JP6576786B2

JP6576786B2 - ウエーハの研削方法

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Publication number: JP6576786B2
Application number: JP2015205581A
Authority: JP
Inventors: 麗華藍
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-10-19
Filing date: 2015-10-19
Publication date: 2019-09-18
Anticipated expiration: 2035-10-19
Also published as: JP2017079230A

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが表面に複数個形成された半導体ウエーハは、個々のデバイスに分割される前に裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保持されたウエーハを研削する研削手段とを具備している。

ウエーハの裏面を研削する際には、ウエーハの表面がチャックテーブルに載置されることによって表面に形成されたデバイスに傷が付かないように、ウエーハの表面には保護テープが貼着される。しかるに、保護テープには面内に厚さバラツキがあるため、ウエーハを均一な厚さに研削することができないという問題がある。

上記問題を解消するために、ウエーハの表面に貼着された保護テープの表面を旋削して平坦化し、保護テープの厚さバラツキを低減させる技術が下記特許文献１に開示されている。

特開２０１３−２６３８０号公報

しかるに、上記特許文献１に開示された技術を実施するためには、研削装置に加えて比較的高額で大型の旋削装置を導入する必要があり、設備費が高騰して不経済であるという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、比較的安価な方法により保護テープの厚さバラツキを低減してウエーハを均一な厚さに研削することができウエーハの研削方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材と該支持部材の支持面と対面する平行な押圧面を有する押圧部材とを備えた保護テープ平坦化手段における該支持部材の支持面に保護テープが貼着されたウエーハを支持するウエーハ支持工程と、
少なくとも保護テープを加熱するとともに該保護テープ平坦化手段の支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間で保護テープが貼着されたウエーハをプレスして保護テープを平坦化する保護テープ平坦化工程と、
該保護テープ平坦化工程が実施された保護テープが貼着されたウエーハにおける保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、を含み、
該保護テープ平坦化手段の支持部材は、該チャックテーブルが兼用するウエーハの研削方法が提供される。

本発明によるウエーハの研削方法は、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材と該支持部材の支持面と対面する平行な押圧面を有する押圧部材とを備えた保護テープ平坦化手段における支持部材の支持面に保護テープが貼着されたウエーハを支持するウエーハ支持工程と、少なくとも保護テープを加熱するとともに保護テープ平坦化手段の支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間で保護テープが貼着されたウエーハをプレスして保護テープを平坦化する保護テープ平坦化工程と、保護テープ平坦化工程が実施された保護テープが貼着されたウエーハにおける保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削する裏面研削工程とを含み、該保護テープ平坦化手段の支持部材は、該チャックテーブルが兼用するので、裏面研削工程を実施する際には、ウエーハに貼着された保護テープが保護テープ平坦化工程によって平坦化されているため、ウエーハを均一な厚さに研削することができる。そして、保護テープ平坦化工程はウエーハに貼着された保護テープを加熱しつつ支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間でプレスする比較的安価な保護テープ平坦化手段によって実施できるので、設備費が抑制され経済的である。

本発明によるウエーハの研削方法を実施するための研削装置の一実施形態を示す斜視図。本発明によるウエーハの研削方法によって研削されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。本発明によるウエーハの研削方法における保護テープ貼着工程の説明図。本発明によるウエーハの研削方法における保護テープ平坦化工程の一実施形態を示す説明図。本発明によるウエーハの研削方法を実施するための研削装置の他の実施形態を示す斜視図。本発明によるウエーハの研削方法における保護テープ平坦化工程の他の実施形態を示す説明図。

以下、本発明によるウエーハの研削方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。

図１には本発明によるウエーハの研削方法を実施するための研削装置の斜視図が示されている。
図示の研削装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の前面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には粗研削手段としての粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。

粗研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２と、該ホイールマウント３２の下面に装着された粗研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２ａで示す方向に回転せしめる電動モータ３４と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。

上記移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。この粗研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ粗研削ホイール３３を研削送りする研削送り手段３６を具備している。研削送り手段３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。

上記仕上げ研削ユニット４も粗研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２と、該ホイールマウント４２の下面に装着された仕上げ研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２ａで示す方向に回転せしめる電動モータ４４と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。この仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ仕上げ研削ホイール４３を研削送りする研削送り手段４６を具備している。研削送り手段４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。

図示の研削装置１は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の間隔をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２の上面が被加工物を平面で支持する支持面となっている。このように構成されたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上（支持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６ａで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、粗研削加工域Ｂ、仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。

図示の研削装置１は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット１１と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット１２と、第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット１２との間に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハを洗浄するスピンナー洗浄手段１４と、第１のカセット１１内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段１３に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１４で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット１２に搬送する被加工物搬送手段１５を具備している。また、図示の研削装置１は、上記中心合わせ手段１３上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１６と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハをスピンナー洗浄手段１４に搬送する被加工物搬出手段１７を具備している。なお、被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７は、それぞれ吸引パッド１６１および１７１と、該吸引パッド１６１および１７１を一端部に支持し基端部を支点として旋回する旋回アーム１６２および１７２を具備しており、該吸引パッド１６１と１７１の下面（支持面）に半導体ウエーハの裏面を吸引保持するようになっている。また、被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７を構成する旋回アーム１６２および１７２は図示しない移動機構によって上下方向に移動せしめられるようになっている。

ここで、上記第１のカセット１１にストックされる半導体ウエーハについて、図２および図３を参照して説明する。
図２に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが例えば６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数の分割予定ライン１０１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０の表面１０ａには、デバイス１０２を保護するために保護テープＰＴが貼着される（保護テープ貼着工程）。この保護テープＰＴは、加熱することによって軟化する合成樹脂シートで形成され、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。このようにして保護テープ貼着工程が実施され表面に保護テープＰＴが貼着された半導体ウエーハ１０は、裏面を上側にして第１のカセット１１に収容される。

図１を参照して説明を続けると、図示の研削装置１は、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上（支持面）に支持された半導体ウエーハ１０に貼着されている保護テープＰＴを平坦化する保護テープ平坦化手段７を具備している。この保護テープ平坦化手段７は、装置ハウジング２の両側部に対向して配設された一対の支持部材７１、７１を具備している。この一対の支持部材７１、７１間には、水平に配設された移動案内部材としての断面が矩形の案内ロッド７２が固定されている。案内ロッド７２には、滑動ブロック７３が摺動可能に配設されている。即ち、滑動ブロック７３には案内ロッド７２が挿通せしめられる断面が矩形の貫通穴が形成されており、この貫通穴を案内ロッド７２に嵌挿することにより、滑動ブロック７３は案内ロッド７２に摺動可能に支持される。

上記滑動ブロック７３の前面には上下方向に案内レール７３１が形成されており、この案内レール７３１に沿って移動可能に押圧板支持ブロック７４が移動可能に配設されている。押圧板支持ブロック７４の下面には、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の上面である支持面に支持された半導体ウエーハ１０に貼着されている保護テープＰＴに押圧力を作用せしめる押圧部材７５が装着されている。この押圧部材７５の下面は、上記チャックテーブル６の上面である支持面に対面する平行な押圧面７５１を有している。また、押圧部材７５には、ヒーター７５０が内蔵されている。なお、上記押圧板支持ブロック７４は、案内レール７３１に嵌合する被案内溝７４１を備えており、該被案内溝７４１を案内レール７３１に嵌合することにより案内レール７３１に沿って移動可能に支持される。また、押圧板支持ブロック７４と滑動ブロック７３との間にはエアシリンダ等の押圧作動手段（図示せず）が配設されている。従って、押圧部材７５が装着された押圧板支持ブロック７４は、図示しない押圧作動手段によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の支持面に垂直な方向に移動せしめられる。

図示の保護テープ平坦化手段７は、押圧部材７５を装着した押圧板支持ブロック７４が配設された滑動ブロック７３を案内ロッド７２に沿って移動せしめる移動手段７６を具備している。移動手段７６は、一対の支持部材７１、７１間に配設された雄ねじロッド７６１と、該雄ねじロッド７６１を回転駆動する電動モータ７６２とからなっている。雄ねじロッド７６１は、滑動ブロック７３に形成された雌ねじ穴７３２に螺合するとともに、一対の支持部材７１、７１に回転自在に支持されている。電動モータ７６２は、一方の支持部材７１に配設され、雄ねじロッド７６１に伝動連結されている。従って、電動モータ７６２が正転または逆転駆動されると、滑動ブロック７３は案内ロッド７２に沿って一方向または他方向に移動せしめられる。

図示の研削装置１は以上のように構成されており、以下その作用について主に図１を参照して説明する。
上述したように、カセット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容されている半導体ウエーハ１０の裏面を研削するには、被加工物搬送手段１５を作動して第１のカセット１１に収容されている研削加工前の半導体ウエーハ１０を搬出し、中心合わせ手段１３上に載置する。中心合わせ手段１３に載置された半導体ウエーハ１０は、ここで中心合わせが行われる。中心合わせ手段１３において中心合わせが行われた半導体ウエーハ１０は、被加工物搬入手段１６によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられているチャックテーブル６の上面である支持面上に載置される。半導体ウエーハ１０がチャックテーブル６の支持面上に載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０は保護テープＰＴを介してチャックテーブル６の支持面上に吸引保持される。

被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられているチャックテーブル６上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、保護テープ平坦化手段７の移動手段を作動して押圧板支持ブロック７４に装着された押圧部材７５をチャックテーブル６に保持された半導体ウエーハ１０の直上に位置付けるとともに、図示しない押圧作動手段を作動して押圧板支持ブロック７４を下降し、図４に示すように押圧部材７５の押圧面７５１をチャックテーブル６に保持された半導体ウエーハ１０の上面（裏面）に接触し所定の圧力で押圧する。このとき、押圧部材７５に内蔵しているヒーター７５０を作動して半導体ウエーハ１０を介して保護テープＰＴを１００℃程度に加熱する。この結果、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴは、加熱されつつチャックテーブル６の支持面と押圧部材７５の押圧面７５１との間で半導体ウエーハ１０を介してプレスされるので、厚さバラツキがあっても平坦化される（保護テープ平坦化工程）。従って、チャックテーブル６は、保護テープ平坦化手段７におけるウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材として機能し、該支持部材を兼用することになる。

上述した保護テープ平坦化工程を実施したならば、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル６は、粗研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６ａで示す方向に回転せしめられる。一方、粗研削ユニット３の粗研削ホイール３３は、矢印３２ａで示す方向に回転せしめられつつ研削送り手段３６によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハ１０の裏面（上面）に粗研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように保護テープＰＴが貼着された研削加工前の半導体ウエーハ１０が載置され、上記保護テープ平坦化工程が実施される。

次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、粗研削加工された半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。このようにして、粗研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された粗研削加工前の半導体ウエーハ１０の裏面（上面）には粗研削ユニット３によって粗研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に保持され粗研削加工された半導体ウエーハ１０の裏面（上面）には仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上には、上述したように保護テープＰＴが貼着された研削加工前の半導体ウエーハ１０が載置され、上記保護テープ平坦化工程が実施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付け、粗研削加工域Ｂにおいて粗研削加工された半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付ける。そして、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて上記保護テープ平坦化工程が実施された研削加工前の半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６は粗研削加工域Ｂに位置付けられる。

上述したように、粗研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、被加工物搬出手段１７を作動して仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１０をスピンナー洗浄手段１４に搬送する。スピンナー洗浄手段１４に搬送された半導体ウエーハ１０は、ここで研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ１０は、ウエーハ搬送手段１５によって第２のカセット１２に搬送され収納される。

上述した粗研削加工および仕上げ研削加工からなる裏面研削工程を実施する際には、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴが保護テープ平坦化工程によって平坦化されているので、半導体ウエーハ１０を均一な厚さに研削することができる。そして、保護テープ平坦化工程は半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを加熱しつつチャックテーブル６の支持面と押圧部材７５の押圧面７５１との間でプレスする比較的安価な保護テープ平坦化手段７によって実施できるので、設備費が抑制され経済的である。

次に、保護テープ平坦化手段の他の実施形態について、図５を参照して説明する。なお、図５に示す研削装置１は、上記中心合わせ手段１３と被加工物搬入・搬出域Ａに配設された保護テープ平坦化手段７ａを構成する押圧部材７７以外は、上記図１に示す研削装置１における保護テープ平坦化手段７を除いた構成と同様であるため、同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
図５に示す保護テープ平坦化手段７ａは、上記中心合わせ手段１３と被加工物搬入・搬出域Ａとの間において被加工物搬入手段１６を構成する吸引パッド１６１の移動軌跡上に配設された押圧部材７７を具備している。この押圧部材７７は、ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材として機能する上記被加工物搬入手段１６の吸引パッド１６１の下面（支持面）と対面する平行な押圧面７７１を有しており、ヒーター７７０が内蔵されている。

図５に示す保護テープ平坦化手段７ａは以上のように構成されており、以下、保護テープ平坦化手段７ａを用いて実施する半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを平坦化する保護テープ平坦化工程について説明する。
上述したように中心合わせ手段１３において中心合わせが行われた保護テープＰＴが貼着されている半導体ウエーハ１０は、被加工物搬入手段１６の吸引パッド１６１の下面（支持面）に吸着された状態で押圧部材７７の直上に位置付けられる。次に、被加工物搬入手段１６の吸引パッド１６１を支持する旋回アーム１６２を図示しない移動機構によって下方に移動し、図６に示すように吸引パッド１６１に吸着された半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを押圧部材７７上面である押圧面７７１に接触し所定の圧力で押圧する。このとき、押圧部材７７に内蔵しているヒーター７７０を作動して半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを１００℃程度に加熱する。この結果、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴは、加熱されつつ吸引パッド１６１の支持面と押圧部材７７の押圧面７７１との間で半導体ウエーハ１０を介してプレスされるので、厚さバラツキがあっても平坦化される（保護テープ平坦化工程）。そして、保護テープ平坦化工程は半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを加熱しつつ吸引パッド１６１の支持面と押圧部材７７の上面である押圧面７７１との間でプレスする比較的安価な保護テープ平坦化手段７ａによって実施できるので、設備費が抑制され経済的である。
このようにして、保護テープ平坦化工程が実施された半導体ウエーハ１０は、被加工物搬入手段１６の吸引パッド１６１に吸着された状態で被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられているチャックテーブル６に搬送される。そして、粗研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃに順次位置付けられて上述した粗研削加工および仕上げ研削加工が施される。

以上のように、図示の実施形態においては、保護テープ平坦化手段７または保護テープ平坦化手段７ａを装備した研削装置１を用いて半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを平坦化する平坦化工程を実施するので、粗研削加工および仕上げ研削加工を実施している際に次の研削加工前の半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴに対して保護テープ平坦化工程を実施することができるため、保護テープ平坦化工程を実施してもトータルの研削時間が長くなることはない。
また、上述した実施形態においては、保護テープ平坦化手段７または保護テープ平坦化手段７ａを装備した研削装置１を用いて半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを平坦化する平坦化工程を実施する例を示したが、研削装置に保護テープ平坦化手段を必ずしも装備する必要はなく、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープＰＴを平坦化するための専用の保護テープ平坦化装置によって平坦化した保護テープＰＴが貼着された半導体ウエーハ１０を上記第１のカセット１１にストックするようにしてもよい。

１：研削装置
２：研削装置の装置ハウジング
３：粗研削ユニット
３３：粗研削ホイール
４：仕上げ研削ユニット
４３：仕上げ研削ホイール
７，７ａ：保護テープ平坦化手段
７５，７７：押圧部材
１０：半導体ウエーハ
ＰＴ：保護テープ

Claims

表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材と該支持部材の支持面と対面する平行な押圧面を有する押圧部材とを備えた保護テープ平坦化手段における該支持部材の支持面に保護テープが貼着されたウエーハを支持するウエーハ支持工程と、
少なくとも保護テープを加熱するとともに該保護テープ平坦化手段の支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間で保護テープが貼着されたウエーハをプレスして保護テープを平坦化する保護テープ平坦化工程と、
該保護テープ平坦化工程が実施された保護テープが貼着されたウエーハにおける保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、を含み、
該保護テープ平坦化手段の支持部材は、該チャックテーブルが兼用するウエーハの研削方法。