JP6532835B2 - 基板処理装置及び基板処理方法並びに記録媒体 - Google Patents
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Description
(1)基板を乾燥するための乾燥処理を行う乾燥処理部と、前記乾燥処理部の動作を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記乾燥処理部は、
前記基板を収容するチャンバと、
ハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を貯留する貯留部を有し、前記基板に対して前記超臨界処理用液を供給する超臨界処理用液供給部と、
前記チャンバ内を加熱する加熱部と、
前記チャンバ内の流体を前記チャンバから排出する排出部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板が前記チャンバ内に収容される前又は収容された後に、前記基板に対して前記超臨界処理用液供給部により前記超臨界処理用液が供給され、次いで、前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内が前記加熱部により加熱されることにより、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液が超臨界流体又は亜臨界流体に変化し、次いで、前記超臨界流体又は前記亜臨界流体が前記チャンバから前記排出部により排出されるように、前記超臨界処理用液供給部、前記加熱部及び前記排出部を制御する、前記基板処理装置。
(2)前記ハイドロフルオロオレフィンがハイドロクロロフルオロオレフィンである、(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記乾燥処理部が、前記排出部により排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給するリサイクル部をさらに備える、(1)又は(2)に記載の基板処理装置。
(4)前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を調整する濃度調整部をさらに備え、
前記制御部は、前記リサイクル部により再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度が所定濃度に調整されるように、前記リサイクル部及び前記濃度調整部を制御する、(3)に記載の基板処理装置。
(5)前記乾燥処理部は、前記基板を保持した状態で前記チャンバの外部位置と前記チャンバの内部位置との間を移動する基板保持部をさらに備え、
前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置又は前記内部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御する、(1)又は(2)に記載の基板処理装置。
(6)前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御し、
前記乾燥処理部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記排出部により排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給するリサイクル部をさらに備える、(5)に記載の基板処理装置。
(7)前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を調整する濃度調整部をさらに備え、
前記制御部は、前記リサイクル部により再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度が所定濃度に調整されるように、前記リサイクル部及び前記濃度調整部を制御する、(6)に記載の基板処理装置。
(8)前記超臨界処理用液が、前記ハイドロフルオロオレフィンよりも沸点の高い有機溶媒を含む、(1)〜(7)のいずれかに記載の基板処理装置。
(9)前記超臨界処理用液が供給される前の前記基板の表面に、前記基板の乾燥を防止するための乾燥防止液が液盛りされており、
前記乾燥防止液が有機溶媒を含み、
前記乾燥防止液に含まれる前記有機溶媒と、前記超臨界処理用液に含まれる前記有機溶媒とが、同一種類である、(8)に記載の基板処理装置。
(10)前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を冷却する冷却部をさらに備える、(1)〜(9)のいずれかに記載の基板処理装置。
(a)前記基板を前記チャンバ内に収容する前又は収容した後に、前記基板に対して、貯留部に貯留されているハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を供給する工程、
(b)前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内を加熱し、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液を超臨界流体又は亜臨界流体に変化させる工程、
(c)前記超臨界流体又は前記亜臨界流体を前記チャンバから排出する工程
を含む、前記基板処理方法。
(12)前記ハイドロフルオロオレフィンがハイドロクロロフルオロオレフィンである、(11)に記載の基板処理方法。
(13)前記工程(c)において排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する工程をさらに含む、(11)又は(12)に記載の基板処理方法。
(14)再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を所定濃度に調整する工程をさらに含む、(13)に記載の基板処理方法。
(15)前記工程(a)において、前記基板を前記チャンバ内に収容する前に、前記基板に対して、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を供給し、
前記工程(a)において前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記工程(c)において排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する工程をさらに含む、(11)又は(12)に記載の基板処理方法。
(16)再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を所定濃度に調整する工程をさらに含む、(15)に記載の基板処理方法。
(17)前記超臨界処理用液が、ハイドロフルオロオレフィンよりも沸点の高い有機溶媒を含む、(11)〜(16)のいずれかに記載の基板処理方法。
(18)前記超臨界処理用液が供給される前の前記基板の表面に、前記基板の乾燥を防止するための乾燥防止液が液盛りされており、
前記乾燥防止液が有機溶媒を含み、
前記乾燥防止液に含まれる前記有機溶媒と、前記超臨界処理用液に含まれる前記有機溶媒とが、同一種類である、(17)に記載の基板処理方法。
(19)前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を冷却する工程をさらに含む、(11)〜(18)のいずれかに記載の基板処理方法。
<基板処理装置の構成>
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について図1を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。
次に、基板処理部2の構成について図2を参照して説明する。図2は、基板処理部2の構成を示す概略平面図である。なお、図2中の点線は基板を表す。
次に、洗浄処理部4の構成について図3を参照して説明する。図3は、洗浄処理部4の構成を示す概略断面図である。
次に、乾燥処理部5の構成について図4〜図6を参照して説明する。図4は、乾燥処理部5の構成を示す概略斜視図であり、図5及び図6は、乾燥処理部5の構成を示す概略断面図である。
=CHF、CH2Cl−CF=CF2、CF3−CCl=CH2等が挙げられる。市販のハイドロフルオロオレフィン(ハイドロクロロフルオロオレフィンを含む)としては、例えば、三井・デュポンフロロケミカル株式会社製HFO DR2(沸点33.4℃、臨界温度172℃、臨界圧力2.9MPa、GWP<10、IPA混和可能)、三井・デュポンフロロケミカル株式会社製HFO DR12(沸点10℃、臨界温度138℃、臨界圧力3.0MPa、GWP32)、三井・デュポンフロロケミカル株式会社製HFO OPTEON1234yf(沸点−29℃、臨界温度95℃、臨界圧力3.4MPa、GWP4)、セントラル硝子株式会社製CCK−1105(沸点18.4℃、臨界温度167℃、臨界圧力3.6MPa、GWP1、IPA混和可能)、セントラル硝子株式会社製HCFO CGS−4(沸点39℃、臨界温度及び圧力はDR2より高い、GWP4、IPA混和可能)等が挙げられる。
以下、基板処理装置1により実施される基板処理方法について説明する。基板処理装置1によって実施される基板処理方法は、基板W1を洗浄するための洗浄工程と、洗浄工程後の基板W2を乾燥するための乾燥工程とを含む。洗浄工程は洗浄処理部4により実施され、乾燥工程は乾燥処理部5により実施される。洗浄処理部4の動作及び乾燥処理部5の動作は、制御部3によって制御される。
まず、基板W1が洗浄処理部4へ搬入される。この際、搬送機構213は、載置部211に載置されたキャリアCから基板W1を取り出し、取り出した基板W1を受渡部214に載置する。搬送機構222は、受渡部214に載置された基板W1を取り出し、取り出した基板W1を洗浄処理部4へ搬入する。
次いで、基板保持部42に保持された基板W1に対して、洗浄処理部4による洗浄工程が行われる。
洗浄工程後、基板保持部42に保持された基板W1に対して、洗浄処理部4によるリンス工程が行われる。
リンス工程後、基板保持部42に保持された基板W1に対して、洗浄処理部4による乾燥防止液供給工程が行われる。
洗浄処理部4による基板処理終了後の基板W2は、その表面に液盛りされた乾燥防止液L3により湿潤状態となっており、この湿潤状態を維持したまま、洗浄処理部4から搬出され、乾燥処理部5へ搬入される。この際、搬送機構222は、洗浄処理部4から基板W2を取り出し、取り出した基板W2を乾燥処理部5の乾燥処理チャンバ500内へ搬入する。搬送機構222は、冷却機構、蓋機構等により、搬送中の基板W2から、基板W2の表面に液盛りされた乾燥防止液L3が蒸発(気化)することを防止することが好ましい。
基板W2を保持する基板保持部531が超臨界処理チャンバ510の外部位置に位置するときに(すなわち、基板W2を超臨界処理チャンバ510内に収容する前に)、第1の超臨界処理用液供給部57aは、基板保持部531に保持された基板W2に対して超臨界処理用液Gを供給する。第1の超臨界処理用液供給部57aは、例えば、基板保持部531に保持された基板W2が超臨界処理用液Gに浸漬された状態となるまで、又は、基板保持部531に保持された基板W2の表面に超臨界処理用液Gが液盛りされた状態となるまで、超臨界処理用液Gを供給する。
基板W2に対して超臨界処理用液Gが供給された後、超臨界処理チャンバ510の開口部512を通じて、基板保持部531を超臨界処理チャンバ510の外部位置から、超臨界処理チャンバ510の内部位置に移動させ、基板W2を基板保持部531に保持された状態のまま超臨界処理チャンバ510内に収容する。基板保持部531が超臨界処理チャンバ510の内部位置に移動すると、蓋部材532により開口部512が封止され超臨界処理チャンバ510内が密閉される。
乾燥工程後、基板W3を乾燥処理部5から搬出する。この際、搬送機構222は、乾燥処理部5から基板W3を取り出し、取り出した基板W3を受渡部214に載置し、搬送機構213は、受渡部214に載置された基板W3を取り出し、載置部211のキャリアCへ収容する。
基板W2を保持する基板保持部531が超臨界処理チャンバ510の外部位置に位置するときに(すなわち、基板W2を超臨界処理チャンバ510内に収容する前に)、第1の超臨界処理用液供給部57aが、基板保持部531に保持された基板W2に対して超臨界処理用液Gを供給する際又は供給した後、乾燥処理チャンバ500内の流体は、リサイクル部58の排出ライン581を通じて排出される。これにより、基板保持部531が超臨界処理チャンバ510の外部位置に位置するときに、基板保持部531に保持された基板W2に対して供給された超臨界処理用液Gから蒸発した気体は、液体再生器583に供給される。液体再生器583に供給される気体の量は、排出ライン581に介設されたバルブ等の流量調整器582により調整される。液体再生器583は、供給された気体から液体Rを再生する。再生された液体Rは、排出部54により排出された流体から再生された液体Rとともに、貯留部572a及び/又は572bに供給される。
再生された液体Rが貯留部572a及び/又は572bに供給された後、貯留部572a及び/又は572bに貯留されている超臨界処理用液Gの濃度は、濃度調整部59により調整される。具体的には、濃度調整部59は、超臨界処理用液Gの原液Hを貯留する貯留部591から、バルブ等の流量調整器592が介設された供給管路593を通じて、貯留部572aへ原液Hを供給することにより、貯留部572aに貯留されている超臨界処理用液Gの濃度を調整する。また、濃度調整部59は、超臨界処理用液Gの原液Hを貯留する貯留部591から、バルブ等の流量調整器594が介設された供給管路595を通じて、貯留部572bへ原液Hを供給することにより、貯留部572bに貯留されている超臨界処理用液Gの濃度を調整する。貯留部572a及び572bでは、濃度調整部59から供給された原液Hと、リサイクル部58から供給された液体Rとが混合されることにより、超臨界処理用液Gが新たに調製される。この際、制御部3は、貯留部572aに貯留されている超臨界処理用液Gの濃度を所定濃度に調整するために、濃度測定部575aで測定されたハイドロフルオロオレフィン濃度(超臨界処理用液Gがハイドロフルオロオレフィンに加えて有機溶媒を含む場合、ハイドロフルオロオレフィン濃度及び有機溶媒濃度)に基づいて、原液Hの流量を流量調整器592により、液体Rの流量を流量調整器585により調整する。また、制御部3は、貯留部572bに貯留されている超臨界処理用液Gの濃度を所定濃度に調整するために、濃度測定部575bで測定されたハイドロフルオロオレフィン濃度(超臨界処理用液Gがハイドロフルオロオレフィンに加えて有機溶媒を含む場合、ハイドロフルオロオレフィン濃度及び有機溶媒濃度)に基づいて、原液Hの流量を流量調整器594により、液体Rの流量を流量調整器587により調整する。
凸部及び凹部から構成された凹凸パターンが表面に形成されたシリコンウェハを、脱イオン水(DIW)及びイソプロピルアルコール(IPA)に順次浸漬した後、取り出した。取り出したシリコンウェハを、試験管中のIPA約2.5mLに浸漬した後、試験管にパーフルオロカーボン(住友スリーエム株式会社製フロリナート(登録商標)FC−72)約23mLを添加した。FC−72の添加後、試験管をチャンバに投入し、チャンバ内で超臨界処理を行った。超臨界処理は、チャンバ内の温度及び圧力をそれぞれ230℃及び2.8MPaに20分間保持することにより行った。なお、230℃は、FC−72の臨界温度(175℃)以上の温度であり、2.8MPaは、FC−72の臨界圧力(1.9MPa)以上の圧力である。超臨界処理後、チャンバ内を減圧し、試験管からシリコンウェハを取り出した。
・チャンバ内の液体がその臨界温度に到達すること。
・チャンバ内の液体全体が超臨界流体、亜臨界流体又は気体に変化すること。
・超臨界処理後、チャンバ内を低速(2MPa/分)で減圧すること。
以下の実施例及び比較例は、参考例1で得られた条件に従って行った。
凸部及び凹部から構成された凹凸パターンが表面に形成されたシリコンウェハを、脱イオン水(DIW)及びイソプロピルアルコール(IPA)に順次浸漬した後、取り出した。取り出したシリコンウェハを、試験管中のIPA約2.5mLに浸漬した後、試験管にハイドロクロロフルオロオレフィン(HCFO)約23mLを添加した。使用したHCFOは、セントラル硝子株式会社製CCK−1105である。CCK−1105の一般名は、トランス−1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペン((E)−CF3CH=CHCl)であり、その別名は、HCFO−1233zdEである。CCK−1105の沸点は18.4℃、臨界温度は167℃、臨界圧力は3.6MPa、GWPは1であり、室温及び大気圧付近の圧力(0.2MPa)下で液体状であり、IPAと混和可能である。CCK−1105の添加後、試験管をチャンバに投入し、チャンバ内で超臨界処理を行った。超臨界処理は、チャンバ内の温度及び圧力をそれぞれ200℃及び4.8MPaに20分間保持することにより行った。IPA及びCCK−1105の混合液(IPA:CCK−1105=1:10(体積比))の臨界温度(計算値)は182℃、臨界圧力(計算値)は4MPaである。超臨界処理後、チャンバ内を減圧し、試験管からシリコンウェハを取り出した。超臨界処理後、走査型電子顕微鏡(SEM)により、シリコンウェハ表面の凹凸パターンの状態を観察し、凹凸パターンの倒壊率(倒壊した凹凸パターン/全ての凹凸パターン×100)を算出した。その結果、凹凸パターンの倒壊率は0.8%であった。
実施例2では、CCK−1105を単独で使用する場合と、IPA及びCCK−1105の混合液を使用する場合との間で、凹凸パターンの倒壊防止効果の違いを確認した。
チャンバ内の温度及び圧力として、(a)164℃及び3MPa、(b)171℃及び3.6MPa、(c)182℃及び4.2MPa、(d)192℃及び4.5MPa、(e)200℃及び4.8MPa、(f)155℃及び2.5MPa、(g)147℃及び1.8MPaを採用した点を除き、実施例2の(1)と同様の操作を行った。その結果、凹凸パターンの倒壊率は、(a)では2.4%、(b)では1.2%、(c)では0.4%、(d)では2.6%、(e)では1.8%、(f)では97.3%、(g)では100%であった。IPA及びCCK−1105の混合液(IPA:CCK−1105=1:10(体積比))の臨界温度(計算値)は182℃、臨界圧力(計算値)は4MPaであることを考慮すると、(a)〜(e)の条件では、IPA及びCCK−1105の混合液が超臨界流体又は亜臨界流体に変化することができるので、凹凸パターンの倒壊防止効果が高い。これに対して、(f)及び(g)の条件では、IPA及びCCK−1105の混合液が超臨界流体又は亜臨界流体に変化することができないので、凹凸パターンの倒壊防止効果が低い。
CCK−1105の代わりに市販のハイドロフルオロオレフィン(以下「ハイドロフルオロオレフィンA」という)を使用した点、及び、チャンバ内の温度及び圧力をそれぞれ266℃及び2.7MPaに20分間保持することにより超臨界処理を行った点を除き、実施例1と同様の操作を行った。なお、ハイドロフルオロオレフィンAの臨界温度は240℃、臨界圧力は1.8MPaである。超臨界処理後、走査型電子顕微鏡(SEM)により、シリコンウェハ表面の凹凸パターンの状態を観察した。その結果、凹凸パターンの先細りが観察された。超臨界処理前後でのSiピラー径の差から、Si表面の酸化膜がフッ素によりエッチングされたためと考えられる。このフッ素は、ハイドロフルオロオレフィンA中に含まれる低分子量のエーテル成分が加水分解して生じたものと考えられ、生じたフッ素は極微量であるが、超臨界処理における高温高圧条件下で、化学反応が促進されたため目視で判別可能なレベルでパターンダメージが生じたものと考えられる。
2 基板処理部
3 制御部
4 洗浄処理部
5 乾燥処理部
510 チャンバ
52 加熱部
54 排出部
57a 第1の超臨界処理用液供給部
57b 第2の超臨界処理用液供給部
Claims (23)
- 基板を乾燥するための乾燥処理を行う乾燥処理部と、前記乾燥処理部の動作を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記乾燥処理部は、
前記基板を収容するチャンバと、
ハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を貯留する貯留部を有し、前記基板に対して前記超臨界処理用液を供給する超臨界処理用液供給部と、
前記チャンバ内を加熱する加熱部と、
前記チャンバ内の流体を前記チャンバから排出する排出部と、
前記排出部により排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給するリサイクル部と、
前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を調整する濃度調整部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板が前記チャンバ内に収容される前又は収容された後に、前記基板に対して前記超臨界処理用液供給部により前記超臨界処理用液が供給され、次いで、前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内が前記加熱部により加熱されることにより、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液が超臨界流体又は亜臨界流体に変化し、次いで、前記超臨界流体又は前記亜臨界流体が前記チャンバから前記排出部により排出されるように、前記超臨界処理用液供給部、前記加熱部及び前記排出部を制御するとともに、前記リサイクル部により再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度が所定濃度に調整されるように、前記リサイクル部及び前記濃度調整部を制御する、前記基板処理装置。 - 前記乾燥処理部は、前記基板を保持した状態で前記チャンバの外部位置と前記チャンバの内部位置との間を移動する基板保持部をさらに備え、
前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置又は前記内部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御する、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御し、
前記リサイクル部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記排出部により排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する、請求項2に記載の基板処理装置。 - 基板を乾燥するための乾燥処理を行う乾燥処理部と、前記乾燥処理部の動作を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、
前記乾燥処理部は、
前記基板を収容するチャンバと、
ハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を貯留する貯留部を有し、前記基板に対して前記超臨界処理用液を供給する超臨界処理用液供給部と、
前記チャンバ内を加熱する加熱部と、
前記チャンバ内の流体を前記チャンバから排出する排出部と、
を備え、
前記超臨界処理用液は、前記ハイドロフルオロオレフィンよりも沸点の高い有機溶媒を含み、
前記制御部は、前記基板が前記チャンバ内に収容される前又は収容された後に、前記基板に対して前記超臨界処理用液供給部により前記超臨界処理用液が供給され、次いで、前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内が前記加熱部により加熱されることにより、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液が超臨界流体又は亜臨界流体に変化し、次いで、前記超臨界流体又は前記亜臨界流体が前記チャンバから前記排出部により排出されるように、前記超臨界処理用液供給部、前記加熱部及び前記排出部を制御する、前記基板処理装置。 - 前記乾燥処理部が、前記排出部により排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給するリサイクル部をさらに備える、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を調整する濃度調整部をさらに備え、
前記制御部は、前記リサイクル部により再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度が所定濃度に調整されるように、前記リサイクル部及び前記濃度調整部を制御する、請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記乾燥処理部は、前記基板を保持した状態で前記チャンバの外部位置と前記チャンバの内部位置との間を移動する基板保持部をさらに備え、
前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置又は前記内部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御する、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して、前記超臨界処理用液が供給されるように、前記超臨界処理用液供給部及び前記基板保持部を制御し、
前記乾燥処理部は、前記基板保持部が前記外部位置に位置するときに、前記基板保持部に保持された前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記排出部により排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給するリサイクル部をさらに備える、請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を調整する濃度調整部をさらに備え、
前記制御部は、前記リサイクル部により再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度が所定濃度に調整されるように、前記リサイクル部及び前記濃度調整部を制御する、請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記超臨界処理用液が供給される前の前記基板の表面に、前記基板の乾燥を防止するための乾燥防止液が液盛りされており、
前記乾燥防止液が有機溶媒を含み、
前記乾燥防止液に含まれる前記有機溶媒と、前記超臨界処理用液に含まれる前記有機溶媒とが、同一種類である、請求項4〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ハイドロフルオロオレフィンがハイドロクロロフルオロオレフィンである、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理部は、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を冷却する冷却部をさらに備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板をチャンバ内で乾燥するための基板処理方法であって、
(a)前記基板を前記チャンバ内に収容する前又は収容した後に、前記基板に対して、貯留部に貯留されているハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を供給する工程、
(b)前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内を加熱し、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液を超臨界流体又は亜臨界流体に変化させる工程、
(c)前記超臨界流体又は前記亜臨界流体を前記チャンバから排出する工程、
(d)前記工程(c)において排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する工程、及び、
(e)再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を所定濃度に調整する工程
を含む、前記基板処理方法。 - 前記工程(a)において、前記基板を前記チャンバ内に収容する前に、前記基板に対して、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を供給し、
前記工程(d)において、前記工程(a)において前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記工程(c)において排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する、請求項13に記載の基板処理方法。 - 基板をチャンバ内で乾燥するための基板処理方法であって、
(a)前記基板を前記チャンバ内に収容する前又は収容した後に、前記基板に対して、貯留部に貯留されているハイドロフルオロオレフィンを含む超臨界処理用液を供給する工程、
(b)前記基板が前記チャンバ内に収容された状態で前記チャンバ内を加熱し、前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液を超臨界流体又は亜臨界流体に変化させる工程、及び
(c)前記超臨界流体又は前記亜臨界流体を前記チャンバから排出する工程
を含み、
前記超臨界処理用液が、ハイドロフルオロオレフィンよりも沸点の高い有機溶媒を含む、前記基板処理方法。 - 前記工程(c)において排出された流体から液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する工程をさらに含む、請求項15に記載の基板処理方法。
- 再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を所定濃度に調整する工程をさらに含む、請求項16に記載の基板処理方法。
- 前記工程(a)において、前記基板を前記チャンバ内に収容する前に、前記基板に対して、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を供給し、
前記工程(a)において前記基板に対して供給された前記超臨界処理用液から蒸発した気体と、前記工程(c)において排出された流体とから液体を再生し、再生された前記液体を前記貯留部に供給する工程をさらに含む、請求項15に記載の基板処理方法。 - 再生された前記液体が前記貯留部に供給された後、前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液の濃度を所定濃度に調整する工程をさらに含む、請求項18に記載の基板処理方法。
- 前記超臨界処理用液が供給される前の前記基板の表面に、前記基板の乾燥を防止するための乾燥防止液が液盛りされており、
前記乾燥防止液が有機溶媒を含み、
前記乾燥防止液に含まれる前記有機溶媒と、前記超臨界処理用液に含まれる前記有機溶媒とが、同一種類である、請求項15〜19のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記ハイドロフルオロオレフィンがハイドロクロロフルオロオレフィンである、請求項13〜20のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記貯留部に貯留されている前記超臨界処理用液を冷却する工程をさらに含む、請求項13〜21のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項13〜22のいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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