JP6521059B2 - 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 - Google Patents
弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6521059B2 JP6521059B2 JP2017509361A JP2017509361A JP6521059B2 JP 6521059 B2 JP6521059 B2 JP 6521059B2 JP 2017509361 A JP2017509361 A JP 2017509361A JP 2017509361 A JP2017509361 A JP 2017509361A JP 6521059 B2 JP6521059 B2 JP 6521059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support layer
- elastic wave
- wave device
- support
- cover member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 122
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000577 adipose tissue Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
2…弾性波素子
2A…フロントエンド部
2Aa…スイッチ
2B…能動素子
2C…アンテナ
3…実装基板
4a,4b…電極ランド
5A,5B…素子
6…バンプ
7…モールド樹脂
10…通信モジュール機器
13…圧電基板
13a,13b…第1,第2の主面
14a〜14c…IDT電極
15a1,15a2…第1の支持層
15a11,15a12,15a21,15a22…端部
15b…第2の支持層
16…カバー部材
17a,17b…アンダーバンプメタル層
17a11,17b11…第1の端部
17a12,17b12…第2の端部
21…弾性波装置
22…弾性波素子
25…光硬化性樹脂層
25a1,25a2…第1の支持層
25X1,25X2…第1,第2の領域
25Y…第3の領域
32…弾性波素子
35a1,35a2…第1の支持層
36…カバー部材
42…弾性波素子
43…圧電体膜
44A〜44C…励振部
44a,44b…第1,第2の電極
48…基板
49…誘電体膜
49a,49b…第1,第2の部分
52…弾性波素子
55a1,55a2…第1の支持層
62…弾性波素子
65A1,65A2…幅広部
65a1,65a2…第1の支持層
65a11,65a12,65a21,65a22…端部
Claims (10)
- 対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも1個の第1の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第1の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第2の支持層と、前記第1,第2の支持層上に設けられており、前記第2の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材と、を有する弾性波素子と、
前記弾性波素子が実装されている実装基板と、
前記実装基板上に設けられており、前記弾性波素子を封止しているモールド樹脂と、を備え、
前記第2の支持層の厚みよりも前記第1の支持層の厚みが薄く、
前記カバー部材は、前記圧電基板よりも前記実装基板側に設けられており、
前記カバー部材が、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲しており、
前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されている、弾性波装置。 - 前記第1の支持層は、前記カバー部材の凸状に湾曲している部分を支持している、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第2の支持層が複数設けられており、前記カバー部材の凸状に湾曲している部分は、前記第2の支持層間に設けられている、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記第1の支持層が、前記第1の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、
前記第2の支持層が、前記第2の支持層を横断する方向としての幅方向を有し、
少なくとも1個の前記第1の支持層の幅が、前記第2の支持層の幅よりも狭い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第1の支持層が複数存在し、
前記複数の第1の支持層の内少なくとも1個の第1の支持層の幅が、他の第1の支持層の幅よりも狭く、かつ前記複数の第1の支持層の内少なくとも1個の第1の支持層の厚みが、他の第1の支持層の厚みよりも薄い、請求項4に記載の弾性波装置。 - 前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第1の支持層が前記第2の支持層と両端で接している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の支持層が一方端部及び他方端部を有し、前記弾性波装置を平面視した場合に、前記第1の支持層の一方端部が前記第2の支持層と接しており、前記第1の支持層の他方端部の形状が、該他方端部以外の形状よりも大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置を含むフロントエンド部と、
前記フロントエンド部に接続されている能動素子と、
を備える、通信モジュール機器。 - 対向し合っている一対の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上に設けられている励振電極と、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている少なくとも1個の第1の支持層と、平面視した場合において、前記励振電極及び前記第1の支持層を囲むように、前記圧電基板の前記一方主面上に設けられている第2の支持層と、前記第1,第2の支持層上に設けられており、前記第2の支持層及び前記圧電基板と共に前記励振電極を封止しているカバー部材と、を有する弾性波素子を作製する工程と、
前記弾性波素子を実装基板上に実装する工程と、
前記実装基板上にモールド樹脂を設け、前記弾性波素子を封止する工程と、
を備え、
前記弾性波素子を作製する工程では、前記第2の支持層の厚みよりも前記第1の支持層の厚みが薄くなるように、前記第1,第2の支持層を設け、かつ前記カバー部材を、前記実装基板から遠ざかるように前記圧電基板に向かって凸状に湾曲させ、
前記弾性波素子を前記実装基板上に実装する工程では、前記カバー部材を前記圧電基板よりも前記実装基板側に設けるようにして前記弾性波素子を前記実装基板上に実装し、
前記弾性波素子を封止する工程では、前記実装基板と前記カバー部材との間に前記モールド樹脂が充填されるように、前記モールド樹脂を設ける、弾性波装置の製造方法。 - 前記第1の支持層を複数設け、前記複数の第1の支持層の内少なくとも1個の第1の支持層の幅が、他の第1の支持層の幅よりも小さくなるように前記複数の第1の支持層を設ける、請求項9に記載の弾性波装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015066206 | 2015-03-27 | ||
JP2015066206 | 2015-03-27 | ||
PCT/JP2016/054465 WO2016158050A1 (ja) | 2015-03-27 | 2016-02-16 | 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016158050A1 JPWO2016158050A1 (ja) | 2017-10-26 |
JP6521059B2 true JP6521059B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=57005610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017509361A Active JP6521059B2 (ja) | 2015-03-27 | 2016-02-16 | 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10164603B2 (ja) |
JP (1) | JP6521059B2 (ja) |
KR (1) | KR101931508B1 (ja) |
CN (1) | CN107251428B (ja) |
WO (1) | WO2016158050A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015046402A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および弾性波モジュール |
US20200220513A1 (en) * | 2016-03-11 | 2020-07-09 | Akoustis, Inc. | Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure using thin film transfer process |
KR101953219B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2019-02-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
CN106935700A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-07-07 | 苏州权素船舶电子有限公司 | 一种电子元器件 |
WO2019044310A1 (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール |
WO2021010164A1 (ja) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
JP7302897B2 (ja) * | 2021-08-19 | 2023-07-04 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3677409B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2005-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
US7011134B2 (en) * | 2000-10-13 | 2006-03-14 | Chien-Min Sung | Casting method for producing surface acoustic wave devices |
US6969945B2 (en) * | 2001-02-06 | 2005-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for manufacturing, and electronic circuit device |
US6829691B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development, L.P. | System for compressing/decompressing data |
JP5269301B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-08-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2008131152A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
CN101946409B (zh) * | 2008-02-18 | 2014-08-20 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
US8598968B2 (en) * | 2008-11-10 | 2013-12-03 | Panasonic Corporation | Elastic wave element and electronic device using the same |
DE112012001150B4 (de) * | 2011-03-09 | 2018-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elektronische Komponente |
JP2012199833A (ja) | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法 |
WO2012132147A1 (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
JP5882306B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2016-03-09 | 京セラ株式会社 | 電子部品 |
JP2013038471A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波フィルタ |
JP5259024B1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-08-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および電子部品 |
CN105471406B (zh) * | 2012-02-28 | 2018-04-06 | 天工滤波方案日本有限公司 | 弹性波装置及其制造方法 |
JP5358724B1 (ja) * | 2012-06-28 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
WO2014077239A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN202931260U (zh) * | 2012-11-14 | 2013-05-08 | 日本碍子株式会社 | 用于弹性波装置的复合基板 |
US9264016B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-02-16 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Piezoelectric component having a cover layer including resin that contains translucent filler |
JP2014212409A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | Mems振動子、電子機器、及び移動体 |
WO2014171036A1 (ja) * | 2013-04-18 | 2014-10-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2015022856A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP5856592B2 (ja) | 2013-08-30 | 2016-02-10 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
WO2015046402A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および弾性波モジュール |
JP6355013B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2018-07-11 | ナガセケムテックス株式会社 | 中空部を有する実装構造体およびその製造方法 |
KR20160140744A (ko) * | 2014-03-31 | 2016-12-07 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 중공부를 가지는 회로부재 및 실장 구조체와, 실장 구조체의 제조방법 |
DE112016001237T5 (de) * | 2015-03-16 | 2017-12-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen und Verfahren zu Ihrer Herstellung |
WO2016158744A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2016
- 2016-02-16 JP JP2017509361A patent/JP6521059B2/ja active Active
- 2016-02-16 CN CN201680012366.8A patent/CN107251428B/zh active Active
- 2016-02-16 KR KR1020177021560A patent/KR101931508B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-16 WO PCT/JP2016/054465 patent/WO2016158050A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-08-28 US US15/687,587 patent/US10164603B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170102925A (ko) | 2017-09-12 |
US10164603B2 (en) | 2018-12-25 |
JPWO2016158050A1 (ja) | 2017-10-26 |
KR101931508B1 (ko) | 2018-12-21 |
CN107251428B (zh) | 2020-10-23 |
US20170358728A1 (en) | 2017-12-14 |
CN107251428A (zh) | 2017-10-13 |
WO2016158050A1 (ja) | 2016-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6521059B2 (ja) | 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 | |
JP5141852B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
US11677378B2 (en) | Elastic wave device | |
JP5654303B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス | |
US10812042B2 (en) | Electronic component | |
JP6669429B2 (ja) | 弾性波素子および通信装置 | |
US9407235B2 (en) | Acoustic wave device | |
US11764753B2 (en) | Elastic wave device and electronic component | |
JP6042689B2 (ja) | 弾性波デバイス及びその設計方法 | |
US10958231B2 (en) | Surface acoustic wave device, high-frequency module, and method of fabricating surface acoustic wave device | |
JP6547914B2 (ja) | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
JP6017250B2 (ja) | 圧電デバイス | |
US9941461B2 (en) | Electronic component element and composite module including the same | |
US10411672B2 (en) | Elastic wave device | |
JP6612529B2 (ja) | 弾性波装置および通信装置 | |
WO2014148107A1 (ja) | 水晶振動装置 | |
JP2009272795A (ja) | 圧電振動素子、圧電デバイス、及びその製造方法 | |
JP5340983B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2018121265A (ja) | 水晶素子および水晶デバイス | |
WO2020262607A1 (ja) | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 | |
JP2024004311A (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2024023057A (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2022071324A (ja) | 電子部品 | |
JP2010251905A (ja) | 振動子の接続構造、発振子、発振子パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170712 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6521059 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |