JP6532800B2 - 反射防止部材及びオリエンタ装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 101000605054 Mus musculus Epididymal-specific lipocalin-8 Proteins 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
本実施形態は、反射防止部材及びオリエンタ装置に関する。
オリエンタ装置は、基板の向きを調整するために、基板を回転させながら発光素子で発生された光を基板の外周部に照射し、受光素子で受光された光量に基づいて、基板のノッチの外周位置を求める。このとき、発光素子で発光された光が適切に受光素子で受光されることが望まれる。
一つの実施形態は、オリエンタ装置における発光素子で発生された光を適切に受光素子で受光させることに適した反射防止部材及びそれを用いたオリエンタ装置を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、第１の光学素子及び第２の光学素子を有するオリエンタ装置用に設けられる反射防止部材であって、第１の板部と第２の板部と第３の板部とを有する反射防止部材が提供される。第１の板部は、第１の端部と第２の端部とを有する。第２の端部は、第１の端部の反対側に配されている。第２の板部は、第１の端部付近から延びている。第２の板部は、第１の光学素子に対応する位置に第１の切り欠き部が配されている。第２の板部は、反射防止面を有する。第３の板部は、第２の端部付近から第２の板部に対向するように延びている。第３の板部は、第１の切り欠き部に対応し且つ第２の光学素子に対応する位置に第２の切り欠き部が配されている。第３の板部は、第２の板部の反射防止面に向く反射防止面を有する。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる反射防止部材を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
（実施形態）
実施形態にかかる反射防止部材を含むオリエンタ装置について説明する。基板（例えば、半導体基板）を処理してデバイス（例えば、半導体装置）を製造する工程において、処理すべき基板の向きが適切であることが要求される場合がある。この要求に応じて、基板を処理する装置には、基板の向きを調整するオリエンタ装置が適用され得る。
実施形態にかかる反射防止部材を含むオリエンタ装置について説明する。基板（例えば、半導体基板）を処理してデバイス（例えば、半導体装置）を製造する工程において、処理すべき基板の向きが適切であることが要求される場合がある。この要求に応じて、基板を処理する装置には、基板の向きを調整するオリエンタ装置が適用され得る。
例えば、図１に示すイオン注入装置２００には、オリエンタ装置１００が適用される。図１は、イオン注入装置２００の構成を示す平面図である。大気搬送部２０９及び真空搬送部２０８を介してプラテン注入システム２０７へ基板が搬入される。オリエンタ装置１００は、真空搬送部２０８に含まれる。
搬送装置は、図２に示すように、大気搬送部２０９におけるロードロック室２０９ａ，２０９ｂのいずれかに基板を搬入する。図２は、オリエンタ装置１００が配される真空搬送部２０８の構成を示す平面図であり、図１において一点鎖線で囲った部分を拡大した平面図である。例えば、ロードロック室２０９ａに基板が搬入されると、ロードロック室２０９ａが真空引きされ真空搬送部２０８に連通される。真空搬送部２０８におけるアーム２０８ａは、一点鎖線の矢印で示すように、基板をロードロック室２０９ａからオリエンタ装置１００へ搬入する。オリエンタ装置１００は、搬入された基板の向きを調整する。真空搬送部２０８におけるアーム２０８ｂは、一点鎖線の矢印で示すように、向きが調整された基板をオリエンタ装置１００からプラテン注入システム２０７のステージ２０７ａ上へ搬入する。
図１に戻って、ガスボックス２０１からの材料ガスをイオン源２０２でプラズマ化してイオンを発生させる。引出しシステム２０３は、引出し電極を有し、引出し電極によりイオンをイオン源２０２から引き出してビーム加速システム２１０へ入射させる。ビーム加速システム２１０は、質量分析器２０４、ビーム収縮システム２０５、質量分析＋ビーム平行器２０６を有する。質量分析器２０４は、入射されたイオンのうち所定質量のイオンを選択的にビーム収縮システム２０５へ通過させる。ビーム収縮システム２０５は、イオンを加速させてイオンビームを収縮させ質量分析＋ビーム平行器２０６へ導く。質量分析＋ビーム平行器２０６は、導かれたイオンのうち所定質量のイオンを選択するとともにイオンビームを平行なビームに調整してプラテン注入システム２０７へ導く。プラテン注入システム２０７へ導かれたイオンは、基板へ注入される。
イオン注入が完了すると、例えば、真空搬送部２０８におけるアーム２０８ａは、図２に一点鎖線の矢印で示すように、基板をプラテン注入システム２０７のステージ２０７ａ上からロードロック室２０９ａへ搬出する。その後、ロードロック室２０９ａが大気開放され、基板が搬送装置によりイオン注入装置２００の外部へ搬出される。
イオン注入装置２００では、オリエンタ装置１００により基板の向きが調整された後に、プラテン注入システム２０７で基板にイオンが注入されるので、イオンが基板の結晶方位に対して適切な角度で注入され得る。例えば、オリエンタ装置１００は、図３（ａ）に示すように、装置本体１１０、発光素子１２０、受光素子１３０、支持機構１４０、及びコントローラ１５０を有する。図３は、反射防止部材１０を含むオリエンタ装置１００の構成を示し、図３（ａ）はオリエンタ装置１００の側面図であり、図３（ｂ）はその一部を示す平面図である。図３（ａ）において、オリエンタ装置１００に基板ＷＦが設置された場合に基板ＷＦの表面に略垂直になる方向をＺ方向とし、Ｚ方向に略垂直な面内で互いに直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。
装置本体１１０は、部分１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄを有する。部分１１０ａ（第１の部分）は、Ｚ方向に板状に延びている（図６参照）。部分１１０ａの主面１１０ａ１は、ＹＺ面に沿っている。部分１１０ｂ（第２の部分）は、部分１１０ａの＋Ｚ側の端部付近（第１の領域）から＋Ｘ方向に板状に延びている。部分１１０ｂの下面１１０ｂ１は、ＸＹ面に沿っており、部分１１０ａの主面１１０ａ１に略垂直な方向に延びている。部分１１０ｃ（第３の部分）は、部分１１０ａの上端と下端との間の位置（第２の領域）から略水平方向に板状に延びている。部分１１０ｃの上面１１０ｃ１は、ＸＹ面に沿っており、部分１１０ａの主面１１０ａ１に略垂直な方向に延びている。部分１１０ｃは、部分１１０ｂに対向するように延びている。部分１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、−Ｙ方向から見た場合に、略Ｆ形状を形成する。部分１１０ｄは、部分１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃにより形成される略Ｆ形状の上方に、天板として設けられている。なお、装置本体１１０において、部分１１０ｂは、例えば、プラスチックを主成分とする材料で形成され、部分１１０ａ，１１０ｃは、例えば、アルミニウム等の金属を主成分とする材料で形成されている。これにより、部分１１０ａ〜１１０ｃは、いずれもその表面が光を反射しやすい。
発光素子１２０は、装置本体１１０における受光素子１３０に対向する位置に固定されている。発光素子１２０は、部分１１０ｃの上面１１０ｃ１に配されている。発光素子１２０は、例えば、その上面が部分１１０ｃの上面１１０ｃ１と略均等な高さになるように、部分１１０ｃに埋め込まれている（図６参照）。これにより、発光素子１２０で発生した光が＋Ｚ方向に沿って進み得る。発光素子１２０は、例えばランプ又はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含む。発光素子１２０で発生される光は、赤外光であってもよいし、可視光であってもよい。発光素子１２０は、その発光・消灯がコントローラ１５０で制御され得る。
受光素子１３０は、装置本体１１０における受光素子１３０に対向する位置に固定されている。受光素子１３０は、部分１１０ｂの下面１１０ｂ１に配されている。受光素子１３０は、例えば、その下面が部分１１０ｂの下面１１０ｂ１より低くなるように、部分１１０ｂから突出している。受光素子１３０は、例えば光学センサを含む。受光素子１３０は、発光素子１２０に対向しているので、発光素子１２０で発生され＋Ｚ方向に沿って進んできた光（例えば、赤外光又は可視光）を受光しその光強度を検出することができる。受光素子１３０は、検出された光強度をコントローラ１５０へ供給する。
支持機構１４０は、発光素子１２０及び受光素子１３０の間に基板ＷＦの端部が位置した状態で基板ＷＦを回転可能に支持する。支持機構１４０は、パッド１４１、シャフト１４２、回転機構１４３、及びリフト機構１４４を有する。パッド１４１は、その上に基板ＷＦが載置される。
例えば、支持機構１４０は、図３（ｂ）に示すように、パッド１４１の上に基板ＷＦの中心付近が接触するように基板ＷＦを支持する。このとき、基板ＷＦの端部は、図３（ｂ）に示すように、＋Ｚ方向から透視した場合に発光素子１２０及び受光素子１３０が重なる領域ＤＲ内に位置し得る。
シャフト１４２は、パッド１４１と回転機構１４３及びリフト機構１４４とを機械的に接続している。回転機構１４３は、コントローラ１５０による制御のもと、シャフト１４２及びパッド１４１を介して基板ＷＦをＺ方向の軸回りに回転させる。リフト機構１４４は、コントローラ１５０による制御のもと、シャフト１４２及びパッド１４１を介して基板ＷＦをＺ方向に上下動させる。
コントローラ１５０は、支持機構１４０で基板ＷＦを回転させながら発光素子１２０で発光され受光素子１３０で受光された光量に基づいて、基板ＷＦのノッチＮの外周位置を求める。すなわち、図３（ｂ）に示すように、＋Ｚ方向から透視した場合に発光素子１２０及び受光素子１３０が重なる領域ＤＲは、基板ＷＦのノッチＮの外周位置を検出するための領域を構成する。例えば、コントローラ１５０は、基板ＷＦの回転中に受光素子１３０の受光光量が急激に変化（増加・減少）すれば、その外周位置をノッチＮの外周位置であると特定できる。
ここで、例えば図１４に示すように、基板ＷＦの１回転の外周位置において、受光光量が急激に変化する位置Ｐ１，ＥＰ１１〜ＥＰ１７が複数存在すると、コントローラ１５０は、ノッチＮの外周位置を特定することが困難になる。すなわち、コントローラ１５０は、適正なノッチＮの位置Ｐ１をノッチＮの外周位置として検知するだけでなく、位置ＥＰ１１〜ＥＰ１７をノッチＮの外周位置として誤検知する可能性がある。これにより、複数の位置Ｐ１，ＥＰ１１〜ＥＰ１７でノッチＮが検知されるので、ノッチ検出エラーが発生する傾向にある。
このエラーは、基板ＷＦを処理する全工程中においてイオン注入工程の後半で発生しやすいことから、基板ＷＦに起因したエラーであることがわかった。また、エラーの原因は、さらに詳細に検討したところ、基板ＷＦの端部の汚れ等ではなく、基板ＷＦの表裏面のパターンや酸化膜の影響で光（例えば、赤外光）が乱反射して受光素子１３０で受光されたことによる誤検知であるという知見を得た。
そこで、本実施形態では、装置本体１１０における発光素子１２０の周辺と受光素子１３０の周辺とを含む領域に反射防止部材１０を配することで、オリエンタ装置１００のコストを抑制しながら、発光素子１２０で発生された光の基板ＷＦでの乱反射による影響の抑制を図る。
具体的には、図４及び図５に示すように、装置本体１１０に配すべき反射防止部材１０を構成する。図４は、反射防止部材１０の構成を示す斜視図である。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）は、反射防止部材の構成を示す分解平面図である。図４及び図５において、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向は、装置本体１１０に配された際の方向に一致するように示されている。
反射防止部材１０は、板部（第１の板部）１、板部（第２の板部）２、及び板部（第３の板部）３を有する。板部１は、Ｚ方向に沿って立つように配置されるとともに、Ｙ方向に板状に延びている。板部１は、図５（ｂ）に示すように、端部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及び反射防止面１ｅを有する。端部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄは、それぞれ、板部１における＋Ｚ側、−Ｚ側、−Ｙ側、＋Ｙ側の端部である。反射防止面１ｅは、ＹＺ面に沿っている。反射防止面１ｅは、板部１における反射防止機能を含む主面である。反射防止面１ｅは、＋Ｘ方向を向く主面であり、板部２及び板部３に向く主面である（図３（ａ）参照）。
板部１は、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、装置本体１１０の部分１１０ａの主面１１０ａ１（図３（ａ）参照）における部分１１０ｂと部分１１０ｃとの間の領域（すなわち、第１の領域と第２の領域との間の第３の領域）に配される。図６（ａ）、図６（ｂ）は、反射防止部材１０の装置本体１１０への装着状態を示す斜視図である。板部１は、例えば、主面１１０ａ１における部分１１０ｂと部分１１０ｃとの間の領域に、接着剤等により固定され得る。すなわち、板部１は、発光素子１２０で発生され基板ＷＦの表裏面で乱反射された光の再反射を遮蔽する遮蔽板として機能する。
板部２は、図４及び図５に示すように、板部１の端部１ａ付近から＋Ｘ方向に板状に延びている。板部２は、図５（ａ）に示すように、端部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、反射防止面２ｅ（図６（ａ）参照）、及び切り欠き部（第１の切り欠き部）２ｆを有する。端部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、それぞれ、板部２における−Ｘ側、＋Ｘ側、−Ｙ側、＋Ｙ側の端部である。端部２ｂは、板部２における板部１の反対側の端部である。反射防止面２ｅは、ＸＹ面に沿っている。反射防止面２ｅは、板部２における反射防止機能を含む主面である。反射防止面２ｅは、−Ｚ方向を向く主面であり、板部３の反射防止面３ｅに向く主面である（図３（ａ）参照）。切り欠き部２ｆは、端部２ｂから板部１に近づくように延びている。
板部２は、図６（ａ）に示すように、装置本体１１０における受光素子１３０の周辺に配されている。板部２は、部分１１０ｂの下面１１０ｂ１（図３（ａ）参照）に配される。板部２は、例えば、部分１１０ｂの下面１１０ｂ１に、接着剤等により固定され得る。切り欠き部２ｆは、板部２における受光素子１３０に対応した位置に形成されている。切り欠き部２ｆは、受光素子１３０に対応した形状（Ｘ方向に延びた形状）を有する。すなわち、板部２は、発光素子１２０で発生され基板ＷＦの表裏面で乱反射された光の再反射を遮蔽する遮蔽板として機能する。
板部３は、図４及び図５に示すように、板部１の端部１ｂ付近から＋Ｘ方向に板状に延びている。板部３は、図５（ｃ）に示すように、端部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ、反射防止面３ｅ、及び切り欠き部（第２の切り欠き部）３ｆを有する。端部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄは、それぞれ、板部３における−Ｘ側、＋Ｘ側、−Ｙ側、＋Ｙ側の端部である。端部３ｂは、板部３における板部１の反対側の端部である。反射防止面３ｅは、ＸＹ面に沿っている。反射防止面３ｅは、板部３における反射防止機能を含む主面である。反射防止面３ｅは、＋Ｚ方向を向く主面であり、板部２の反射防止面２ｅに向く主面である（図３（ａ）参照）。切り欠き部３ｆは、端部３ｂから板部１に近づくように延びている。
板部３は、図６（ｂ）に示すように、装置本体１１０における発光素子１２０の周辺に配されている。板部３は、部分１１０ｃの上面１１０ｃ１（図３（ａ）参照）に配される。板部３は、例えば、部分１１０ｃの上面１１０ｃ１に、接着剤等により固定され得る。切り欠き部３ｆは、板部３における発光素子１２０に対応した位置に形成されている。切り欠き部３ｆは、発光素子１２０に対応した形状（Ｘ方向に延びた形状）を有する。すなわち、板部３は、発光素子１２０で発生され基板ＷＦの表裏面で乱反射された光の再反射を遮蔽する遮蔽板として機能する。
各反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、発光素子１２０で発生される光に対する反射率が所定の反射率（例えば、１０％）より低い表面を含む。なお、所定の反射率より低い表面は、各板部１，２，３における少なくとも反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅに含まれていればよく、例えば、各板部１，２，３の全表面に含まれていてもよい。
反射防止部材１０を含むオリエンタ装置１００が真空状態で使用される（図１、図２参照）ことを考慮すると、各反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅには、真空状態での使用に適した表面を含ませることができる。例えば、発光素子１２０で発生される光が赤外光である場合、図７に示すように、黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面と黒色塗料が塗布された面とは、その反射率が赤外領域ＩＲＲで所定の反射率（例えば、１０％）より低いので、反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅに含ませる表面として適している。図７は、材料の分光反射特性を示す図である。すなわち、発光素子１２０で発生される光が赤外光である場合、各反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面と黒色塗料が塗布された面との少なくともいずれか１つを含む。
黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面を含む反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、板部１，２，３における反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅとなるべき主面に黒色化のための第１のニッケルメッキ処理又は第２のニッケルメッキ処理を施すことで形成され得る。黒色化のための第１のニッケルメッキ処理が施された面は、例えば、板部１，２，３における反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅとなるべき主面に、ホスフィン酸、クエン酸を含んだアルカリ性無電解ニッケルメッキ液を用いて、無電解ニッケルメッキ処理を施すことで形成できる。あるいは、黒色化のための第２のニッケルメッキ処理が施された面は、例えば、板部１，２，３における反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅとなるべき主面に、ホスフィン酸、クエン酸を含んだアルカリ性無電解ニッケルメッキ液にチオール基を有する硫黄化合物及び重金属安定剤を加えたメッキ液を用いて、無電解ニッケルメッキ処理を施すことで形成できる。
黒色塗料が塗布された面を含む反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、板部１，２，３における反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅとなるべき主面に第１の黒色塗料、第２の黒色塗料、又は第３の黒色塗料がスプレー等により塗布されることで形成され得る。第１の黒色塗料は、黒色炭素（ブラックカーボン）を主成分として含む黒色塗料である。第２の黒色塗料は、第１の黒色塗料と異なる黒色塗料であり、第１の黒色塗料よりも赤外領域ＩＲＲにおける分光反射率が低い黒色塗料である。第３の黒色塗料は、第１の黒色塗料及び第２の黒色塗料のいずれとも異なる黒色塗料であり、第１の黒色塗料及び第２の黒色塗料のいずれよりも赤外領域ＩＲＲにおける分光反射率が低い黒色塗料である。
なお、発光素子１２０で発生される光が赤外光である場合、アルマイト処理が施された面は、その反射率が赤外領域ＩＲＲで所定の反射率（例えば、１０％）以上となるので、反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅに含ませる表面として不適切である。一方、例えば、発光素子１２０で発生される光が可視光である場合、アルマイト処理が施された面は、その反射率が可視光領域ＶＬＲで所定の反射率（例えば、１０％）より低くなるので、反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅに含ませる表面として適切である。すなわち、発光素子１２０で発生される光が可視光である場合、各反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、アルマイト処理が施された面、黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面、及び黒色塗料が塗布された面の少なくとも１つを含む。アルマイト処理が施された面を含む反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅは、板部１，２，３がアルミニウムを主成分とする材料で形成されている場合、板部１，２，３における反射防止面１ｅ，２ｅ，３ｅとなるべき主面にアルマイト処理（酸化処理）を施すことで形成され得る。
反射防止部材１０を含むオリエンタ装置１００では、支持機構１４０で基板ＷＦが回転されながら発光素子１２０で発光された光が受光素子１３０で受光される際に、図８に示すように、反射防止部材１０により光の乱反射が防止され得る。図８は、反射防止部材１０の機能を示す側面図である。例えば、発光素子１２０から出射された光が基板ＷＦの裏面ＷＦｂで反射された場合、その反射された光の再反射が反射防止面１ｅで抑制できる。また、反射防止面１ｅで抑制しきれなかった光が反射防止面２ｅ，３ｅに入射した場合、その光の再反射が反射防止面２ｅ，３ｅで抑制できる。さらに、反射防止面２ｅ，３ｅで抑制しきれなかった光が基板ＷＦの表面ＷＦａで反射され反射防止面２ｅ，３ｅに再入射した場合、その光の再反射が反射防止面２ｅ，３ｅで抑制できる。これにより、基板ＷＦの回転中に、光の乱反射に起因した受光素子１３０の受光光量の急激な変化を抑制できる。
例えば、コントローラ１５０は、支持機構１４０で基板ＷＦを回転させながら発光素子１２０で発光され受光素子１３０で受光された光量に基づいて、図９に示すように、基板ＷＦのノッチＮの外周位置を適切に求めることができる。図９は、オリエンタ装置１００の動作を示す波形図である。例えば図９に示すように、基板ＷＦの１回転の外周位置において、受光光量が急激に変化する位置Ｐ１’が１つになり、コントローラ１５０は、ノッチＮの外周位置が位置Ｐ１’であると特定できる。すなわち、ノッチ検出エラーの発生を防止できる。
なお、図９に示すように、発光素子１２０の受光光量にバックグラウンド的なうねりがみられるのは、図３（ｂ）に示すように、パッド１４１に対する基板ＷＦの載置位置が基板ＷＦの中心から若干偏心していることによる影響である。この場合でも、コントローラ１５０は、受光光量が急激に変化する位置Ｐ１’をノッチＮの外周位置として判断することができる。
以上のように、実施形態では、オリエンタ装置１００において、装置本体１１０における発光素子１２０の周辺と受光素子１３０の周辺とを含む領域に反射防止部材１０を配する。これにより、基板ＷＦの回転中に、光の乱反射に起因した受光素子１３０の受光光量の急激な変化を抑制でき、発光素子１２０で発生された光を適切に受光素子１３０で受光させることができる。この結果、受光素子１３０の受光光量における光の乱反射によるノイズ成分を低減でき、装置本体１１０の構造を大きく変更することなくオリエンタ装置１００のコストを抑制しながらノッチ検知のエラーの発生を抑制できる。
また、実施形態では、反射防止部材１０において、発光素子１２０の周辺に配されるべき板部２と受光素子１３０の周辺に配されるべき板部３とが、互いに対向する反射防止面２ｅ，３ｅを有する。板部１が、板部２及び板部３に向く反射防止面１ｅを有する。また、板部２及び板部３に、それぞれ受光素子１３０と発光素子１２０の位置に対応するように切り欠き部２ｆ，３ｆが配されているので、発光素子１２０で発光され受光素子１３０で受光されるべき光が反射防止部材１０により遮蔽されることがない。これにより、オリエンタ装置１００における発光素子１２０で発生された光を適切に受光素子１３０で受光させることに適した反射防止部材１０を提供できる。
なお、図１及び図２では、オリエンタ装置１００をイオン注入装置２００に適用する場合について例示されているが、オリエンタ装置１００は、基板ＷＦの向きを調整することが要求される装置であれば他の装置にも適用可能である。
さらに、実施形態の変形例にかかる反射防止部材の構成を図１０〜図１３に示す。図１０に示すように、反射防止部材１０ｉは、接着剤に変えて、ネジにより装置本体１１０に固定されてもよい。図１０は、反射防止部材１０ｉの構成を示す斜視図である。例えば、反射防止部材１０ｉは、板部４ｉ及び板部５ｉをさらに有する。板部４ｉは、板部１の端部１ｃから−Ｘ方向に板状に延びており、板部１の端部１ｃから板部２及び板部３と反対側に延びている。板部４ｉは、Ｚ方向を長手方向とする形状を有している。板部４ｉは、装置本体１１０のネジ穴に対応したネジ穴４ｅ，４ｆを有している。同様に、板部５ｉは、板部１の端部１ｄから−Ｘ方向に板状に延びており、板部１の端部１ｄから板部２及び板部３と反対側に延びている。板部５ｉは、Ｚ方向を長手方向とする形状を有している。板部５ｉは、装置本体１１０のネジ穴１１０ｅ，１１０ｆ（図３（ａ）参照）に対応したネジ穴５ｅ，５ｆを有している。これにより、反射防止部材１０ｉを装置本体１１０にネジ止めしたり取り外したりすることができるので、反射防止部材１０ｉのメンテナンス及び交換等を容易に行うことができる。
あるいは、反射防止部材１０ｊは、図１１に示すように、発光素子１２０及び受光素子１３０に対して角度をつけた形状をさらに有していてもよい。図１１は、反射防止部材１０ｊの構成を示す斜視図である。
例えば、板部２ｊにおいて、切り欠き部２ｆは、板部２ｊにおける主要部２ｇより板部３ｊの近くに配されている（図１２参照）。板部２ｊは、傾斜部２ｈをさらに有する。傾斜部２ｈは、主要部２ｇから板部３ｊに近づく向きに傾斜して切り欠き部２ｆまで延びている。これにより、受光素子１３０に向う光のうち、乱反射による図１２に破線の矢印で示す斜め光が受光素子１３０で受光されることを抑制でき、図１２に実線の矢印で示す適正な光を選択的に受光素子１３０で受光させることができる。図１２は、反射防止部材１０ｊの機能を示す正面図である。この結果、受光素子１３０の受光光量における光の乱反射によるノイズ成分をさらに低減できる。
また、板部３ｊにおいて、切り欠き部３ｆは、板部３ｊにおける主要部３ｇより板部２ｊの近くに配されている（図１３参照）。板部３ｊは、傾斜部３ｈ及び折り返し部３ｋをさらに有する。傾斜部３ｈは、主要部３ｇから板部２ｊに近づく向きに傾斜して切り欠き部３ｆまで延びている。折り返し部３ｋは、傾斜部３ｈの切り欠き部３ｆ側の端部から板部２ｊの反対側に折り返されている。これにより、発光素子１２０から出射される光のうち、乱反射の原因になりやすい図１３に破線の矢印で示す斜め光が発光素子１２０から出射されることを抑制でき、図１３に実線の矢印で示す適正な光を選択的に発光素子１２０から出射させることができる。図１３は、反射防止部材１０ｊの機能を示す正面図である。この結果、受光素子１３０の受光光量における光の乱反射によるノイズ成分をさらに低減できる。
あるいは、図１１では、反射防止部材１０ｊを発光素子１２０及び受光素子１３０の両方の周辺において角度をつけた形状にする場合について例示されているが、反射防止部材１０ｊを発光素子１２０及び受光素子１３０の一方の周辺において角度をつけた形状にしてもよい。このような形状であっても、板部２，３とも全体が平板状である場合に比べて、受光素子１３０の受光光量における光の乱反射によるノイズ成分のさらなる低減が可能である。
なお、以上の実施形態においては、ノッチＮの検出光が＋Ｚ方向に沿って進行するように発光素子１２０及び受光素子１３０が装置本体１１０に配される例を示したが、装置本定１１０における発光素子１２０と受光素子１３０の位置を入れかえ、ノッチＮの検出光が−Ｚ方向に沿って進行するような構成としてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１，２，２ｊ，３，３ｊ，４ｉ，５ｉ 板部、１０，１０ｉ，１０ｊ 反射防止部材、１００ オリエンタ装置。
Claims (5)
- 第１の光学素子及び第２の光学素子を有するオリエンタ装置用に設けられる反射防止部材であって、
第１の端部と前記第１の端部の反対側に配された第２の端部とを有する第１の板部と、
前記第１の端部付近から延びており、前記第１の光学素子に対応する位置に第１の切り欠き部が配され、反射防止面を有する第２の板部と、
前記第２の端部付近から前記第２の板部に対向するように延びており、前記第１の切り欠き部に対応し且つ前記第２の光学素子に対応する位置に第２の切り欠き部が配され、前記第２の板部の反射防止面に向く反射防止面を有する第３の板部と、
を備えた反射防止部材。 - 前記第１の板部は、前記第２の板部及び前記第３の板部に向く反射防止面を有する
請求項１に記載の反射防止部材。 - 前記第２の板部の反射防止面と前記第３の板部の反射防止面とは、それぞれ、アルマイト処理が施された面、黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面、及び黒色塗料が塗布された面の少なくとも１つを含む
請求項１又は２に記載の反射防止部材。 - 前記第１の板部の反射防止面は、アルマイト処理が施された面、黒色化のためのニッケルメッキ処理が施された面、及び黒色塗料が塗布された面の少なくとも１つを含む
請求項２に記載の反射防止部材。 - 装置本体と、
前記装置本体に固定された発光素子と、
前記装置本体における前記発光素子に対向する位置に固定された受光素子と、
前記発光素子及び前記受光素子の間に基板の端部が位置した状態で前記基板を回転可能に支持する支持機構と、
前記装置本体における前記発光素子の周辺と前記受光素子の周辺とを含む領域に、前記第１の切り欠き部、前記第２の切り欠き部がそれぞれ前記装置本体における前記受光素子と前記発光素子の位置に対応するように配された請求項１に記載の反射防止部材と、
を備えたオリエンタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015207445A JP6532800B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 反射防止部材及びオリエンタ装置 |
| US15/041,188 US10340169B2 (en) | 2015-10-21 | 2016-02-11 | Antireflection member and orienter apparatus having a third plate part with a second notch part and an antireflection surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015207445A JP6532800B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 反射防止部材及びオリエンタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017078813A JP2017078813A (ja) | 2017-04-27 |
| JP6532800B2 true JP6532800B2 (ja) | 2019-06-19 |
Family
ID=58561886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015207445A Active JP6532800B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 反射防止部材及びオリエンタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10340169B2 (ja) |
| JP (1) | JP6532800B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7144964B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-09-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研削方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2641922B2 (ja) * | 1988-10-26 | 1997-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2000068357A (ja) | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Kobe Steel Ltd | ウェーハ切欠部位置検出装置及びウェーハ特性測定装置 |
| US7109511B2 (en) | 2000-11-02 | 2006-09-19 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Techniques for wafer prealignment and sensing edge positions |
| JP3666738B2 (ja) | 2000-11-02 | 2005-06-29 | 株式会社安川電機 | プリアライメントセンサ |
| CN100499060C (zh) * | 2001-11-14 | 2009-06-10 | 罗兹株式会社 | 晶片定位方法和装置,晶片加工***及晶片定位装置的晶片座旋转轴定位方法 |
| JP5233012B2 (ja) | 2008-10-03 | 2013-07-10 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
| JPWO2012115012A1 (ja) | 2011-02-25 | 2014-07-07 | 株式会社ニコン | 観察装置、検査装置、半導体装置の製造方法、および基板支持部材 |
| JP2014175527A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 基板位置検出システムおよびこれを備えた半導体製造装置 |
| CN105051882B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-01-18 | 应用材料公司 | 基板位置对准器 |
-
2015
- 2015-10-21 JP JP2015207445A patent/JP6532800B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-11 US US15/041,188 patent/US10340169B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017078813A (ja) | 2017-04-27 |
| US10340169B2 (en) | 2019-07-02 |
| US20170117173A1 (en) | 2017-04-27 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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