JP6520795B2 - 膜厚分布測定方法 - Google Patents
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Description
前記ライン光源として、前記薄膜付ウェーハの直径より長い光源を有するライン光源を用い、
前記ライン光源から照射される線状の光で前記薄膜付ウェーハの表面を走査して反射光を検出する際に、同時に、リファレンスに前記線状の光の一部を照射し、その反射光も検出する工程と、
該リファレンスからの反射光強度を用いて前記薄膜付ウェーハからの反射光強度を補正する工程と、
該補正された薄膜付ウェーハの反射光強度から、前記膜厚分布を算出する工程とを含むことを特徴とする膜厚分布測定方法を提供する。
その際、ある波長範囲に対応するいくつかのピクセルの平均を用いることで、計算量を減らすこともできる。
イオン注入剥離法によって作製された薄膜SOIウェーハ(直径300mm、SOI層膜厚:88nm、BOX層膜厚:145nm、両膜厚はSOIウェーハ製造時の設定膜厚)を膜厚測定用薄膜付ウェーハ3として、本発明の膜厚分布測定方法により、SOI層の膜厚分布とBOX層の膜厚分布を測定した。同一の薄膜SOIウェーハについて、30回繰り返し膜厚分布測定を行った。
実施例で用いたのと同じ薄膜SOIウェーハを用い、SOI層の膜厚とBOX層の膜厚を30回繰り返し測定した。この際、実施例で用いたリファレンスウェーハは配置せず、従って、リファレンスからの反射光の検出、及び、薄膜SOIウェーハの反射光強度の補正は行わなかった。
4…線状の光(線状の照射領域)、 10…膜厚分布測定装置、
11…ライン光源(従来技術)、 13…検出器。
Claims (3)
- 基板の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜を有する薄膜付ウェーハの前記薄膜の膜厚分布をライン光源を用いた反射分光法によって測定する膜厚分布測定方法であって、
前記ライン光源として、前記薄膜付ウェーハの直径より長い光源を有するライン光源を用い、
前記ライン光源から照射される線状の光で前記薄膜付ウェーハの表面を走査して反射光を検出する際に、同時に、リファレンスに前記線状の光の一部を照射し、その反射光も検出する工程と、
該リファレンスからの反射光強度を用いて前記薄膜付ウェーハからの反射光強度を補正する工程と、
該補正された薄膜付ウェーハの反射光強度から、前記膜厚分布を算出する工程とを含み、
前記リファレンスを、前記ライン光源の線状の照射領域内の両側に1個ずつ離間させて固定配置し、
前記薄膜付ウェーハが前記離間させた両リファレンスの間を通過するように移動させるか、又は前記離間させた両リファレンスの間に、前記線状の光と前記薄膜付ウェーハの直径が重なる位置に前記薄膜付ウェーハを配置し、前記薄膜付ウェーハをその中心を軸に回転させることによって、前記線状の光で前記薄膜付ウェーハの表面を走査し、
該両側の前記リファレンスからの反射光強度の平均値を求め、それを基準に前記薄膜付ウェーハからの反射光強度を補正することを特徴とする膜厚分布測定方法。 - 前記リファレンスとして、鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用いることを特徴とする請求項1に記載の膜厚分布測定方法。
- 前記反射光強度の補正を、前記膜厚分布を算出する際に用いる反射光の波長ごとに行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の膜厚分布測定方法。
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