JP6521223B2 - リソグラフィ装置の管理方法及び装置、並びに露光方法及びシステム - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
同様に他のリソグラフィ装置においても、複数の装置が設置されているような場合には、これらの装置に効率的にパラメータを設定する必要がある。
第5の態様によれば、基板にパターンを形成する露光システムにおいて、本発明の態様のリソグラフィ装置の管理装置と、その第1及び第2のリソグラフィ装置としての第1及び第2の露光装置と、を備える露光システムが提供される。
図1は、本実施形態に係るリソグラフィシステムDMSを示す。図1において、リソグラフィシステムDMSは、複数(図1では5台)の露光装置EXA,EXB,EXC,EXD,EXEと、これらの露光装置EXA〜EXEで使用される種々のレチクル(マスク)のパターンの配置、フーリエ変換パターン、及びパターンの膜構造の情報(3次元の構造情報)を含むパターン情報を各レチクルのID情報(識別情報)に対応させて記憶するマスクサーバMSEと、露光装置EXA〜EXEに種々のパラメータを設定するマスターサーバ6とを備えている。さらに、リソグラフィシステムDMSは、形成されたパターンの検査を行う重ね合わせ誤差計測装置MEA、形成されたパターンのフォーカス誤差(デフォーカス量)を計測するフォーカス誤差計測装置(不図示)、及び形成されたパターンの線幅等を計測する走査型電子顕微鏡(SEM)(不図示)等の複数の検査装置と、露光装置EXA〜EXE、マスクサーバMSE、マスターサーバ6、及び検査装置間で情報の送受信を行うために使用される例えばLAN(Local Area Network)などの通信回線12と、マスクサーバMSEとマスターサーバ6との間でパターン情報等を送受信する専用のより高速の通信回線13とを備えている。
さらに、露光装置EXAは、レチクルRAのアライメントマークの投影光学系PLによる像の位置を計測する空間像計測系(不図示)、及びウエハWのアライメントマークの位置を計測する例えば画像処理方式(FIA系)のセンサを含むアライメント系ALと、ウエハWの表面の複数箇所のZ位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ(以下、AFセンサという)35(図3参照)とを備えている。アライメント系AL等の計測情報は露光制御部14に供給される。さらに、露光装置EXAは、レチクルローダ系(不図示)及びウエハローダ系(不図示)を備えている。
露光装置EXAの照明光ILの波長(露光波長)、照明光学系ILS及び投影光学系PLを構成する光学部材の配置情報、投影光学系PLの解像度、特性計測装置20によって計測される投影光学系PLの残存する波面収差、重ね合わせ誤差計測装置MEAによって計測される露光装置EXAの重ね合わせ誤差、露光装置EXAで投影可能なパターンのほぼ最小線幅を示すCD(critical dimension)の計測値(例えば走査型電子顕微鏡(SEM)によって計測される線幅)、結像特性補正装置30によって補正可能な投影光学系PLの波面収差、レチクルステージRST及びウエハステージWSTの位置決め精度、アライメント系ALのアライメント精度等の情報、並びに設定が必要なパラメータの種類及び初期値等の情報を含む露光装置の構成及び特性に関する情報(以下、露光装置の構成情報という)は、記憶部38に記憶されるとともに、露光装置EXAのID情報に対応させてマスターサーバ6の第1記憶部51(図3参照)に記憶されている。なお、その露光装置の構成情報中の特性計測装置20及び重ね合わせ誤差計測装置MEA等によって計測される値は計測データということもできる。
なお、オフセットを用いて補正するのではなく、決定されたパラメータPを使って露光動作または露光シミュレーションを行なった結果を用いて補正してもよい。例えば、主制御部50(マスターサーバ6)が、決定されたパラメータPのままでは、露光装置EXBに設定されている許容範囲に入らないと判断した場合、その旨を警告するようにしてもよい。警告の方法としては、例えば、表示装置18の画面上に警報が表示されるようにしてもよいし、アラームなどの警報が鳴るようにしてもよく、特に限定されるものではない。
ステップ118において、第2パラメータ決定部64は、図5の表示画面に共通に設定するパラメータを指定するように表示(不図示)を行う。これに応じて、オペレータが例えば(A−i)組のパラメータのうちのサブセットeを示すブロックA5を選択用表示CUを用いて選択し、このブロックA5を(B−j)組のパラメータのうちのサブセットeを示すブロックB5に移動する動作(ドラッグ&ドロップやカット&ペースト等)を行うと、第2パラメータ決定部64は、(A−i)組のパラメータのうちのサブセットeを、パラメータ記憶部56Bの(B−j)組のパラメータのうちのサブセットeの部分にコピーする。さらに、そのコピーしたサブセットeを、副制御部60を介して露光装置EXB(第2の露光装置)の主制御系40に送信する。これによって、露光装置EXB用のサブセットeのパラメータが設定されたことになる。
なお、この時点で露光装置EBXに設定されたパラメータの値の許容範囲にコピーされたパラメータの値が入らないことが分かれば、マスターサーバ6が、表示装置18の画面に、指示されたパラメータのコピーができないことを表示してもよい。例えば、主制御部50において、コピーを指示されたサブセットeのパラメータの値が、露光装置EXBに設定されたサブセットeの許容範囲に入るか否かを判断し、入らない場合は、コピーできない理由と、上記許容範囲に最も近くなるようなパラメータeの値の候補を表示部18に表示してオペレータに知らせるようにしてもよい。
パラメータのコピーの方法は特に限定されるものではない。本実施形態では、表示装置18の表示画面でオペレータが動作する場合を説明したが、ハードディスクや光ディスクや磁気テープのような記憶媒体を介してコピーが行なわれるよう構成してもよい。また、露光装置EXBが起動した際に、起動動作に伴って自動的に通信回線12を介してパラメータのコピーが行われるようにしてもよい。
また、本実施形態のリソグラフィシステムDMS(露光システム)は、ウエハW(基板)にパターン(潜像パターン又はレジストパターンを含む)を形成するリソグラフィシステムであって、マスターサーバ6(パラメータ設定装置)と、マスターサーバ6で設定される複数組のパラメータの値に基づいて、ウエハWにそのパターンを形成するための露光装置EXA,EXB(リソグラフィ装置)とを備えている。
本実施形態のリソグラフィシステムDMS又は露光方法によれば、パラメータの設定を効率的に行うことができるため、リソグラフィ工程でのスループット(生産性)を向上できる。また、リソグラフィ装置が露光装置EXA〜EXEである場合、露光装置EXA等においてはレチクルの交換毎に個別にパラメータの調整を行う必要がなくなるため、例えば小ロット生産を行う場合でも、リソグラフィ工程(露光工程)のスループットを高く維持できる。
なお、上述の実施形態では次のような変形が可能である。
本実施形態では、マスターサーバ6内にパラメータ選択決定部58が設けられている。別の構成として、各露光装置EXA〜EXEの通信ユニット10A〜10Eに相当する部分にそれぞれパラメータ選択決定部58を設け、これらのパラメータ選択決定部58で、他の露光装置EXA〜EXEに複数のパラメータを設定してもよい。
また、マスターサーバ6では、薄膜形成装置又はエッチング装置等のリソグラフィ装置用のパラメータの値を設定してもよい。
なお、上記の実施形態のリソグラフィシステムが備える露光装置は、ステッパー型の露光装置等でもよい。さらに、その露光装置は、露光光として波長100nm以下の極端紫外光(Extreme Ultraviolet Light:以下、EUV光という)を用いる露光装置(EUV露光装置)等であってもよい。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
Claims (22)
- 複数のリソグラフィ装置の管理方法であって、
第1及び第2のリソグラフィ装置がそれぞれリソグラフィ工程で使用する第1組及び第2組のパラメータのうち、共通に設定可能な共通パラメータを選択することと、
前記第1組のパラメータの値を決定することと、
前記第1組のパラメータの値を前記第1のリソグラフィ装置に設定することと、
前記第1組のパラメータのうち、前記共通パラメータの値を前記第2のリソグラフィ装置に設定することと、
設定された前記共通パラメータの値を用いて前記第2のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程を行なった結果から前記共通パラメータの補正値を求めることと、
を含むリソグラフィ装置の管理方法。 - 前記第2のリソグラフィ装置に設定された許容範囲に前記共通パラメータの値が入るか否かを判断すること、をさらに含む請求項1に記載のリソグラフィ装置の管理方法。
- 前記補正値を前記第2のリソグラフィ装置の前記共通パラメータの値として設定すること、をさらに含む請求項1または2に記載のリソグラフィ装置の管理方法。
- 前記共通パラメータを表示することを含む請求項1〜3のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法。
- 前記第1のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値と、前記第2のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値とのオフセットを求めておくことを含み、
前記共通パラメータの値を前記第2のリソグラフィ装置に設定するときに、前記共通パラメータの値を前記オフセットを用いて補正して得られる値を設定する請求項1〜4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法。 - 前記第1組のパラメータの値を決定することは、
前記第1組のパラメータの初期値を前記第1のリソグラフィ装置に設定することと、
前記第1のリソグラフィ装置をリソグラフィ工程で使用して基板に第1のパターンを形成することと、
前記第1のパターンを計測することと、
前記第1のパターンの計測結果に応じて前記第1組のパラメータの値を補正することと、を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法。 - 前記第1組のパラメータは、リソグラフィ工程において互いに関連して使用される複数のパラメータよりなるパラメータ群を含み、
前記共通パラメータは前記パラメータ群を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法。 - 前記第1及び第2のリソグラフィ装置はそれぞれ露光装置であり、
前記共通パラメータは、基板の複数のショット毎の重ね合わせ誤差を補正するためのパラメータ、及び基板の複数のショット毎のデフォーカス量を補正するためのパラメータのうち少なくとも一方を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法。 - 基板にパターンを形成する露光方法において、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理方法を用いて、前記第1及び第2のリソグラフィ装置としての第1及び第2の露光装置にそれぞれ前記第1組及び第2組のパラメータの値を設定することと、
前記第1及び第2の露光装置を用いて基板にパターンを露光することと、を含む露光方法。 - 複数のリソグラフィ装置を管理する管理装置であって、
前記複数のリソグラフィ装置のうちの第1のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第1組のパラメータ及び前記複数のリソグラフィ装置のうちの前記第2のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第2組のパラメータから、前記第1及び第2のリソグラフィ装置で共通に設定可能な共通パラメータを選択する選択部と、
前記第1組のパラメータのうちの前記共通パラメータの値を前記第2のリソグラフィ装置に設定する設定部と、
設定された前記共通パラメータの値を用いて前記第2のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程を行なった結果から前記共通パラメータの補正値を求める算出部と、
を備えるリソグラフィ装置の管理装置。 - 前記設定部は、前記第1組のパラメータの値を前記第1のリソグラフィ装置に設定する第1のパラメータ設定部と、
前記第1組のパラメータのうち、前記共通パラメータの値を前記第2のリソグラフィ装置に設定する第2のパラメータ設定部と、
を備える請求項10に記載のリソグラフィ装置の管理装置。 - 前記共通パラメータを表示する表示部をさらに備える請求項10または11に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
- 前記第2のリソグラフィ装置に設定された許容範囲に前記共通パラメータの値が入るか否かを判断する判断部をさらに備える請求項10〜12のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
- 前記判断部の判断結果が表示される請求項13に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
- 前記第1のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値と、前記第2のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値とのオフセットを記憶する記憶部を備え、
前記第2のパラメータ設定部は、前記共通パラメータの値を前記オフセットを用いて補正して得られる値を前記第2のリソグラフィ装置に設定する請求項11に記載のリソグラフィ装置の管理装置。 - 前記記憶部は、前記第1組のパラメータの初期値、及び前記第1のリソグラフィ装置をリソグラフィ工程で使用して基板に第1のパターンを形成し、該形成された前記第1のパターンを計測して得られる計測結果を記憶し、
前記第1のパラメータ設定部は、
前記第1組のパラメータの初期値を、前記第1のパターンの計測結果に応じて補正し、補正後の前記第1組のパラメータの値を前記第1のリソグラフィ装置に設定する請求項15に記載のリソグラフィ装置の管理装置。 - 前記第1組のパラメータは、リソグラフィ工程において互いに関連して使用される複数のパラメータよりなるパラメータ群を含み、
前記共通パラメータは前記パラメータ群を含む請求項10〜16のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。 - 前記第1及び第2のリソグラフィ装置はそれぞれ露光装置であり、
前記共通パラメータは、基板の複数のショット毎の重ね合わせ誤差を補正するためのパラメータ、及び基板の複数のショット毎のデフォーカス量を補正するためのパラメータのうち少なくとも一方を含む請求項10〜17のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。 - 請求項10〜18のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置が備える前記設定部の処理を、当該管理装置が備えるコンピュータに実行させるプログラム。
- 基板にパターンを形成する露光システムにおいて、
請求項10〜19のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置と、
前記第1及び第2のリソグラフィ装置としての第1及び第2の露光装置と、
を備える露光システム。 - 請求項9に記載の露光方法を用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
前記所定のパターンを介して前記基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。 - 請求項20に記載の露光システムを用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
前記所定のパターンを介して前記基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。
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