WO2017017834A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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WO2017017834A1
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target
chamber
cylindrical member
ultraviolet light
extreme ultraviolet
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French (fr)
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隆志 斎藤
能史 植野
ゲオルグ スマン
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ギガフォトン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
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    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • the EUV light generation apparatus includes an LPP (Laser Produced Plasma) type apparatus that uses plasma generated by irradiating a target material with pulsed laser light, and a DPP (Discharge Produced Plasma) that uses plasma generated by discharge. ) Type devices and SR (Synchrotron Radiation) type devices using synchrotron radiation light have been proposed.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber having a first through hole for incident pulsed laser light, and a target that is held in the chamber and outputs toward a predetermined region inside the chamber.
  • a target supply unit that surrounds the predetermined region inside the chamber, and includes a shield member that has a target passage that allows the target output from the target supply unit to pass toward the predetermined region, and the target supply unit to the predetermined region
  • a cylindrical member disposed so as to surround at least a part of the trajectory of the target on the upstream side of the target passage.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to a comparative example of the present disclosure.
  • FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the trajectory of the target shown in FIG.
  • FIG. 4 schematically illustrates the configuration of the EUV light generation apparatus according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5A is a perspective view illustrating a first example regarding the shape of a cylindrical member.
  • FIG. 5B is a perspective view showing a second example regarding the shape of the cylindrical member.
  • FIG. 6 is a graph comparing the change in the trajectory of the target between the comparative example shown in FIG.
  • FIG. 7 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may further include an EUV light generation control unit 5 and a target sensor 4.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical system for defining the traveling direction of the pulse laser beam and an actuator for adjusting the arrangement, posture, and the like of the optical system.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2. May be.
  • the pulse laser beam 32 may travel along the at least one laser beam path into the chamber 2, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam 33 is turned into plasma, and radiation light 251 can be emitted from the plasma.
  • the EUV collector mirror 23 may reflect the EUV light included in the emitted light 251 with a higher reflectance than light in other wavelength ranges.
  • the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. Further, the EUV light generation control unit 5 may be configured to control the timing at which the target 27 is output, the output direction of the target 27, and the like, for example. Further, the EUV light generation control unit 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the condensing position of the pulse laser light 33, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • the “trajectory” of the target is an ideal path of the target output from the target supply unit, or a target path according to the design of the target supply unit.
  • the “trajectory” of the target is the actual path of the target output from the target supply unit.
  • the “plasma generation region” is a region where plasma generation is started when the target is irradiated with pulsed laser light.
  • the plasma generation region may correspond to a predetermined region in the present disclosure.
  • FIG. 2 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation device according to a comparative example of the present disclosure.
  • the chamber 2 a may be held by the chamber holding member 10 in an oblique posture with respect to the direction of gravity.
  • the output direction of the EUV light may be the Z direction.
  • the output direction of the target may be the Y direction.
  • the direction perpendicular to both the Z direction and the Y direction may be the X direction.
  • a holding unit 36, an etching gas supply device 50, an exhaust device 59, and a connection unit 29a may be provided outside the chamber 2a.
  • the target supply unit 26a may be attached to the chamber 2a via the holding unit 36.
  • a through hole 20 may be formed in the chamber 2, and the holding portion 36 may be detachably disposed outside the chamber 2 a so as to cover the through hole 20.
  • the etching gas supply device 50 may include a cylinder (not shown) that stores an etching gas, and a mass flow controller or an opening / closing valve (not shown).
  • the etching gas may be a gas capable of etching the target material attached to the surface of the EUV collector mirror 23a.
  • the etching gas may contain hydrogen.
  • a pipe 51 may be connected to the etching gas supply device 50.
  • a connection port 52 may be connected to the pipe 51, and the connection port 52 may be connected to the chamber 2a.
  • the exhaust device 59 may include an exhaust pump.
  • the exhaust device 59 may be connected to the chamber 2 a at a position away from the connection port 52.
  • an EUV collector mirror 23a In the chamber 2a, an EUV collector mirror 23a, a laser beam collector optical system 22a, and a shield member 7 may be provided.
  • the EUV collector mirror 23a may be fixed inside the chamber 2a via the EUV collector mirror holder 43.
  • the laser beam condensing optical system 22 a may be supported inside the chamber 2 a by the holder 42.
  • the laser beam condensing optical system 22a may be composed of an off-axis parabolic mirror. The focal point of the off-axis parabolic mirror may be located in the plasma generation region 25.
  • the shield member 7 may have a tapered cylindrical shape having a large diameter on the ⁇ Z direction side and a small diameter on the + Z direction side.
  • the shield member 7 may be disposed so as to surround the plasma generation region 25. Furthermore, the shield member 7 may be disposed so as to surround the optical path of the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23a.
  • the end of the shield member 7 on the ⁇ Z direction side is located in the vicinity of the outer periphery of the EUV collector mirror 23a, and the end of the shield member 7 on the + Z direction side includes EUV light reflected by the EUV collector mirror 23a. It may be located downstream of the optical path of the reflected light 252.
  • a through hole 70 may be formed in the shield member 7.
  • the through hole 70 may be positioned on the trajectory of the target 27 between the target supply unit 26 a and the plasma generation region 25.
  • the through hole 70 may constitute a target passage through which the target 27 output from the target supply unit 26 a passes toward the plasma generation region 25.
  • the shield member 7 may have a flow path 71 through which a liquid refrigerant passes.
  • the coolant may be water.
  • the flow path 71 may be connected to a pump and a heat exchanger (not shown).
  • the etching gas supply device 50 may supply an etching gas into the chamber 2a.
  • the exhaust device 59 may exhaust the gas inside the chamber 2a so that the inside of the chamber 2a has a predetermined pressure lower than atmospheric pressure. Therefore, a gas flow may be generated inside the chamber 2a from the connection port 52 that introduces the etching gas into the chamber 2a toward the exhaust device 59 that exhausts the gas inside the chamber 2a.
  • the flow of gas generated inside the chamber 2a passes through the outside of the shield member 7 as shown by the one-dot chain line arrow in FIG. 2 in addition to the gas flow (not shown) passing through the inside of the shield member 7.
  • a gas flow may also be included.
  • the target 27 output from the target supply unit 26 a may pass through the through hole 20 of the chamber 2 a and the through hole 70 of the shield member 7 and reach the plasma generation region 25.
  • the pulsed laser beam 32 may enter the laser beam condensing optical system 22a in the chamber 2a through the window 21.
  • the pulse laser beam 33 reflected by the laser beam focusing optical system 22a may be focused on the plasma generation region 25.
  • the pulse laser beam 33 may reach the plasma generation region 25 at a timing when the target 27 reaches the plasma generation region 25.
  • the target 27 may be turned into plasma by being irradiated with the pulse laser beam 33. Radiation light 251 can be emitted from the plasma. Further, the chamber 2a can be heated by the high temperature plasma. In order to suppress heating and deformation of the chamber 2a, the shield member 7 may absorb heat radiated from the plasma. Further, a gas flow may be generated inside the chamber 2a due to the high temperature plasma. In particular, immediately after the generation of EUV light is started, or immediately after the generation of EUV light is paused for a certain period of time and immediately after the generation of EUV light is resumed, the temperature change in the chamber 2a can increase. At this timing, the direction and flow rate of the gas flow change in a short time, and the gas flow can be complicated.
  • FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the trajectory of the target shown in FIG. A through hole 70 of the shield member 7 and a detection region 41 by the target sensor 4a may be positioned on the target trajectory A connecting the target supply unit 26a and the plasma generation region 25.
  • the target sensor 4a may include an illumination device 40 and a light receiving device 44.
  • the illumination device 40 may be arranged at a position where the detection area 41 is illuminated.
  • the light receiving device 44 may be disposed at a position for receiving light output from the lighting device 40 and passing through the detection region 41.
  • the light receiving device 44 may transmit a signal indicating a change in the intensity of the received light to the EUV light generation control unit 5 as a signal indicating the timing of target passage.
  • the EUV light generation controller 5 may output a laser trigger signal based on the signal output from the light receiving device 44.
  • the laser trigger signal may be output by giving a predetermined delay time to the signal indicating the target passage timing. Based on this laser trigger signal, the laser device 3 may output the pulse laser beam 31. By controlling the output timing of the pulse laser beam 31 in this way, the pulse laser beam 33 can reach the plasma generation region 25 at the timing when the target reaches the plasma generation region 25.
  • the target output from the target supply unit 26a is caused to flow into the gas, and the locus of the target is indicated by B or C in FIG. Can change.
  • the change in the trajectory is preferably within an allowable range, but the target may pass a position outside the detection area 41 by the target sensor 4a, for example, when the change in the trajectory exceeds the allowable range. In that case, the target is not detected, the laser trigger signal is not output, and the pulse laser beam may not be output. As a result, EUV light may not be generated.
  • the target may pass through a position other than the plasma generation area 25.
  • the pulse laser beam is output, the target may not be irradiated or the irradiation area may be insufficient.
  • EUV light is not generated or the energy of the generated EUV light can be low.
  • the generation of EUV light is stabilized by suppressing fluctuations in the trajectory of the target.
  • FIG. 4 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the cylindrical member 60 a is disposed so as to surround at least a part of the trajectory of the target from the target supply unit 26 a to the plasma generation region 25 on the upstream side of the through hole 70 of the shield member 7. May be.
  • One end of the cylindrical member 60a may be fixed around the through hole 20 of the chamber 2a.
  • the other end of the cylindrical member 60 a may be located in the vicinity of the through hole 70 of the shield member 7.
  • the tubular member 60 a may have a gap between it and the shield member 7.
  • the other end of the cylindrical member 60 a may be further inserted into the through hole 70 of the shield member 7.
  • the tubular member 60 a may penetrate the through hole 70 of the shield member 7, and the other end of the tubular member 60 a may be located inside the shield member 7.
  • it is desirable that the cylindrical member 60a is located outside the optical path of the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23a.
  • the target 27 output from the target supply unit 26a may pass through the inside of the cylindrical member 60a.
  • the target 27 that has passed through the inside of the cylindrical member 60 a may reach the plasma generation region 25.
  • FIG. 5A is a perspective view showing a first example regarding the shape of a cylindrical member.
  • the main body 62 of the cylindrical member 60a may have a cylindrical shape. That is, the shape of the cross section substantially perpendicular to the Y direction of the main body 62 of the cylindrical member 60a may have a circular shape.
  • the said one end of the cylindrical member 60a may have the flange part 61 for fixing to the chamber 2a.
  • the flange part 61 may be arrange
  • the other end of the cylindrical member 60a may be located inside the chamber 2a.
  • the cylindrical member 60a can be installed by being inserted into the through hole 20 of the chamber 2a from the outside of the chamber 2a and fixing the flange portion 61 and the chamber 2a with a bolt or the like (not shown). When the tubular member 60a is removed for replacement or the like, the above-described bolt may be removed and the tubular member 60a may be pulled out of the chamber 2a from the through hole 20.
  • FIG. 5B is a perspective view showing a second example regarding the shape of the cylindrical member.
  • the main body 63 of the cylindrical member 60b may have a rectangular cylindrical shape.
  • the shape of the cross section substantially perpendicular to the Y direction of the main body portion 63 of the cylindrical member 60b may be a square shape.
  • a rectangular shape may be sufficient as the cross-sectional shape of the main-body part 63 of the cylindrical member 60b.
  • a square shape may be sufficient as the cross-sectional shape of the main-body part 63 of the cylindrical member 60b.
  • the cross-sectional shape of the cylindrical member is not limited to a circular shape or a square shape, and may be other shapes.
  • the target 27 output from the target supply unit 26a is not exposed to the gas flow outside the shield member 7 inside the chamber 2a, and the cylindrical member 60a. Or it can pass inside 60b. Therefore, it can be suppressed that the trajectory of the target 27 fluctuates due to a change in the gas flow inside the chamber 2a.
  • FIG. 6 is a graph comparing the change in the target trajectory between the comparative example shown in FIG. 2 and the first embodiment shown in FIG.
  • the vertical axis in FIG. 6 indicates the positional deviation in the Z direction from the target position of the target in the vicinity of the plasma generation region 25.
  • a positive value on the vertical axis indicates that the target has shifted in the + Z direction.
  • a negative value on the vertical axis indicates that the target has shifted in the -Z direction.
  • the horizontal axis of FIG. 6 shows elapsed time. When the value on the horizontal axis is negative, it indicates that the generation of EUV light is not started. When the value on the horizontal axis is positive, it indicates that the generation of EUV light has started, and a larger value indicates that time has elapsed after the start of generation of EUV light.
  • the target position shifts in the + Z direction or in the ⁇ Z direction, and the target locus changes. It turns out that it becomes unstable.
  • the direction in which the locus deviates is not constant, but is shifted in the + Z direction or in the ⁇ Z direction. Therefore, the gas flow in the chamber 2a is not a fixed direction, and the gas flow direction immediately after the start of EUV light generation. It is speculated that the flow rate is changed in a complicated manner.
  • the gas flow in the chamber 2a is stabilized in the comparative example, and the target trajectory can be stabilized.
  • the trajectory of the target is substantially stable as shown in FIG.
  • the cylindrical member 60a or 60b can be used to dispose the target. It can be seen that the fluctuation of the trajectory is suppressed. Further, it is not necessary to cover the entire target trajectory up to the plasma generation region 25 with the cylindrical member 60a or 60b. It can be seen that a considerable effect can be obtained by simply covering the portion of the target track outside the shield member 7 with the cylindrical member 60a or 60b.
  • the target track when the target track is covered with a cylindrical member, it is desirable to cover the entire circumference of the target track, but in the sense that the cylindrical member should not have any tears or breaks. Absent. If the fluctuation of the gas flow in the trajectory of the target can be suppressed by covering with the substantially cylindrical member, the cylindrical member may have a slight tear or break.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the target supply unit 26 a may be held by the holding unit 36 via the XZ stage 37.
  • the target sensor 4a not shown in FIG. 7 may be configured to detect a target locus.
  • the XZ stage 37 may be configured so that the target supply unit 26a can be moved in both the X direction and the Z direction.
  • the trajectory of the target may be changed by the XZ stage 37 moving the target supply unit 26a.
  • the XZ stage 37 may correspond to the trajectory adjustment mechanism in the present disclosure.
  • the EUV light generation controller 5 described with reference to FIG. 1 performs feedback control of the XZ stage 37 based on the target trajectory detected by the target sensor 4a so that the target trajectory falls within a desired range. May be.
  • the driving speed of the XZ stage 37 may not be able to follow the rapid fluctuation of the target locus described with reference to FIG. Therefore, the change of the trajectory of the target by the XZ stage 37 may be such that the trajectory of the target is adjusted within the target range over a period longer than the period shown in FIG.
  • the cylindrical member 60 used in the second embodiment may be the cylindrical member described with reference to FIG. 5A.
  • the cylindrical member 60 used in the second embodiment may be a rectangular cylindrical member described with reference to FIG. 5B.
  • the rectangular cross section has a first side 631 and a third side 633 substantially parallel to the X direction, and a Z direction.
  • the cross-sectional shape of the cylindrical member 60b may be slightly larger than the shape of the movable region of the target supply unit 26a by the XZ stage 37.
  • the cross-sectional shape of the cylindrical member 60b is a square having 21 mm in the X direction and 21 mm in the Z direction. It may be a shape.
  • FIG. 8 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the cylindrical member 60c may be fixed to the target supply unit 26a.
  • the cylindrical member 60c may not be fixed to the chamber 2a.
  • the cylindrical member 60c may have a diameter smaller than the diameter of the through hole 20 of the chamber 2a, and may have a gap with the chamber 2a.
  • the cylindrical member 60c may not have the flange portion 61 as shown in FIG. 5A or 5B.
  • the cylindrical member 60c since the cylindrical member 60c is fixed to the target supply unit 26a, when the target supply unit 26a is moved by the XZ stage 37, the cylindrical member 60c can also move together. . Therefore, even if the target supply unit 26a is moved, the relative positional relationship between the locus of the target and the cylindrical member 60c can be suppressed. Therefore, even if the target supply unit 26a is moved, it is possible to suppress the target from being easily attached to the cylindrical member 60c. About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment.
  • FIG. 9 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • the fourth embodiment may further include a purge gas supply device 55.
  • the purge gas supply device 55 may include a cylinder (not shown) that stores the purge gas, and a mass flow controller or an on-off valve (not shown).
  • the purge gas may include an inert gas such as helium gas, nitrogen gas, or argon gas.
  • the purge gas may contain hydrogen or other halogen gas.
  • the purge gas may be an etching gas.
  • a pipe 56 may be connected to the purge gas supply device 55.
  • the pipe 56 may be connected to a holding unit 36 that holds the target supply unit 26a.
  • the purge gas supply device 55 may supply purge gas into the holding unit 36.
  • the purge gas supplied to the inside of the holding unit 36 may be introduced inside the cylindrical member 60.
  • the gas pressure inside the holding unit 36 may be slightly higher than the gas pressure inside the chamber 2a. As a result, a purge gas flow from the one end side toward the inner side of the shield member 7 may be generated inside the cylindrical member 60.
  • the gas can be suppressed from flowing toward the inside of the tubular member 60. Further, by making the flow rate of the purge gas supplied by the purge gas supply device 55 substantially constant, the flow of the purge gas from the one end side to the other end side in the cylindrical member 60 can be made substantially constant. Accordingly, the trajectory of the target can be further stabilized. About another point, it may be the same as that of 1st Embodiment.
  • FIG. 10 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • the fifth embodiment may further include a purge gas supply device 55 in the configuration including the XZ stage 37 described in the second embodiment.
  • the configuration and operation of the purge gas supply device 55 may be the same as described with reference to FIG.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation device according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • a pipe 53 connected to the etching gas supply device 50 may be connected to the holding unit 36. Therefore, in the sixth embodiment, an etching gas may be supplied to the inside of the holding portion 36 and the inside of the cylindrical member 60 instead of the purge gas. About another point, it may be the same as that of 4th or 5th embodiment.

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Abstract

極端紫外光生成装置は、パルスレーザ光が入射するための第１の貫通孔を有するチャンバと、チャンバに保持され、チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、チャンバの内部において所定領域を囲んで配置され、ターゲット供給部から出力されたターゲットを所定領域に向けて通過させるターゲット通路を有するシールド部材と、ターゲット供給部から所定領域までのターゲットの軌道のうち、ターゲット通路よりも上流側の少なくとも一部を囲んで配置された筒状部材と、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１４／０３１９３８７号明細書 米国特許出願公開第２００９／０２３０３２６号明細書 米国特許出願公開第２０１２／０２１７４２２号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、パルスレーザ光が入射するための第１の貫通孔を有するチャンバと、チャンバに保持され、チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、チャンバの内部において所定領域を囲んで配置され、ターゲット供給部から出力されたターゲットを所定領域に向けて通過させるターゲット通路を有するシールド部材と、ターゲット供給部から所定領域までのターゲットの軌道のうち、ターゲット通路よりも上流側の少なくとも一部を囲んで配置された筒状部材と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、図２に示されるターゲットの軌道を拡大して示す斜視図である。 図４は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す 図５Ａは、筒状部材の形状に関する第１の例を示す斜視図である。 図５Ｂは、筒状部材の形状に関する第２の例を示す斜視図である。 図６は、ターゲットの軌跡の変化を、図２に示された比較例と図４に示された第１の実施形態とで比較したグラフである。 図７は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図８は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図９は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１０は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１１は、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．用語の説明
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．３　課題
４．筒状部材を備えたＥＵＶ光生成装置
　４．１　構成及び動作
　４．２　効果
５．ターゲット供給部の移動機構を備えたＥＵＶ光生成装置
６．筒状部材をターゲット供給部に固定したＥＵＶ光生成装置
７．筒状部材の内側にパージガスを供給するＥＵＶ光生成装置
８．筒状部材の内側にエッチングガスを供給するＥＵＶ光生成装置
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、パルスレーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　１．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．用語の説明
　ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給部の設計に従ったターゲットの経路とする。
　ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給部から出力されたターゲットの実際の経路とする。
　「プラズマ生成領域」は、ターゲットにパルスレーザ光が照射されることによってプラズマの生成が開始される領域とする。プラズマ生成領域は、本開示における所定領域に相当し得る。
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　３．１　構成
　図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図２に示されるように、チャンバ２ａは、チャンバ保持部材１０によって、重力方向に対して斜めの姿勢に保持されていてもよい。図２に示されるように、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向としてもよい。ターゲットの出力方向をＹ方向としてもよい。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向としてもよい。チャンバ２ａの外部には、保持部３６と、エッチングガス供給装置５０と、排気装置５９と、接続部２９ａと、が設けられていてもよい。
　チャンバ２ａには、保持部３６を介してターゲット供給部２６ａが取り付けられていてもよい。チャンバ２には貫通孔２０が形成され、保持部３６は、この貫通孔２０を覆うようにチャンバ２ａの外側に脱着可能に配置されていてもよい。
　エッチングガス供給装置５０は、エッチングガスを収容した図示しないボンベと、図示しないマスフローコントローラ又は開閉弁とを含んでもよい。エッチングガスは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａの表面に付着したターゲット物質をエッチング可能なガスであってもよい。エッチングガスは、水素を含んでもよい。エッチングガス供給装置５０には、配管５１が接続されていてもよい。配管５１には、接続ポート５２が接続され、接続ポート５２はチャンバ２ａに接続されていてもよい。
　排気装置５９は、排気ポンプを含んでもよい。排気装置５９は、接続ポート５２から離れた位置において、チャンバ２ａに接続されていてもよい。
　チャンバ２ａの内部には、ＥＵＶ集光ミラー２３ａと、レーザ光集光光学系２２ａと、シールド部材７と、が設けられてもよい。
　ＥＵＶ集光ミラー２３ａは、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４３を介してチャンバ２ａの内部に固定されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、ホルダ４２によってチャンバ２ａの内部に支持されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラーで構成されてもよい。軸外放物面ミラーの焦点は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。
　シールド部材７は、－Ｚ方向側においては径が大きく、＋Ｚ方向側においては径が小さいテーパー筒状の形状を有していてもよい。シールド部材７は、プラズマ生成領域２５を囲んで配置されていてもよい。さらに、シールド部材７は、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路を囲んで配置されてもよい。シールド部材７の－Ｚ方向側の端部はＥＵＶ集光ミラー２３ａの外周部の近傍に位置し、シールド部材７の＋Ｚ方向側の端部はＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路の下流側に位置していてもよい。
　シールド部材７には、貫通孔７０が形成されていてもよい。貫通孔７０は、ターゲット供給部２６ａとプラズマ生成領域２５との間のターゲット２７の軌道に位置してもよい。貫通孔７０は、ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲット２７をプラズマ生成領域２５に向けて通過させるターゲット通路を構成してもよい。
　シールド部材７には、液体の冷媒を通過させる流路７１が形成されていてもよい。冷媒は水でもよい。流路７１は、図示しないポンプと熱交換機とに接続されていてもよい。
　３．２　動作
　エッチングガス供給装置５０は、チャンバ２ａの内部にエッチングガスを供給してもよい。排気装置５９は、チャンバ２ａの内部が大気圧未満の所定の圧力となるようにチャンバ２ａの内部のガスを排気してもよい。従って、エッチングガスをチャンバ２ａの内部に導入する接続ポート５２から、チャンバ２ａの内部のガスを排気する排気装置５９に向けて、チャンバ２ａの内部にガスの流れが発生してもよい。チャンバ２ａの内部に発生するガスの流れは、シールド部材７の内側を通るガスの流れ（図示せず）の他に、図２に一点鎖線の矢印で示されるようなシールド部材７の外側を通るガスの流れを含んでもよい。
　ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲット２７は、チャンバ２ａの貫通孔２０及びシールド部材７の貫通孔７０を通過し、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。パルスレーザ光３２は、ウインドウ２１を介してチャンバ２ａ内のレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａによって反射されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５に集光されてもよい。パルスレーザ光３３は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングでプラズマ生成領域２５に到達してもよい。
　ターゲット２７は、パルスレーザ光３３を照射されてプラズマ化してもよい。プラズマからは、放射光２５１が放射され得る。また、高温のプラズマにより、チャンバ２ａが加熱され得る。チャンバ２ａの加熱及び変形を抑制するため、シールド部材７はプラズマから放射される熱を吸収してもよい。また、高温のプラズマにより、チャンバ２ａの内部にガスの流れが発生し得る。特に、ＥＵＶ光の生成を開始した直後、あるいは、ＥＵＶ光の生成を一定時間休止してからＥＵＶ光の生成を再開した直後のタイミングでは、チャンバ２ａ内の温度変化が大きくなり得る。このタイミングでは、ガスの流れの方向及び流量が短時間で変動し、ガスの流れが複雑となり得る。
　３．３　課題
　図３は、図２に示されるターゲットの軌道を拡大して示す斜視図である。ターゲット供給部２６ａとプラズマ生成領域２５とを結ぶターゲットの軌道Ａには、シールド部材７の貫通孔７０と、ターゲットセンサ４ａによる検出領域４１とが位置していてもよい。ターゲットセンサ４ａは、照明装置４０と、受光装置４４と、を含んでもよい。照明装置４０は、検出領域４１を照明する位置に配置されてもよい。受光装置４４は、照明装置４０から出力されて検出領域４１を通過した光を受光する位置に配置されてもよい。
　ターゲットが検出領域４１を通過するとき、照明装置４０から出力された光の一部がターゲットによって遮られてもよい。受光装置４４は、受光した光の強度の変化を示す信号を、ターゲット通過のタイミングを示す信号としてＥＵＶ光生成制御部５に送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、受光装置４４から出力された信号に基づいて、レーザトリガ信号を出力してもよい。レーザトリガ信号は、ターゲット通過のタイミングを示す信号に所定の遅延時間を与えて出力されるものでもよい。このレーザトリガ信号に基づいてレーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力してもよい。このようにしてパルスレーザ光３１の出力タイミングが制御されることにより、ターゲットがプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達し得る。
　上述のように高温のプラズマによりチャンバ２ａの内部にガスの複雑な流れが発生すると、ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲットがガスに流されて、ターゲットの軌跡が図３にＢ又はＣで示されるように変化し得る。軌跡の変化は許容範囲内であることが望ましいが、軌跡の変化が許容範囲を超えて、例えばターゲットセンサ４ａによる検出領域４１から外れた位置をターゲットが通過する場合があり得る。その場合には、ターゲットが検出されず、レーザトリガ信号が出力されず、パルスレーザ光が出力されなくなり得る。その結果、ＥＵＶ光が生成されなくなり得る。
　また、ターゲットセンサ４ａによる検出領域４１をターゲットが通過したとしても、ターゲットがプラズマ生成領域２５以外の位置を通過する場合があり得る。その場合には、パルスレーザ光は出力されるが、ターゲットに照射されないか、照射面積が不十分となり得る。その結果、ＥＵＶ光が生成されないか、生成されるＥＵＶ光のエネルギーが低くなり得る。
　以下に説明する実施形態においては、ターゲットの軌跡の変動を抑制することにより、ＥＵＶ光の生成を安定化している。
４．筒状部材を備えたＥＵＶ光生成装置
　４．１　構成及び動作
　図４は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図４に示されるように、筒状部材６０ａが、ターゲット供給部２６ａからプラズマ生成領域２５までのターゲットの軌道のうち、シールド部材７の貫通孔７０よりも上流側の少なくとも一部を囲んで配置されてもよい。チャンバ２ａの貫通孔２０の周囲に、筒状部材６０ａの一端が固定されてもよい。筒状部材６０ａの他端は、シールド部材７の貫通孔７０の近傍に位置していてもよい。筒状部材６０ａは、シールド部材７との間に隙間を有していてもよい。
　筒状部材６０ａの上記他端は、さらに、シールド部材７の貫通孔７０に挿入されていてもよい。図示は省略するが、筒状部材６０ａは、シールド部材７の貫通孔７０を貫通して、筒状部材６０ａの上記他端がシールド部材７の内側に位置していてもよい。但し、筒状部材６０ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３ａによって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２の光路の外側に位置することが望ましい。
　以上の構成において、ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲット２７は、筒状部材６０ａの内側を通過してもよい。筒状部材６０ａの内側を通過したターゲット２７は、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。
　図５Ａは、筒状部材の形状に関する第１の例を示す斜視図である。筒状部材６０ａの本体部６２は、円筒状の形状を有していてもよい。すなわち、筒状部材６０ａの本体部６２のＹ方向に略垂直な断面の形状は、円の形状を有していてもよい。
　筒状部材６０ａの上記一端は、チャンバ２ａに固定されるためのフランジ部６１を有していてもよい。フランジ部６１は、図４に示されるように、チャンバ２ａの外側に配置されてもよい。筒状部材６０ａの上記他端は、チャンバ２ａの内部に位置してもよい。筒状部材６０ａは、チャンバ２ａの外側からチャンバ２ａの貫通孔２０に挿入されて、図示しないボルト等によってフランジ部６１とチャンバ２ａとを固定することにより、設置され得る。筒状部材６０ａを交換等のため取り外すときは、上述のボルトを外して、貫通孔２０から筒状部材６０ａをチャンバ２ａの外に引っ張り出せばよい。
　図５Ｂは、筒状部材の形状に関する第２の例を示す斜視図である。筒状部材６０ｂの本体部６３は、四角筒状の形状を有していてもよい。筒状部材６０ｂの本体部６３のＹ方向に略垂直な断面の形状は、四角形状であってもよい。筒状部材６０ｂの本体部６３の断面形状は、矩形状であってもよい。筒状部材６０ｂの本体部６３の断面形状は、正方形であってもよい。フランジ部６１については、上述の第１の例と同様でよい。
　筒状部材の断面形状は、円形状又は四角形状に限られず、他の形状でもよい。
　４．２　効果
　第１の実施形態によれば、ターゲット供給部２６ａから出力されたターゲット２７は、チャンバ２ａの内部のシールド部材７より外側のガスの流れには晒されることなく、筒状部材６０ａ又は６０ｂの内側を通過することができる。従って、チャンバ２ａの内部におけるガスの流れの変化によってターゲット２７の軌跡が変動することが抑制され得る。
　図６は、ターゲットの軌跡の変化を、図２に示された比較例と図４に示された第１の実施形態とで比較したグラフである。図６の縦軸は、プラズマ生成領域２５の付近におけるターゲットの目標位置からのＺ方向の位置ずれを示す。縦軸の値が正であるときは、ターゲットが＋Ｚ方向にずれたことを示す。縦軸の値が負であるときは、ターゲットが－Ｚ方向にずれたことを示す。図６の横軸は、経過時間を示す。横軸の値が負であるときは、ＥＵＶ光の生成が開始される前であることを示す。横軸の値が正であるときは、ＥＵＶ光の生成が開始された後であることを示し、値が大きくなるほど、ＥＵＶ光の生成開始後に時間が経過したことを示す。
　図６に示されるように、筒状部材を有しない比較例においては、ＥＵＶ光の生成開始直後は、ターゲットの位置が＋Ｚ方向にずれたり、－Ｚ方向にずれたりして、ターゲットの軌跡が不安定となることがわかる。軌跡がずれる方向が一定ではなく、＋Ｚ方向にずれたり、－Ｚ方向にずれたりすることから、チャンバ２ａ内のガスの流れは一定方向ではなく、ＥＵＶ光の生成開始直後はガスの流れの方向及び流量が複雑に変化していることが推測される。ＥＵＶ光の生成開始からある程度の時間が経過すると、比較例においても、チャンバ２ａ内のガスの流れが安定化し、ターゲットの軌跡が安定化し得る。
　一方、筒状部材を有する第１の実施形態においては、図６に示されるように、ターゲットの軌跡が略安定していることがわかる。特に、ＥＵＶ光の生成開始直後においても、ターゲットの軌跡の変動が抑制されている。チャンバ２ａ内のガスの流れが一定方向ではなく、ＥＵＶ光の生成開始直後はガスの流れの方向及び流量が複雑に変化しているとしても、筒状部材６０ａ又は６０ｂを配置することにより、ターゲットの軌跡の変動が抑制されることがわかる。また、プラズマ生成領域２５までのターゲットの軌道の全体を筒状部材６０ａ又は６０ｂで覆う必要があるわけではない。ターゲットの軌道の内の、シールド部材７の外側の部分を筒状部材６０ａ又は６０ｂで覆うだけでも、かなりの効果が得られていることがわかる。
　なお、本開示において、ターゲットの軌道を筒状部材で覆うという場合、ターゲットの軌道の周りを全周にわたって覆うことが望ましいが、筒状部材に一切の裂け目又は切れ目もあってはならないという意味ではない。実質的に筒状の部材で覆うことによりターゲットの軌道におけるガスの流れの変動を抑制できるのであれば、筒状部材にわずかな裂け目又は切れ目があってもよい。
５．ターゲット供給部の移動機構を備えたＥＵＶ光生成装置
　図７は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図７に示されるように、ターゲット供給部２６ａは、ＸＺステージ３７を介して保持部３６に保持されてもよい。図７には示されていないターゲットセンサ４ａは、ターゲットの軌跡も検出できるように構成されてもよい。ＸＺステージ３７は、Ｘ方向及びＺ方向のいずれにも、ターゲット供給部２６ａを移動させることができるように構成されてもよい。ＸＺステージ３７がターゲット供給部２６ａを移動させることにより、ターゲットの軌道が変更されてもよい。ＸＺステージ３７は、本開示における軌道調整機構に相当し得る。
　図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４ａによって検出されたターゲットの軌跡に基づいて、ターゲットの軌跡が所望の範囲内に収まるように、ＸＺステージ３７をフィードバック制御してもよい。但し、ＸＺステージ３７の駆動速度は、図６を参照しながら説明したターゲットの軌跡の急激な変動にまでは追随できないことがあり得る。従って、ＸＺステージ３７によるターゲットの軌道の変更は、図６で示された期間よりも長い時間をかけてターゲットの軌跡を目標範囲内に合わせ込むものでもよい。
　第２の実施形態において用いられる筒状部材６０は、図５Ａを参照しながら説明した円筒状のものでもよい。
　あるいは、第２の実施形態において用いられる筒状部材６０は、図５Ｂを参照しながら説明した四角筒状のものでもよい。第２の実施形態において、四角筒状の筒状部材６０ｂを用いる場合には、その矩形状の断面が、Ｘ方向に略平行な第１の辺６３１及び第３の辺６３３と、Ｚ方向に略平行な第２の辺６３２及び第４の辺６３４と、を有していてもよい。これにより、ＸＺステージ３７によるターゲット供給部２６ａの移動可能な領域の形状と、筒状部材６０ｂの断面形状と、を略一致させてもよい。
　ＸＺステージ３７によるターゲット供給部２６ａの移動可能な領域の形状よりも、筒状部材６０ｂの断面形状が、わずかに大きくてもよい。例えば、ＸＺステージ３７によるターゲット供給部２６の移動可能な範囲がＸ方向に２０ｍｍ及びＺ方向に２０ｍｍであった場合、筒状部材６０ｂの断面形状は、Ｘ方向が２１ｍｍ及びＺ方向が２１ｍｍの正方形状とされてもよい。これにより、ＸＺステージ３７によってターゲット供給部２６ａを上記範囲内で移動させても、ターゲットが筒状部材６０ｂに当たることを抑制し得る。
　他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
６．筒状部材をターゲット供給部に固定したＥＵＶ光生成装置
　図８は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図８に示されるように、筒状部材６０ｃは、ターゲット供給部２６ａに固定されてもよい。筒状部材６０ｃは、チャンバ２ａに固定されなくてもよい。筒状部材６０ｃは、チャンバ２ａの貫通孔２０の径よりも小さい径を有し、チャンバ２ａとの間に隙間を有していてもよい。筒状部材６０ｃは、図５Ａ又は図５Ｂに示されるようなフランジ部６１を有しなくてもよい。
　第３の実施形態によれば、筒状部材６０ｃがターゲット供給部２６ａに固定されているので、ＸＺステージ３７によってターゲット供給部２６ａを移動させた場合に、筒状部材６０ｃも一緒に移動し得る。従って、ターゲット供給部２６ａを移動させても、ターゲットの軌跡と筒状部材６０ｃとの相対的な位置関係の変動が抑制され得る。従って、ターゲット供給部２６ａを移動させても、筒状部材６０ｃにターゲットが付着しやすくなることを抑制し得る。
　他の点については、第２の実施形態と同様でよい。
７．筒状部材の内側にパージガスを供給するＥＵＶ光生成装置
　図９は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図９に示されるように、第４の実施形態は、パージガス供給装置５５をさらに備えていてもよい。パージガス供給装置５５は、パージガスを収容した図示しないボンベと、図示しないマスフローコントローラ又は開閉弁とを含んでもよい。パージガスは、ヘリウムガス、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスを含んでもよい。パージガスは、水素あるいはその他ハロゲンガスを含んでもよい。パージガスはエッチングガスであってもよい。パージガス供給装置５５には、配管５６が接続されていてもよい。配管５６は、ターゲット供給部２６ａを保持する保持部３６に接続されていてもよい。
　パージガス供給装置５５は、保持部３６の内部にパージガスを供給してもよい。保持部３６の内部に供給されたパージガスは、筒状部材６０の内側に導入されてもよい。保持部３６の内部のガス圧は、チャンバ２ａの内部のガス圧よりわずかに高くてもよい。これにより、筒状部材６０の内側には、上記一端側から上記他端側を通ってシールド部材７の内側に向かうパージガスの流れが発生してもよい。
　第４の実施形態によれば、シールド部材７の内側でガスの不安定な流れが発生しても、筒状部材６０の内部に向かってガスが流れ込むことが抑制され得る。また、パージガス供給装置５５によって供給されるパージガスの流量を略一定にすることにより、筒状部材６０の内部で上記一端側から上記他端側に向かうパージガスの流れを略一定にし得る。従って、ターゲットの軌跡がより安定化し得る。
　他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
　図１０は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図１０に示されるように、第５の実施形態は、第２の実施形態で説明したＸＺステージ３７を備えた構成において、パージガス供給装置５５をさらに備えていてもよい。パージガス供給装置５５の構成及び作用は、図９を参照しながら説明したものと同様でよい。
　他の点については、第２又は第３の実施形態と同様でよい。第３の実施形態のように筒状部材６０ｃをターゲット供給部２６ａに固定する場合には、図示しないフレキシブルな配管を筒状部材６０ｃに接続することにより、パージガスを筒状部材６０ｃの内側に供給してもよい。
８．筒状部材の内側にエッチングガスを供給するＥＵＶ光生成装置
　図１１は、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図１１に示されるように、第６の実施形態においては、エッチングガス供給装置５０に接続された配管５３が、保持部３６に接続されていてもよい。
　従って、第６の実施形態においては、保持部３６の内部及び筒状部材６０の内側に、パージガスではなくエッチングガスが供給されてもよい。
　他の点については、第４又は第５の実施形態と同様でよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (8)

  1. 　パルスレーザ光が入射するための第１の貫通孔を有するチャンバと、
    　前記チャンバに保持され、前記チャンバの内部の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    　前記チャンバの内部において前記所定領域を囲んで配置され、前記ターゲット供給部から出力された前記ターゲットを前記所定領域に向けて通過させるターゲット通路を有するシールド部材と、
    　前記ターゲット供給部から前記所定領域までの前記ターゲットの軌道のうち、前記ターゲット通路よりも上流側の少なくとも一部を囲んで配置された筒状部材と、
    を備える極端紫外光生成装置。
  2. 　前記チャンバの内部であって前記シールド部材の外側の空間にガスを供給する第１のガス供給装置をさらに備える
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  3. 　前記筒状部材の内側にガスを供給する第２のガス供給装置をさらに備える
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  4. 　前記筒状部材は、前記シールド部材との間に間隔をあけて、前記チャンバに固定されている、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  5. 　前記筒状部材は、前記シールド部材との間に間隔をあけて、前記ターゲット供給部に固定されている、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  6. 　前記ターゲットの軌道を、前記軌道に対して略垂直な第１方向と、前記軌道及び前記第１方向の両方に略垂直な第２方向と、に調整可能に構成された軌道調整機構をさらに備え、
    　前記筒状部材は、矩形状の断面を有し、前記矩形状の断面が、前記第１方向に略平行な第１及び第３の辺と、前記第２の方向に略平行な第２及び第４の辺と、を有する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  7. 　前記所定領域で生成された極端紫外光を反射して集光する集光ミラーをさらに備え、
    　前記シールド部材は、前記集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路を囲んで配置された、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  8. 　前記所定領域で生成された極端紫外光を反射して集光する集光ミラーをさらに備え、
    　前記筒状部材は、前記集光ミラーによって反射された極端紫外光の光路の外側に位置する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
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