JP6555609B2 - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6555609B2 JP6555609B2 JP2015089401A JP2015089401A JP6555609B2 JP 6555609 B2 JP6555609 B2 JP 6555609B2 JP 2015089401 A JP2015089401 A JP 2015089401A JP 2015089401 A JP2015089401 A JP 2015089401A JP 6555609 B2 JP6555609 B2 JP 6555609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- signal
- image sensor
- terminal connected
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 32
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 102100026191 Class E basic helix-loop-helix protein 40 Human genes 0.000 description 3
- 101710130550 Class E basic helix-loop-helix protein 40 Proteins 0.000 description 3
- 102100026190 Class E basic helix-loop-helix protein 41 Human genes 0.000 description 3
- 101000765033 Homo sapiens Class E basic helix-loop-helix protein 41 Proteins 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
上記目的を達成するために、本発明の第7の観点に関わるイメージセンサは、縦、横に配置された複数の信号線及び複数の行選択線で区画された画素の各々に、光電変換素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタが配置されたイメージセンサであって、前記光電変換素子は、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲート端子に接続され、第2の端子が第1の電源線に接続されており、前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が第2の電源線に接続され、ソース端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子に接続され、前記第2のトランジスタは、ゲート端子が前記行選択線に接続され、ソース端子が前記信号線に接続され、前記第3のトランジスタは、ゲート端子が隣接する画素行の行選択線に接続され、ドレイン端子が第3の電源線に接続され、ソース端子が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、前記行選択線には、1画素行分の信号が前記信号線から読み取られる期間よりも長いアクティブ期間に亘って、信号が印加されるようにしてあり、前記アクティブ期間は、隣接する行選択線に信号が印加される期間と時間的に一部重なり、一端が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、他端が前記第3のトランジスタの前記ゲート端子に接続される容量を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の第8の観点に関わるイメージセンサは、縦、横に配置された複数の信号線及び複数の行選択線で区画された画素の各々に、光電変換素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタが配置されたイメージセンサであって、前記光電変換素子は、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲート端子に接続され、第2の端子が第1の電源線に接続されており、前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が第2の電源線に接続され、ソース端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子に接続され、前記第2のトランジスタは、ゲート端子が前記行選択線に接続され、ソース端子が前記信号線に接続され、前記第3のトランジスタは、ゲート端子が隣接する画素行の行選択線に接続され、ドレイン端子が第3の電源線に接続され、ソース端子が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、前記行選択線には、1画素行分の信号が前記信号線から読み取られる期間よりも長いアクティブ期間に亘って、信号が印加されるようにしてあり、前記アクティブ期間は、隣接する行選択線に信号が印加される期間と時間的に一部重なり、前記信号線の一端に接続され、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのある期間に前記信号線に印加される電圧と、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのない期間に前記信号線に印加される電圧との差分を出力する信号処理回路を備えることを特徴とする。
本発明の実施形態1に係わるイメージセンサについて図面を参照して詳細に説明する。尚、各図面における構成要素の大きさや縮尺は、図の視認性を確保するために適宜変更して記載している。また、各図面におけるハッチングは、各構成要素を区別するためのものであり、必ずしも断面を意味するものではない。
図11は、本発明の実施形態2に係わるイメージセンサ100の画素200の構成を示した回路図である。実施形態2に係わるイメージセンサ100の全体構成は、図1で示した本発明の実施形態1に係わるイメージセンサ100の全体構成と同じであり、画素200の構成だけが異なっている。
200 画素
210 フォトダイオード(光電変換素子)
220 増幅用トランジスタ(第1のトランジスタ)
230 選択用トランジスタ(第2のトランジスタ)
240 リセット用トランジスタ(第3のトランジスタ)
250 補正用容量
300 検出回路
310 負荷抵抗
311、320、330 トランジスタ
340 基準電流源
320 放電用トランジスタ
400 駆動回路
410 Dフリップフロップ(D−FF)
420 ANDゲート
500 電源回路
600 信号処理回路
610 初段アンプ
611 差動アンプ
620、621 スイッチ
630、631 容量
Claims (8)
- 縦、横に配置された複数の信号線及び複数の行選択線で区画された画素の各々に、光電変換素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタが配置されたイメージセンサであって、
前記光電変換素子は、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲート端子に接続され、第2の端子が第1の電源線に接続されており、
前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が第2の電源線に接続され、ソース端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子に接続され、
前記第2のトランジスタは、ゲート端子が前記行選択線に接続され、ソース端子が前記信号線に接続され、
前記第3のトランジスタは、ゲート端子が隣接する画素行の行選択線に接続され、ドレイン端子が第3の電源線に接続され、ソース端子が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、
前記画素の画素行の各々に配置される行選択線の数は1つであり、
前記行選択線には、1画素行分の信号が前記信号線から読み取られる期間よりも長いアクティブ期間に亘って、信号が印加されるようにしてあり、
前記アクティブ期間は、隣接する行選択線に信号が印加される期間と時間的に一部重なること
を特徴とするイメージセンサ。 - 一端が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、他端が前記第3のトランジスタの前記ゲート端子に接続される容量を備えること
を特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサの全画素の信号を読み出す期間において、前記行選択線に信号が印加される期間が1回だけであること
を特徴とする請求項1または2に記載のイメージセンサ。 - 前記信号線の一端に接続され、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのある期間に前記信号線に印加される電圧と、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのない期間に前記信号線に印加される電圧との差分を出力する信号処理回路を備えること
を特徴とする請求項1から3までの何れか一つに記載のイメージセンサ。 - 前記第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び第3のトランジスタは各々、n型トランジスタであり、
前記光電変換素子は、前記第1の端子がカソード端子であり、前記第2の端子がアノード端子であるフォトダイオードであること
を特徴とする請求項1から4までの何れか一つに記載のイメージセンサ。 - 前記第1の電源線に印加される電圧は、前記第2の電源線に印加される電圧よりも低いこと
を特徴とする請求項5に記載のイメージセンサ。 - 縦、横に配置された複数の信号線及び複数の行選択線で区画された画素の各々に、光電変換素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタが配置されたイメージセンサであって、
前記光電変換素子は、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲート端子に接続され、第2の端子が第1の電源線に接続されており、
前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が第2の電源線に接続され、ソース端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子に接続され、
前記第2のトランジスタは、ゲート端子が前記行選択線に接続され、ソース端子が前記信号線に接続され、
前記第3のトランジスタは、ゲート端子が隣接する画素行の行選択線に接続され、ドレイン端子が第3の電源線に接続され、ソース端子が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、
前記行選択線には、1画素行分の信号が前記信号線から読み取られる期間よりも長いアクティブ期間に亘って、信号が印加されるようにしてあり、
前記アクティブ期間は、隣接する行選択線に信号が印加される期間と時間的に一部重なり、
一端が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、他端が前記第3のトランジスタの前記ゲート端子に接続される容量を備えること
を特徴とするイメージセンサ。 - 縦、横に配置された複数の信号線及び複数の行選択線で区画された画素の各々に、光電変換素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタが配置されたイメージセンサであって、
前記光電変換素子は、第1の端子が前記第1のトランジスタのゲート端子に接続され、第2の端子が第1の電源線に接続されており、
前記第1のトランジスタは、ドレイン端子が第2の電源線に接続され、ソース端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子に接続され、
前記第2のトランジスタは、ゲート端子が前記行選択線に接続され、ソース端子が前記信号線に接続され、
前記第3のトランジスタは、ゲート端子が隣接する画素行の行選択線に接続され、ドレイン端子が第3の電源線に接続され、ソース端子が前記光電変換素子の前記第1の端子に接続され、
前記行選択線には、1画素行分の信号が前記信号線から読み取られる期間よりも長いアクティブ期間に亘って、信号が印加されるようにしてあり、
前記アクティブ期間は、隣接する行選択線に信号が印加される期間と時間的に一部重なり、
前記信号線の一端に接続され、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのある期間に前記信号線に印加される電圧と、前記アクティブ期間中における時間的に重なりのない期間に前記信号線に印加される電圧との差分を出力する信号処理回路を備えること
を特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015089401A JP6555609B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イメージセンサ |
CN201610248171.5A CN106067951B (zh) | 2015-04-24 | 2016-04-20 | 图像传感器 |
US15/135,941 US9712770B2 (en) | 2015-04-24 | 2016-04-22 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015089401A JP6555609B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イメージセンサ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016208351A JP2016208351A (ja) | 2016-12-08 |
JP2016208351A5 JP2016208351A5 (ja) | 2018-04-12 |
JP6555609B2 true JP6555609B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=57148298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015089401A Active JP6555609B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | イメージセンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9712770B2 (ja) |
JP (1) | JP6555609B2 (ja) |
CN (1) | CN106067951B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6815890B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
JP6834809B2 (ja) | 2017-06-27 | 2021-02-24 | 株式会社リコー | 撮像装置および撮像方法 |
CN109087925B (zh) * | 2018-08-09 | 2020-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、x射线平板探测器及x射线探测方法 |
KR102144042B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2020-08-12 | 실리콘 디스플레이 (주) | 센서 화소 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR20200139327A (ko) | 2019-06-04 | 2020-12-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
US11750944B2 (en) * | 2021-05-28 | 2023-09-05 | Varex Imaging Corporation | Pixel noise cancellation system |
US11812187B2 (en) | 2021-05-28 | 2023-11-07 | Varex Imaging Corporation | Combined imaging array and strip |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184954A (ja) | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 2000-05-08 | 株式会社日立メディコ | 放射線撮像装置 |
US5831258A (en) | 1996-08-20 | 1998-11-03 | Xerox Corporation | Pixel circuit with integrated amplifer |
JPH10108075A (ja) | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 信号増幅型撮像装置 |
JPH11211832A (ja) | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Konica Corp | X線撮像パネル及びその製造方法 |
JP3512152B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法 |
US6965408B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device having a photoelectric conversion unit and a punch-through current suppression circuit |
US7274009B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-09-25 | Steven Lei Huang | Frame-shuttered CMOS image sensor with simultaneous array readout |
US7408195B2 (en) * | 2003-09-04 | 2008-08-05 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Semiconductor pixel arrays with reduced sensitivity to defects |
JP2006019927A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Fujitsu Ltd | kTC雑音を低減したCMOSイメージセンサ、同イメージセンサの用いるリセットトランジスタ制御回路、および同制御回路に用いる電圧切替回路 |
JP4252098B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2009-04-08 | 三洋電機株式会社 | 光検出装置 |
JP2009055479A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Corp | イメージセンサ及び電磁波イメージング装置 |
US9473714B2 (en) * | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
US8816285B2 (en) * | 2010-07-26 | 2014-08-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2012105259A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP6132283B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-05-24 | Nltテクノロジー株式会社 | 増幅回路および増幅回路を用いたイメージセンサ |
-
2015
- 2015-04-24 JP JP2015089401A patent/JP6555609B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-20 CN CN201610248171.5A patent/CN106067951B/zh active Active
- 2016-04-22 US US15/135,941 patent/US9712770B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9712770B2 (en) | 2017-07-18 |
JP2016208351A (ja) | 2016-12-08 |
CN106067951A (zh) | 2016-11-02 |
US20160316161A1 (en) | 2016-10-27 |
CN106067951B (zh) | 2020-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6555609B2 (ja) | イメージセンサ | |
CN105282462B (zh) | 图像传感器及其驱动方法 | |
US9401704B2 (en) | Active matrix panel, detection apparatus and detection system | |
US9172951B2 (en) | Test circuit for testing signal receiving unit, image pickup apparatus, method of testing signal receiving unit, and method of testing image pickup apparatus | |
JP6132283B2 (ja) | 増幅回路および増幅回路を用いたイメージセンサ | |
US8618492B2 (en) | Radiation image pickup device | |
JP5847472B2 (ja) | 検出装置及び検出システム | |
US9197824B2 (en) | Image pickup unit, method of driving image pickup unit, and image pickup display system | |
JP2016021445A (ja) | 光電変換装置、および、撮像システム | |
US20130100327A1 (en) | Image pickup unit and image pickup display system | |
US9196647B2 (en) | Image pickup unit and image pickup display system | |
US8822939B2 (en) | Matrix substrate, detection device, detection system, and method for driving detection device | |
JP2016021611A (ja) | 光電変換装置、および、撮像システム | |
JP6062800B2 (ja) | 撮像装置および撮像表示システム | |
US20100214460A1 (en) | Solid-state imaging device | |
TWI611696B (zh) | 固體攝像元件及攝像裝置 | |
JP4316478B2 (ja) | 画像センサおよびその駆動方法、並びに走査駆動器 | |
US10847568B2 (en) | Image sensor and method of driving image sensor | |
JP2023042500A (ja) | 動画x線検出パネル、それを有するx線ディテクター、及びx線ディテクターの駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180301 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6555609 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |