JP6597857B1 - 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 - Google Patents
熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6597857B1 JP6597857B1 JP2018164793A JP2018164793A JP6597857B1 JP 6597857 B1 JP6597857 B1 JP 6597857B1 JP 2018164793 A JP2018164793 A JP 2018164793A JP 2018164793 A JP2018164793 A JP 2018164793A JP 6597857 B1 JP6597857 B1 JP 6597857B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- shielding member
- heat
- inclined surface
- heat shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
(V/G)cri=6.68×10−4σmean+0.159 ・・・(1)
Gideal=V/(6.68×10−4σmean+0.159) ・・・(2)
2 シリコン融液
3 シリコン単結晶
3a ネック部
3b ショルダー部
3c ボディ部
3d テール部
3z 結晶引き上げ軸
10 チャンバー
10a メインチャンバー
10b プルチャンバー
10c ガス導入口
10d ガス排出口
10e 覗き窓
11 石英ルツボ
12 黒鉛ルツボ
13 回転シャフト
14 シャフト駆動機構
15 ヒーター
16 断熱材
17a シリコン単結晶と熱遮蔽部材との間の隙間
18 ワイヤー
19 ワイヤー巻き取り機構
20 熱遮蔽部材
20a 熱遮蔽部材の開口
21 熱遮蔽部材の壁材
22 筒部
22a 筒部の内壁部
22b 筒部の外壁部
23 膨出部
23a 膨出部の上壁部
23b 膨出部の底壁部
23c 膨出部の内側側壁部
23d 膨出部の外側側壁部
30 凹部
30a 下向きの傾斜面
30b 上向きの傾斜面
H 断熱材
V 空洞部
Claims (8)
- チョクラルスキー法による単結晶の引き上げ装置に用いられる熱遮蔽部材であって、
融液から引き上げられた単結晶を包囲する円筒状の筒部と、
前記筒部の下端部から径方向の内側に張り出した環状の膨出部とを備え、
前記膨出部は、環状の断熱材と、前記断熱材を取り囲む壁材とを有し、
前記壁材は、前記断熱材の内周面を覆う内側側壁部を有し、
前記内側側壁部と前記断熱材の前記内周面との間には空洞部が設けられており、
前記単結晶の外周面と向かい合う前記内側側壁部の外面には凹部が形成されており、前記内側側壁部の前記外面は下向きの傾斜面を有することを特徴とする熱遮蔽部材。 - 前記内側側壁部の前記外面は、前記下向きの傾斜面の下方に配置された上向きの傾斜面をさらに有する、請求項1に記載の熱遮蔽部材。
- 前記下向きの傾斜面の高さは、前記上向きの傾斜面の高さよりも大きい、請求項2に記載の熱遮蔽部材。
- 前記凹部の断面形状は略V字状であり、前記下向きの傾斜面及び前記上向きの傾斜面は平坦面である、請求項2又は3に記載の熱遮蔽部材。
- 前記凹部の断面形状は略C字状であり、前記下向きの傾斜面及び前記上向きの傾斜面は湾曲面である、請求項2又は3に記載の熱遮蔽部材。
- 前記壁材は、前記断熱材の上面を覆う上壁部と、前記断熱材の底面を覆う底壁部と、前記断熱材の外周面を覆う外側側壁部とをさらに有する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の熱遮蔽部材。
- チャンバーと、前記チャンバー内で前記融液を支持するルツボと、前記融液を加熱するヒーターと、前記ルツボを回転及び昇降させるルツボ駆動機構と、前記融液から前記単結晶を引き上げる単結晶引き上げ機構と、前記融液の上方に設置され、前記融液から引き上げられた前記単結晶を包囲して前記ヒーターからの輻射熱を遮蔽する請求項1乃至6のいずれか一項に記載の熱遮蔽部材とを備えることを特徴とする単結晶引き上げ装置。
- ルツボ内の融液から単結晶を引き上げるチョクラルスキー法による単結晶の製造方法であって、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の熱遮蔽部材を用いて融液から引き上げられた単結晶を包囲することを特徴とする単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018164793A JP6597857B1 (ja) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018164793A JP6597857B1 (ja) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6597857B1 true JP6597857B1 (ja) | 2019-10-30 |
JP2020037499A JP2020037499A (ja) | 2020-03-12 |
Family
ID=68383204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018164793A Active JP6597857B1 (ja) | 2018-09-03 | 2018-09-03 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6597857B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7052912B1 (ja) | 2021-06-14 | 2022-04-12 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
-
2018
- 2018-09-03 JP JP2018164793A patent/JP6597857B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020037499A (ja) | 2020-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110923806B (zh) | 一种单晶炉及单晶硅棒的制备方法 | |
JP4814207B2 (ja) | シリコン半導体ウェハを製造する方法及び装置 | |
JP5831436B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP5413354B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | |
KR101105950B1 (ko) | 단결정 잉곳 제조장치 | |
JP6118425B2 (ja) | 単結晶インゴット製造装置及び方法 | |
CN108779577B (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
JP5240191B2 (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
JP2012513950A (ja) | シリコン溶融物から多結晶シリコンインゴットを引き上げるための方法及び引上アセンブリ | |
US8236104B2 (en) | Single-crystal manufacturing apparatus and single-crystal manufacturing method | |
JP2014080302A (ja) | 単結晶引上装置及び単結晶引上方法 | |
JP2018177560A (ja) | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP2015205793A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
JP6597857B1 (ja) | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 | |
JP4844127B2 (ja) | 単結晶製造装置および製造方法 | |
JP5131285B2 (ja) | シリコン単結晶成長装置および石英ルツボ | |
JP7264043B2 (ja) | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 | |
KR20190088653A (ko) | 실리콘 단결정 성장 방법 및 장치 | |
WO2022254885A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6414161B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及び装置 | |
WO2021095324A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2002137987A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置、該装置を使用したシリコン単結晶の製造方法、及びシリコン単結晶 | |
JPH11199383A (ja) | 結晶育成方法 | |
JP2018177628A (ja) | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP2007210865A (ja) | シリコン単結晶引上装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6597857 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |