JP6585827B2 - センサ装置 - Google Patents
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Description
チ用NMOSトランジスタ
Claims (10)
- 所定の物理量を検出するセンサ装置であって、
外部から電源を供給される電源端子およびグラウンド端子と、
前記センサ装置のセンサ出力の出力信号を外部へ出力する出力端子と、
物理量を検知するセンサ素子からの信号から前記出力端子への出力信号を生成し、センサ出力回路を制御する制御信号を生成する信号処理回路と、
前記センサ装置と外部電源との間の配線、もしくは、外部グラウンドとの配線が断線した場合に、断線したことを検知し制御信号を生成する断線検知回路と、
前記センサ出力と前記センサ装置の内部電源及び内部グラウンドの間の電流パスを遮断する遮断スイッチと、
前記センサ装置外部で前記センサ出力と外部電源の間に接続されたプルアップ抵抗もしくは、前記センサ出力と外部グラウンドの間に接続されたプルダウン抵抗と、を有することを特徴とするセンサ装置。 - 所定の物理量を検出するセンサ装置であって、
外部から電源を供給される電源端子およびグラウンド端子と、
前記センサ装置のセンサ出力の出力信号を外部へ出力する出力端子と、
物理量を検知するセンサ素子からの信号から前記出力端子への出力信号を生成し、センサ出力回路を制御する制御信号を生成する信号処理回路と、
前記センサ装置と外部電源との間の配線、もしくは、外部グラウンドとの配線が断線した場合に、断線したことを検知し制御信号を生成する断線検知回路と、
前記センサ出力と前記センサ装置の内部電源及び内部グラウンドの間の電流パスを遮断する遮断スイッチと、
前記センサ装置の内部電源がある一定電圧以下になったことを検知し、信号を生成する低電圧検知回路と、を有し、
前記信号処理回路は前記低電圧検知回路の出力信号が入力されており、電源電圧がある一定電圧以下になると、前記センサ出力回路の制御信号をハイもしくはロウに固定することを特徴とするセンサ装置。 - 所定の物理量を検出するセンサ装置であって、
外部から電源を供給される電源端子およびグラウンド端子と、
前記センサ装置のセンサ出力の出力信号を外部へ出力する出力端子と、
物理量を検知するセンサ素子からの信号から前記出力端子への出力信号を生成し、センサ出力回路を制御する制御信号を生成する信号処理回路と、
前記センサ装置と外部電源との間の配線、もしくは、外部グラウンドとの配線が断線した場合に、断線したことを検知し制御信号を生成する断線検知回路と、
前記センサ出力と前記センサ装置の内部電源及び内部グラウンドの間の電流パスを遮断する遮断スイッチと、を有し、
前記センサ出力回路がPMOS及びNMOSによって構成されており、
前記PMOSの基板ノードと内部電源間に電流遮断用のスイッチを有し、
前記NMOSの基板ノードと内部グラウンド間に電流遮断用のスイッチを有し、
前記電流遮断用のスイッチのオンオフは、前記断線検知回路の制御信号によって制御されることを特徴とするセンサ装置。 - 所定の物理量を検出するセンサ装置であって、
外部から電源を供給される電源端子およびグラウンド端子と、
前記センサ装置のセンサ出力の出力信号を外部へ出力する出力端子と、
物理量を検知するセンサ素子からの信号から前記出力端子への出力信号を生成し、センサ出力回路を制御する制御信号を生成する信号処理回路と、
前記センサ装置と外部電源との間の配線、もしくは、外部グラウンドとの配線が断線した場合に、断線して前記センサ装置に電源もしくはグラウンドの電位が供給されなくなったことを検知し、前記センサ出力回路の制御信号を生成する断線検知回路と、
前記センサ出力と前記センサ装置の内部電源及び内部グラウンドの間の電流パスを遮断する遮断スイッチと、を有することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項4に記載のセンサ装置において、
前記断線検知回路は、前記センサ出力回路の制御信号を生成することで、前記センサ出力をハイもしくはロウ電圧に固定することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項4に記載のセンサ装置において、
前記センサ装置外部で前記センサ出力と外部電源の間に接続されたプルアップ抵抗もしくは、前記センサ出力と外部グラウンドの間に接続されたプルダウン抵抗を有することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載のセンサ装置において、
前記断線検知回路は、前記センサ出力の電圧と前記センサ装置内部の電源の電圧を比較し、
前記センサ出力の電圧が前記センサ装置内部の電源の電圧より一定値以上高い場合に、前記センサ出力と前記センサ装置の内部電源の間の電流パスを遮断するように前記遮断スイッチ及び前記センサ出力回路の入力信号を制御することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載のセンサ装置において、
前記断線検知回路は、前記センサ出力の電圧と前記センサ装置内部のグラウンドの電圧を比較し、
前記センサ出力の電圧が前記センサ装置内部のグラウンドの電圧より一定値以上低い場合に、前記センサ装置と外部グラウンドを接続する配線が断線したと判断し、
前記センサ出力と前記センサ装置の内部グラウンドの間の電流パスを遮断するように前記遮断スイッチ及び前記センサ出力回路の入力信号を制御することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項4に記載のセンサ装置において、
前記センサ装置の内部電源がある一定電圧以下になったことを検知し、信号を生成する低電圧検知回路を有し、
前記信号処理回路は前記低電圧検知回路の出力信号が入力されており、電源電圧がある一定電圧以下になると、前記センサ出力回路の制御信号をハイもしくはロウに固定することを特徴とするセンサ装置。 - 請求項4に記載のセンサ装置において、
前記センサ出力回路がPMOS及びNMOSによって構成されており、
前記PMOSの基板ノードと内部電源間に電流遮断用のスイッチを有し、
前記NMOSの基板ノードと内部グラウンド間に電流遮断用のスイッチを有し、
前記電流遮断用のスイッチのオンオフは、前記断線検知回路の制御信号によって制御されることを特徴とするセンサ装置。
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