JP6567199B2 - 距離計測装置、距離計測方法、及び距離計測プログラム - Google Patents

距離計測装置、距離計測方法、及び距離計測プログラム Download PDF

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Description

本発明は、被写体までの距離を計測する距離計測装置並びに被写体までの距離を計測するために用いられる距離計測方法及び距離計測プログラムに関する。
従来、機械部品の加工又は検査に際し、機械部品(被写体)にレーザ光(パターン光)を照射する投光器と、縞状のパターン光の照射によって被写体の表面に形成された縞状の投写パターンを撮影するカメラとを組合せた距離計測装置が用いられている。この装置では、カメラによって取得された撮像画像における注目位置の輝度の明暗から、投光器から注目位置に向かう方向の角度を特定する。そして、投光器から注目位置に向かう方向の角度、カメラから注目位置に向かう方向の角度、及び投光器とカメラの間の距離を用いた三角測量によって、被写体の注目位置までの距離が算出される。この方法は、空間コード化法と呼ばれる。
空間コード化法は、被写体の表面で拡散反射した光をカメラで撮影することを前提とする。このため、被写体の表面に当たった光が鏡面反射する場合又は透過する場合には、カメラに、被写体の表面で拡散反射した光(空間コード化法による距離計測に使用される光)以外の光である二次反射光又は透過光(距離計測に悪影響を与える光)が入射し、空間コードを正しく読み取ることができない場合がある。
この対策として、空間コード化法による複数回の距離計測結果を比較することで、距離計測誤りの発生箇所を検出する装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載された距離計測装置は、縞の方向が異なる複数のパターン光を用いて複数回の距離計測を行い、複数の距離計測結果である複数の距離の間のずれが所定値より大きい場合に、距離計測結果を不正と判定する。
特開2015−78935号公報
特許文献1に記載された距離計測装置では、投光器によるパターン光の投写、カメラによる被写体の撮影、撮像画像に基づく距離計測演算、という一連の処理を、複数回繰り返すことによって、距離計測結果が不正であるか否かを判定していた。このため、距離計測結果に対する判定が完了するまでに長時間を要するという課題があった。
本発明は、距離計測に必要な時間の増加を抑制しつつ、距離計測結果の精度を向上させることができる距離計測装置、距離計測方法、及び距離計測プログラムを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る距離計測装置は、明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写する投写部と、前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像部と、前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する三角測量部と、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定部とを備え、前記投写部によって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る距離計測方法は、明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写する投写ステップと、前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像ステップと、前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップとを備え、前記投写ステップによって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る距離計測プログラムは、投写部に、明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写させる投写ステップと、撮像部に、被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得させる撮像ステップと、前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップと、をコンピュータに実行させ、前記投写ステップによって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、ことを特徴とする。
本発明によれば、距離計測に必要な時間の増加を抑制しつつ、距離計測結果の精度を向上させることができる。
本発明の実施の形態1に係る距離計測装置の概略構成を示すブロック図である。 図1に示される光学系、撮像部、及び投写部の配置を概略的に示す図である。 図1に示される投写部によって投写されるパターン光のうち距離計測用に用いられるパターン光の例を示す図である。 図1に示される投写部によって投写されるパターン光のうち距離計測誤りの判定に用いられるパターン光の例を示す図である。 (a)から(c)は、被写体にパターン光を投写した場合における一次反射光の経路の例、二次反射光の経路の例、及び透過光の経路の例を示す図である。 (a)及び(b)は、パターン光が複数方向に投写された場合と単一方向に投写された場合の比較図である。 パターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号を算出する方法を示す図である。 パターン光を構成するストライプの位置番号を示す図である。 投写部、撮像部、及び被写体の位置関係に基づいて行う距離計測方法を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る距離計測装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態2においてパターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号を算出する方法を示す図である。 本発明の実施の形態3に係る距離計測装置の概略構成を示すブロック図である。 実施の形態3においてパターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号を算出する方法を示す図である。 実施の形態1から3の変形例を示すハードウェア構成図である。
《1》実施の形態1.
《1−1》構成
図1は、本発明の実施の形態1に係る距離計測装置1の概略構成を示すブロック図である。距離計測装置1は、実施の形態1に係る距離計測方法を実施することができる装置である。図1に示されるように、距離計測装置1は、主要な構成として、撮像空間内にある被写体(物体)を撮影することで撮像画像(画像データ)を取得する画像データ取得部10と、画像データ取得部10で取得された画像データ(例えば、撮像画像における各画素の輝度値、すなわち、画素値)を用いて被写体までの距離(被写体距離)Zを求め、求められた距離Zを示す距離データZout(例えば、画素毎の距離データ)を出力する画像データ処理部20とを備えている。画像データ処理部20は、距離データZoutを数値で表示するための、又は距離データZoutを示すマップを表示するための表示部(例えば、液晶表示部)を備えてもよい。また、画像データ処理部20は、距離計測装置1を操作するためのユーザ指示入力を受け付けるユーザ操作部を備えてもよい。
図1に示されるように、画像データ取得部10は、レンズ又はレンズ群などの光学部材と焦点距離(焦点位置)を変更する機構とを備えた光学系11と、光学系11を介して(例えば、レンズを介して)被写体を撮影するカメラ等の撮像部12と、撮像空間内に存在する被写体に複数のパターン光を投写(照射)する投光装置である投写部13とを備えている。また、光学系11は、絞りを調節する絞り調節機構を有してもよい。また、画像データ取得部10は、画像データ取得部10全体(光学系11、撮像部12、及び投写部13を含む)を制御する制御部14を備えている。
制御部14は、予め定められた複数のパターン光から投写対象のパターン光を選択し、投写部13に投写対象のパターン光を順次投写させて、撮像部12に複数のパターン光に対応する複数の撮像画像Gを取得させる。複数のパターン光の例は、後述する図3において、12種類のパターン光(第1パターン光)A1,A2,B1,B2,C1,C2,D1,D2,E1,E2,F1,F2(以下「パターン光A1,…,F2」とも記載する)として示される。また、計測誤り発生箇所の判定に用いられる複数のパターン光の例は、後述する図4において、16種類のパターン光(第2パターン光)X1,…,X16として示される。複数の撮像画像Gのうちのパターン光A1,…,F2の投写時には、撮像部12は、複数の撮像画像(画像データ)GA1,GA2,GB1,GB2,GC1,GC2,GD1,GD2,GE1,GE2,GF1,GF2(以下「撮像画像GA1,…,GF2」とも記載する)をそれぞれ取得する。複数の撮像画像Gのうちの複数のパターン光X1,…,X16の投写時には、撮像部12は、複数の撮像画像GX1,…,GX16をそれぞれ取得する。
複数のパターン光(第1パターン光)A1,…,F2(図3)は、1つのパターン光の全面積に対する明部領域の面積の割合(第1の割合)、すなわち、被写体上に形成される投写パターンの全面積に対する光投写部分の面積の割合が、互いに異なるパターン光である。実施の形態1においては、複数のパターン光A1,…,F2を用いて、注目画素の被写体距離Zが求められる。また、複数のパターン光(第1パターン光)A1,…,F2は、複数対(例えば、8対)のパターン光であり、各対のパターン光は、互いに明部領域と暗部領域とを逆にしたパターン光である。
複数のパターン光(第2パターン光)X1,…,X16(図4)は、1つのパターン光の全面積に対する明部領域の面積の割合(第2の割合)が、複数のパターン光(第1パターン光)A1,…,F2の面積(第1の割合)の割合よりも低いパターン光であり、互いに明部領域の位置が異なるパターン光である。また、複数のパターン光(第2パターン光)X1,…,X16の明部領域を全て組み合わせると、1つのパターン光の全体、すなわち、被写体上に形成される投写パターンの全域がカバーされる。すなわち、複数のパターン光(第2パターン光)X1,…,X16は、互いに明部領域の位置が異なるパターン光であり、複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると、1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致する。
図1に示されるように、画像データ処理部20は、計測誤り発生箇所判定部21と、三角測量部22と、計測結果合成部23とを備えている。
三角測量部22は、撮像部12から受け取った撮像画像GA1,…,GF2を用いて、三角測量によって画素ごとに被写体距離Zを取得する。
計測誤り発生箇所判定部21は、撮像部12から受け取った複数の撮像画像Gを用いて、すなわち、撮像画像GA1,…,GF2と撮像画像GX1,…,GX16とを用いて、撮像画像間の注目画素の画素値の比率等に基づいて、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する。
計測結果合成部23は、三角測量部22で画素毎に得られた複数の計測結果である複数の被写体距離のうち、計測誤り発生箇所判定部21において、距離計測誤りが発生する可能性が高いと判定された箇所の計測結果を削除し、削除された箇所を「計測結果なし」に差し替えて、画素毎の被写体距離Zと距離計測誤りが発生する可能性が高いと判定された箇所を示す情報とを含む距離データZoutを出力する。
図2は、図1の光学系11、撮像部12、及び投写部13の配置を概略的に示す図である。投写部13は、光源と、液晶パネル又はDMD(Digital Micromirror Device)とを組み合わせることによって構成されており、任意のパターン光を投写することが可能なプロジェクタである。図2に示されるように、距離計測装置1の画像データ取得部10は、投写部13により撮像空間JS内の被写体OJ1,OJ2に向けて、交互に並ぶ明部領域(投写部13からの光が投写される領域)のストライプ(以下「明部ストライプ」とも言う)と明部領域よりも暗い暗部領域(投写部13からの光が投写されない領域)のストライプ(以下「暗部ストライプ」とも言う)とから構成されるパターン光13aを投写し、パターン光13aが投写されている被写体OJ1,OJ2を、光学系11を通して撮像部12で撮影する。
図3における12種類のパターン光A1,…,F2、及び図4における16種類のパターン光X1,…,X16は、図1に示される投写部13によって投写される28種類のパターン光13aの例、すなわち、明部領域(図における白い領域)の明部ストライプと暗部領域(図における網掛け領域)の暗部ストライプとが配列方向(図における横方向)に交互に並ぶパターン光の例である。ただし、パターン光13aの例は、図示の例に限定されず、パターン光13aの種類の数も28種類に限定されない。
実施の形態1においては、28種類のパターン光のうち、図3に示される12種類のパターン光A1,…,F2は、被写体距離Zの計測に用いられるパターン光である。図3において、パターン光A1,A2は、ストライプ(例えば、S=0)の配列方向の幅が最も狭いパターン光である。図3において、パターン光B1,B2のストライプ(例えば、S=0〜1)の配列方向の幅は、パターン光A1,A2のストライプの幅の2倍である。図3において、パターン光C1,C2のストライプ(例えば、S=0〜3)の幅は、パターン光B1,B2のストライプの幅の2倍である。図3において、パターン光D1,D2のストライプ(例えば、S=0〜7)の幅は、パターン光C1,C2のストライプの幅の2倍である。図3において、パターン光E1,E2のストライプ(例えば、S=0〜15)の幅は、パターン光D1,D2のストライプの幅の2倍である。図3において、パターン光F1,F2のストライプ(例えば、S=0〜31)の幅は、パターン光E1,E2のストライプの幅の2倍である。
また、図3において、パターン光A1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光A2である。図3において、パターン光B1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光B2である。図3において、パターン光C1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光C2である。図3において、パターン光D1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光D2である。図3において、パターン光E1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光E2である。図3において、パターン光F1における明部ストライプと暗部ストライプとを入れ替える(逆にする)ことによって得られたパターン光が、パターン光F2である。
実施の形態1においては、28種類のパターン光のうち、図4に示される16種類のパターン光X1,…,X16は、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所(領域)の画像であるか否かの判定に用いられるパターン光である。図4に示されるパターン光X1,…,X16の1周期の幅(パターン光A1における16本のストライプの幅に相当する)は、図3におけるパターン光D1及びD2の1周期の幅(例えば、S=0〜15の幅)と同じである。図4に示されるパターン光X1,…,X16の明部ストライプの幅は、パターン光の1周期の幅の1/16である。図4に示されるパターン光X1,…,X16の暗部ストライプの幅は、パターン光の1周期の幅の15/16以下である。16種類のパターン光X1,…,X16は、パターン光X1,X2,…の順に、明部ストライプの幅の分だけ明部ストライプが図4における右側にずれるようなパターンとなっている。このため、パターン光X1,…,X16のいずれかを選んで重ね合わせると、パターン光の投写領域の全ての位置が、いずれかのパターン光の明部ストライプに含まれる。なお、複数のパターン光の組み合わせは、複数のパターン光で、パターン光の投写領域の全体の位置が、複数のパターン光のいずれかのパターン光の明部領域に含まれるように構成されているものであれば、図4の例に限定されず、また、パターン光の数も16種類に限定されない。
《1−2》動作
制御部14は、投写部13にパターン光を順次投写させて撮像部12に複数のパターン光に対応する複数の撮像画像Gを取得させる。複数のパターン光の一例は、図3に示されるパターン光A1,…,F2、及び図4に示されるパターン光X1,…,X16である。
計測誤り発生箇所判定部21は、パターン光A1,…,F2、及びパターン光X1,…,X16が順次投写された撮像空間を撮像部12によって撮影することで得られた撮像画像GA1,…,GF2、及び撮像画像GX1,…,GX16を参照して、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所(領域)の画素であるか否かを判定する。
ここで、計測誤りの判定原理について説明する。図5(a)から(c)は、被写体にパターン光13aを投写した場合の一次反射光11a,11b、二次反射光11c、及び透過光11dの経路の例を示す図である。図5(a)は、投写部13から出射したパターン光13aが被写体15の表面15aで1回拡散反射して一次反射光11aとなり、この一次反射光11aのうちの撮像部12に入射する成分を示している。また、図5(a)は、投写部13から出射したパターン光13aが、被写体15が載置されている載置面18の表面で1回拡散反射して一次反射光11aとなり、この一次反射光11aのうちの撮像部12に入射する成分をも示している。実施の形態1では、図5(a)に示される一次反射光11aの経路が、被写体距離の計測に用いられるべき光経路(本来想定された望ましい光経路)であり、この一次反射光11aを用いて被写体距離Zが計測されることが望ましい。
図5(b)は、投写部13から出射したパターン光13aが被写体16の表面16aで1回反射して一次反射光11bとなり、載置面18でさらに1回反射して二次反射光11cとなり、この二次反射光11cのうちの撮像部12に入射する成分を示している。図5(b)には、合計反射回数が2回の場合の二次反射光11cの経路の例を示したが、本出願における二次反射光は、合計反射回数が3回以上の反射光をも含む。被写体16の表面16aに光沢がなく、被写体16の表面16aに当たった光が拡散反射する場合には、二次反射光11cは、大きく減衰した光であるため、撮像画像の輝度(すなわち、図5(a)に示される一次反射光11aによる撮像画像の輝度)に大きな影響を与えない。しかし、被写体16の表面16aが金属光沢を持つ場合、すなわち、被写体16が鏡面反射物体である場合には、一次反射光11bの強度は投写部13から出射したパターン光13aの強度と同程度であるので、二次反射光11cの強度も強く、二次反射光11cは撮像画像の輝度(すなわち、図5(a)に示される一次反射光11aによる撮像画像の輝度)に大きな影響を与える。
図5(c)は、被写体17が光透過性(透明及び半透明を含む)であり、被写体17を透過した透過光11dの一部が撮像部12に入射する場合を示している。この場合には、二次反射光又は透過光11dが撮像部12に入射し、撮像画像に重畳されることで、一次反射光(図5(a)に示される一次反射光11a)の輝度の大小とは異なる撮像画像が得られ、パターン光13aの投写によって被写体17の表面に形成される投写パターンの位置(被写体距離)を正確に算出できない。
ここで、二次反射光及び透過光は、撮像部12に向かう方向に進む望ましい一次反射光(図6(a)に示される一次反射光11a)を発生させるパターン光(図6(a)に示されるパターン光13a1)とは異なる方向に投写されたパターン光13a2に起因している。図6(a)及び(b)は、パターン光が複数方向に投写された場合と単一方向に投写された場合とをそれぞれ示す図である。図6(a)に示されるように、投写部13からパターン光13a1,13a2が複数方向に投写されると、望ましい一次反射光11aの経路以外の経路を、望ましくない二次反射光11a2が進み、望ましくない二次反射光11a2が望ましい一次反射光11aと同一方向に進んで撮像部12に入射する。
これに対し、図6(b)に示されるように、パターン光13aが単一方向に投写される場合には、望ましい一次反射光11aを生じさせる経路と異なる経路には、パターン光13aが投写されないため、発生した二次反射光が一次反射光11aに重畳されるという望ましくない事態の発生を抑制することができる。
なお、図6(a)及び(b)では、二次反射光を例に挙げて説明しているが、図5(c)に示されるような透過光11dが発生している場合でも、一次反射光11aの経路以外の経路を進む光が、一次反射光11aと同一方向に進んで撮像部12に入射することで、一次反射光11aの輝度の大小とは異なる撮像画像が得られ、投写パターンの位置を正確に算出できない理由は同様である。したがって、図6(b)に示されるように、パターン光13aの投写方向が単一方向であれば、発生した透過光11dが一次反射光11aに重畳される事態の発生を抑えることができる。
上記のように二次反射光11c(図5(b)),11a2(図6(a))及び透過光11d(図5(c))は、一次反射光11aの元になるパターン光13aとは異なる方向に投写されたパターン光13a2(図6(a))によって生じた一次又は二次反射光が、望ましい一次反射光11aに重畳されることで発生し、二次反射光11a2及び透過光11dが一次反射光11aに重畳される事態の発生し易さは、投写されるパターン光全体に占める光投写部分(明部領域)の面積に応じて増加する。すなわち、投写部13から投写されるパターン光13aの光量(すなわち、パターン光の全体に対する明部領域の面積の割合であり、被写体上に形成された投写パターンの全面積に対する光投写部分の面積の割合である)が増えれば、望ましい一次反射光11aと異なる経路で一次反射光11aと同じ方向に進んで撮像部12に入射する望ましくない二次反射光11a2及び透過光11dの発生可能性が高くなる。逆に、投写部13から投写されるパターン光の光量(すなわち、投写パターンの全面積に対する光投写部分の面積の割合)が少ないほど、二次反射光11a2及び透過光11dが発生する経路に光が投写される可能性が低くなり、二次反射光11a2及び透過光11dの影響を小さく抑えることができる。
これは、撮像画像で言えば、投写部13から投写されるパターン光の光量(すなわち、投写パターンの全面積に対する光投写部分の面積の割合)が減少することで、一次反射光11aに重畳される二次反射光11a2及び透過光11dの発生しうる経路のうち、光が実際に投写される経路が減り、一次反射光11aに重畳される二次反射光11a2及び透過光11dの量が減ることに相当する。実施の形態1においては、一次反射光11aに重畳される二次反射光11a2及び透過光11dの量を減らすことができるパターン光として、パターン光の光量(すなわち、投写パターンの全面積に対する光投写部分の面積の割合)が低い図4のパターン光を用いる。
計測誤り発生箇所判定部21では、上記のように投写パターン中の光投写部分の面積が異なると、一次反射光11aに重畳される二次反射光11a2及び透過光の強度が変化することを利用し、光量が多いパターン光の投写時(実施の形態1では、図3のパターン光の投写時)における輝度と光量が少ないパターン光の投写時(実施の形態1では、図4のパターン光の投写時)における輝度との違い(輝度変動)が大きい場所を、二次反射光11a2及び透過光11dによる距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所と判定する。
以下に、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所(領域)の画素であるか否かの判定方法について具体的に説明する。図3に示されるパターン光A1,…,F2及び図4に示されるパターン光X1,…,X16が投写されたときの撮像画像における、ある注目画素の画素値をP(A1),P(A2),P(B1),P(B2),P(C1),P(C2),P(D1),P(D2),P(E1),P(E2),P(F1),P(F2)(以下「P(A1),…,P(F2)」とも記載する)、及びP(X1),…,P(X16)とする。
計測誤り発生箇所判定部21は、画素値P(A1),…,P(F2)のうちの最大値である第1の最大画素値PMAX1を取得し、画素値P(X1),…,P(X16)のうちの最大値である第2の最大画素値PMAX2を取得する。
計測誤り発生箇所判定部21は、予め定められた判定閾値比率KMAXを記憶部21aに記憶しており、
MAX1>PMAX2*KMAX
を満たす注目画素は、パターン光の光量の変化による二次反射光の光量又は透過光の光量の変化が大きい箇所とみなし、この注目画素は、二次反射光及び透過光による距離計測誤りが発生している可能性が高い箇所の画素であると判定する。この判定結果は、計測結果合成部23に送られる。
なお、計測誤り発生箇所判定部21は、投写光以外の環境光の影響を差し引くために、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かの判定を、第1の最大画素値PMAX1と第2の最大画素値PMAX2との比率に基づいて行う代わりに、最大値と最小値の差分の比率で行ってもよい。例えば、計測誤り発生箇所判定部21は、画素値P(A1),…,P(F2)のうちの最大値PMAX1と最小値PMIN1の差である第1の画素値差分PDIF1(=PMAX1−PMIN1)を取得し、画素値P(X1),…,P(X16)のうちの最大値PMAX2と最小値PMIN2の差である第2の画素値差分PDIF2(=PMAX2−PMIN2)を取得し、予め定められた判定閾値差分KDIFを用いて、
DIF1>PDIF2*KDIF
を満たす注目画素は、パターン光の光量の変化による二次反射光の光量又は透過光の光量の変化が大きい箇所とみなし、この注目画素は、二次反射光及び透過光によって距離計測誤りが発生している可能性が高い箇所の画素であると判定してもよい。
三角測量部22は、明部ストライプと暗部ストライプとが互いに逆である1対のパターン光に対する撮像画像の差分に基づいて、撮像画像上に投写されているパターン光によって形成される投写パターンの位置を特定し、三角測量の原理で被写体までの距離を計測する。
図3に示されるパターン光A1,…,F2が投写されたときに撮像空間に形成される投写パターンの撮像画像における、ある注目画素の画素値を、それぞれP(A1),…,P(F2)とする。
ここで、図7は、パターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号Sを算出する方法を示す図である。図8は、パターン光を構成するストライプの位置番号(図3におけるパターン光A1及びA2の明部ストライプと暗部ストライプの位置番号)Sを示す図である。
三角測量部22は、画素値P(A1)とP(A2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit0の値を決める。三角測量部22は、パターン位置番号をS(6ビット値)とし、予め定められた閾値Tsを用いて、
P(A1)+Ts<P(A2)であれば、パターン位置番号Sのbit0に1を割り当て、
P(A1)>P(A2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit0に0を割り当て、
|P(A1)−P(A2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。三角測量部22は、エラーの場合には、パターン位置番号Sのbit0の値を決める処理を打ち切ることができる。
同様に、三角測量部22は、画素値P(B1)とP(B2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit1の値を決める。三角測量部22は、
P(B1)+Ts<P(B2)であれば、パターン位置番号Sのbit1に1を割り当て、
P(B1)>P(B2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit1に0を割り当て、
|P(B1)−P(B2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。エラーの場合には、三角測量部22は、パターン位置番号Sのbit1の値を決める処理を打ち切ることができる。
同様に、三角測量部22は、画素値P(C1)とP(C2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit2の値を決める。三角測量部22は、
P(C1)+Ts<P(C2)であれば、パターン位置番号Sのbit2に1を割り当て、
P(C1)>P(C2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit2に0を割り当て、
|P(C1)−P(C2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。エラーの場合には、三角測量部22は、パターン位置番号Sのbit2の値を決める処理を打ち切ることができる。
同様に、三角測量部22は、画素値P(D1)とP(D2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit3の値を決める。三角測量部22は、
P(D1)+Ts<P(D2)であれば、パターン位置番号Sのbit3に1を割り当て、
P(D1)>P(D2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit3に0を割り当て、
|P(D1)−P(D2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。エラーの場合には、三角測量部22は、パターン位置番号Sのbit3の値を決める処理を打ち切ることができる。
同様に、三角測量部22は、画素値P(E1)とP(E2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit4の値を決める。三角測量部22は、
P(E1)+Ts<P(E2)であれば、パターン位置番号Sのbit4に1を割り当て、
P(E1)>P(E2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit4に0を割り当て、
|P(E1)−P(E2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。エラーの場合には、三角測量部22は、パターン位置番号Sのbit4の値を決める処理を打ち切ることができる。
同様に、三角測量部22は、画素値P(F1)とP(F2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのbit5の値を決める。三角測量部22は、
P(F1)+Ts<P(F2)であれば、パターン位置番号Sのbit5に1を割り当て、
P(F1)>P(F2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのbit5に0を割り当て、
|P(F1)−P(F2)|≦Tsであれば、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定する。エラーの場合には、三角測量部22は、パターン位置番号Sのbit5の値を決める処理を打ち切ることができる。
以上の処理により、パターン位置番号Sには、パターン上の位置に対応したユニークな値が設定される。
図9は、図1に示される三角測量部22が、投写部13、撮像部12、及び被写体の位置関係に基づいて行う距離計測方法を示す図である。図9において、角度θは、先に求めたパターン位置番号Sに基づき算出可能である。具体的には、パターン位置番号Sと角度θを対応付けるためのデータである第1のルックアップテーブル(LUT)を記憶部22aに予め用意しておき、第1のLUTを参照することで角度θを求めることができる。また、図9において、角度φは、撮像部12の撮影によって取得された撮像画像上の位置に基づき算出可能である。画像上の被写体の水平方向座標と角度φを対応付けるための第2のルックアップテーブル(LUT)を記憶部22aに予め用意しておき、参照することで角度φを求める。角度θと角度φ、及び基線長Lの値から被写体までの距離Zを、次式(1)で算出する。
Z=L/(tanθ+tanφ) (1)
計測結果合成部23は、注目画素位置毎に計測誤り発生箇所判定部21と三角測量部22の結果を参照し、出力する距離計測結果の補正を行う。すなわち、三角測量部22で得られた画素毎の被写体距離Zのうち、計測誤り発生箇所判定部21において計測誤り発生の可能性が高いと判定された箇所の画素についての計測結果を「計測結果なし」に差し替えて出力する。
《1−3》効果
従来の三角測量による距離計測では、二次反射光又は透過光が撮像画像に重畳されることで、一次反射光の輝度の大小とは異なる撮像画像が得られ、投写パターンの位置を正しく判定できないことがあった。投写パターンの位置が誤って判定されると、該当箇所では誤った距離計測結果が出力されることとなり、計測対象である被写体の形状を正しく把握することができない。
これに対し、実施の形態1に係る距離計測装置1によれば、投写されるパターン光の光量が異なる複数種類のパターン光を投写し、撮像画像の画素値の変動が大きい画素を、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であると判定して、計測結果から排除して出力するので、二次反射光又は透過光が発生している撮影条件であっても、正しい被写体距離を出力することができる。
また、特許文献1に示す先行技術は、三角測量による距離計測において計測誤り箇所の検出を実現するものである。しかし、特許文献1に示す先行技術では、複数の撮影条件で算出した距離の計測結果を比較し、複数の計測結果の誤差が大きい箇所を計測誤りと判定するため、最終的な結果を得るためには撮影画像から被写体距離を算出する処理を複数回繰り返す必要があり、計測誤りを判定するために必要な演算量の増加が大きくなる課題があった。
これに対し本実施の形態1に係る距離計測装置1によれば、投写されるパターン光の光量が異なる複数種類のパターン光を投写し、距離計測処理に含める形で計測結果の有効又は無効を判定するため、距離計測処理を複数回繰り返して実行する必要がなく、計測誤りを検出するために必要な演算量の増加を抑えることができる。
《2》実施の形態2.
《2−1》構成
図10は、本発明の実施の形態2に係る距離計測装置2の概略構成を示すブロック図である。距離計測装置2は、実施の形態2に係る距離計測方法を実施することができる装置である。図10において、図1に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、図1に示される符号と同じ符号が付される。実施の形態2に係る距離計測装置2は、投写部13によって投写されるパターン光の数及び種別の点及び画像データ処理部20aにおいて使用する撮像画像の点において、実施の形態1に係る距離計測装置1と異なる。具体的に言えば、実施の形態2では、実施の形態1の場合よりも、使用するパターン光の種類が少なく、図3及び図4に示されるパターン光のうちのパターン光E1,E2,F1,F2、及びパターン光X1,…,X16を使用する。他の点について、実施の形態2は、実施の形態1と同じである。したがって、実施の形態2の説明に際しては、図2から図9を参照する。
《2−2》動作
図3に示されるパターン光A1,A2,B1,B2,C1,C2,D1,D2は、図4に示されるパターン光X1,…,X16のいずれかを組合せることによって作ることが可能である。具体的には、パターン光A1は、図4に示されるパターン光X1,X3,X5,X7,X9,X11,X13,X15の組み合わせと同じであり、パターン光A2は、図4に示されるパターン光X2,X4,X6,X8,X10,X12,X14,X16の組み合わせと同じである。また、パターン光B1は、図4に示されるパターン光X1,X2,X5,X6,X9,X10,X13,X14の組み合わせと同じであり、パターン光B2は、図4に示されるパターン光X3,X4,X7,X8,X11,X12,X15,X16の組み合わせと同じである。また、パターン光C1は、図4に示されるパターン光X1,X2,X3,X4,X9,X10,X11,X12の組み合わせと同じであり、パターン光C2は、図4に示されるパターン光X5,X6,X7,X8,X13,X14,X15,X16の組み合わせと同じである。また、パターン光D1は、図4に示されるパターン光X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8の組み合わせと同じであり、パターン光D2は、図4に示されるパターン光X9,X10,X11,X12,X13,X14,X15,X16の組み合わせと同じである。よって、パターン光X1,…,X16が投写されたときの撮像画像における、ある注目画素の画素値をP(X1),…,P(X16)とした場合に、例えば、P(X1),P(X3),P(X5),P(X7),P(X9),P(X11),P(X13),P(X15)の最大値をとることでパターン光A1の投写時の撮像画像に相当する画像を得ることができる。
同様に、各組合せの画像で画素値の最大値をとることにより、計測誤り発生箇所判定部21及び三角測量部22は、パターン光A1,A2,B1,B2,C1,C2,D1,D2の投写時の撮像画像に相当する画像を得ることができる。計測誤り発生箇所判定部21及び三角測量部22においてこれらの画像を用いることにより、パターン光A1,A2,B1,B2,C1,C2,D1,D2の投写を行わなくても、被写体の距離計測及び距離計測誤りが発生する可能性が高いと箇所か否かの判定を行うことが可能である。これにより、距離計測に必要なパターン光の種類を減らすことができ、実施の形態1と比較して1回の距離計測に必要な時間を削減することが可能である。
このとき、計測誤り発生箇所判定部21では、まずP(E1),P(E2),P(F1),P(F2)の値の最大値をPMAX1とし、P(X1),…,P(X16)の最大値をPMAX2とし、予め定められた判定閾値比率KMAXを用いて、
MAX1>PMAX2*KMAXを満たす注目画素は、パターン光の光量の変化により一次反射光に重畳される二次反射光の光量又は透過光の光量の変化が大きい箇所とみなし、二次光及び透過光による距離計測誤りの発生する可能性が高い箇所の画素であると判定する。この判定結果は、計測結果合成部23に送付される。
なお、ここでは、実施の形態1の場合と同様に、最大値と最小値の差分値を用いた判定を行ってもよい。
また、三角測量部22は、前述したように、図3に示されるパターン光A1,A2,B1,B2,C1,C2,D1,D2を、図4に示されるパターン光X1,…,X16のいずれかを組合せることで生成して計測を行うのではなく、パターン光X1,…,X16の各々が投写されたときの撮像画像から直接パターン位置番号Sのbit値を得ることも可能である。その場合の方式を以下に示す。
実施の形態1では、図7におけるパターン位置番号Sのbit値bit0,…,bit3に、画素値P(A1)とP(A2)の大小関係に基づく値、画素値P(B1)とP(B2)の大小関係に基づく値、画素値P(C1)とP(C2)の大小関係に基づく値、画素値P(D1)とP(D2)の大小関係に基づく値が割り当てられた。
これに対し、実施の形態2では、画素値P(X1),…,P(X16)のうちの、最も大きい値に対応するビット値を、パターン位置番号Sのbit値bit0,bit1,bit2,bit3に割り当てることでパターン位置番号Sを求める。図11は、実施の形態2においてパターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号を算出する方法を示す図である。図11に示されるように、「bit3、bit2、bit1、bit0」で表される4bit値は、P(X1)が最大であれば「0」、P(X2)が最大であれば「1」、P(X3)が最大であれば「2」、P(X4)が最大であれば「3」、P(X5)が最大であれば「4」、P(X6)が最大であれば「5」、P(X7)が最大であれば「6」、P(X8)が最大であれば「7」、P(X9)が最大であれば「8」、P(X10)が最大であれば「9」、P(X11)が最大であれば「10」、P(X12)が最大であれば「11」、P(X13)が最大であれば「12」、P(X14)が最大であれば「13」、P(X15)が最大であれば「14」、P(X16)が最大であれば「15」である。なお、1つのパターン光(パターン画像)で確実に値が最大となっていることを確認するために、画素値P(X1),…,P(X16)の値のうちの最も大きい画素値と2番目に大きい画素値との差分Dを算出し、この差分Dが予め定められた閾値Txよりも小さい場合に、エラーとしてパターン位置番号Sにエラーを示す値を設定してもよい。
なお、ビット値bit5、bit4の算出方法は、実施の形態1の場合と同じである。
《2−3》効果
実施の形態2に係る距離計測装置によれば、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かの判定に用いるパターン光を、距離計測用のパターン光の一部の代用として使用することができるため、距離計測のみの計測を行う場合に対する、距離計測誤りの判定を同時に行う場合の投写パターン総数の増加を抑えることができ、計測に必要な時間の増加を抑えることが可能である。
《3》実施の形態3.
《3−1》構成
図12は、本発明の実施の形態3に係る距離計測装置3の概略構成を示すブロック図である。距離計測装置3は、実施の形態3に係る距離計測方法を実施することができる装置である。図12において、図1に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、図1に示される符号と同じ符号が付される。実施の形態3に係る距離計測装置3は、画像データ処理部20bの構成の点において、実施の形態1に係る距離計測装置1と相違する。
上記実施の形態1に係る距離計測装置1では、距離計測誤りが発生する可能性が高いと判定された箇所についての距離計測結果を削除し、削除された距離計測結果を「距離計測結果なし」を示す情報に差し替えて出力する。
これに対し、実施の形態3では、正しい距離計測結果を得られない原因となる撮像画像を特定することにより、距離計測誤りが発生する可能性が高いと判定された箇所についても、距離計測結果(誤差を含む)を出力する。なお、実施の形態3に係る距離計測装置3の特徴を、実施の形態2に係る距離計測装置2に適用してもよい。
《3−2》動作
以下に、実施の形態3に係る距離計測装置3の画像データ処理部20bの動作を説明する。
まず、画像データ処理部20bの計測誤り発生箇所判定部221の動作について説明する。図3に示されるパターン光A1,…,F2及び図4に示されるパターン光X1,…,X16が投写されたときの撮像画像における、ある注目画素の画素値をP(A1),…,P(F2)及びP(X1),…,P(X16)とする。
計測誤り発生箇所判定部221は、注目画素の画素値P(A1),…,P(F2)及び画素値P(X1),…,P(X16)を取得する。
次に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光A1,A2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(A1)とP(A2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LAを取得する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光B1,B2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(B1)とP(B2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LBを取得する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光C1,C2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(C1)とP(C2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LCを取得する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光D1,D2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(D1)とP(D2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LDを取得する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光E1,E2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(E1)とP(E2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LEを取得する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、互いに反転関係にある2つのパターン光F1,F2を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(F1)とP(F2)を比較し、これらのうちの大きい方の画素値LFを取得する。
また、計測誤り発生箇所判定部221は、明部ストライプの間隔は互いに等しく、明部ストライプの位置が互い異なるパターン光X1,…,X16を順次投写したときに得られる、注目画素の画素値P(X1),…,P(X16)を比較し、これらのうちの最大値PMAX2を取得する。
計測誤り発生箇所判定部221は、予め定められた判定閾値比率KMAXを記憶部221aに格納しておき、取得された画素値LAと基準値PMAX2*KMAXとを比較する。計測誤り発生箇所判定部221は、
LA≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFAに0(すなわち、注目画素が距離計測誤り発生箇所でないことを示すフラグ)を設定し、
LA>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFAに1(すなわち、注目画素が距離計測誤り発生箇所であることを示すフラグ)を設定する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、取得された画素値LBと基準値PMAX2*KMAXとを比較し、
LB≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFBに0を設定し、
LB>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFBに1を設定する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、取得された画素値LCと基準値PMAX2*KMAXとを比較し、
LC≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFCに0を設定し、
LC>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFCに1を設定する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、取得された画素値LDと基準値PMAX2*KMAXとを比較し、
LD≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFDに0を設定し、
LD>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFDに1を設定する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、取得された画素値LEと基準値PMAX2*KMAXとを比較し、
LE≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFEに0を設定し、
LE>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFEに1を設定する。
同様に、計測誤り発生箇所判定部221は、取得された画素値LFと基準値PMAX2*KMAXとを比較し、
LF≦PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFFに0を設定し、
LF>PMAX2*KMAXの場合は、計測誤りフラグFFに1を設定する。
計測誤り発生箇所判定部221は、実施の形態1の場合と同様に、最大値と最小値の差分値を用いた判定を行ってもよい。
計測誤り発生箇所判定部221は、計測誤りフラグFA,…,FFの値を三角測量部222に送付する。
三角測量部222は、画素値を比較してパターン位置番号Sの値を決める際に、上位bit側から順次処理を行う。
三角測量部222は、画素値P(F1)とP(F2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit5を決める。三角測量部222は、
P(F1)+Ts<P(F2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit5に1を割り当て、
P(F1)>P(F2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit5に0を割り当て、
|P(F1)−P(F2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit5に値を設定せず処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFFが1の場合にも同様に、処理を打ち切る。
三角測量部222は、画素値P(E1)とP(E2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit4を決める。三角測量部222は、
P(E1)+Ts<P(E2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit4に1を割り当て、
P(E1)>P(E2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit4に0を割り当て、
|P(E1)−P(E2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit4に値を設定せず処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFEが1の場合に、処理を打ち切る。
三角測量部222は、画素値P(D1)とP(D2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit3を決める。三角測量部222は、
P(D1)+Ts<P(D2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit3に1を割り当て、
P(D1)>P(D2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit3に0を割り当て、
|P(D1)−P(D2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit3に値を設定せず、処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFDが1の場合に、処理を打ち切る。
三角測量部222は、画素値P(C1)とP(C2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit2を決める。三角測量部222は、
P(C1)+Ts<P(C2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit2に1を割り当て、
P(C1)>P(C2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit2に0を割り当て、
|P(C1)−P(C2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit2に値を設定せず、処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFCが1の場合に、処理を打ち切る。
三角測量部222は、画素値P(B1)とP(B2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit1を決める。三角測量部222は、
P(B1)+Ts<P(B2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit1に1を割り当て、
P(B1)>P(B2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit1に0を割り当て、
|P(B1)−P(B2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit1に値を設定せず処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFBが1の場合に、処理を打ち切る。
三角測量部222は、画素値P(A1)とP(A2)の関係に基づき、パターン位置番号Sのビット値bit0の値を決める。三角測量部222は、
P(A1)+Ts<P(A2)であれば、パターン位置番号Sのビット値bit0に1を割り当て、
P(A1)>P(A2)+Tsであれば、パターン位置番号Sのビット値bit0に0を割り当て、
|P(A1)−P(A2)|≦Tsであれば、エラーとしてビット値bit0に値を設定せず、処理を打ち切る。また、三角測量部222は、比較結果にかかわらず、計測誤りフラグFAが1の場合に、処理を打ち切る。
処理の途中で打ち切りが発生せず、パターン位置番号Sのビット値bit5,…,bit0が全て算出された場合には、三角測量部222は、算出されたパターン位置番号Sをそのまま距離算出に使用する。
図13は、実施の形態3においてパターン光の画素値から被写***置におけるパターン光を構成するストライプの位置番号を算出する方法を示す図である。処理の途中で打ち切りが発生した場合には、パターン位置番号Sの上位側のbitから計測誤りが0かつエラー発生のない範囲のbitのみ参照し、打ち切りとなった該当のbitは1、それ以下のbitは0とみなしてパターン位置番号Sを算出する。図13には、bit5で処理が打ち切られた場合、bit4で処理が打ち切られた場合、bit3で処理が打ち切られた場合、bit2で処理が打ち切られた場合、bit1で処理が打ち切られた場合、処理の途中で打ち切りが発生しなかった場合のパターン位置番号Sの算出方法の例が示されている。処理の打ち切りが発生した画素と打ち切りが発生しなかった画素は、画素毎のエラー発生フラグを設けて識別できるようにされている。
以上の処理により算出されたパターン位置番号Sの値を用いて、実施の形態1と同様の方法で、被写体距離Zを求める。実施の形態3においては、算出した被写体距離Zと該当画素のエラー発生フラグの情報とが合わせて出力される。
ここでは、パターン光A1,…,F2及びパターン光X1,…,X16を用いて処理する方法について記載したが、パターン光A1,…,D2までを使用せず、代わりにパターン光X1,…,X16を用いて距離計測を行う実施の形態2に記載の方式と組み合わせて処理を行うことも可能である。
《3−3》効果
実施の形態3に係る距離計測装置3によれば、注目画素が、距離計測誤りの可能性が高いと判定された箇所の画素であっても、精度は低くなるものの、距離計測結果を得ることができるため、二次反射光又は透過光が多い場所でも被写体の形状の概略を把握することが可能である。
また、距離計測誤りの可能性がある場所とない場所を画素毎に付加されたエラー発生フラグで知ることができるため、例えば、複数視点での距離計測結果を合成して被写体の3次元(3D)モデルを生成するようなケースでは、距離計測誤りの可能性がない計測結果を優先して参照することによりモデル生成の精度を向上させることが可能である。
《4》変形例.
図14は、上記実施の形態1から3に係る距離計測装置1から3の変形例を示すハードウェア構成図である。図1、図10及び図13に示される距離計測装置1から3の制御部14及び画像データ処理部20,20a,20bは、ソフトウェアとしてのプログラムを格納する記憶装置としてのメモリ91と、メモリ91に格納された距離計測プログラムを実行する情報処理部としてのプロセッサ92とを用いて(例えば、コンピュータにより)実現することができる。上記距離計測プログラムは、投写部13に、明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写させると共に、撮像部12に、被写体を撮像することで、複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得させる撮像ステップと、複数の撮像画像から、注目画素における被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップとを、情報処理部としてのコンピュータに実行させるものである。
また、図1、図10及び図13に示される距離計測装置1から3の制御部14及び画像データ処理部20,20a,20bの一部を、図14に示されるメモリ91と、プログラムを実行するプロセッサ92とによって実現してもよい。パターン光を被写体に順次投写すると共に、前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像ステップとは、予め決められた周期で自動的に行われ、複数の撮像画像から、注目画素における被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップとをプログラムが実行してもよい。
1,2,3 距離計測装置、 10 画像データ取得部、 11 光学系、 11a 反射光、 12 撮像部、 13 投写部、 14 制御部、 20,20a,20b 画像データ処理部、 21,121,221 計測誤り発生箇所判定部、 22,122,222 三角測量部、 23 計測結果合成部。

Claims (8)

  1. 明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写する投写部と、
    前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像部と、
    前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する三角測量部と、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定部と、
    を備え、
    前記投写部によって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、
    前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、
    ことを特徴とする距離計測装置。
  2. 明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写する投写部と、
    前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像部と、
    前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する三角測量部と、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定部と、
    を備え、
    前記投写部によって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、
    前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と最小値との差分と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と最小値との差分との比較結果である、
    ことを特徴とする距離計測装置。
  3. 前記三角測量部は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値に基づいて、前記三角測量による計測を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の距離計測装置。
  4. 前記三角測量部は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値と、前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値とに基づいて、前記三角測量による計測を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の距離計測装置。
  5. 前記計測誤り発生箇所判定部が、前記注目画素は、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素ではないと判定した場合に、前記注目画素における前記被写体までの距離を示す情報を出力し、前記計測誤り発生箇所判定部が、前記注目画素は、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であると判定した場合に、前記注目画素における前記被写体までの距離に代えて、距離計測誤りがあることを示す情報を出力する計測結果合成部をさらに備えたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の距離計測装置。
  6. 前記計測誤り発生箇所判定部は、
    前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素ではないと判定した場合に、前記三角測量部に前記注目画素における前記被写体までの距離を示す情報を出力し、
    前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であると判定した場合に、前記三角測量部に前記注目画素における前記被写体までの距離を示す情報に加えて、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であることを示す情報を出力する
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の距離計測装置。
  7. 明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写する投写ステップと、
    前記被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得する撮像ステップと、
    前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップと、
    を備え、
    前記投写ステップによって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、
    前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、
    ことを特徴とする距離計測方法。
  8. 投写部に、明部領域と暗部領域とを有する複数のパターン光を被写体に順次投写させる投写ステップと、
    撮像部に、被写体を撮像することで、前記複数のパターン光に対応する複数の撮像画像を取得させる撮像ステップと、
    前記複数の撮像画像から、注目画素における前記被写体までの距離を三角測量によって計測する測量ステップと、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果に基づいて、前記注目画素が、距離計測誤りが発生する可能性が高い箇所の画素であるか否かを判定する計測誤り発生箇所判定ステップと、
    をコンピュータに実行させ、
    前記投写ステップによって順次投写される前記複数のパターン光は、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合が第1の割合である複数の第1パターン光と、1つのパターン光の全面積に対する前記明部領域の面積の割合である第2の割合が前記第1の割合より小さい複数の第2パターン光とを含み、
    前記複数の第2パターン光は、前記複数の第2パターン光の明部領域を全て組み合わせると1つのパターン光の全域が組み合わされた明部領域に一致し、
    前記複数の撮像画像の前記注目画素の画素値の比較結果は、前記複数の第1パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値と前記複数の第2パターン光を順次投写したときに取得された前記複数の撮像画像における注目画素の画素値のうちの最大値との比較結果である、
    ことを特徴とする距離計測プログラム。
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