JP6535755B2 - 電子部品を試験する方法 - Google Patents

電子部品を試験する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6535755B2
JP6535755B2 JP2017550757A JP2017550757A JP6535755B2 JP 6535755 B2 JP6535755 B2 JP 6535755B2 JP 2017550757 A JP2017550757 A JP 2017550757A JP 2017550757 A JP2017550757 A JP 2017550757A JP 6535755 B2 JP6535755 B2 JP 6535755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
production line
ray
electronic component
ray apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017550757A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018514760A (ja
Inventor
ブライアント,キース
メルケンス,ベルンハルト
ヴィーンタッペル,マティーアス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yxlon International GmbH
Original Assignee
Yxlon International GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102015005641.7A external-priority patent/DE102015005641A1/de
Application filed by Yxlon International GmbH filed Critical Yxlon International GmbH
Publication of JP2018514760A publication Critical patent/JP2018514760A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6535755B2 publication Critical patent/JP6535755B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/18Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/10Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
    • G06K7/14Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation using light without selection of wavelength, e.g. sensing reflected white light
    • G06K7/1404Methods for optical code recognition
    • G06K7/1408Methods for optical code recognition the method being specifically adapted for the type of code
    • G06K7/14131D bar codes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95638Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • G01N2223/6113Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices printed circuit board [PCB]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/66Specific applications or type of materials multiple steps inspection, e.g. coarse/fine
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10Image acquisition modality
    • G06T2207/10116X-ray image
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30141Printed circuit board [PCB]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、X線放射による自動光学検査(AOI)及び非破壊材料検査(NDT)の両方が行われる、欠陥について電子部品を試験する方法に関する。
本発明の文脈における「電子部品」は、とりわけ、プリント回路基板アセンブリ、例えばマイクロはんだボールのようなエッチング構造を有するウェハ−シリコンスライス、並びに、例えば半導体及びLEDのような電子部品を意味する。
原則として、プリント回路基板アセンブリ(以下、プリント回路基板アセンブリについては、単に回路基板と称する)の試験と、ウエハ又は部品用の受け皿の試験とは、同じである。回路基板の試験とウエハ又は電子部品(例えば、半導体)の試験との違いは、本質的に、該ウエハ又は該部品が固定された所定のホルダ(受け皿の一種)内に明確に位置付けられていることである。このホルダは、例えば、回路基板の矩形形状に類似した矩形のトレー形状であり得る。1つの受け皿の上には、複数のウエハ又は電子構成要素を配置することができる。
簡略化のため、以下では回路基板についてのみ説明する。しかしながら、個々の箇所において明示的に他に述べられていない限り、これらは受け皿に配置されたウエハ又は電子部品に対しても常に等しく適用される。
回路基板を欠陥について試験する際には、生産ライン内の回路基板をAOIにより調査することが知られている。ここでは、回路基板に取り付けられた部品の位置合わせのエラー、又は、回路基板とそこに接続された部品との間のはんだ接続の欠陥が検出される。考えられる欠陥には、例えば、はんだブリッジ、はんだ接合部の欠落、はんだ接合部に空隙があることが含まれる。しかしながら、AOIによる光学検査の間には、発見可能なのは外から目に見える欠陥のみであり、これによって隠れた欠陥を検出することはできない。これらの欠陥を検出できるようにするため、回路基板には、AOIに加えて、X線放射を用いたNDT法が適用される。ここでは、回路基板を損傷することなく、X線透視によって不可視領域が調査される。AOI及びX線NDTの結果の組み合わせから、この後に、回路基板が引き続き生産ラインに留まっていてもよいか、又は、回路基板が不合格品である若しくは再加工される必要があるかについて、決定され得る。
このAOIとX線NDTとの組み合わせ試験は、X線NDT試験装置を生産ライン内に組み込むことによって、又は、生産ラインとは分離して配置することによって行うことができる。組み込まれたX線NDT試験装置を用いた第一の選択例では、保守や修理作業をX線NDT試験装置上で実行する必要がある際に生産ライン全体が停止しているという問題がある。そのうえ、各生産ラインに別々のX線NDT試験装置が必要となるため、生産ライン全体にかかるコストが非常に高くなる。
分離して配置されたX線NDT試験装置を用いた第二の選択例では、2つ以上の生産ラインに単一のX線NDT試験装置が使用可能であるため、生産ライン毎のコストが低くなる。しかしながら、分離したX線NDT検査装置における試験は、回路基板を生産ラインからX線NDT試験装置へと持ち込む必要があると共に、今度は光の代わりにX線を用いて、該装置において基板全体を再検査する必要があるため、時間がかかる。
したがって、本発明の目的は、分離したX線NDT検査装置を備えた第二の選択例のための、X線NDT検査装置における試験時間を短くすることが可能な方法を提供することである。
上記目的は、請求項1の特徴を有する方法によって達成される。本発明に係る方法は、生産ライン内において、AOIの実行中に、電子部品の状態について光による記述ができない領域の座標が決定されることを提供する。このようにして発見された各領域の座標は、関心領域(ROI)と称され、コンピュータへと送信される。該電子部品は、生産ラインから非破壊材料検査用のX線装置(上記にてX線NDT検査装置として言及されたものであり、以下ではX線装置と略記する)へと移送され、ROIのみがX線によって調査される。この目的のため、AOIにて検出されたROIの座標は、コンピュータからX線装置へと送信される。これにより、電子部品全体を(すなわち、AOIによって欠陥について既に検査された領域も)X線によって照射する必要がなくなり、照射する必要があるのはROIすなわち欠陥の存在に関してAOIによる記述ができない領域のみになるため、膨大な時間を節約することができる。その後、ROIのX線調査の結果はコンピュータへと送信されて、それによって、該コンピュータにおいて該結果が追跡され、製造プロセス及び任意の欠陥に関する統計が作成され得る。
本発明の有利な発展形態は、前記電子部品が、前記電子部品を明確に識別可能にする識別子を有しており、該識別子が、自動光学検査を用いた調査が不可能な前記領域の前記座標と共に、前記生産ラインからコンピュータへと送信され、そして前記X線装置へと送信され、前記X線装置にて、前記識別子が検出され、これらのデータが、前記コンピュータへと送信されて、該コンピュータにて、前記データが前記生産ライン及び前記X線装置からの前記識別子と比較されることを提供する。これによって、X線装置内における電子部品の容易かつ明確な位置合わせが可能になり、その結果、AOIにおいて事前に決定されたROIの座標に正確に到達できるようになる。
好ましくは、前記識別子が、前記X線装置にてバーコード読取装置により検出されるバーコードである。これにより、AOIにおいて疑わしいデータが取得された電子部品が、現在X線検査を受けている電子部品と同じものであることについて、簡便かつ確実に保証される。したがって、現在X線装置内に位置している電子部品についての正しいROIが調査されることも保証される。
本発明のさらなる有利な発展形態は、生産ラインとX線装置との前記電子部品の間の前記移送及び前記返還が自動的に行われることを提供する。したがって、電子部品を生産ラインから手作業で取り出し、電子部品を生産ラインからX線装置へと搬送すると共に、該X線装置内に手作業で挿入して位置合わせすることに起因する、全ての失敗の原因が排除される。
本発明のさらなる有利な発展形態は、自動光学検査を用いた調査が不可能な前記領域の前記座標が、前記電子部品の明確な特徴を有する位置、例えば、回路基板若しくは受け皿の角又は特徴的な穴を有する位置に関して決定されることを提供する。好ましくは、前記電子部品の位置合わせは、前記X線装置内において、前記電子部品の前記明確な特徴の位置に関連して行われる。これにより、AOI内の座標に基づいて、ROIへと正確に到達することが確実に可能になる。
本発明のさらなる有利な発展形態は、前記X線装置における前記調査によって、確認された欠陥のタイプが得られ、この情報を用いて、前記欠陥のタイプを回避するように前記生産ラインにおいてプロセスの制御が行われることを提供する。そのため、欠陥が単独で発生しただけのものではないが、そのような欠陥の傾向を確認することができる場合において、製造プロセスに介入することが可能となる。したがって、高い不良率が回避され、製造コストが低減される。
好ましくは、前記電子部品は、プリント回路基板アセンブリ、例えばマイクロはんだボールの形態のようなエッチング構造を備えた(シリコン)ウエハ、又は、例えば半導体若しくはLEDのような電子部品である。
本発明のさらなる有利な発展形態は、開放型マイクロフォーカス管、特に、10ワットを超えるターゲット出力を備えた開放型マイクロフォーカス管が使用されることを提供する。X線装置において開放型マイクロフォーカス管を使用することにより(およそ3〜10μmの不良検出能を特徴とする従来の密閉型マイクロフォーカス管を使用する場合とは異なり)、0.1μmまでの詳細な検出能が得られる。さらなる有利な効果により、高いターゲット出力を備える開放型マイクロフォーカス管が得られ(密閉型マイクロフォーカス管の場合における最大3ワットの平均とは異なり、特定の製造元は既に最大15ワットのターゲット出力を有するX線管を提供している)、例えばはんだボールにおける気孔率について、実質的により優れた不良検出能が可能になる。これは、例えば、特定の電子部品のような低コントラストの試験対象物の場合には、特に当てはまる。電子部品のインライン試験における現在のイメージングX線NDTシステムは、主に密閉型のチューブを使用しているため、本明細書に記載される不良のいくつかが認識されない又は正しく認識されないことによって、不良率が上昇したり、最悪の場合、製品の不良が見逃されたりする可能性がある。
本発明の更なる利点及び詳細は、図に示される実施形態の例を参照して、以下に説明される。簡略化のために、回路基板の試験のみについて、明示的に説明する。他の電子部品、例えばウエハ又は電子部品のようなものについては、他に明示的に記載されていない限り、以下の説明が同様に適用される。
図1は、本発明に係る方法のフローチャートである。
図1は、回路基板を試験するための本発明に係る方法の実施形態の例のフローチャートを示す。上の四角内にはAOIシステムの各ステップが、中央の四角内には(NDT)X線装置の各ステップが、下の四角内には試験される回路基板にて何が起こるかを決定するための各ステップが示されている。
生産ライン内でのAOI試験の範囲内における上の四角内の最初のステップは、回路基板における以前のAOI試験の結果である。ここでは、回路基板上の領域は、光によるAOI調査の範囲内では回路基板の欠陥の有無について記述することができないと決定されている。これは、例えばX線画像でしか検出できない隠れた不良のような、いくつかの理由がある場合であり得る。AOIにおいて典型的に検出不能な不良は、例えば、はんだブリッジ内の空隙や、マイクロチップのような部品と回路基板との間のはんだ接続の接触が閉じていないことである。マイクロチップのような電子部品において典型的に検出不能な不良は、マイクロはんだボール内の空隙である。ウエハにおける典型的な不良は、例えばマイクロはんだボール形状の不完全なエッチング構造である。
上の四角内における次のステップでは、AOIによって回路基板の調査を行うことができないこれらの領域の座標が、コンピュータ内のデータベースへと転送される。転送されるデータには、回路基板に取り付けられ、テストされる回路基板の明確な識別が可能なバーコードに関する情報と、回路基板に割り当てられたID番号とが含まれる。また、上記領域の座標(回路基板の面又はそれに平行な面内のx/y座標)が送信される。これらの座標は、回路基板上の明確な識別が可能な点、例えば、回路基板の角の1つ又は回路基板の特徴的な穴の1つに関する。存在する場合には、CADデータもまた参照され得る。試験対象が回路基板ではなくウエハ又は電子部品である場合には、受け皿全体が、受け皿上に配置されたバーコードを受け取る。受け皿上に存在し得る個々の部品の同定は、例えば、受け皿上でのソフトウェアによる自動通し番号付与によって行うことができる。
上の四角内における最後のステップとして、回路基板が生産ラインから生産ライン外側に配置されたX線装置内へと移動される。このX線装置では特に蛍光透視法によってNDT法が実行されるが、必要に応じて種々異なる生産ラインからの回路基板を試験するために該X線装置を使用することができる。生産ラインからの回路基板の移送は、手作業による、又は、生産ラインから自動的に取り出して回路基板をX線装置内に自動的に搬送することによる、いずれかの方法で行うことができる。
中央の四角内には、X線装置においてNDT検査の範囲内で実行されるステップが示されている。
第1のステップでは、コンピュータのデータベースからの回路基板の試験に必要な情報が、X線装置へと転送される。この情報には、既に上述した回路基板のID番号、回路基板のバーコード及びAOI方法が実行できなかった領域の座標が含まれる。X線装置における回路基板の位置決めは、例えば回路基板の角の1つ、回路基板における特徴的な穴又は回路基板のCADデータのような、既に上述した回路基板上の明確な参照点を参照して行われる。
中央の四角内における第2のステップでは、回路基板のバーコードが、バーコードスキャナによって走査され、その後にデータベースからの情報と比較される。一致していないことが確認された場合、読み出し不良をチェックするために走査が繰り返される。万一、誤った回路基板が供給されていた場合には、その回路基板は試験プロセスから取り除かれる。一致していた場合、コンピュータのデータベースから送信された、AOI法では欠陥の存在についての記述ができなかった領域の座標に取りかかる。これらの各領域において、X線による透視がNDT法の範囲で行われる。NDT法は、回路基板全体に対してではなく、以前にAOI法によって決定された領域に対してのみ実行されるため、NDT試験に必要な時間が大幅に短縮される。試験対象が回路基板ではなくウエハ又は電子部品である場合には、受け皿全体の識別は、受け皿のバーコードを介して行われる。受け皿上に存在し得る個々の部品の同定は、既に上述したように、受け皿上でのソフトウェアによる自動通し番号付与によって行うことができる。
中央の四角内における最後から2番目のステップでは、別のタイプの検査の1つが示されている:オペレータは目視検査を行い、調査されたばかりの領域内に欠陥があるかどうかを判断すると共に、任意には、例えばはんだブリッジ内の欠陥、はんだ接続内の空隙又は回路基板のはんだボールと部品との接触の欠落など、どのタイプの欠陥が存在するかを判断する。
これらの結果(すなわち、試験されたそれぞれの領域における調査結果に関する修正された記述)には、とりわけ欠陥が存在するか否かについての記述、並びに、X線画像及び回路基板のID番号を含まれるが、これらの結果は、中央の四角内における最後のステップに基づき、コンピュータのデータベースに送信されて、該データベースに保存される。オペレータによる検査の代わりに、自動欠陥認識(ADR)を実行することも可能であり、その場合には、オペレータによる関与の必要なく上述の結果が取得される。その後、これらの結果は、オペレータの関わる手続きと同じように、データベースへと送信される。
データベースに含まれるデータであって、回路基板に関するデータは、下の四角内に示される各ステップに使用される。第1のステップでは、回路基板に関するNDT法からの上述のデータが、コンピュータのデータベースからプロセス制御システムへと送信される。このプロセス制御システムは、その後第2のステップにおいて、回路基板が生産ラインに戻され得ると共に生産が続けられる程度には回路基板が正常であるかどうかについて判断を行う(欠陥が小さければ、回路基板のユーザビリティの点ではまだおそらく肯定的な結果につながり得る)。この場合には、本発明に係る試験方法は、回路基板を生産ラインへと戻すことによって終了する。
発見された欠陥が非常に深刻で回路基板が使用不可能な場合には、回路基板は完全に使用できない(すなわち、不合格品である)か、再加工する必要があるかのいずれかと判断される。再加工が必要な場合は、原則として、後ほど回路基板が生産ラインに戻され得るかどうかを判断するため、再加工後に本発明に係る方法が再び行われる。
X線装置において開放型マイクロフォーカス管を使用することにより(およそ3〜10μmの不良検出能を特徴とする従来の密閉型マイクロフォーカス管を使用する場合とは異なり)、0.1μmまでの詳細な検出能が得られる。このことは、特に10ワットを超えるターゲット出力の場合に適用される。15ワットの高いターゲット出力を備える開放型マイクロフォーカス管によって、(密閉型マイクロフォーカス管の場合における最大3ワットの平均とは異なり)、例えばはんだボールにおける気孔率について、実質的により優れた不良検出能が得られる。これは、例えば、特定の電子部品のような低コントラストの試験対象物の場合には、特に当てはまる。電子部品のインライン試験における現在のイメージングX線NDTシステムは、主に密閉型のチューブを使用しているため、本明細書に記載される不良のいくつかが認識されない又は正しく認識されないことによって、不良率が上昇したり、最悪の場合、製品の不良が見逃されたりする可能性がある。本発明により、明確な改良又は改善がここに達成される。

Claims (9)

  1. 電子部品を欠陥について試験する方法であって、
    回路基板に取り付けられた部品の位置合わせのエラー、及び、回路基板と該回路基板に接続された部品との間のはんだ接続の欠陥に関して、生産ライン内の前記電子部品を自動光学検査によって調査するステップと、
    ・自動光学検査を用いた調査が不可能な領域の座標を決定するステップと、
    ・これらの領域の前記座標を前記生産ラインからコンピュータへと送信するステップと、
    ・前記電子部品を前記生産ラインから前記生産ラインの外側に配置されたX線装置であって、電子部品のインライン試験におけるイメージングX線NDTシステムにおける非破壊材料検査用のX線装置へと移送するステップと、
    ・前記領域の前記座標を前記コンピュータから該X線装置へと送信するステップと、
    ・自動光学検査を用いた調査が不可能な領域内においてのみ、前記電子部品を前記X線装置を用いて調査するステップと、
    ・X線装置における調査の結果を前記コンピュータへと送信するステップと、
    ・前記電子部品に欠陥がないことが前記結果により示された場合には、前記電子部品を前記生産ラインへと返還するステップと
    を備えた、方法。
  2. 前記電子部品が、前記電子部品を明確に識別可能にする識別子を有しており、該識別子が、自動光学検査を用いた調査が不可能な前記領域の前記座標と共に、前記生産ラインからコンピュータへと送信され、そして前記コンピュータから前記X線装置へと送信され、前記X線装置にて、前記識別子が検出され、これらのデータが、前記コンピュータへと送信されて、該コンピュータにて、前記データが前記生産ライン及び前記X線装置からの前記識別子と比較される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記識別子が、前記X線装置にてバーコード読取装置により検出されるバーコードである、請求項2に記載の方法。
  4. 生産ラインとX線装置との間における前記電子部品の前記移送及び/又は前記返還が自動的に行われる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 自動光学検査を用いた調査が不可能な前記領域の前記座標が、回路基板若しくは受け皿の角の形態又は特徴的な穴の形態をした前記電子部品の明確な特徴を有する位置に関して決定される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記電子部品又は前記受け皿の位置合わせが、前記X線装置内において、前記回路基板の前記明確な特徴の位置に関連して行われる、請求項5に記載の方法。
  7. 前記X線装置における前記調査によって、確認された欠陥のタイプが得られ、この情報を用いて、前記欠陥のタイプを回避するように前記生産ラインにおいてプロセスの制御が行われる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記電子部品は、プリント回路基板アセンブリ、エッチング構造及びマイクロはんだボールを備えたウエハ、又は、半導体若しくはLEDの形態をした電子部品である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 前記X線装置において、10ワットを超えるターゲット出力を備えた開放型マイクロフォーカス管が使用される、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
JP2017550757A 2015-04-15 2016-04-14 電子部品を試験する方法 Active JP6535755B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015004650 2015-04-15
DE102015004650.0 2015-04-15
DE102015005641.7 2015-05-05
DE102015005641.7A DE102015005641A1 (de) 2015-05-05 2015-05-05 Verfahren zum Prüfen eines elektronischen Bauteils
PCT/EP2016/000612 WO2016165828A1 (de) 2015-04-15 2016-04-14 Verfahren zum prüfen eines elektronischen bauteils

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018514760A JP2018514760A (ja) 2018-06-07
JP6535755B2 true JP6535755B2 (ja) 2019-06-26

Family

ID=55808541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017550757A Active JP6535755B2 (ja) 2015-04-15 2016-04-14 電子部品を試験する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10571413B2 (ja)
JP (1) JP6535755B2 (ja)
KR (1) KR102121521B1 (ja)
CN (1) CN107592910B (ja)
HK (1) HK1244057A1 (ja)
TW (1) TW201643411A (ja)
WO (1) WO2016165828A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2574188B (en) * 2018-04-11 2022-03-09 E M & I Maritime Ltd Inspection of hazardous area equipment
US11188792B2 (en) 2020-01-07 2021-11-30 International Business Machines Corporation Defect detection using multiple models
KR20220133575A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 스템코 주식회사 광학 검사 장치
CN113252686B (zh) * 2021-05-13 2021-12-17 中科长光精拓智能装备(苏州)有限公司 一种电子元件邦定方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2440146C3 (de) * 1974-08-21 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Röntgenuntersuchungsgerät mit einer Schichtaufnahmeeinrichtung
US4365895A (en) * 1980-12-03 1982-12-28 Probex, Inc. Method, apparatus and film strip of particular design for rapid test of a film processor
EP0512620A3 (en) * 1991-05-07 1995-07-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray analysis apparatus
IL101063A (en) * 1992-02-25 1995-03-30 Orbotech Ltd Verification and repair station for pcbs
JPH05329753A (ja) * 1992-05-26 1993-12-14 Hitachi Ltd 自動生産ライン設備制御方式
JP3309322B2 (ja) * 1992-08-21 2002-07-29 富士通株式会社 プリント基板検査システム
JPH0635225U (ja) * 1992-10-20 1994-05-10 富士通テン株式会社 立体交差型生産ライン
JPH07306165A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Toshiba Corp X線検査装置およびx線検査補修装置
US5963662A (en) * 1996-08-07 1999-10-05 Georgia Tech Research Corporation Inspection system and method for bond detection and validation of surface mount devices
JP3883153B2 (ja) * 1998-04-10 2007-02-21 松下電器産業株式会社 X線基板検査装置
JPH11330178A (ja) * 1998-05-13 1999-11-30 Advantest Corp 表面検査装置および方法
JP2991204B2 (ja) * 1998-12-25 1999-12-20 株式会社日立製作所 検査装置
JP3643722B2 (ja) * 1999-03-25 2005-04-27 株式会社テクノエナミ X線検査方法及びその装置
CA2296143A1 (fr) * 2000-01-18 2001-07-18 9071 9410 Quebec Inc. Systeme d'inspection optique
SE0000314D0 (sv) * 2000-01-31 2000-01-31 Astrazeneca Ab Apparatus and method for analysing
US6725115B2 (en) * 2000-05-08 2004-04-20 Teradyne, Inc. Dynamic testing of electronic assemblies
AU2001270952A1 (en) * 2000-06-30 2002-01-14 Ilan Makmel Probe, systems and methods for integrated circuit board testing
US20040004482A1 (en) * 2002-04-18 2004-01-08 Photon Dynamics, Inc. Industrial inspection using combination of functional testing and structural inspection
US7042564B2 (en) * 2002-08-08 2006-05-09 Applied Materials, Israel, Ltd. Wafer inspection methods and an optical inspection tool
US6895565B2 (en) * 2002-10-08 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Methods for predicting board test coverage
US6903360B2 (en) * 2002-10-16 2005-06-07 Agilent Technologies, Inc. Method for detecting missing components at electrical board test using optoelectronic fixture-mounted sensors
AU2004281449B2 (en) * 2003-08-06 2010-12-16 Bridger Technologies, Inc. Bridged element for detection of a target substance
US7015492B2 (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Asm International N.V. Method and apparatus for mapping of wafers located inside a closed wafer cassette
WO2005036148A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-21 Mirtec Co., Ltd. Printed circuit board inspection system combining x-ray inspection and visual inspection
US7492449B2 (en) * 2004-04-12 2009-02-17 Georgia Tech Research Corporation Inspection systems and methods
US7366321B2 (en) * 2004-06-18 2008-04-29 Agilent Technologies, Inc. System and method for performing automated optical inspection of objects
JP2006189281A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置及び表面検査方法
US7705267B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-27 Jon Heyl Semiconductor failure analysis tool
CN100514348C (zh) * 2005-08-05 2009-07-15 深圳普诺玛商业安全设备有限公司 一种屠宰生产线识别及控制***及其识别方法
JP4746991B2 (ja) * 2006-01-17 2011-08-10 株式会社サキコーポレーション 被検査体の検査装置
CN101370711A (zh) * 2006-01-17 2009-02-18 诺瓦提斯公司 检测封装中是否存在眼用透镜的方法和装置
KR20070081282A (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 검사 장치
GB2438439A (en) * 2006-05-27 2007-11-28 X Tek Systems Ltd An automatic x-ray inspection system
US20080083816A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-10 Leinbach Glen E Statistical process control of solder paste stenciling using a replicated solder paste feature distributed across a printed circuit board
TWI310983B (en) * 2006-10-24 2009-06-11 Au Optronics Corp Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof
US7991214B1 (en) * 2007-04-18 2011-08-02 Avaya Inc. Method to enhance X-ray and optical images and locate nano-scale cracks in electric devices and components
WO2009093341A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Toppan Printing Co., Ltd. 検査方法及び検査装置
GB0905006D0 (en) * 2009-03-24 2009-05-06 Rawlinson Paul Testing and mounting IC's on PCB's
JP4883131B2 (ja) * 2009-04-17 2012-02-22 パナソニック株式会社 電子部品実装方法
JP2011018696A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Ltd 電子部品組立生産システム
CN101759139B (zh) * 2009-12-10 2013-06-12 江苏大学 Mems微器件的表面改性处理方法及装置
GB201019537D0 (en) * 2010-11-18 2010-12-29 20X20 Vision Ltd PCB reflow inspection angled measurement
JP2012184936A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Shimadzu Corp X線検査装置
CN102313744A (zh) * 2011-03-29 2012-01-11 上海华碧检测技术有限公司 一种pcb板失效分析方法
WO2012174232A2 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 New York University Methods of identifying original and counterfeit articles using micro x-ray diffraction mapping
US20140010952A1 (en) * 2012-01-02 2014-01-09 Noam ROSENSTEIN Pcb repair of defective interconnects by deposition of conductive ink
JP5912553B2 (ja) * 2012-01-12 2016-04-27 ヤマハ発動機株式会社 プリント基板の複合検査装置
JP5776605B2 (ja) * 2012-03-30 2015-09-09 オムロン株式会社 基板検査結果の分析作業支援用の情報表示システムおよび分析作業の支援方法
CN102682166B (zh) * 2012-05-09 2014-01-15 上海望友信息科技有限公司 Smt设备快速制程***及方法
US9612284B2 (en) * 2012-08-27 2017-04-04 Futurewei Technologies, Inc. System and method for hybrid board-level diagnostics
JP5720028B1 (ja) * 2013-10-03 2015-05-20 株式会社 システムスクエア 包装体の検査装置
KR101890281B1 (ko) * 2016-08-18 2018-08-22 한국과학기술원 볼 그리드 어레이형 반도체 칩 패키지의 검사 방법
US10586318B2 (en) * 2016-10-07 2020-03-10 Raytheon Company Automated model-based inspection system for screening electronic components

Also Published As

Publication number Publication date
US20180136145A1 (en) 2018-05-17
KR102121521B1 (ko) 2020-06-29
WO2016165828A1 (de) 2016-10-20
TW201643411A (zh) 2016-12-16
HK1244057A1 (zh) 2018-07-27
CN107592910B (zh) 2021-08-13
KR20170136634A (ko) 2017-12-11
JP2018514760A (ja) 2018-06-07
US10571413B2 (en) 2020-02-25
CN107592910A (zh) 2018-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8976348B2 (en) Wafer inspection system
JP6535755B2 (ja) 電子部品を試験する方法
TWI665443B (zh) 自動光學檢測系統及其操作方法
KR100882252B1 (ko) 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법
KR101747852B1 (ko) 인쇄회로기판 코팅 검사장치 및 그 검사방법
JP2010239041A (ja) 半導体ウエーハ外観検査装置の検査条件データ生成方法及び検査システム
JP2014095707A (ja) 基板検査方法
JP2010271165A (ja) プリント基板の検査装置
KR101654825B1 (ko) 기판의 밀집 검사 부위의 엑스레이 검사 방법
JP2010127748A (ja) 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法
TWI759479B (zh) 基板搬出方法
US10297043B2 (en) Detector for detecting position of IC device and method for the same
KR101802843B1 (ko) 자동 비전 검사 시스템
KR20150084623A (ko) 회로기판의 블라인드 비아홀 내의 결함의 검사장치, 검사시스템 및 그 검사방법
US20080205746A1 (en) Method of inspecting an identification mark, method of inspecting a wafer using the same, and apparatus for performing the method
JP6092602B2 (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
KR20180010307A (ko) 설계를 사용한 사전 층 결함 사이트 검토
JP2002267615A (ja) 欠陥検出方法及びその装置
US20150219709A1 (en) Remotely aligned wafer probe station for semiconductor optical analysis systems
JP2008186879A (ja) 基板検査方法
JP6387620B2 (ja) 品質管理システム
JP6917959B2 (ja) 電子部品の検査装置および電子部品の検査方法
US6944573B2 (en) Method and apparatus for the analysis of scratches on semiconductor wafers
KR20060039369A (ko) 웨이퍼 로트 아이디 검사방법
JP2005134204A (ja) 特性検査装置、特性検査方法および特性検査プログラム

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180702

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6535755

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250