４を介して保温室Ｃ２から圧力測定室Ｃ１に導入された被測定気体Ａとによって、センサ支持体２０の支持面２１と背面２２の双方が覆われて温められ、または保温される。したがって、本実施形態の圧力センサ１Ｃによれば、前述の実施形態２の圧力センサ１Ｂと同様の効果を得ることができる。
以上、図面を用いて本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…圧力センサ、１０…外装ケース、１２…圧力導入管、１４…気体通路、２０…センサ支持体、２１…支持面、２２…背面、２３…接続端子（出力端子）、２６…気体通路、３０…センサチップ、３１…保護材、３３…ワイヤ、Ａ…被測定気体、Ｃ１…圧力測定室、Ｃ２…保温室

Claims (6)

  1. 被測定気体が導入される圧力測定室と、該圧力測定室に臨むセンサチップと、該センサチップを支持する支持面を有するセンサ支持体と、前記センサチップを覆う保護材とを備えた圧力センサであって、
    前記センサ支持体の前記支持面と反対側の背面を覆うカバーと、前記カバーと前記背面との間に画定され前記背面に臨む保温室と、該保温室と前記圧力測定室とを連通する気体通路と、を備えることを特徴とする圧力センサ。
  2. 前記気体通路は、前記センサ支持体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  3. 前記センサ支持体を支持する外装ケースを備え、
    前記気体通路は、前記外装ケースに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  4. 前記被測定気体を導入する圧力導入管を備え、
    前記圧力導入管は、前記圧力測定室に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  5. 前記センサチップは、ワイヤを介して出力端子に接続され、
    前記保護材は、前記ワイヤを覆うことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
  6. 前記保護材の素材は、高分子材料であることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6315025B2 (ja) * 2016-04-26 2018-04-25 株式会社デンソー 物理量センサおよびその製造方法
US20190219529A1 (en) * 2016-05-23 2019-07-18 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Humidity Measuring Apparatus
US10545064B2 (en) * 2017-05-04 2020-01-28 Sensata Technologies, Inc. Integrated pressure and temperature sensor
CA3072970C (en) * 2017-08-14 2022-07-12 Hahn-Schickard-Gesellschaft Fuer Angewandte Forschung E.V. Sensor assembly comprising a pressure sensor and a thermal gas sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2586421B2 (ja) * 1987-08-25 1997-02-26 日本電装株式会社 半導体圧力検出装置
ES2026615T3 (es) 1987-09-24 1992-05-01 Siemens Aktiengesellschaft Convertidor de presion con pletinas de conexion, especialmente para el control de un automovil.
JPH0540069A (ja) * 1991-08-07 1993-02-19 Nissan Motor Co Ltd 脈動圧力センサ
US5747694A (en) 1995-07-28 1998-05-05 Nippondenso Co., Ltd. Pressure sensor with barrier in a pressure chamber
JP3410257B2 (ja) * 1995-07-31 2003-05-26 株式会社デンソー 圧力センサ
JPH11118639A (ja) 1997-10-15 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JP2001215159A (ja) 2000-01-31 2001-08-10 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JP3888228B2 (ja) 2002-05-17 2007-02-28 株式会社デンソー センサ装置
JP4453729B2 (ja) * 2007-08-20 2010-04-21 株式会社デンソー 圧力センサ
US8028584B2 (en) 2007-08-20 2011-10-04 Denso Corporation Pressure sensor and method for manufacturing the same
JP4985572B2 (ja) 2008-07-10 2012-07-25 株式会社デンソー 圧力センサ

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