JP6586124B2 - オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 - Google Patents
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Description
R1が、水素、ハロゲン、シアノ、任意に置換されたシクロアルキルを含む任意に置換されたアルキルから選択され、
R2が、−C(=O)−O−、−O−、−(CH2)n−O−、−O−(CH2)n−(式中、nが1〜6などの正整数である)、−(CH2)n−、(式中、nが1〜6などの正整数である)、−(任意に置換された炭素環式アリール)−O−、−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−O−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−O−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−、−O−(任意に置換されたヘテロアリール)−から選択される結合基であり、
R2’が、任意に置換されたC1〜C12直鎖、分岐、または環状アルキル、任意に置換されたC6〜C15アリールから選択され、任意にヘテロ原子を含有し、R2’が少なくとも1つのエポキシ基を含むか、または、
R2及びR2’が、一緒になって、ペンダントエポキシ基または縮合エポキシ基を含む炭素脂環式環を形成する。
R1が、水素、ハロゲン、シアノ、任意に置換されたシクロアルキルを含む任意に置換されたアルキルから選択され、
R2が、−C(=O)−O−、−O−、−(CH2)n−O−、−O−(CH2)n−(式中、nが正整数である)、−(CH2)n−(式中、nが非負整数である)、−(任意に置換された炭素環式アリール)−O−、−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−O−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−O−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−、−O−(任意に置換されたヘテロアリール)−から選択される結合基であり、
R3が、水素、ハロゲン、シアノ、及び任意に置換されたアルキルから選択され、
R4及びR5が、独立して、水素、任意に置換されたアルキル、任意に置換された炭素環式アリール、または任意に置換されたヘテロアリールから選択されるか、
またはR2及びR5が、一緒になって、ペンダントエポキシ基または縮合エポキシ基を含む炭素脂環式環を形成し、
(2)以下の式(3)の単位を含み得、
R6が、任意に置換されたアルキル、任意に置換された環状アルキル、任意に置換された炭素環式アリール、及び任意に置換されたヘテロアリールであり、R6が、ヒドロキシル、アミン、もしくはチオ部分またはそれらの保護形態などの、求核酸素、窒素、または硫黄を含む、少なくとも1つの官能基を有する。
R1、R2、及びR3が、各々独立して、水素であるか、あるいは任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニル、または任意に置換されたアルキニル、任意に置換された環状アルキル、及び任意に置換された炭素環式アリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアルキルエステル、任意に置換されたアルキルエーテルなどの非水素置換基であり、R1、R2、R3のうちの少なくとも1つが、ヒドロキシル、アミン、もしくはチオ部分、またはそれらの保護形態などの、求核酸素、窒素、または硫黄を含む官能基を有する。
R1及びR2が、式(5)で定義されるものと同じであり、R1、R2のうちの少なくとも1つが、ヒドロキシル、カルボキシル、アミン、またはチオ部分などの、酸素、窒素、または硫黄を含む求核基を含む官能基を有し、R4が、任意に置換されたアルキル(例えば、任意に置換されたC1−10アルキル)、アリルなどの好ましくは2〜約10個の炭素原子を有する、任意に置換されたアルケニルまたは任意に置換されたアルキニル、または任意にハロゲン化されたアルキルである。
R1及びR2が、式(5)で定義されるものと同じであり、式中、R1及びR2のうちの少なくとも1つが、ヒドロキシル、カルボキシル、アミン、またはチオ部分などの、酸素、窒素、または硫黄を含む求核基を含む官能基を有し、芳香族基が、任意に置換されたベンジルなどの任意に置換されたアルカリールであるか、任意に置換されたフェニル、ナフチル、アンスラチル(anthrathyl)、アセナフチルなどの任意に置換された炭素環式アリールであるか、またはメチルフタルイミド、N−メチル−1,8−フタルイミドなどの任意に置換されたヘテロ芳香族基である。
少なくとも1つまたはR2及びR4は、ヒドロキシル、アミン、もしくはチオ部分またはそれらの保護形態などの、求核酸素、窒素または硫黄を含む。
各m、n、及びlは、同じであるかまたは異なり、0または正整数であり、典型的には0、1、2、3、4、または5である。
下地コーティング組成物と用いるためのフォトレジストは、典型的にポリマーと1つ以上の酸発生剤とを含む。一般的に好ましいものはポジ型レジストであり、レジストポリマーはレジスト組成物にアルカリ性の水溶解性を与える官能基を有する。例えば、好まれるのは、ヒドロキシルまたはカルボキシレート等の極性官能基、またはリソグラフィ加工の際に、かかる極性部分を遊離させることができる酸不安定基を含むポリマーである。好ましくは、このポリマーは、水性アルカリ溶液で現像可能なレジストを行うのに十分な量でレジスト組成物に用いられる。
193nm等、200nm未満で像形成されるフォトレジストに用いられる好ましい樹脂は、以下の一般的な式(I)、(II)、及び(III)の単位を含み、
使用において、本発明のコーティング組成物は、スピンコーティング等の多種多様な方法の任意のものによって、コーティング層として基材に塗布される。一般的にコーティング組成物は基材上に、約0.02〜0.5μmの乾燥層の厚さ、好ましくは約0.04〜0.20μmの乾燥層の厚さで塗布される。基材は好適に、フォトレジストを伴う処理に用いられる任意の基材である。例えば、基材は、ケイ素、二酸化ケイ素、またはアルミニウム−酸化アルミニウムマイクロ電子ウエハであり得る。ガリウムヒ素、炭化ケイ素、セラミック、石英、または銅基材もまた使用され得る。液晶ディスプレイまたは他のフラットパネルディスプレイ用途のための基材、例えばガラス基材、インジウムスズ酸化物でコーティングされた基材等も、好適に使用される。光学及び光学電子デバイス(例えば、導波管)のための基材もまた、使用可能である。
直下の構造を有する以下のポリマーの指名される記号表示は、(例えば、直下の記号表示「ポリマー1」はその構造である)以下の例を指す。
実施例1:ポリマー1の合成(THEIC−TCEIC−DBNDC)
250mLの丸底フラスコを、39.8gのトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、17.5のトリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、0.73gのパラ−トルエンスルホン酸一水和物、32.1gのジブチルナタレンジカルボキシレート、67gのアニソール、及び100gの1−ブタノールで充填した。次いで混合物を140〜160℃に加熱し、内容物を勢いよく撹拌した。アニソールと共にブタノールを、反応フラスコから緩徐に蒸留した。蒸留物の量を制御することによって、ポリマーを変化させMwを合成した。次いでポリマー溶液を、THFを100g添加することによって希釈した。混合物を、MTBE/IPA(50/50)から沈殿させた。上に示されたポリマーを収集し、40〜60℃で一晩、真空下で乾燥させた。GPC重量平均Mwは、1.30の多分散で3000であった。
250mLの丸底フラスコを、37.8gのトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、16.6gのトリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、0.71gのパラ−トルエンスルホン酸一水和物、30.5gのジブチルナタレンジカルボキシレート、14.9gの1,10−デカンジオール、80gのアニソール、及び100gの1−ブタノールで充填した。次いで混合物を140〜160℃に加熱し、内容物を勢いよく撹拌した。アニソールと共にブタノールを、反応フラスコから緩徐に蒸留した。蒸留物の量を制御することによって、ポリマーを変化させMwを合成した。次いでポリマー溶液を、THFを100g添加することによって希釈した。混合物をIPAから沈殿させた。上に示されたポリマーを収集し、40〜60℃で一晩、真空下で乾燥させた。GPC重量平均Mwは、1.60の多分散で6570であった。
250mLの丸底フラスコを、49.2gのトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、21.6のトリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、0.92gのパラ−トルエンスルホン酸一水和物、29.12gの2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1,6−ヘキサンジオール、100gのアニソール、及び100gの1−ブタノールで充填した。次いで混合物を140〜150℃に加熱し、内容物を勢いよく撹拌した。アニソールと共にブタノールを、反応フラスコから緩徐に蒸留した。蒸留物の量を制御することによって、ポリマーを変化させMwを合成した。次いでポリマー溶液を、THFを100g添加することによって希釈した。混合物をIPAから沈殿させた。上に示されたポリマーを収集し、40〜60℃で一晩、真空下で乾燥させた。GPC重量平均Mwは、1.70の多分散で4560であった。
250mLの丸底フラスコを、46.09gのトリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート、21.6のトリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1.35gのパラ−トルエンスルホン酸一水和物、31.15gのジメチルテレフタレート、52gのアニソールで充填した。次いで混合物を140〜150℃に加熱し、内容物を勢いよく撹拌した。アニソールと共にメタノールを、反応フラスコから緩徐に蒸留した。蒸留物の量を制御することによって、ポリマーを変化させMwを合成した。次いでポリマー溶液を、HBMを100g添加することによって希釈した。混合物をIPAから沈殿させた。上に示されたポリマーを収集し、40〜60℃で一晩、真空下で乾燥させた。GPC重量平均Mwは、1.4の多分散で3000であった。
31.81gの2−ヒドロキシエチルメタクリレート、24.47gのメチルメタクリレート、及び43.72gのビニルアニソールを、オーバーヘッド撹拌、コンデンサ、及び窒素入口を装備した250mlの3口丸底中で、150gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた。反応溶液を、20分間窒素流を用いて脱ガスし、100℃に加熱した。4.98gのV−67開始剤を、4時間に渡って反応溶液に添加した。反応溶液を8時間100℃に維持し、室温に冷却した。次いでポリマー溶液を、HBMを100g添加することによって希釈した。混合物を、IPE中に沈殿させた。ポリマーを真空濾過によって収集し、60℃で24時間真空乾燥させた。GPC重量平均Mwは、1.98の多分散で11400であった。
実施例6:BARC組成物1(比較用)
3.198gのエステル型ポリマー1、架橋剤として0.570gのテトラメトキシメチルグリコールウリル、0.030gのアンモニウムp−トルエンスルホネート塩、及びレベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、96.2gの混合物溶液(HBM/GBL 90/10wt/wt)に溶解させて、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを205℃で、1分間ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.74の屈折率n及び0.18の光減衰係数kを示した。
2.186gのエステル型ポリマー1、1.457gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、0.056gのN−ベンジル−N,N−ジメチルベンゼンアミニウムトリフルオロメタンスルホネート塩、レベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、96.3gの混合物溶液(HBM/PGMEA 70/30wt/wt)に溶解させて、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを205℃で、1分間ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.71の屈折率n及び0.16の光減衰係数kを示した。
2.186gのエステル型ポリマー2、1.457gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、0.056gのN−ベンジル−N,N−ジメチルベンゼンアミニウムトリフルオロメタンスルホネート塩、及びレベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、96.3gの混合物溶液(HBM/PGMEA/GBL 60/30/10wt/wt)に溶解させて、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを205℃で、1分間ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.72の屈折率n及び0.18の光減衰係数kを示した。
4.018gのビニル型ポリマー5、1.339gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、及びレベリング剤として0.003gのpolyfox 656を、94.6gの混合物溶液(HBM/PGMEA 70/30wt/wt)に溶解させ、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを215℃で1分間、ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.79の屈折率n及び0.01の光減衰係数kを示した。
3.148gのビニル型ポリマー6、1.349gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、及びレベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、95.5gのPGMEAに溶解させ、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを215℃で1分間、ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.77の屈折率n及び0.04の光減衰係数kを示した。
2.215gのメタクリレート型ポリマー7、2.215gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、0.068gのN−ベンジル−N,N−ジメチルベンゼンアミニウムトリフルオロメタンスルホネート塩、及びレベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、95.5gのPGMEAに溶解させ、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを215℃で1分間、ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.65の屈折率n及び0.002の光減衰係数kを示した。
2.249gのノボラック型ポリマー9、2.249gのポリグリシジルメタクリレート(ポリマー10)、及びレベリング剤として0.002gのpolyfox 656を、95.5gのPGMEAに溶解させ、溶液を得た。全ての調製した溶液を、超高分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過した。溶液を、スピナを使用してシリコンウエハ上にコーティングし、ウエハを215℃で1分間、ホットプレート上で加熱し、反射防止コーティングを形成した。分光エリプソメータによる反射防止コーティングの測定は、248nmで1.82の屈折率n及び0.05の光減衰係数kを示した。
比較実施例6及び実施例7ならびに8で得たBARC形成組成物の溶液を、それぞれ、スピナ方法によってシリコンウエハ基材上にコーティングした。コーティングしたシリコンウエハ基材を、60℃〜215℃の範囲の温度で60秒間ベークした。次いで試料の厚さを測定した。70%のプロピレングリコールメチルエーテル(PGME)及び30%のプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)の混合溶媒を、UL材料をコーティングしたシリコンウエハ上に分注し、次いで90秒間保持し、その後1500rpmで15秒間、及び5000rpmで30秒間スピン乾燥させ、溶媒を除去した。次いでフィルムを、110℃で60秒間、ホットプレート上でベークした。フィルムの厚さを再度測定した。揮散の量を、初期の厚さと最終的な厚さとの間の差異であるように決定した。
比較実施例6及び実施例7ならびに8で得たBARC形成組成物の溶液を、それぞれ、スピナ方法によってシリコンウエハ基材上にコーティングした。次いで試料の厚さを硬化前に測定した。コーティングしたシリコンウエハ基材を、205℃または215℃で60秒間ベークし、次いでフィルムの厚さを再度測定した。
比較実施例6及び実施例7のBARC組成物を、1500rpmで150mmのシリコンウエハ上にスピンコートし、次いでTEL Mark8ウエハコーティング追跡機を使用して、205℃で60秒間ベークする。ベーク後のBARCコーティング厚は、好適には約1200Åである。DowUV(商標)1610DUVフォトレジストを、BARCコーティングの頂部にスピンコートし、100℃で60秒間ベークした。次に、フォトレジスト層を、0.65NAで248nmのKrFウエハステッパーを使用して標的マスクを通して露光した。次に、フォトレジスト層を120℃で60秒間、露光後ベークし、続いて、標準の60秒間のシングルパドルプロセスにおいてDow MF(商標)CD−26 TMAH現像機を使用して現像する。走査電子顕微鏡法(SEM)を、図1A(比較実施例6の組成物を示す)及び図1B(実施例7の組成物を示す)に示される、結果として得られるSEM顕微鏡写真を用いて、80,000倍率でフォトレジストのパターンプロファイル(120nmの線及び240nmの間隔のパターン)の品質を試験するために行った。実施例6及び7の両方の組成物が、架橋剤樹脂との差異のない良好なリソグラフィ性能を示した。
シリコンウエハ上の、12インチにパターニングされた、100nmの高さのLPCVD TiNを得た。パターンは、40nmの間隔及び120nmのピッチを有する溝を含む。比較実施例6及び実施例8のBARC組成物を、それぞれのウエハのパターニングされた表面上に渡って、1500rpmで各々スピンコートし、約100nmのフィルム厚を得た。組成物を、215℃で1分間、ホットプレート上で加熱し、架橋を促進した。架橋後の溝パターンを、図2A〜BのSEM顕微鏡写真に示す。溝を、比較実施例6の組成物(図2Aに示されるSEM)が空隙を示す一方で、実施例8の組成物によって空隙の形成なく充填した(図2Bに示されるSEM)。
Claims (14)
- フォトレジストレリーフ像を形成するための方法であって、
a)基材上に、
1)シアヌレート基を含む1つ以上のエポキシ反応基を含む第1の樹脂と、
2)前記第1の樹脂とは異なり、かつエポキシ基を含む架橋剤樹脂と、を含むコーティング組成物の層を塗布することと、
b)前記コーティング組成物層上にフォトレジスト組成物の層を塗布することと、を含む、方法。 - 前記第1の樹脂のエポキシ反応基が、ヒドロキシル、カルボキシル、アミン、及び/もしくはチオ部分、ならびに/または前記コーティング組成物の熱処理の間に前記架橋剤樹脂のエポキシ基と反応することができる、求核酸素、窒素、もしくは硫黄基を含む他の求核基を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記架橋剤樹脂の全重量に基づいて、前記架橋剤樹脂の15重量パーセント未満の樹脂反復単位が1つ以上のエポキシ反応基を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の樹脂の全重量に基づいて、前記第1の樹脂の15重量パーセント未満の樹脂反復単位が1つ以上のエポキシ基を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記架橋剤樹脂が、アクリレートエポキシ樹脂である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の樹脂及び/または架橋剤樹脂が、任意に置換されたフェニル基、任意に置換されたナフチル基、または任意に置換されたアントラセニル基を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記架橋剤樹脂が、以下の式(1)の1つ以上の反復単位を含み、
R1が、水素、ハロゲン、シアノ、任意に置換されたシクロアルキルを含む任意に置換されたアルキルから選択され、
R2が、−C(=O)−O−、−O−、−(CH2)n−O−、−O−(CH2)n−(式中、nが正整数である)、−(CH2)n−(式中、nが正整数である)、−(任意に置換された炭素環式アリール)−O−、−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−O−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−O−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−、−O−(任意に置換されたヘテロアリール)−、から選択される結合基であり、
R2’が、任意に置換されたC1〜C12直鎖、分岐、または環状アルキル、任意に置換されたC6〜C15アリールから選択され、任意にヘテロ原子を含有し、R 2’ が少なくとも1つのエポキシ基を含むか、
あるいは、R2及びR2’が一緒になって、ペンダントエポキシ基または縮合エポキシ基を含む炭素脂環式環を形成する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の樹脂が、以下の式(2)の単位を含み、
R2が、−C(=O)−O−、−O−、−(CH2)n−O−、−O−(CH2)n−(式中、nが正整数である)、−(CH2)n−(式中、nが非負整数である)、−(任意に置換された炭素環式アリール)−O−、−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−O−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−O−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−、−O−(任意に置換されたヘテロアリール)−から選択される結合基であり、
R3が、水素、ハロゲン、シアノ、及び任意に置換されたアルキルから選択され、
R4が、水素、任意に置換されたアルキル、任意に置換された炭素環式アリール、または任意に置換されたヘテロアリールであり、
R6が、任意に置換されたアルキル、任意に置換された環状アルキル、任意に置換された炭素環式アリール、及び任意に置換されたヘテロアリールであり、R6が、求核酸素、窒素、または硫黄基を含む、少なくとも1つの官能基を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の樹脂が、以下の式(3)の単位をさらに含み、
R1が、水素、ハロゲン、シアノ、任意に置換されたシクロアルキルを含む任意に置換されたアルキルから選択され、
R2が、−C(=O)−O−、−O−、−(CH2)n−O−、−O−(CH2)n−(式中、nが正整数である)、−(CH2)n−(式中、nが非負整数である)、−(任意に置換された炭素環式アリール)−O−、−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−O−(任意に置換された炭素環式アリール)−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−O−、−(任意に置換されたヘテロアリール)−、−O−(任意に置換されたヘテロアリール)−から選択される結合基であり、
R3が、水素、ハロゲン、シアノ、及び任意に置換されたアルキルから選択され、
R4及びR5が、独立して、水素、任意に置換されたアルキル、任意に置換された炭素環式アリール、または任意に置換されたヘテロアリールから選択される、請求項8に記載の方法。 - 前記第1の樹脂が、
以下の式(4)の単位を含み、
R6、R7、R8、及びR9のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つの求核酸素、窒素、または硫黄基を含む少なくとも1つの官能基を有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の樹脂が、1)シアヌレート基、任意に2)疎水基、及び任意に3)芳香族基を含むモノマーの縮合によって調製されるポリエステルであり、
a)シアヌレート基を含むモノマーが、以下の式(5)の構造を含み、
R1、R2、R3が、独立して、水素であるか、または任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアルケニルもしくはアルキニル、任意に置換された環状アルキル、任意に置換された炭素環式アリール、任意に置換されたヘテロアリール、任意に置換されたアルキルエステル、及び任意に置換されたアルキルエーテルから選択される非水素置換基であり、R1、R2、R3のうちの少なくとも1つが、ヒドロキシル、カルボキシル、アミン、またはチオ部分を含む官能基を有し、
b)疎水基を含むモノマーが、以下の式(6)の構造を含み、
c)芳香族基を含むモノマーが、以下の式(7)の構造を含み、
- 前記コーティング組成物が熱酸発生剤を含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- コーティングされた基材であって、
1)
i)シアヌレート基を含む1つ以上のエポキシ反応基を含む第1の樹脂と、
ii)前記第1の樹脂とは異なり、かつエポキシ基を含む架橋剤樹脂と、を含むコーティング組成物の層を有する基材と、
2)前記コーティング組成物層上のフォトレジスト組成物層と、を含む、コーティングされた基材。 - オーバーコートされたフォトレジスト組成物と共に用いるためのコーティング組成物であって、
i)シアヌレート基を含む1つ以上のエポキシ反応基を含む第1の樹脂と、
ii)前記第1の樹脂とは異なり、かつエポキシ基を含む架橋剤樹脂と、を含む、コーティング組成物。
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