JP6600285B2 - Manufacturing method of multilayer wiring board - Google Patents
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Description
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.
絶縁性基材に設けられた微細孔に金属が充填されてなる金属充填微細構造体（デバイス）は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性接合部材としての用途が期待されている。
この異方導電性接合部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続するような方式や、フィリップチップボンディング、サーモコンプレッション（熱圧着）ボンディングなどでは、接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性接合部材が注目されている。
Metal-filled microstructures (devices) in which fine holes provided in an insulating substrate are filled with metal are one of the fields that have recently been attracting attention in nanotechnology. For example, as anisotropic conductive joint members The use of is expected.
This anisotropically conductive joining member is inserted between an electronic component such as a semiconductor element and a circuit board, and electrical connection between the electronic component and the circuit board can be obtained simply by applying pressure. It is widely used as an electrical connection member such as an inspection connector or the like when performing a function inspection.
In particular, electronic components such as semiconductor elements are markedly downsized, and in the method of directly connecting a wiring board such as conventional wire bonding, Philip chip bonding, thermo compression (thermocompression bonding), etc., Since the stability of the connection cannot be sufficiently ensured, an anisotropic conductive joint member has attracted attention as an electronic connection member.
このような異方導電性接合部材に用いることができる微細構造体として、例えば、特許文献１には、「１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2の密度で、孔径１０〜５００ｎｍのマイクロポア貫通孔を有する絶縁性基材よりなる微細構造体であって、マイクロポア貫通孔内部に、充填率３０％以上で金属が充填され、且つ、絶縁性基材の少なくとも一方の表面上にポリマーよりなる層が設けられていることを特徴とする微細構造体。」が記載されており（［請求項１］）、この微細構造体を異方導電性部材として用いる場合に、微細構造体と、半導体素子等の電子部品と、を熱圧着により接合する態様が記載されている（［００１８］［図２］）。 As a fine structure that can be used for such an anisotropic conductive joining member, for example, Patent Document 1 discloses a micro structure having a density of 1 × 10 6 to 1 × 10 10 / mm 2 and a pore diameter of 10 to 500 nm. A fine structure made of an insulating base material having pore through-holes, wherein the micropore through-holes are filled with metal at a filling rate of 30% or more, and a polymer is formed on at least one surface of the insulating base material A fine structure characterized in that a layer comprising a layer of the above structure is provided ([Claim 1]), and when this fine structure is used as an anisotropic conductive member, A mode is described in which an electronic component such as a semiconductor element is joined by thermocompression bonding ([0018] [FIG. 2]).
本発明者は、特許文献１に記載された異方導電性接合部材と電子部品との接合について検討を行った結果、熱圧着の方法によっては、接合後の多層配線基板の導通性および信頼性が劣る場合があることを明らかとした。 As a result of studying the bonding between the anisotropic conductive bonding member and the electronic component described in Patent Document 1, the present inventor has determined the continuity and reliability of the multilayer wiring board after bonding depending on the thermocompression bonding method. It was clarified that there is a case that is inferior.
そこで、本発明は、優れた導通性および信頼性を達成することができる多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。 Then, this invention makes it a subject to provide the manufacturing method of the multilayer wiring board which can achieve the outstanding electroconductivity and reliability.
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、熱硬化性樹脂を用いて異方導電性接合部材と配線基板とを仮接合した後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱しながら異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合することにより、多層配線基板の導通性および信頼性が良好となることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
As a result of earnest research to achieve the above-mentioned problems, the present inventor, after temporarily joining the anisotropic conductive joint member and the wiring board using the thermosetting resin, at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. The electrical connection between the conductive path of the anisotropic conductive joint member and the electrode of the wiring board while heating is found to improve the continuity and reliability of the multilayer wiring board and complete the present invention. I let you.
That is, the present inventor has found that the above problem can be solved by the following configuration.
［１］ 異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法であって、
異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路とを有し、複数の導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
配線基板が有する複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、
異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、
熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する、多層配線基板の製造方法。
［２］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］に記載の多層配線基板の製造方法。
［３］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］または［２］に記載の多層配線基板の製造方法。
［４］ 本接合プロセスにおいて、加圧した後または加圧した状態で加熱を行う、［１］〜［３］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
［５］ 本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
[1] A method for manufacturing a multilayer wiring board for producing a multilayer wiring board comprising an anisotropic conductive bonding member and a wiring board having a plurality of electrodes,
An anisotropic conductive joining member includes an insulating base material made of an inorganic material, and a plurality of conductive paths made of an electrically conductive member provided in a state of being insulated from each other in the thickness direction of the insulating base material. A plurality of conductive paths have a protruding portion protruding from the surface of the insulating substrate;
The height of the plurality of electrodes of the wiring board is 10 μm or less,
A temporary bonding process in which the anisotropic conductive bonding member and the wiring board are bonded using a non-conductive thermosetting resin;
A multi-layer having, in this order, a main joining process for electrically joining the conductive path of the anisotropic conductive joint member and the electrode of the wiring board by heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. A method for manufacturing a wiring board.
[2] Before the temporary bonding process, a resin layer containing a thermosetting resin is provided on the surface of the anisotropic conductive bonding member on the side that is electrically bonded to the electrode of the wiring board. ] The manufacturing method of the multilayer wiring board of description.
[3] Before the temporary bonding process, a resin layer containing a thermosetting resin is provided on the surface of the wiring board on the side that is electrically bonded to the conduction path of the anisotropic conductive bonding member. The manufacturing method of the multilayer wiring board as described in 1] or [2].
[4] The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of [1] to [3], wherein in the bonding process, heating is performed after pressurization or in a pressurized state.
[5] The method according to any one of [1] to [4], further including a resin curing process for curing the thermosetting resin by heating at a temperature equal to or higher than the curing temperature of the thermosetting resin after the main bonding process. Manufacturing method of multilayer wiring board.
以下に説明するように、本発明によれば、優れた導通性および信頼性を達成することができる多層配線基板の製造方法を提供することができる。 As will be described below, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of achieving excellent electrical conductivity and reliability.
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The description of the constituent elements described below may be made based on typical embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
In the present specification, a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
［多層配線基板の製造方法］
本発明の多層配線基板の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す。）は、異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法である。
また、本発明の製造方法は、異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
[Manufacturing method of multilayer wiring board]
A method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention (hereinafter abbreviated as “the manufacturing method of the present invention”) produces a multilayer wiring board comprising an anisotropic conductive joint member and a wiring board having a plurality of electrodes. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
Moreover, the manufacturing method of this invention has a temporary joining process which adhere | attaches an anisotropically conductive joining member and a wiring board using a nonelectroconductive thermosetting resin.
In addition, the manufacturing method of the present invention electrically connects the conductive path of the anisotropic conductive joint member and the electrode of the wiring board by heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin after the temporary joining process. A main joining process for jointly joining.
Moreover, it is preferable that the manufacturing method of this invention has the resin hardening process which hardens a thermosetting resin by heating at the temperature more than the hardening temperature of a thermosetting resin after this joining process.
本発明の製造方法においては、上述した通り、仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱しながら異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合させる本接合プロセスを有することにより、優れた導通性および信頼性を達成することができる。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
すなわち、本接合プロセスにおいて、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動しやすくなり、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部に残存し難くなるため、導通性が良好になると考えられる。
また、上述した通り、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動することにより、流動した熱硬化性樹脂が、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部を周囲から補強する材料として機能するため、信頼性が良好になると考えられる。
以下に、本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材、配線基板および熱硬化性樹脂、ならびに、本発明の製造方法が有する仮接合プロセス、本接合プロセスおよび任意の樹脂硬化プロセスについて詳述する。
In the manufacturing method of the present invention, as described above, after the temporary bonding process, the conductive path of the anisotropic conductive bonding member and the electrode of the wiring board are heated while heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. By having the main joining process of electrically joining, excellent continuity and reliability can be achieved.
This is not clear in detail, but is estimated to be as follows.
That is, in this bonding process, by heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, the thermosetting resin easily flows between the electrodes of the wiring board or between the conduction paths of the anisotropic conductive bonding member, Since it becomes difficult to remain in the junction part of the electrode of a wiring board and the conduction path of an anisotropically conductive joining member, it is thought that electroconductivity becomes favorable.
In addition, as described above, the thermosetting resin flows between the electrodes of the wiring board or between the conductive paths of the anisotropic conductive bonding member, so that the fluidized thermosetting resin becomes anisotropically conductive with the electrodes of the wiring board. Since it functions as a material that reinforces the joint portion between the joining member and the conduction path from the periphery, it is considered that the reliability is improved.
The anisotropic conductive joint member, the wiring board, and the thermosetting resin used in the production method of the present invention, and the temporary joining process, the main joining process, and the optional resin curing process of the production method of the present invention are described in detail below. To do.
〔異方導電性接合部材〕
本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、を具備している。
また、各導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
次に、異方導電性接合部材の構成について、図１Ａおよび図１Ｂならびに図２を用いて説明する。
[Anisotropic conductive joint member]
The anisotropic conductive joint member used in the production method of the present invention is composed of an insulating base material made of an inorganic material and a conductive member that is provided in a state of being insulated from each other in the thickness direction of the insulating base material. A plurality of conduction paths.
Each conduction path has a protruding portion protruding from the surface of the insulating substrate.
Next, the structure of the anisotropic conductive joint member will be described with reference to FIGS. 1A and 1B and FIG.
図１Ａおよび図１Ｂに示す異方導電性接合部材１は、絶縁性基材２と、導電性部材からなる複数の導通路３とを具備するものである。
また、導通路３は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向Ｚ（Ｚ１：図１Ａの裏面から正面の方向，Ｚ２：図１Ａの正面から裏面の方向）に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図１Ｂに示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有している。
ここで、「互いに絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部（厚み方向）に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに絶縁された状態であることを意味する。
An anisotropic conductive joining member 1 shown in FIGS. 1A and 1B includes an insulating base 2 and a plurality of conductive paths 3 made of a conductive member.
Further, as shown in FIGS. 1A and 1B, the conductive path 3 is insulated from each other in the thickness direction Z (Z1: the direction from the back of FIG. 1A to the front, Z2: the front of FIG. 1A). To the back surface direction).
Furthermore, as shown in FIG. 1B, the conduction path 3 has projecting portions 3 a and 3 b that project from the surfaces 2 a and 2 b of the insulating substrate 2.
Here, “the state of being insulated from each other” means that the respective conduction paths existing inside (thickness direction) of the insulating base material are insulated from each other inside the insulating base material. .
図２に示す異方導電性接合部材１は、絶縁性基材２と、導電性部材からなる複数の導通路３と、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂに設けられた樹脂層４とを具備するものである。なお、樹脂層４は、後述する熱硬化性樹脂を含有する層である。
また、導通路３は、図２に示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図２に示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有しており、この突出部分３ａおよび３ｂの端部が、樹脂層４に埋設している。
An anisotropic conductive joining member 1 shown in FIG. 2 includes an insulating base material 2, a plurality of conductive paths 3 made of a conductive member, and a resin layer 4 provided on the surfaces 2a and 2b of the insulating base material 2. It comprises. In addition, the resin layer 4 is a layer containing the thermosetting resin mentioned later.
Further, as shown in FIG. 2, the conduction path 3 is provided through the insulating base material 2 in the thickness direction while being insulated from each other.
Furthermore, as shown in FIG. 2, the conduction path 3 has projecting portions 3a and 3b projecting from the surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2, and the end portions of the projecting portions 3a and 3b are made of resin. Embedded in layer 4.
次に、異方導電性接合部材の絶縁性基材および導通路について、材料、寸法、形成方法等について説明する。 Next, materials, dimensions, formation methods, and the like will be described for the insulating base material and the conduction path of the anisotropic conductive joint member.
＜絶縁性基材＞
異方導電性接合部材を構成する絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する熱硬化性樹脂と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
<Insulating base material>
The insulating base material constituting the anisotropically conductive joining member is made of an inorganic material, and has an electrical resistivity (about 10 14 Ω · cm) that is the same as the insulating base material that constitutes a conventionally known anisotropically conductive film or the like. ) Is not particularly limited.
In addition, “consisting of an inorganic material” is a rule for distinguishing from a thermosetting resin described later, and is not a rule limited to an insulating substrate composed only of an inorganic material. 50 mass% or more).
上記絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、セラミックス基材（例えば、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等）、カーボン基材（例えば、ダイヤモンドライクカーボン等）、ポリイミド基材、これらの複合材料などが挙げられ、また、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料やカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜した材料であってもよい。 Examples of the insulating base material include a metal oxide base material, a metal nitride base material, a glass base material, a ceramic base material (for example, silicon carbide, silicon nitride), and a carbon base material (for example, diamond-like carbon). Etc.), polyimide base materials, composite materials thereof, and the like, and may be a material formed of an inorganic material containing 50% by mass or more of a ceramic material or a carbon material on an organic material having a through hole. .
本発明においては、上記絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通孔として形成され、後述する導通路を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であるのが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であるのがより好ましい。
ここで、上記バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であるのが好ましい。
In the present invention, the insulating base material is a metal oxide base material because micropores having a desired average opening diameter are formed as through-holes and a conductive path described later is easily formed. Preferably, it is a valve metal anodic oxide film.
Specific examples of the valve metal include aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth, and antimony.
Of these, an anodic oxide film (base material) of aluminum is preferable because it has good dimensional stability and is relatively inexpensive.
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図１Ｂにおいては符号６で表される部分）は、１μｍ〜１０００μｍであるのが好ましく、１μｍ〜５００μｍであるのがより好ましく、１μｍ〜１００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
ここで、絶縁性基材の厚みは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、１０点で測定した厚みの平均値をいう。
In the present invention, the thickness of the insulating substrate (the portion represented by reference numeral 6 in FIG. 1B) is preferably 1 μm to 1000 μm, more preferably 1 μm to 500 μm, and 1 μm to 100 μm. More preferably. When the thickness of the insulating substrate is within this range, the handleability of the insulating substrate is improved.
Here, the thickness of the insulating substrate refers to the average value of the thicknesses measured at 10 points by observing the cross section of the anisotropic conductive joint member with an electrolytic emission scanning electron microscope.
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記各導通路の間隔は、５ｎｍ〜８００ｎｍであるのが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、２０ｎｍ〜６０ｎｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材における各導通路の間隔がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
ここで、各導通路の間隔とは、隣接する導通路間の幅（図１Ｂにおいては符号７で表される部分）をいい、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導通路間の幅を１０点で測定した平均値をいう。
Moreover, in this invention, it is preferable that the space | interval of each said conduction path in the said insulating base material is 5 nm-800 nm, It is more preferable that it is 10 nm-200 nm, It is still more preferable that it is 20 nm-60 nm. When the distance between the conductive paths in the insulating base is within this range, the insulating base functions sufficiently as an insulating partition.
Here, the interval between the conductive paths refers to the width between adjacent conductive paths (the portion represented by reference numeral 7 in FIG. 1B), and the cross section of the anisotropic conductive joint member is represented by a field emission scanning electron microscope. Observed at a magnification of 200,000 times and an average value obtained by measuring the width between adjacent conductive paths at 10 points.
＜導通路＞
異方導電性接合部材を構成する複数の導通路は、上記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる導通路である。
また、上記導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
<Conduction path>
The plurality of conductive paths constituting the anisotropic conductive joint member are conductive paths formed of conductive members that are provided in a state of being insulated from each other through the insulating base material in the thickness direction.
Moreover, the said conduction path has the protrusion part which protruded from the surface of the insulating base material.
（導電性部材）
上記導通路を構成する導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
(Conductive member)
The conductive member constituting the conduction path is not particularly limited as long as the electrical resistivity is 10 3 Ω · cm or less, and specific examples thereof include gold (Au), silver (Ag), copper (Cu ), Aluminum (Al), magnesium (Mg), nickel (Ni), tin oxide doped with indium (ITO), and the like.
Among these, from the viewpoint of electrical conductivity, copper, gold, aluminum, and nickel are preferable, and copper and gold are more preferable.
（突出部分）
上記導通路の突出部分は、導通路が絶縁性基材の表面から突出した部分である。
(Protruding part)
The protrusion part of the said conduction path is a part which the conduction path protruded from the surface of the insulating base material.
本発明においては、異方導電性接合部材の導通路と配線基板の電極とを接合する際に、突出部分が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、上記導通路の突出部分のアスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が０．５以上５０未満であるのが好ましく、０．８〜２０であるのがより好ましく、１〜１０であるのが更に好ましい。 In the present invention, when the conductive path of the anisotropic conductive joint member and the electrode of the wiring board are joined, the insulation of the conductive path can be sufficiently ensured because the insulation in the surface direction when the protruding portion is crushed can be secured. The aspect ratio of the protruding portion (the height of the protruding portion / the diameter of the protruding portion) is preferably 0.5 or more and less than 50, more preferably 0.8 to 20, and further preferably 1 to 10. preferable.
また、本発明においては、配線基板の表面形状に追従する観点から、上記導通路の突出部分の高さが、５０ｎｍ〜３０００ｎｍであるのが好ましく、１００〜２０００ｎｍであるのがより好ましく、２００〜１０００ｎｍであるのが更に好ましい。
同様に、上記導通路の突出部分の直径は、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
ここで、導通路の突出部分の高さは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導通路の突出部分の高さを１０点で測定した平均値をいう。
同様に、導通路の突出部分の直径は、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導通路の突出部分の直径を１０点で測定した平均値をいう。
In the present invention, from the viewpoint of following the surface shape of the wiring board, the height of the protruding portion of the conductive path is preferably 50 nm to 3000 nm, more preferably 100 to 2000 nm, and 200 to 200 nm. More preferably, it is 1000 nm.
Similarly, the diameter of the protruding portion of the conduction path is preferably more than 5 nm and not more than 10 μm, and more preferably 20 nm to 1000 nm.
Here, the height of the projecting portion of the conductive path is observed by observing the cross section of the anisotropic conductive joint member with a field emission scanning electron microscope at a magnification of 20,000 times, and the height of the projecting portion of the conductive path is 10 points. Mean value measured in
Similarly, the diameter of the protruding portion of the conduction path refers to an average value obtained by observing the cross section of the anisotropic conductive joint member with a field emission scanning electron microscope and measuring the diameter of the protruding portion of the conduction path at 10 points.
（他の形状）
上記導通路は柱状であり、その直径（図１Ｂにおいては符号８で表される部分）は、突出部分の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
(Other shapes)
The conduction path has a columnar shape, and the diameter (portion represented by reference numeral 8 in FIG. 1B) is preferably more than 5 nm and not more than 10 μm, and more preferably 20 nm to 1000 nm, like the diameter of the protruding portion. preferable.
また、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であるのがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であるのが更に好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であるのが最も好ましい。 Moreover, although the said conduction path exists in the state mutually insulated by the said insulating base material, it is preferable that the density is 20,000 pieces / mm < 2 > or more, and it is 2 million pieces / mm < 2 > or more. More preferably, it is more preferably 10 million pieces / mm 2 or more, particularly preferably 50 million pieces / mm 2 or more, and most preferably 100 million pieces / mm 2 or more.
更に、隣接する各導通路の中心間距離（図１Ａおよび図１Ｂにおいては符号９で表される部分）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。 Furthermore, the center-to-center distance between adjacent conductive paths (portion represented by reference numeral 9 in FIGS. 1A and 1B) is preferably 20 nm to 500 nm, more preferably 40 nm to 200 nm, and more preferably 50 nm to More preferably, it is 140 nm.
〔異方導電性接合部材の作製方法〕
異方導電性接合部材の作製方法は特に限定されないが、例えば、上記絶縁性基材に設けられた貫通孔に上記導電性材料を存在させて上記導通路を形成する導通路形成工程と、導通路形成工程の後に上記絶縁性基材の表面のみを一部除去し、上記導通路を突出させるトリミング工程とを有する製造方法等が挙げられる。
[Production Method of Anisotropic Conductive Bonding Member]
The method for producing the anisotropic conductive joint member is not particularly limited. For example, a conductive path forming step in which the conductive material is present in a through hole provided in the insulating base material to form the conductive path; Examples of the manufacturing method include a trimming step in which only a part of the surface of the insulating base material is removed after the passage forming step to project the conductive path.
＜絶縁性基材の作製＞
上記絶縁性基材は、例えば、貫通孔を有するガラス基板（Through Glass Via：ＴＧＶ）をそのまま用いることができるが、上記導通路の開口径や突出部分のアスペクト比を上述した範囲とする観点から、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施す方法が好ましい。
上記陽極酸化処理としては、例えば、上記絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合は、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。
本発明においては、上記絶縁性基材の作製に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００４１］〜［０１２１］段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
<Preparation of insulating substrate>
As the insulating base material, for example, a glass substrate (Through Glass Via: TGV) having a through hole can be used as it is. From the viewpoint of setting the opening diameter of the conductive path and the aspect ratio of the protruding portion in the above-described range. A method of anodizing the valve metal is preferred.
As the anodizing treatment, for example, when the insulating base material is an aluminum anodized film, the anodizing treatment was performed by anodizing the aluminum substrate, and the anodizing treatment after the anodizing treatment. It can be manufactured by performing a penetration process in which holes are penetrated by micropores in this order.
In the present invention, the aluminum substrate used for the production of the insulating substrate and the treatment steps applied to the aluminum substrate are the same as those described in paragraphs [0041] to [0121] of JP-A-2008-270158. Can be adopted.
＜導通路形成工程＞
上記導通路形成工程は、上記絶縁性基材に設けられた上記貫通孔に上記導電性材料を存在させる工程である。
ここで、上記貫通孔に金属を存在させる方法としては、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）と同様の方法が挙げられる。
また、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、金、ニッケル、銅等による電極層を予め設けることが好ましい。この電極層の形成方法としては、例えば、スパッタ等の気相処理；無電解めっき等の液層処理；これらを組合せた処理；等が挙げられる。
上記金属充填工程により、導通路の突出部分が形成される前の異方導電性接合部材が得られる。
<Conducting path formation process>
The conduction path forming step is a step of allowing the conductive material to exist in the through hole provided in the insulating base material.
Here, as a method of making the metal exist in the through hole, for example, each method described in paragraphs [0123] to [0126] and [FIG. 4] of JP-A-2008-270158 (electrolytic plating method or A method similar to the electrolytic plating method) may be mentioned.
In the electrolytic plating method or the electroless plating method, it is preferable to provide an electrode layer of gold, nickel, copper or the like in advance. Examples of the method for forming the electrode layer include vapor phase treatment such as sputtering; liquid layer treatment such as electroless plating; treatment combining these, and the like.
By the metal filling step, the anisotropic conductive joint member before the projecting portion of the conduction path is formed is obtained.
一方、上記導通路形成工程は、特開２００８−２７０１５８号公報に記載された方法に代えて、例えば、アルミニウム基板の片側の表面（以下、「片面」ともいう。）に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、バリア層除去工程の後に電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程とを有する工程を有する方法であってもよい。 On the other hand, in the conductive path forming step, instead of the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-270158, for example, the surface of one side of the aluminum substrate (hereinafter also referred to as “one side”) is subjected to anodization treatment, An anodizing process for forming an anodized film having micropores in the thickness direction and a barrier layer at the bottom of the micropores on one surface of the aluminum substrate, and an anodized film barrier layer after the anodizing process A barrier layer removing step for removing metal, a metal filling step for performing electrolytic plating treatment after the barrier layer removing step to fill the inside of the micropore, a metal filling microstructure for removing the aluminum substrate after the metal filling step It may be a method having a step including a substrate removing step for obtaining a body.
（陽極酸化処理工程）
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性を担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
(Anodizing process)
In the anodic oxidation process, an anodic oxidation process is performed on one surface of the aluminum substrate, whereby an anodic oxide film having micropores existing in the thickness direction and a barrier layer existing at the bottom of the micropores on one surface of the aluminum substrate. Is a step of forming.
A conventionally known method can be used for the anodizing treatment, but it is preferable to use a self-regulating method or a constant voltage treatment from the viewpoint of increasing the regularity of the micropore array and ensuring anisotropic conductivity.
Here, the self-ordering method and the constant voltage process of the anodizing process are the same processes as those described in paragraphs [0056] to [0108] and [FIG. 3] of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-270158. Can be applied.
（バリア層除去工程）
上記バリア層除去工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、マイクロポアを介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。
(Barrier layer removal process)
The barrier layer removing step is a step of removing the barrier layer of the anodized film after the anodizing treatment step. By removing the barrier layer, a part of the aluminum substrate is exposed through the micropore.
The method for removing the barrier layer is not particularly limited. For example, the method for electrochemically dissolving the barrier layer at a potential lower than the potential in the anodizing treatment in the anodizing treatment step (hereinafter referred to as “electrolytic removal treatment”). A method of removing the barrier layer by etching (hereinafter, also referred to as “etching removal treatment”); a combination of these methods (particularly, after the electrolytic removal treatment is performed, the remaining barrier layer is removed by the etching removal treatment). And the like.
〈電解除去処理〉
上記電解除去処理は、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
本発明においては、上記電解溶解処理は、例えば、上記陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上記陽極酸化処理と連続して施すことができる。
<Electrolytic removal treatment>
The electrolytic removal treatment is not particularly limited as long as it is an electrolytic treatment performed at a potential lower than the potential (electrolytic potential) in the anodizing treatment in the anodizing treatment step.
In the present invention, the electrolytic dissolution treatment can be performed continuously with the anodizing treatment, for example, by lowering the electrolytic potential at the end of the anodizing treatment step.
上記電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述したように上記電解除去処理と上記陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
The electrolytic removal treatment can employ the same electrolytic solution and treatment conditions as those of the previously known anodizing treatment described above for conditions other than the electrolytic potential.
In particular, as described above, when the electrolytic removal treatment and the anodizing treatment are successively performed, it is preferable to perform treatment using the same electrolytic solution.
｛電解電位｝
上記電解除去処理における電解電位は、上記陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であるのが好ましく、５Ｖ以下であるのがより好ましく、２Ｖ以下であるのが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下が更に好ましい。
{Electrolytic potential}
The electrolytic potential in the electrolytic removal treatment is preferably lowered continuously or stepwise (stepwise) to a potential lower than the electrolytic potential in the anodizing treatment.
Here, the decrease width (step width) when the electrolytic potential is lowered stepwise is preferably 10 V or less, more preferably 5 V or less, from the viewpoint of the withstand voltage of the barrier layer, and 2 V or less. More preferably.
In addition, the voltage drop rate when dropping the electrolytic potential continuously or stepwise is preferably 1 V / second or less, more preferably 0.5 V / second or less, and 0.2 V / second from the viewpoint of productivity. More preferred is less than a second.
〈エッチング除去処理〉
上記エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
<Etching removal treatment>
The etching removal process is not particularly limited, but may be a chemical etching process that dissolves using an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution, or may be a dry etching process.
｛化学エッチング処理｝
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、上記陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
{Chemical etching process}
The removal of the barrier layer by the chemical etching treatment is performed by, for example, immersing the structure after the anodizing treatment step in an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution and filling the inside of the micropore with an acid aqueous solution or an alkali aqueous solution, Only the barrier layer can be selectively dissolved by a method of contacting the surface of the micropores on the opening side with a pH buffer solution.
ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、１５〜８０℃が好ましく、更に２０〜６０℃が好ましく、更に３０〜５０℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０〜６０℃が好ましく、更に１５〜４５℃が好ましく、更に２０〜３５℃であるのが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛や他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
Here, when an acid aqueous solution is used, it is preferable to use an aqueous solution of an inorganic acid such as sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof. Moreover, it is preferable that the density | concentration of acid aqueous solution is 1-10 mass%. The temperature of the acid aqueous solution is preferably 15 to 80 ° C, more preferably 20 to 60 ° C, and further preferably 30 to 50 ° C.
On the other hand, when using an alkaline aqueous solution, it is preferable to use an aqueous solution of at least one alkali selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. Moreover, it is preferable that the density | concentration of aqueous alkali solution is 0.1-5 mass%. The temperature of the alkaline aqueous solution is preferably 10 to 60 ° C, more preferably 15 to 45 ° C, and further preferably 20 to 35 ° C. The alkaline aqueous solution may contain zinc or other metals.
Specifically, for example, 50 g / L, 40 ° C. phosphoric acid aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. sodium hydroxide aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. potassium hydroxide aqueous solution, etc. are preferably used. It is done.
In addition, as a pH buffer solution, the buffer solution corresponding to the acid aqueous solution or alkali aqueous solution mentioned above can be used suitably.
また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。 The immersion time in the aqueous acid solution or aqueous alkali solution is preferably 8 to 120 minutes, more preferably 10 to 90 minutes, and further preferably 15 to 60 minutes.
｛ドライエッチング処理｝
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ2／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
{Dry etching process}
For the dry etching treatment, for example, a gas species such as a Cl 2 / Ar mixed gas is preferably used.
（金属充填工程）
上記金属充填工程は、上記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程であり、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）が挙げられる。
なお、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、上述したバリア層除去工程の後にマイクロポアを介して露出するアルミニウム基板を電極として利用することができる。
(Metal filling process)
The metal filling step is a step of filling the inside of the micropores in the anodic oxide film with an electrolytic plating process after the barrier layer removing step. For example, [0123] of JP 2008-270158 A The method (electrolytic plating method or electroless plating method) similar to each method described in the [0126] paragraph and [FIG. 4] is mentioned.
In the electrolytic plating method or the electroless plating method, an aluminum substrate exposed through a micropore after the barrier layer removing step described above can be used as an electrode.
（基板除去工程）
上記基板除去工程は、上記金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法としては、例えば、処理液を用いて、上記金属充填工程においてマイクロポアの内部に充填した金属および絶縁性基材としての陽極酸化膜を溶解せずに、アルミニウム基板のみを溶解させる方法等が挙げられる。
(Substrate removal process)
The substrate removal step is a step of removing the aluminum substrate after the metal filling step to obtain a metal-filled microstructure.
As a method for removing the aluminum substrate, for example, using the treatment liquid, the metal filled in the micropore in the metal filling step and the anodized film as the insulating base material are not dissolved, and only the aluminum substrate is removed. The method of making it melt | dissolve etc. are mentioned.
上記処理液としては、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられ、中でも、塩酸／塩化銅混合物であるのが好ましい。
また、上記処理液の濃度としては、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
また、処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
Examples of the treatment liquid include aqueous solutions of mercury chloride, bromine / methanol mixture, bromine / ethanol mixture, aqua regia, hydrochloric acid / copper chloride mixture, etc. Among them, a hydrochloric acid / copper chloride mixture is preferable.
Moreover, as a density | concentration of the said processing liquid, 0.01-10 mol / L is preferable and 0.05-5 mol / L is more preferable.
Moreover, as processing temperature, -10 to 80 degreeC is preferable and 0 to 60 degreeC is preferable.
＜トリミング工程＞
上記トリミング工程は、上記導通路形成工程後の異方導電性接合部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜５０℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
<Trimming process>
The trimming step is a step in which only the insulating base material on the surface of the anisotropic conductive joint member after the conductive path forming step is partially removed to project the conductive path.
Here, the trimming treatment is not particularly limited as long as it does not dissolve the metal constituting the conduction path. For example, when an acid aqueous solution is used, an inorganic acid such as sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof It is preferable to use an aqueous solution of Especially, the aqueous solution which does not contain chromic acid is preferable at the point which is excellent in safety | security. The concentration of the acid aqueous solution is preferably 1 to 10% by mass. The temperature of the acid aqueous solution is preferably 25 to 60 ° C.
On the other hand, when using an alkaline aqueous solution, it is preferable to use an aqueous solution of at least one alkali selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. The concentration of the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass. It is preferable that the temperature of aqueous alkali solution is 20-50 degreeC.
Specifically, for example, 50 g / L, 40 ° C. phosphoric acid aqueous solution, 0.5 g / L, 30 ° C. sodium hydroxide aqueous solution or 0.5 g / L, 30 ° C. potassium hydroxide aqueous solution is preferably used. .
The immersion time in the acid aqueous solution or alkali aqueous solution is preferably 8 to 120 minutes, more preferably 10 to 90 minutes, and still more preferably 15 to 60 minutes. Here, the immersion time refers to the total of each immersion time when a short immersion process (trimming process) is repeated. In addition, you may perform a washing process between each immersion process.
本発明においては、トリミング工程において導通路の突出部分の高さを厳密に制御する場合は、上記導通路形成工程後に絶縁性基材と導通路の端部とを同一平面状になるように加工した後、絶縁性基材を選択的に除去（トリミング）することが好ましい。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨などが挙げられる。
In the present invention, when the height of the protruding portion of the conduction path is strictly controlled in the trimming process, the insulating base material and the end of the conduction path are processed to be in the same plane after the conduction path forming step. After that, it is preferable to selectively remove (trim) the insulating substrate.
Here, examples of the method of processing in the same plane include physical polishing (for example, free abrasive polishing, back grinding, surface planar, etc.), electrochemical polishing, and polishing combining these.
また、本発明においては、上述した導通路形成工程またはトリミング工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路内の歪を軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、材料を加圧しながら行うことが好ましい。
In the present invention, after the above-described conduction path forming step or trimming process, heat treatment can be performed for the purpose of reducing distortion in the conduction path caused by the filling of the metal.
The heat treatment is preferably performed in a reducing atmosphere from the viewpoint of suppressing metal oxidation. Specifically, the heat treatment is preferably performed at an oxygen concentration of 20 Pa or less, and more preferably performed in a vacuum. Here, the vacuum means a state of a space having a gas density or atmospheric pressure lower than that of the atmosphere.
Moreover, it is preferable to perform heat processing, pressing a material for the purpose of correction.
〔配線基板〕
本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板と、高さが１０μｍ以下の複数の電極とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
ここで、電極の高さは、配線基板の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により１００００倍の倍率で観察し、電極の高さを１０点で測定した平均値をいう。
また、本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板（例えば、シリコン基板）上に集積回路が実装された半導体チップであってもよい。半導体チップとしては、メモリ、イメージセンサー、ロジック、パワー半導体等が挙げられる。
[Wiring board]
The wiring board used in the manufacturing method of the present invention includes a substrate and a plurality of electrodes having a height of 10 μm or less, and further includes other members as necessary.
Here, the height of the electrode refers to an average value obtained by observing the cross section of the wiring board with a field emission scanning electron microscope at a magnification of 10,000 times and measuring the height of the electrode at 10 points.
The wiring board used in the manufacturing method of the present invention may be a semiconductor chip in which an integrated circuit is mounted on a substrate (for example, a silicon substrate). Examples of the semiconductor chip include a memory, an image sensor, a logic, and a power semiconductor.
＜基板＞
基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラスチック基板、ガラス基板などが挙げられる。
また、基板の形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<Board>
There is no restriction | limiting in particular as a board | substrate, According to the objective, it can select suitably, For example, a plastic substrate, a glass substrate, etc. are mentioned.
Moreover, there is no restriction | limiting in particular as a shape, a magnitude | size, and a structure of a board | substrate, According to the objective, it can select suitably.
＜電極＞
電極の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。
また、電極の形状は、高さが１０μｍ以下であれば特に限定されず、配線形状であってもよく、目的に応じて適宜選択することができる。
また、電極の高さは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１〜５μｍであることがより好ましい。
<Electrode>
Examples of the electrode material include gold, silver, copper, and aluminum.
The shape of the electrode is not particularly limited as long as the height is 10 μm or less, and may be a wiring shape, and can be appropriately selected according to the purpose.
The height of the electrode is preferably 0.05 μm or more, and more preferably 0.1 to 5 μm.
〔熱硬化性樹脂〕
本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、非導電性の熱硬化性樹脂であり、体積抵抗率が１０10Ω・ｃｍ以上となる熱硬化性の樹脂であることが好ましい。
また、本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、熱硬化性の樹脂だけでなく、熱硬化によって樹脂を形成する低分子化合物も含む。
ここで、熱硬化性樹脂の硬化温度は、樹脂の種類によって異なるため特に限定されないが、大気中で２０℃／ｍｉｎで加熱した条件で測定した際の樹脂の粘度が極小値となる温度と定義する。
[Thermosetting resin]
The thermosetting resin used in the production method of the present invention is a non-conductive thermosetting resin, and is preferably a thermosetting resin having a volume resistivity of 10 10 Ω · cm or more.
The thermosetting resin used in the production method of the present invention includes not only a thermosetting resin but also a low molecular compound that forms the resin by thermosetting.
Here, the curing temperature of the thermosetting resin is not particularly limited because it varies depending on the type of resin, but it is defined as the temperature at which the viscosity of the resin becomes a minimum value when measured at 20 ° C./min in the air. To do.
このような熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
Specific examples of such thermosetting resins include epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, polyester resins, polyurethane resins, bismaleimide resins, melamine resins, and isocyanate resins.
Among them, it is preferable to use a polyimide resin and / or an epoxy resin because the insulation reliability is further improved and the chemical resistance is excellent.
＜樹脂層＞
本発明においては、作業性が良好となる理由から、このような熱硬化性樹脂が、後述する仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層として設けられていることが好ましい。
樹脂層を設ける態様としては、具体的には、例えば、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている態様（例えば、図２参照）；熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている態様；などが挙げられる。
<Resin layer>
In the present invention, it is preferable that such a thermosetting resin is provided as a resin layer containing a thermosetting resin before a temporary bonding process to be described later, because workability is good.
Specifically, for example, a resin layer containing a thermosetting resin is provided on the surface of the anisotropic conductive joint member on the side that is electrically joined to the electrode of the wiring board. A mode in which the resin layer containing the thermosetting resin is provided on the surface of the wiring board on the side electrically connected to the conduction path of the anisotropic conductive bonding member (see FIG. 2). And so on.
上記樹脂層の形状は特に限定されないが、接続対象となる配線基板の表面形状に追従する観点から、上記樹脂層の厚みは、５０ｎｍ〜３０００ｎｍであるのが好ましく、２５０ｎｍ〜２０００ｎｍであるのがより好ましい。 The shape of the resin layer is not particularly limited, but from the viewpoint of following the surface shape of the wiring substrate to be connected, the thickness of the resin layer is preferably 50 nm to 3000 nm, and more preferably 250 nm to 2000 nm. preferable.
上記樹脂層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象となる配線基板の電極との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
The resin layer may contain a curing agent.
When it contains a curing agent, it is more preferable to contain a curing agent that is liquid at room temperature, rather than using a solid curing agent at room temperature, from the viewpoint of suppressing poor bonding with the electrodes of the wiring board to be connected. .
Here, “solid at normal temperature” means solid at 25 ° C., for example, a substance having a melting point higher than 25 ° C.
上記硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物などのカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタンなどが挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Specific examples of the curing agent include aromatic amines such as diaminodiphenylmethane and diaminodiphenylsulfone, aliphatic amines, imidazole derivatives such as 4-methylimidazole, dicyandiamide, tetramethylguanidine, thiourea-added amines, Examples include carboxylic acid anhydrides such as methylhexahydrophthalic anhydride, carboxylic acid hydrazides, carboxylic acid amides, polyphenol compounds, novolak resins, polymercaptans, etc., and those that are liquid at 25 ° C. are appropriately selected from these curing agents Can be used. In addition, a hardening | curing agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
本発明においては、樹脂層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている酸化防止材料、マイグレーション防止剤、無機充填剤、分散剤、緩衝剤、粘度調整剤などの種々の添加剤を含有させてもよい。 In the present invention, the resin layer has an antioxidant material, a migration inhibitor, an inorganic filler, a dispersant, a buffer agent, which are generally added to the resin insulation film of the semiconductor package, as long as the characteristics are not impaired. You may contain various additives, such as a viscosity modifier.
＜樹脂層の形成方法＞
樹脂層の形成方法は特に限定されないが、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に樹脂層を設ける場合は、上述したトリミング工程の後に、上記絶縁性基材の表面および上記導通路の突出部分に樹脂層を形成する方法が挙げられる。
<Method for forming resin layer>
The method for forming the resin layer is not particularly limited, but when the resin layer is provided on the surface of the anisotropic conductive bonding member on the side that is electrically bonded to the electrode of the wiring board, the insulating layer is formed after the trimming step described above. And a method of forming a resin layer on the surface of the conductive substrate and the protruding portion of the conductive path.
ここで、樹脂層を形成する方法としては、例えば、上述した熱硬化性樹脂、硬化剤、溶媒（例えば、メチルエチルケトンなど）等を含有する樹脂組成物を上記絶縁性基材の表面および上記導通路の突出部分に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
上記樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコーター、ロールコーター、エアナイフコーター、スクリーンコーター、バーコーター、カーテンコーター等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０〜１００℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱する処理や、減圧下において０〜８０℃の温度で、十数分〜数時間、加熱する処理などが挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０〜２４０℃の温度で２分間〜１時間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０〜８０℃の温度で２〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
Here, as a method of forming the resin layer, for example, the resin composition containing the above-described thermosetting resin, curing agent, solvent (for example, methyl ethyl ketone) and the like is used for the surface of the insulating substrate and the conduction path. The method of apply | coating to the protrusion part of this, making it dry, and baking as needed is mentioned.
The coating method of the resin composition is not particularly limited. For example, a conventionally known coating method such as a gravure coating method, a reverse coating method, a die coating method, a blade coater, a roll coater, an air knife coater, a screen coater, a bar coater, or a curtain coater. Can be used.
Further, the drying method after coating is not particularly limited. For example, the drying method may be performed at a temperature of 0 to 100 ° C. in the atmosphere for several seconds to several tens of minutes, or at a temperature of 0 to 80 ° C. under reduced pressure. The process etc. which are heated for several minutes-several hours are mentioned.
Moreover, since the baking method after drying differs depending on the material to be used, it is not particularly limited. However, when a polyimide resin is used, for example, a treatment of heating at a temperature of 160 to 240 ° C. for 2 minutes to 1 hour, and the like can be mentioned. When using an epoxy resin, the process etc. which are heated for 2 to 60 minutes at the temperature of 30-80 degreeC are mentioned, for example.
〔仮接合プロセス〕
本発明の製造方法が有する仮接合プロセスは、上述した異方導電性接合部材と配線基板とを、上述した熱硬化性樹脂（特に、樹脂層）を用いて接着するプロセスである。
[Temporary joining process]
The temporary joining process which the manufacturing method of this invention has is a process which adhere | attaches the anisotropic conductive joining member and wiring board which were mentioned above using the thermosetting resin (especially resin layer) mentioned above.
本発明においては、仮接合プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、加熱により流動させる観点から、４０〜１００℃であることが特に好ましい。
同様に、仮接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以下であることが特に好ましい。
In the present invention, the temperature condition in the temporary bonding process is not particularly limited, but is preferably 40 to 100 ° C. from the viewpoint of flowing by heating.
Similarly, the pressurizing condition in the temporary bonding process is not particularly limited, but is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less, and particularly preferably 1 MPa or less.
また、本発明においては、仮接合プロセスをＣｏＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）プロセスで行うことが好ましい。半導体ウエハと半導体チップウエハを検査して良品チップと不良チップをあらかじめ分かるように（ＫＧＤ：Ｋｎｏｗｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）して、半導体チップウエハの良品チップのみを、半導体ウエハ内の良品部分に接合することで、ロスを低減することができる。なお、仮接合する際に、仮接合強度が弱いと、本接合するまでの工程（搬送工程など）で位置ズレが生じてしまうため、上述した仮接合プロセスにおける温度条件および加圧条件は重要となる。 In the present invention, the temporary bonding process is preferably performed by a CoW (Chip On Wafer) process. By inspecting the semiconductor wafer and the semiconductor chip wafer so that the non-defective chip and the defective chip can be known in advance (KGD: Known Good Die), only the non-defective chip of the semiconductor chip wafer is bonded to the non-defective part in the semiconductor wafer. , Loss can be reduced. In addition, if the temporary bonding strength is weak at the time of temporary bonding, a positional shift occurs in the process (such as the conveyance process) until the main bonding, so the temperature condition and the pressure condition in the temporary bonding process described above are important. Become.
〔本接合プロセス〕
本発明の製造方法が有する本接合プロセスは、上述した仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合するプロセスである。
[Main joining process]
The main bonding process of the manufacturing method of the present invention is such that the conductive path and the wiring board of the anisotropic conductive bonding member are obtained by heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin after the temporary bonding process described above. This is a process of electrically joining the electrodes having the same.
本発明においては、加熱による樹脂軟化に起因した位置ズレを防止する理由から、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度での加熱は、加圧した後または加圧した状態で行うことが好ましい。 In the present invention, it is preferable to perform heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin after pressurization or in a pressurized state, for the purpose of preventing misalignment due to resin softening due to heating.
本接合プロセスにおける温度条件は、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度であれば特に限定されないが、仮接合プロセスの温度よりも高い温度であることが好ましく、具体的には、１００℃超２００℃以下であることが好ましく、１２０〜１８０℃であることがより好ましい。
また、本接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、３０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１〜２０ＭＰａであることがより好ましい。
また、本接合プロセスの時間は特に限定されないが、１秒〜６０分であることが好ましく、５秒〜１０分であることがより好ましい。
上述した条件で本接合プロセスを行うことにより、熱硬化性樹脂が、配線基板や半導体チップの電極間に流動し、接合部に残存し難くなる。
なお、本接合プロセスは、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
The temperature condition in this bonding process is not particularly limited as long as it is a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, but is preferably a temperature higher than the temperature of the temporary bonding process. It is preferable that it is below ° C, and it is more preferable that it is 120-180 ° C.
Moreover, although the pressurization conditions in this joining process are not specifically limited, It is preferable that it is 30 Mpa or less, and it is more preferable that it is 0.1-20 Mpa.
Moreover, the time of this joining process is not particularly limited, but is preferably 1 second to 60 minutes, and more preferably 5 seconds to 10 minutes.
By performing the main bonding process under the above-described conditions, the thermosetting resin flows between the electrodes of the wiring board and the semiconductor chip and hardly remains in the bonding portion.
Although this bonding process may be performed for each chip, it is preferable to perform the bonding in a batch from the viewpoint of reducing the tact time.
〔樹脂硬化プロセス〕
本発明の製造方法は、熱硬化性樹脂を硬化させて接合強度を確保する理由から、上述した本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
[Resin curing process]
The manufacturing method of the present invention is a thermosetting resin by heating at a temperature equal to or higher than the curing temperature of the thermosetting resin after the main bonding process described above for the reason of securing the bonding strength by curing the thermosetting resin. It is preferable to have a resin curing process for curing the resin.
本発明においては、樹脂硬化プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、本接合プロセスの温度以上の温度であることが好ましく、具体的には、２００℃超４００℃以下であることがより好ましく、２００℃超３００℃以下であることが特に好ましい。
また、樹脂硬化プロセスの時間は特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化を十分に進行させる観点から、１〜６０分であることが好ましい。
なお、樹脂硬化プロセスは、本接合プロセスと同様、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
In the present invention, the temperature condition in the resin curing process is not particularly limited, but is preferably a temperature equal to or higher than the temperature of the main bonding process, specifically, more preferably higher than 200 ° C. and lower than 400 ° C. It is particularly preferable that the temperature is over 300 ° C. and below 300 ° C.
Moreover, although the time of the resin curing process is not particularly limited, it is preferably 1 to 60 minutes from the viewpoint of sufficiently curing the thermosetting resin.
The resin curing process may be performed for each chip as in the case of the main bonding process. However, it is preferable that the resin curing process is performed in a batch from the viewpoint of reducing the tact time.
〔任意のプロセス〕
本発明の多層配線基板の製造方法は、電極の酸化を防止し、導通信頼性をより向上させる理由から、仮接合プロセスの前に、配線基板が有する複数の電極の間を絶縁性樹脂で充填する樹脂充填プロセスを有していることが好ましい。
同様の理由から、本発明の多層配線基板の製造方法は、樹脂硬化プロセスの後に、異方導電性接合部材と配線基板との間にアンダーフィル材を充填するアンダーフィル材充填プロセスを有していることが好ましい。
[Arbitrary process]
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention fills a space between a plurality of electrodes of the wiring board with an insulating resin before the temporary bonding process for preventing the oxidation of the electrodes and further improving the conduction reliability. It is preferable to have a resin filling process.
For the same reason, the multilayer wiring board manufacturing method of the present invention has an underfill material filling process of filling an underfill material between the anisotropic conductive joint member and the wiring board after the resin curing process. Preferably it is.
次に、上述した仮接合プロセス、本接合プロセスおよび樹脂硬化プロセスなどについて、図３Ａ〜図３Ｅを用いて説明する。
図３ＡおよびＢに示すように、異方導電性接合部材（符号２：絶縁性基材、符号３：導通路、符号４：樹脂層）に設けられた樹脂層４と、配線基板１１に設けられた電極１２とを仮接合する。
異方導電性接合部材と配線基板とを仮接合した後に、図３Ｃに示すように、他の配線基板１１に設けられた電極１２と、異方導電性接合部材の樹脂層４とを仮接合する。
図３Ａ〜図３Ｃに示す仮接合プロセスにより、配線基板、異方導電性接合部材および配線基板が仮接合された積層体を作製した後に、図３Ｄに示すように、矢印方向から所定の圧力を加えた条件で、仮接合された配線基板、異方導電性接合部材および配線基板を本接合する。
本接合の後に、図３Ｅに示すように、異方導電性接合部材の樹脂層４を硬化させることにより、多層配線基板３０を作製することができる。
Next, the temporary bonding process, the main bonding process, the resin curing process, and the like described above will be described with reference to FIGS. 3A to 3E.
3A and 3B, the resin layer 4 provided on the anisotropic conductive joint member (reference numeral 2: insulating base material, reference numeral 3: conduction path, reference numeral 4: resin layer) and the wiring board 11 are provided. The obtained electrode 12 is temporarily joined.
After temporarily joining the anisotropic conductive bonding member and the wiring board, as shown in FIG. 3C, the electrode 12 provided on the other wiring board 11 and the resin layer 4 of the anisotropic conductive bonding member are temporarily bonded. To do.
3A to FIG. 3C, the wiring board, the anisotropic conductive joint member, and the laminated body in which the wiring board is temporarily joined are manufactured, and then a predetermined pressure is applied from the arrow direction as shown in FIG. 3D. Under the added conditions, the temporarily bonded wiring board, anisotropic conductive bonding member, and wiring board are fully bonded.
After the main bonding, as shown in FIG. 3E, the multilayer wiring board 30 can be manufactured by curing the resin layer 4 of the anisotropic conductive bonding member.
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。 The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
〔実施例１〕
（１）アルミニウム基板の作製
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。
[Example 1]
(1) Preparation of aluminum substrate Si: 0.06 mass%, Fe: 0.30 mass%, Cu: 0.005 mass%, Mn: 0.001 mass%, Mg: 0.001 mass%, Zn: 0 0.001% by mass, Ti: 0.03% by mass, and the remainder is made of Al and an inevitable impurity aluminum alloy, and after the molten metal treatment and filtration, the thickness is 500 mm and the width is 1200 mm. The ingot was produced by a DC (Direct Chill) casting method.
Next, the surface was shaved with a chamfering machine with an average thickness of 10 mm, soaked at 550 ° C. for about 5 hours, and when the temperature dropped to 400 ° C., the thickness was 2.7 mm using a hot rolling mill. A rolled plate was used.
Furthermore, after performing heat processing at 500 degreeC using a continuous annealing machine, it finished by cold rolling to thickness 1.0mm, and obtained the aluminum substrate of JIS1050 material.
After making this aluminum substrate width 1030mm, each process shown below was performed.
（２）電解研磨処理
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬工業株式会社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
(2) Electropolishing treatment The aluminum substrate was subjected to an electrolytic polishing treatment using an electropolishing liquid having the following composition under the conditions of a voltage of 25 V, a liquid temperature of 65 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min.
The cathode was a carbon electrode, and GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho Co., Ltd.) was used as the power source. Further, the flow rate of the electrolyte was measured using a vortex flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by ASONE Corporation).
(Electrolytic polishing liquid composition)
・ 85% by mass phosphoric acid (reagent manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 660 mL
・ Pure water 160mL
・ Sulfuric acid 150mL
・ Ethylene glycol 30mL
（３）陽極酸化処理工程
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、撹拌加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
(3) Anodizing treatment step Subsequently, the aluminum substrate after the electrolytic polishing treatment was subjected to anodizing treatment by a self-regulating method according to the procedure described in JP-A-2007-204802.
The aluminum substrate after the electropolishing treatment was subjected to a pre-anodization treatment for 5 hours with an electrolyte solution of 0.50 mol / L oxalic acid at a voltage of 40 V, a liquid temperature of 16 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. .
Thereafter, a film removal treatment was performed in which the aluminum substrate after the pre-anodizing treatment was immersed in a mixed aqueous solution (liquid temperature: 50 ° C.) of 0.2 mol / L chromic anhydride and 0.6 mol / L phosphoric acid for 12 hours.
Thereafter, reanodization treatment was performed for 10 hours with an electrolyte solution of 0.50 mol / L oxalic acid under conditions of a voltage of 40 V, a liquid temperature of 16 ° C., and a liquid flow rate of 3.0 m / min. An oxide film was obtained.
In both the pre-anodizing treatment and the re-anodizing treatment, the cathode was a stainless electrode, and the power supply was GP0110-30R (manufactured by Takasago Seisakusho Co., Ltd.). In addition, NeoCool BD36 (manufactured by Yamato Kagaku Co., Ltd.) was used as the cooling device, and Pair Stirrer PS-100 (manufactured by EYELA Tokyo Rika Kikai Co., Ltd.) was used as the stirring and heating device. Furthermore, the flow rate of the electrolytic solution was measured using a vortex type flow monitor FLM22-10PCW (manufactured by ASONE CORPORATION).
（４）バリア層除去工程
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
(4) Barrier Layer Removal Step Next, electrolytic treatment (electrolytic removal treatment) is carried out while the voltage is continuously lowered from 40 V to 0 V at a voltage drop rate of 0.2 V / sec under the same treatment liquid and treatment conditions as in the above-described anodizing treatment. ).
After that, an etching process (etching removal process) is performed by immersing in 5% by mass phosphoric acid at 30 ° C. for 30 minutes to remove the barrier layer at the bottom of the micropore of the anodized film, and to expose aluminum through the micropore. It was.
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、電界放出形走査電子顕微鏡（Field Emission Scanning Electron Microscope：ＦＥ−ＳＥＭ）により表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１６８］および［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の［００２４］〜［００２７］段落に記載された方法で測定し、算出した。
Here, the average opening diameter of the micropores present in the anodized film after the barrier layer removing step was 60 nm. The average aperture diameter was calculated as an average value obtained by taking a surface photograph (magnification 50000 times) with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and measuring 50 points.
The average thickness of the anodic oxide film after the barrier layer removing step was 80 μm. The average thickness of the anodized film was cut with a focused ion beam (FIB) in the thickness direction, and a cross-sectional photograph of the surface was taken with FE-SEM (magnification 50000 times). It was calculated as an average value obtained by point measurement.
The density of micropores present in the anodic oxide film was about 100 million / mm 2 . The micropore density was measured and calculated by the method described in paragraphs [0168] and [0169] of JP-A-2008-270158.
Further, the degree of ordering of the micropores present in the anodic oxide film was 92%. The degree of ordering was calculated by taking a surface photograph (magnification of 20000 times) with FE-SEM, measuring by the method described in paragraphs [0024] to [0027] of JP-A-2008-270158.
（５）金属充填工程（電解めっき処理）
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2
(5) Metal filling process (electrolytic plating process)
Next, electrolytic plating was performed using the aluminum substrate as the cathode and platinum as the positive electrode.
Specifically, a metal-filled microstructure in which copper was filled in the micropores was produced by performing constant current electrolysis using a copper plating solution having the composition shown below.
Here, the constant current electrolysis is performed by cyclic voltammetry in a plating solution using a power source (HZ-3000) manufactured by Hokuto Denko Co., Ltd. using a plating apparatus manufactured by Yamamoto Metal Testing Co., Ltd. After confirming the potential, the treatment was performed under the following conditions.
(Copper plating composition and conditions)
・ Copper sulfate 100g / L
・ Sulfuric acid 50g / L
・ Hydrochloric acid 15g / L
・ Temperature 25 ℃
・ Current density 10A / dm 2
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
The surface of the anodic oxide film after filling the micropores with metal was observed with FE-SEM, and the presence or absence of sealing by metal in 1000 micropores was observed to determine the sealing rate (number of sealed micropores / 1000 ) Was calculated to be 96%.
In addition, the anodic oxide film after filling the micropores with metal was cut with FIB in the thickness direction, and a cross-sectional photograph of the surface was taken by FE-SEM (magnification 50000 times), and the inside of the micropores was taken. As a result of confirmation, it was found that the inside of the sealed micropore was completely filled with metal.
（６）基板除去工程
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。
(6) Substrate removal step Next, a metal-filled microstructure was produced by dissolving and removing the aluminum substrate by immersing it in a 20 mass% mercury chloride aqueous solution (raised) at 20 ° C for 3 hours.
（７）トリミング工程
次いで、金属充填微細構造体を水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、導通路の突出部分の高さが５２０ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）を作製した。
次いで、水洗し、乾燥した後に、作製した構造体をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、導通路の突出部分の直径が６０ｎｍであり、アスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が８．７であった。
(7) Trimming step Next, the metal-filled microstructure is immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (concentration: 5 mass%, liquid temperature: 20 ° C.), and the immersion time is set so that the height of the protruding portion of the conduction path is 520 nm. The surface of the anodized aluminum film was selectively dissolved to produce an anisotropic conductive film (ACF) in which a copper cylinder as a conduction path was projected.
Next, after rinsing with water and drying, the prepared structure was observed with FE-SEM. The diameter of the protruding portion of the conduction path was 60 nm, and the aspect ratio (height of the protruding portion / diameter of the protruding portion) was 8. .7.
（８）樹脂層形成工程
トリミング工程後のＡＣＦの表面に、非導電性のエポキシ系熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのジエチレングリコールジエチルエーテルとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成し、異方導電性接合部材を作製した。
(8) Resin layer formation process The surface of the ACF after the trimming process contains a non-conductive epoxy thermosetting resin (BST001A, curing temperature: 150 ° C., manufactured by NAMICS) and diethylene glycol diethyl ether as a diluting solvent. Using the resin composition to be formed, a resin layer was formed by adjusting the rotational speed of the spin coater so as to have the thickness (coating thickness) shown in Table 1 below, and an anisotropic conductive joint member was produced.
（９）評価用接合サンプルの作製
Ｃｕパッドを有するＴＥＧ（Test Element Group）チップ（デイジーチェインパターン）を用意した。なお、絶縁層はＳｉＮであり、絶縁層とＣｕパッド面の段差は１μｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が１０％または２０％となる２種類のチップを用意した。
次いで、ＣｕをＳｉウェハの全面に１００ｎｍ成膜したＣｕチップを用意した。平坦度の指標であるＴＴＶ（total thickness variation）は５０ｎｍであった。Ｃｕチップは、チップサイズが３ｍｍ四方のものを用いた。
次いで、ＴＥＧチップ、作製した異方導電性接合部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて下記表１に示す仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（ＷＰ−１００、ボンドテック社製）を用いて下記表１に示す本接合プロセスの加圧条件で加圧した後に、下記表１に示す本接合プロセスの加熱温度および時間で本接合した。
次いで、本接合したサンプルについて、下記表１に示す樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、接合サンプルを作製した。
(9) Production of Evaluation Bonding Sample A TEG (Test Element Group) chip (daisy chain pattern) having a Cu pad was prepared. The insulating layer was SiN, and the step between the insulating layer and the Cu pad surface was 1 μm. Two types of TEG chips having a chip size of 8 mm square and an electrode area (copper post) ratio of 10% or 20% to the chip area were prepared.
Next, a Cu chip was prepared in which Cu was deposited to a thickness of 100 nm on the entire surface of the Si wafer. TTV (total thickness variation), which is an index of flatness, was 50 nm. A Cu chip having a 3 mm square chip size was used.
Next, the conditions of the temporary bonding process shown in Table 1 below using a room temperature bonding apparatus (WP-100, manufactured by PMT) so that the TEG chip, the produced anisotropically conductive bonding member, and the Cu chip are stacked in this order. Was temporarily joined.
Next, the temporarily bonded sample was pressed under the pressure conditions of the main bonding process shown in Table 1 below using a room temperature bonding apparatus (WP-100, manufactured by Bondtech), and then the main bonding process shown in Table 1 below. The main bonding was performed at the heating temperature and time.
Next, the resin layer was cured under the conditions of the resin curing process shown in Table 1 below for the sample that was joined, and a joined sample was produced.
〔実施例２〜３〕
樹脂層の塗布厚を表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
[Examples 2-3]
An anisotropic conductive joint member and a joint sample were produced in the same manner as in Example 1 except that the coating thickness of the resin layer was changed to the value shown in Table 1.
〔実施例４〜６〕
樹脂層を設けなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材、すなわち、ＡＣＦを作製した。
また、ＴＥＧチップの表面に、非導電性の熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのＰＧＭＥＡとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、接合サンプルを作製した。
[Examples 4 to 6]
An anisotropic conductive joint member, that is, an ACF, was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin layer was not provided.
Further, on the surface of the TEG chip, a resin composition containing a non-conductive thermosetting resin (BST001A, curing temperature: 150 ° C., manufactured by NAMICS Co., Ltd.) and PGMEA as a dilution solvent is shown in Table 1 below. A bonded sample was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin layer was formed by adjusting the rotation speed of the spin coater so that the thickness (application thickness) shown was obtained.
〔実施例７〕
本接合プロセスにおいて加圧を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
Example 7
An anisotropic conductive joint member and a joint sample were produced in the same manner as in Example 1 except that no pressure was applied in this joining process.
〔実施例８〕
本接合プロセスにおける加圧温度を下記表１に示す温度に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
Example 8
An anisotropic conductive joint member and a joint sample were produced in the same manner as in Example 1 except that the pressurization temperature in this joining process was changed to the temperature shown in Table 1 below.
〔実施例９および１０〕
樹脂層を形成する樹脂組成物として、以下の組成を用い、下記表１に示す厚みで樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
＜樹脂組成物＞
・ペンタエリスリトールトリ及びテトラアクリレート（東亜合成製） ９７質量％
・硬化剤（パーブチルＯ、日油社製） ３質量％
・希釈溶剤：ＰＧＭＥＡ
Examples 9 and 10
As the resin composition for forming the resin layer, the anisotropic conductive joint member and the joint sample were prepared in the same manner as in Example 1, except that the following composition was used and the resin layer was formed with the thickness shown in Table 1 below. Produced.
<Resin composition>
・ Pentaerythritol tri and tetraacrylate (manufactured by Toagosei) 97% by mass
・ Curing agent (Perbutyl O, manufactured by NOF Corporation) 3% by mass
・ Diluted solvent: PGMEA
〔比較例１〕
樹脂層を形成せず、本接合プロセスを施さなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
[Comparative Example 1]
An anisotropic conductive joint member and a joint sample were produced in the same manner as in Example 1 except that the resin layer was not formed and this joining process was not performed.
〔比較例２および３〕
樹脂層の塗布厚および本接合プロセスの条件を下記表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
なお、比較例２は、比較例１と同様、本接合プロセスを施さなかったため、下記表１中、「−」と表記する。
[Comparative Examples 2 and 3]
An anisotropic conductive joint member and a joint sample were produced in the same manner as in Example 1 except that the coating thickness of the resin layer and the conditions of the main joining process were changed to the values shown in Table 1 below.
Since Comparative Example 2 was not subjected to the main joining process as in Comparative Example 1, it is represented as “-” in Table 1 below.
〔評価〕
＜導通性＞
作製した接合サンプルについて、ＴＥＧの電極パッドにタングステン製の測定ニードル（Ｒ１２．５μｍ）をコンタクトさせ、ソースメータユニット（ケースレー２４５０）を用いて抵抗値を測定し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値が１０Ω未満
Ｂ：抵抗値が１０Ω以上１ｋΩ未満
Ｃ；抵抗値が１ｋΩ以上
[Evaluation]
<Conductivity>
About the produced joining sample, the measurement needle made from tungsten (R12.5micrometer) was contacted to the electrode pad of TEG, resistance value was measured using the source meter unit (Kaseley 2450), and the following references | standards evaluated. The results are shown in Table 1 below.
A: Resistance value is less than 10Ω B: Resistance value is 10Ω or more and less than 1kΩ C; Resistance value is 1kΩ or more
＜信頼性＞
作製した接合サンプルについて、（−５０℃／＋２００℃）の条件の温度サイクル試験に供し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が１０％未満である、
Ｂ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％未満である、
Ｃ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％以上である
About the produced joining sample, it used for the temperature cycle test of the conditions of (-50 degreeC / + 200 degreeC), and evaluated on the following references | standards. The results are shown in Table 1 below.
A: The resistance value is measured every 10 cycles, and the rate of change in resistance value (resistance value at 50 cycles) is less than 10%.
B: The resistance value is measured every 10 cycles, and the rate of change in resistance value (resistance value at 50 cycles) is less than 50%.
C: The resistance value is measured every 10 cycles, and the rate of change in resistance value (resistance value at 50 cycles) is 50% or more.
表１に示す結果から、樹脂層を設けず、本接合プロセスを施さない場合は、作製される多層配線基板の導電性は優れていたが、信頼性が劣ることが分かった（比較例１）。
また、樹脂層を設けて、本接合プロセスを施さない場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例２）。
また、本接合プロセスを熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱した場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例３）。
From the results shown in Table 1, it was found that when the resin layer was not provided and this bonding process was not performed, the produced multilayer wiring board was excellent in conductivity but inferior in reliability (Comparative Example 1). .
Moreover, when providing the resin layer and not performing this joining process, it turned out that both the electroconductivity and reliability of the multilayer wiring board produced are inferior (comparative example 2).
Moreover, when this joining process was heated at the temperature more than the hardening temperature of a thermosetting resin, it turned out that both the electroconductivity and reliability of the multilayer wiring board produced are inferior (comparative example 3).
これに対し、樹脂層を設け、本接合プロセスを熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱した場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも良好となることが分かった（実施例１〜１０）。
特に、実施例１と実施例７との対比から、本接合プロセスにおいて加圧した後に加熱した場合には、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がより良好となることが分かった。
On the other hand, when a resin layer is provided and this bonding process is heated at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, it is found that both the conductivity and reliability of the produced multilayer wiring board are improved. (Examples 1 to 10).
In particular, from the comparison between Example 1 and Example 7, it was found that the conductivity and reliability of the produced multilayer wiring board were better when heated after being pressurized in this bonding process.
１ 異方導電性接合部材
２ 絶縁性基材
２ａ，２ｂ 絶縁性基材の表面
３ 導通路
３ａ，３ｂ 導通路の突出部分
４ 樹脂層
４ａ 硬化後の樹脂層
６ 絶縁性基材の厚み
７ 導通路間の間隔
８ 導通路の直径
９ 導通路の中心間距離（ピッチ）
１１ 配線基板
１２ 電極
３０ 多層配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anisotropic conductive joining member 2 Insulating base material 2a, 2b The surface of an insulating base material 3 Conductive path 3a, 3b The protruding part of a conductive path 4 Resin layer 4a Resin layer after hardening 6 Insulating base material thickness 7 Conductive Distance between passages 8 Diameter of conduction path 9 Distance between centers of conduction paths (pitch)
11 Wiring board 12 Electrode 30 Multilayer wiring board
Claims (5)
前記異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材と、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路とを有し、前記複数の導通路が、前記絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
前記配線基板が有する前記複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、
前記異方導電性接合部材と前記配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、
前記熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、前記異方導電性接合部材が有する前記導通路と前記配線基板が有する前記電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有し、
前記仮接合プロセスの温度条件が、４０〜１００℃であり、
前記本接合プロセスの温度条件が、前記仮接合プロセスの温度よりも高い温度である、多層配線基板の製造方法。 A method for manufacturing a multilayer wiring board for producing a multilayer wiring board comprising an anisotropic conductive bonding member and a wiring board having a plurality of electrodes,
The anisotropic conductive joint member includes an insulating base material made of an inorganic material, and a plurality of conductive paths made of a conductive member provided in a state of being insulated from each other in the thickness direction of the insulating base material. And the plurality of conductive paths have protruding portions protruding from the surface of the insulating base material,
A height of the plurality of electrodes of the wiring board is 10 μm or less;
A temporary bonding process in which the anisotropic conductive bonding member and the wiring board are bonded using a non-conductive thermosetting resin;
A main joining process for electrically joining the conductive path of the anisotropic conductive joint member and the electrode of the wiring board by heating at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin; possess in this order,
The temperature condition of the temporary bonding process is 40 to 100 ° C.
The temperature conditions of the bonding process, the Ru higher temperatures der than the temperature of the temporary bonding process, a method for manufacturing a multilayer wiring board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016168997A JP6600285B2 (en) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016168997A JP6600285B2 (en) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018037509A JP2018037509A (en) | 2018-03-08 |
| JP6600285B2 true JP6600285B2 (en) | 2019-10-30 |
Family
ID=61567724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016168997A Active JP6600285B2 (en) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6600285B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022034769A1 (en) * | 2020-08-12 | 2022-02-17 | 富士フイルム株式会社 | Structure, structure manufacturing method, bonded body manufacturing method, and device manufacturing method |
| JPWO2022190920A1 (en) | 2021-03-10 | 2022-09-15 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3436170B2 (en) * | 1999-02-16 | 2003-08-11 | 日本電気株式会社 | Anisotropic conductive film, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| JP2003218526A (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method of connecting wiring layer between first and second wiring substrates |
| JP5143045B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-02-13 | 富士フイルム株式会社 | Fine structure and manufacturing method thereof |
| JP2011090865A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Conductive film and manufacturing method therefor, and semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2012099551A (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Seiko Epson Corp | Connection structure |
-
2016
- 2016-08-31 JP JP2016168997A patent/JP6600285B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018037509A (en) | 2018-03-08 |
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Legal Events
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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