JP6508053B2 - 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ - Google Patents
積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6508053B2 JP6508053B2 JP2015539178A JP2015539178A JP6508053B2 JP 6508053 B2 JP6508053 B2 JP 6508053B2 JP 2015539178 A JP2015539178 A JP 2015539178A JP 2015539178 A JP2015539178 A JP 2015539178A JP 6508053 B2 JP6508053 B2 JP 6508053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- laminated film
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 52
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 291
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 168
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 77
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 225
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 37
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 26
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 14
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N N-methylsilyl-N-trimethylsilylmethanamine Chemical compound C[SiH2]N(C)[Si](C)(C)C NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILWJZBKNUMVBJ-UHFFFAOYSA-N [SiH4].C(CC)[SiH3] Chemical compound [SiH4].C(CC)[SiH3] VILWJZBKNUMVBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N[SiH3] DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N [methyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[SiH](C)N[SiH3] JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][Si](C)(C)C VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
無機物の薄膜をプラスチック基材の表面上に積層する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法(PVD)、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法(CVD)が知られている。例えば、特許文献1には、珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有する薄膜層を有する積層フィルムが開示されている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、高いガスバリア性を有する積層フィルムを提供することを目的とする。また、この積層フィルムを有する有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイを提供することをあわせて目的とする。
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が下記条件(i)〜(iv):
(i) 珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有すること、
(ii) 珪素の原子数、酸素の原子数および炭素の原子数の合計の原子数に対する炭素の原子数の含有率X(at%)が3〜25at%であること、
(iii) 平均密度d(g/cm3)が、2.12g/cm3以上2.25g/cm3未満であること、
(iv) 前記炭素の原子数の含有率X(at%)と、平均密度d(g/cm3)とが、下記式(1):
d>(2.22−0.008X)・・・(1)
で表される条件を満たすこと、
を全て満たす積層フィルムを提供する。
本発明の一態様においては、前記薄膜層が、プラズマ化学気相成長法により形成された層であることが好ましい。
本発明の一態様においては、前記プラズマ化学気相成長法に用いる成膜ガスが有機珪素化合物と酸素とを含むことが好ましい。
本発明の一態様においては、前記薄膜層が、前記基材を一対の成膜ロール上に配置し、前記一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させるプラズマ化学気相成長法により形成される層であることが好ましい。
本発明の一態様においては、前記一対の成膜ロール間に放電する際に、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが好ましい。
本発明の一態様においては、前記薄膜層が、前記一対の成膜ロールの各ロールの内部に、回転せずに固定された磁場発生機構を有するプラズマ化学気相成長法により形成される層であることが好ましい。
本発明の一態様においては、前記基材が、ポリエステル樹脂およびポリオレフィン樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなることが好ましい。
本発明の一態様においては、前記基材が、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなることが好ましい。
本発明の一態様は、上述の積層フィルムを有する(即ち、備える)有機エレクトロルミネッセンス装置である。
本発明の一態様は、上述の積層フィルムを有する(即ち、備える)光電変換装置である。
本発明の一態様は、上述の積層フィルムを有する(即ち、備える)液晶ディスプレイである。
図2は、本実施形態の積層フィルムの製造に用いられる製造装置の一例を示す模式図である。
図3は、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス装置の側断面図である。
図4は、本実施形態の光電変換装置の側断面図である。
図5は、本実施形態の液晶ディスプレイの側断面図である。
本実施形態の積層フィルムは、基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを有する積層フィルムであって、
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が前記条件(i)〜(iv)を全て満たす積層フィルムである。
本実施形態の積層フィルムにおいては、薄膜層Hが水素原子を含有していても構わない。
以下、図を参照しながら、本実施形態に係る積層フィルムについて説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
図1は、本実施形態の積層フィルムの例を示す模式図である。本実施形態の積層フィルムは、基材Fの表面に、ガスバリア性を担保する薄膜層Hが積層してなるものである。薄膜層Hは、薄膜層Hのうちの少なくとも1層が珪素原子、酸素原子および水素原子を含んでおり、後述する成膜ガスの完全酸化反応によって生じるSiO2を多く含む第1層Ha、不完全酸化反応によって生じるSiOxCyを多く含む第2層Hbを含み、第1層Haと第2層Hbとが交互に積層された3層構造となっている。
ただし、図1は膜組成に分布があることを模式的に示したものであり、実際には第1層Haと第2層Hbとの間は明確に界面が生じているものではなく、組成が連続的に変化している。薄膜層Hは、上記3層構造を1単位として、複数単位積層していてもよい。図1に示す積層フィルムの製造方法は後述する。
(基材)
本実施形態の積層フィルムが有する基材Fは、可撓性を有し高分子材料を形成材料とするフィルムである。
基材Fの形成材料は、本実施形態の積層フィルムが光透過性を有する場合、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂が挙げられる。これらの樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が小さいので、ポリエステル樹脂又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエステル樹脂であるPET又はPENがより好ましい。また、これらの樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、積層フィルムの光透過性が重要視されない場合には、基材Fの形成材料として、例えば上記樹脂にフィラーまたは添加剤を加えた複合材料を用いることができる。
基材Fの厚さは、積層フィルムを製造する際の安定性等を考慮して適宜設定されるが、真空中においても基材の搬送が容易であるので、5μm〜500μmであることが好ましい。さらに、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)を用いて本実施形態で採用する薄膜層Hを形成する場合には、基材Fを通して放電を行うことから、基材Fの厚さは50μm〜200μmであることがより好ましく、50μm〜100μmであることが特に好ましい。
なお、基材Fは、形成する薄膜層との密着力を高めるために、表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。
(薄膜層)
本実施形態の積層フィルムが有する薄膜層Hは、基材Fの少なくとも片方の表面上に形成される層であり、少なくとも1層が珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有している。薄膜層Hは、水素原子、窒素原子、または、アルミニウム原子を更に含有していてもよい。なお、薄膜層Hは、基材Fの両方の表面に形成されていてもよい。
(薄膜層の密度)
本実施形態の積層フィルムが有する薄膜層Hは、膜の平均密度dは、2.12g/cm3以上である。好ましくは、膜の強度の観点から、2.15g/cm3以上である。また、膜の平均密度dは、2.25g/cm3未満である。なお、本明細書において薄膜層の「平均密度」は、後述する「(5)薄膜層の平均密度」に記載された方法により求められる密度を意味する。
(薄膜層における炭素の原子数の含有率)
本実施形態の積層フィルムが有する薄膜層Hは、珪素の原子数、酸素の原子数および炭素の原子数の合計の原子数に対する炭素の原子数の含有率X(at%)が、3〜25at%であり、耐屈曲性の観点から、5at%以上であることが好ましく、7.2at%以上であることがより好ましく、可視光透過率の観点から、20at%以下であることが好ましく、12at%以下であることがより好ましい。
薄膜層の炭素の原子数の含有率は、薄膜層の炭素分布曲線から求められる。
(薄膜層における炭素分布曲線)
本実施形態の積層フィルムが有する薄膜層Hでは、薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離と、該距離の位置の珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係を示す炭素分布曲線を作成することができる。
以下、炭素分布曲線について説明する。
炭素分布曲線は、X線光電子分光法(XPS:X−ray Photoelectron Spectroscopy)の測定とアルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるXPSデプスプロファイル測定を行うことで作成することができる。
XPSデプスプロファイル測定により得られる炭素分布曲線は、縦軸が炭素の原子数比(単位:at%)、横軸がエッチング時間である。XPSデプスプロファイル測定に際しては、エッチングイオン種としてアルゴン(Ar+)を用いた希ガスイオンスパッタ法を採用し、エッチング速度(エッチングレート)を0.05nm/sec(SiO2熱酸化膜換算値)とすることが好ましい。
ただし、薄膜層Hの第2層に多く含まれるSiOxCyは、SiO2熱酸化膜よりも速くエッチングされるため、SiO2熱酸化膜のエッチング速度である0.05nm/secはエッチング条件の目安として用いる。すなわち、エッチング速度である0.05nm/secと、基材Fまでのエッチング時間との積は、厳密には薄膜層Hの表面から基材Fまでの距離を表さない。
そこで、薄膜層Hの厚さを別途測定して求め、求めた厚さと、薄膜層Hの表面から基材Fまでのエッチング時間とから、エッチング時間に「薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離」を対応させる。
これにより、縦軸を炭素の原子数比(単位:at%)とし、横軸を薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離(単位:nm)とする炭素分布曲線を作成することができる。
まず、薄膜層Hの厚さは、FIB(Focused Ion Beam)加工して作製した薄膜層の切片の断面を電界効果型走査電子顕微鏡(FE−SEM)で観察することにより求める。
次いで、求めた厚さと、薄膜層Hの表面から基材Fまでのエッチング時間とから、エッチング時間に「薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離」を対応させる。
XPSデプスプロファイル測定においては、SiO2およびSiOxCyを形成材料とする薄膜層Hから、高分子材料を形成材料とする基材Fにエッチング領域が移る際に、測定される炭素原子数比が急激に増加する。そこで、本発明においては、XPSデプスプロファイルの上記「炭素原子数比が急激に増加する」領域において、傾きが最大となる時間を、XPSデプスプロファイル測定における薄膜層Hと基材Fとの境界に対応するエッチング時間とする。
XPSデプスプロファイル測定が、エッチング時間に対して離散的に行われる場合には、隣接する2点の測定時間における炭素原子数比の測定値の差が最大となる時間を抽出し、当該2点の中点を、薄膜層Hと基材Fとの境界に対応するエッチング時間とする。
また、XPSデプスプロファイル測定が、厚さ方向に対して連続的に行われる場合には、上記「炭素原子数比が急激に増加する」領域において、エッチング時間に対する炭素原子数比のグラフの時間微分値が最大となる点を、薄膜層Hと基材Fとの境界に対応するエッチング時間とする。
すなわち、薄膜層の切片の断面をFE−SEM観察から求めた薄膜層の厚さを、上記XPSデプスプロファイルにおける「薄膜層Hと基材Fとの境界に対応するエッチング時間」に対応させることで、縦軸を炭素の原子数比、横軸を薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離とする、炭素分布曲線を作成することができる。
ここで本明細書における「炭素分布曲線から求められる炭素の原子数比の平均値」は、下記の2点間の領域に含まれる、炭素の原子数比を平均した値を採用した。
まず、本実施形態の積層フィルムにおいては、薄膜層Hが、厚さ方向にSiO2を多く含む第1層Ha、SiOxCyを多く含む第2層Hb、第1層Haという層構造を形成している。そのため、炭素分布曲線では膜表面近傍および基材F近傍に、第1層Haに対応する炭素原子数比の極小値を有すると考えられる。
そのため、炭素分布曲線がこのような極小値を有する場合には、上記の平均値は、炭素分布曲線において最も薄膜層の表面近傍(原点近傍)にある極小値から、炭素分布曲線において「炭素原子数比が急激に増加する」基材領域に移る前の極小値までの領域に含まれる、炭素の原子数比を平均した値を採用する。
本明細書において「極値」とは、各元素の分布曲線において、薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離に対する元素の原子数比の極大値又は極小値のことをいう。
本明細書において「極大値」とは、薄膜層Hの表面からの距離を変化させた場合に元素の原子数比の値が増加から減少に変わる点であって、且つその点の元素の原子数比の値よりも、該点から薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離を更に20nm変化させた位置の元素の原子数比の値が3at%以上減少する点のことをいう。
本明細書において「極小値」とは、薄膜層Hの表面からの距離を変化させた場合に元素の原子数比の値が減少から増加に変わる点であり、且つその点の元素の原子数比の値よりも、該点から薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離を更に20nm変化させた位置の元素の原子数比の値が3at%以上増加する点のことをいう。
本実施形態の積層フィルムの比較対象となる他の構成の積層フィルムでは、表面近傍および基材近傍のいずれか一方または両方に、上述のような極小値を有さないこともある。そのため、炭素分布曲線がこのような極小値を有さない場合には、薄膜層Hの表面近傍および基材近傍で、以下のようにして平均値を算出する基準点を求める。
表面近傍では、薄膜層Hの表面からの距離を変化させた場合に炭素原子数比の値が減少している領域において、ある点(第1点)と、当該点から薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離を更に20nm変化させた点(第2点)との炭素原子数比の値の差の絶対値が5at%以下となるときの、第2点を基準点とする。
基材近傍では、薄膜層と基材との境界を含む領域である「炭素原子数比が急激に増加する」領域の近傍であって、薄膜層Hの表面からの距離を変化させた場合に炭素原子数比の値が増加している領域において、ある点(第1点)と、当該点から薄膜層Hの厚さ方向における薄膜層Hの表面からの距離を更に20nm変化させた点(第2点)との炭素原子数比の値の差の絶対値が5at%以下となるときの、第1点を基準点とする。
炭素の原子数比の「平均」は、炭素分布曲線の作成におけるXPSデプスプロファイル測定が、厚さ方向に対して離散的に行われる場合には、各測定値を算術平均することで求める。また、XPSデプスプロファイル測定が、厚さ方向に対して連続的に行われる場合には、平均を求める領域における炭素分布曲線の積分値を求め、当該領域の長さを一辺とし積分値に相当する面積を有する矩形の他の一辺を算出することで求める。
(炭素の原子数の含有率と、平均密度との関係)
前記炭素の原子数の含有率X(at%)と、平均密度d(g/cm3)とは、下記式(1):
d>(2.22−0.008X)・・・(1)
で表される条件を満たす。この条件を満たす積層フィルムを製造するためには、積層フィルムの製造工程において、後述の基材の乾燥を行うことが好ましい。基材を十分に乾燥することにより、基材Fから発生するアウトガスが十分に少なくなるためである。
なお、積層フィルムが透明性を有している場合、積層フィルムの基材の屈折率と、薄膜層の屈折率との差が大きいと、基材と薄膜層との界面で反射、散乱が生じ、透明性が低下するおそれがある。この場合、薄膜層の炭素の原子数比を上記数値範囲内で調整し、基材の屈折率と薄膜層の屈折率との差を小さくすることにより、積層フィルムの透明性を改善することが可能である。
例えば、基材としてPENを用いる場合、炭素の原子数比の平均値が3〜25at%であると、炭素の原子数比の平均値が25at%よりも大きい場合と比べて、積層フィルムの光線透過率が高く、良好な透明性を有するものとなる。
本実施形態の積層フィルムにおいては、膜面全体において均一で且つ優れたガスバリア性を有する薄膜層Hを形成することができるので、薄膜層Hが膜面方向(薄膜層Hの表面に平行な方向)において実質的に一様であることが好ましい。本明細書において、薄膜層Hが膜面方向において実質的に一様とは、XPSデプスプロファイル測定により薄膜層Hの膜面の任意の2箇所の測定箇所について炭素分布曲線を作成した場合に、その任意の2箇所の測定箇所において得られる炭素分布曲線が持つ極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が、互いに同じであるかもしくは5at%以内の差であることをいう。
さらに、本実施形態の積層フィルムにおいては、炭素分布曲線は実質的に連続であることが好ましい。本明細書において、炭素分布曲線が実質的に連続とは、炭素分布曲線における炭素の原子数比が不連続に変化する部分を含まないことを意味し、具体的には、薄膜層Hの厚さ方向における該層の表面からの距離(x、単位:nm)と、炭素の原子数比(C、単位:at%)との関係において、下記式(F1):
|dC/dx|≦ 0.5 ・・・(F1)
で表される条件を満たすことをいう。
(薄膜層の形態)
本実施形態の積層フィルムにおいて、薄膜層Hの厚さは、5nm以上3000nm以下の範囲であることが好ましく、10nm以上2000nm以下の範囲であることがより好ましく、100nm以上1000nm以下の範囲であることが特に好ましい。薄膜層Hの厚さが5nm以上であることで、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が一層向上する。また、薄膜層Hの厚さが3000nm以下であることで、屈曲させた場合のガスバリア性の低下を抑制する一層高い効果が得られる。
また、本実施形態の積層フィルムは、前記条件(i)〜(iv)を全て満たす薄膜層Hを少なくとも1層有するが、条件(i)〜(iv)を全て満たす薄膜層Hを2層以上有していてもよい。薄膜層Hを2層以上有する場合には、複数の薄膜層Hの材質は、同一であっても異なっていてもよい。また、薄膜層Hを2層以上有する場合には、薄膜層Hは基材Fの一方の表面上に形成されていてもよく、基材Fの両方の表面上に形成されていてもよい。また、複数の薄膜層Hは、ガスバリア性を有しない薄膜層Hを含んでいてもよい。
本実施形態の積層フィルムが、薄膜層Hを2層以上有する場合には、薄膜層Hの厚さの合計値は、100nmより大きく、3000nm以下であることが好ましい。薄膜層Hの厚さの合計値が100nm以上であることにより、ガスバリア性が一層向上する。薄膜層Hの厚さの合計値が3000nm以下であることで、屈曲させた場合のガスバリア性の低下を抑制する一層高い効果が得られる。薄膜層Hの1層あたりの厚さは50nmより大きいことが好ましい。
(その他の構成)
本実施形態の積層フィルムは、基材Fおよび薄膜層Hを有するものであるが、必要に応じて、更にプライマーコート層、ヒートシール性樹脂層、接着剤層等を有していてもよい。
プライマーコート層は、積層フィルムとの接着性を向上させることが可能な公知のプライマーコート剤を用いて形成することができる。ヒートシール性樹脂層は、公知のヒートシール性樹脂を用いて形成することができる。接着剤層は、公知の接着剤を用いて形成することができる。また、接着剤層により複数の積層フィルム同士を接着させてもよい。
(積層フィルムの製造方法)
次いで、上述の条件(i)〜(iv)を全て満たす薄膜層を有する積層フィルムの製造方法について説明する。
図2は、本実施形態の積層フィルムの製造に用いられる製造装置の一例を示す模式図であり、より詳しくは、プラズマ化学気相成長法により薄膜層を形成する装置の模式図である。なお、図2においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
図2に示す製造装置10は、送り出しロール11、巻き取りロール12、搬送ロール13〜16、第1成膜ロール17、第2成膜ロール18、ガス供給管19、プラズマ発生用電源20、電極21、電極22、第1成膜ロール17の内部に設置された磁場形成装置23、および第2成膜ロール18の内部に設置された磁場形成装置24を有している。
製造装置10の構成要素のうち、少なくとも第1成膜ロール17、第2成膜ロール18、ガス供給管19、磁場形成装置23、磁場形成装置24は、積層フィルムを製造するときに、図示略の真空チャンバー内に配置される。この真空チャンバーは、図示略の真空ポンプに接続される。真空チャンバーの内部の圧力は、真空ポンプの動作により調整される。
この装置を用いると、プラズマ発生用電源20を制御することにより、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間の空間に、ガス供給管19から供給される成膜ガスの放電プラズマを発生させることができ、発生する放電プラズマを用いて連続的な成膜プロセスでプラズマCVD成膜を行うことができる。
送り出しロール11には、成膜前の基材Fが巻き取られた状態で設置され、基材Fを長尺方向に巻き出しながら送り出しする。また、基材Fの端部近傍には巻取りロール12が設けられ、成膜が行われた後の基材Fを牽引しながら巻き取り、ロール状に収容する。
第1成膜ロール17および第2成膜ロール18は、平行に延在して対向配置されている。両ロールは導電性材料で形成され、それぞれ回転しながら基材Fを搬送する。第1成膜ロール17および第2成膜ロール18は、直径が同じものを用いることが好ましく、例えば、5cm以上100cm以下のものを用いることが特に好ましい。
また、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18とは、相互に絶縁されていると共に、共通するプラズマ発生用電源20に接続されている。プラズマ発生用電源20から交流電圧を印加すると、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間の空間SPに電場が形成される。プラズマ発生用電源20は、印加電力を100W〜10kWとすることができ、且つ交流の周波数を50Hz〜500kHzとすることが可能なものであると好ましい。
磁場形成装置23および磁場形成装置24は、空間SPに磁場を形成する装置であり、第1成膜ロール17および第2成膜ロール18の内部に格納されている。磁場形成装置23および磁場形成装置24は、第1成膜ロール17および第2成膜ロール18と共には回転しないように(すなわち、真空チャンバーに対する相対的な姿勢が変化しないように)固定されている。
磁場形成装置23および磁場形成装置24は、第1成膜ロール17および第2成膜ロール18の延在方向と同方向に延在する中心磁石23a,24aと、中心磁石23a,24aの周囲を囲みながら、第1成膜ロール17および第2成膜ロール18の延在方向と同方向に延在して配置される円環状の外部磁石23b,24bと、を有している。磁場形成装置23では、中心磁石23aと外部磁石23bとを結ぶ磁力線(磁界)が、無終端のトンネルを形成している。磁場形成装置24においても同様に、中心磁石24aと外部磁石24bとを結ぶ磁力線が、無終端のトンネルを形成している。
この磁力線と、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間に形成される電界と、が交差するマグネトロン放電によって、成膜ガスの放電プラズマが生成される。すなわち、詳しくは後述するように、空間SPは、プラズマCVD成膜を行う成膜空間として用いられ、基材Fにおいて第1成膜ロール17、第2成膜ロール18に接しない面(成膜面)には、成膜ガスがプラズマ状態を経由して堆積した薄膜層が形成される。
空間SPの近傍には、空間SPにプラズマCVDの原料ガス等の成膜ガスGを供給するガス供給管19が設けられている。ガス供給管19は、第1成膜ロール17および第2成膜ロール18の延在方向と同一方向に延在する管状の形状を有しており、複数箇所に設けられた開口部から空間SPに成膜ガスGを供給する。図2では、ガス供給管19から空間SPに向けて成膜ガスGを供給する様子を矢印で示している。
原料ガスは、形成する薄膜層の材質に応じて適宜選択して使用することができる。原料ガスとしては、例えば、有機珪素化合物を用いることができる。有機珪素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。これらの有機珪素化合物の中でも、化合物の取り扱い性および薄膜層のガスバリア性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンが好ましい。これらの有機珪素化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。さらに、原料ガスとして、上述の有機珪素化合物の他にモノシランを含有させ、得られる薄膜層の珪素源としてもよい。
成膜ガスとしては、原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。反応ガスとしては、原料ガスと反応して酸化物、窒化物、酸窒化物等の無機化合物となるガスを使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また、窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができ、例えば酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用することができる。
成膜ガスには、原料ガスを真空チャンバー内に供給するために、必要に応じて、キャリアガスを含むこととしてもよい。さらに、成膜ガスとしては、放電プラズマを発生させるために、必要に応じて、放電用ガスを用いてもよい。キャリアガスおよび放電用ガスとしては、公知のものを使用することができ、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス;水素を用いることができる。
真空チャンバー内の圧力(真空度)は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができるが、空間SPの圧力が0.1Pa〜50Paであることが好ましい。気相反応を抑制する目的により、プラズマCVDを低圧プラズマCVD法とする場合、通常0.1Pa〜10Paである。また、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、0.1kW〜10kWであることが好ましい。
基材Fの搬送速度(ライン速度)は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、積層フィルムの成膜性の観点から、0.1m/min〜100m/minであることが好ましく、0.5m/min〜20m/minであることがより好ましい。
上述した製造装置10においては、例えば、以下のとおり、基材Fに対して成膜が行われる。基材Fは、成膜前に、十分に乾燥することが好ましい。まず、基材Fの乾燥方法について説明する。
(基材の乾燥)
薄膜層の密度を高くするには、成膜前に、基材Fから発生するアウトガスが十分に少なくなるように事前の処理を行うとよい。基材Fからのアウトガスの発生量は、基材Fを製造装置に装着し、装置内(チャンバー内)を減圧したときの圧力を用いて判断することができる。例えば、製造装置のチャンバー内の圧力が、1×10−3Pa以下であれば、基材Fからのアウトガスの発生量が十分に少なくなっていると判断することができる。
基材Fからのアウトガスの発生量を少なくする方法としては、真空乾燥、加熱乾燥、およびこれらの組み合わせによる乾燥並びに自然乾燥による乾燥が挙げられる。これらの中でも、真空乾燥が好ましい。いずれの乾燥方法であっても、ロール状に巻き取った基材Fの内部の乾燥を促進するために、乾燥中にロールの巻き替え(巻出しおよび巻き取り)を繰り返し行い、基材F全体を乾燥させることが好ましい。
真空乾燥は、耐圧性の真空容器に基材Fを入れ、真空ポンプ等の減圧機を用いて真空容器内を排気して真空にすることにより行う。プラズマ化学気相成長法の装置等も耐圧性の真空容器であるので、真空乾燥装置としても使うことができる。真空乾燥時の真空容器内の圧力は、1000Pa以下が好ましく、100Pa以下がより好ましく、10Pa以下がさらに好ましい。真空容器内の排気は、減圧機を連続的に運転することで連続的に行うこととしてもよく、内圧が一定以上にならないように管理しながら、減圧機を断続的に運転することで断続的に行うこととしてもよい。プラズマ化学気相成長法の装置等を真空乾燥装置として使う場合は、専用の真空乾燥装置を用意することが好ましい。専用の真空乾燥装置を用いる場合、乾燥時間は、8時間以上であることが好ましく、1週間以上であることがより好ましく、1ヶ月以上であることがさらに好ましい。
加熱乾燥は、基材Fを室温より高い温度の環境下に曝すことにより行う。加熱温度は、室温を超え100℃以下が好ましく、室温を超え50℃以下がさらに好ましい。乾燥時間は、加熱温度や用いる加熱手段により適宜選択することができる。
加熱手段としては、常圧下で基材Fを室温を超え50℃以下に加熱できるものであればよく、赤外線加熱装置、マイクロ波加熱装置や、加熱ドラムが好ましい。
赤外線加熱装置とは、赤外線発生手段から赤外線を放射することにより対象物を加熱する装置である。
マイクロ波加熱装置とは、マイクロ波発生手段からマイクロ波を照射することにより対象物を加熱する装置である。
加熱ドラムとは、ドラム表面を加熱し、対象物をドラム表面に接触させることにより、接触部分から熱伝導により加熱する装置である。
自然乾燥は、基材Fを低湿度の雰囲気中に配置し、乾燥ガス(例えば、乾燥空気、乾燥窒素)を通風させることで低湿度の雰囲気を維持することにより行う。自然乾燥を行う際には、基材Fを配置する低湿度環境にシリカゲル等の乾燥剤を一緒に配置することが好ましい。
乾燥時間は、8時間以上であることが好ましく、1週間以上であることがより好ましく、1ヶ月以上であることがさらに好ましい。
これらの乾燥は、基材Fを製造装置に装着する前に別途行ってもよく、基材Fを製造装置に装着した後に、製造装置内で行ってもよい。
基材Fを製造装置に装着した後に乾燥させる方法としては、送り出しロールから基材Fを送り出し搬送しながら、チャンバー内を減圧することが挙げられる。また、通過させるロールがヒーターを有するものとし、ロールを加熱することで該ロールを上述の加熱ドラムとして用いて加熱してもよい。
基材Fからのアウトガスを少なくする別の方法として、予め基材Fの表面に無機物を成膜しておくことが挙げられる。無機物の成膜方法としては、真空蒸着(加熱蒸着)、電子ビーム(Electron Beam、EB)蒸着、スパッタ、イオンプレーティング等の物理的成膜方法が挙げられる。また、熱CVD、プラズマCVD、大気圧CVD等の化学的堆積法により無機膜を成膜してもよい。さらに、表面に無機物を成膜した基材Fを、上述の乾燥方法による乾燥処理を施すことにより、さらにアウトガスの影響を少なくしてもよい。
次いで、不図示の真空チャンバー内を減圧環境とし、第1成膜ロール17、第2成膜ロール18に電圧を印加して空間SPに電界を生じさせる。好ましくは、交流電圧を印加する。
ここで、磁場形成装置23および磁場形成装置24では上述した無終端のトンネル状の磁場を形成しているため、成膜ガスを導入することにより、該磁場と空間SPに放出される電子とによって、該トンネルに沿ったドーナツ状の成膜ガスの放電プラズマが形成される。この放電プラズマは、数Pa程度の低圧力で発生可能であるため、真空チャンバー内の温度を室温程度とすることが可能になる。
一方、磁場形成装置23および磁場形成装置24が形成する磁場に高密度で捉えられている電子の温度は高いので、当該電子と成膜ガスとの衝突により放電プラズマが生じる。すなわち、空間SPに形成される磁場と電場により電子が空間SPに閉じ込められることにより、空間SPに高密度の放電プラズマが形成される。より詳しくは、無終端のトンネル状の磁場と重なる空間においては、高密度の(高強度の)放電プラズマが形成され、無終端のトンネル状の磁場とは重ならない空間においては低密度の(低強度の)放電プラズマが形成される。これら放電プラズマの強度は、連続的に変化するものである。
放電プラズマが生じると、ラジカルおよびイオンを多く生成してプラズマ反応が進行し、成膜ガスに含まれる原料ガスと反応ガスとの反応が生じる。例えば、原料ガスである有機珪素化合物と、反応ガスである酸素とが反応し、有機珪素化合物の酸化反応が生じる。
ここで、高強度の放電プラズマが形成されている空間では、酸化反応に与えられるエネルギーが多いため反応が進行しやすく、主として有機珪素化合物の完全酸化反応を生じさせることができる。一方、低強度の放電プラズマが形成されている空間では、酸化反応に与えられるエネルギーが少ないため反応が進行しにくく、主として有機珪素化合物の不完全酸化反応を生じさせることができる。
なお、本明細書において「有機珪素化合物の完全酸化反応」とは、有機珪素化合物と酸素との反応が進行し、有機珪素化合物が二酸化珪素(SiO2)と水と二酸化炭素にまで酸化分解されることを意味する。
例えば、成膜ガスが、原料ガスであるヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)6Si2O)と、反応ガスである酸素(O2)と、を含有する場合、「完全酸化反応」であれば下記式(1)に記載のような反応が起こり、二酸化珪素が製造される。
上述のとおり、製造装置10では、放電プラズマが第1成膜ロール17、第2成膜ロール18の表面にドーナツ状に形成されるため、第1成膜ロール17、第2成膜ロール18の表面を搬送される基材Fは、高強度の放電プラズマが形成されている空間と、低強度の放電プラズマが形成されている空間と、を交互に通過することとなる。そのため、第1成膜ロール17、第2成膜ロール18の表面を通過する基材Fの表面には、完全酸化反応によって生じるSiO2を多く含む層(図1の第1層Ha)に、不完全酸化反応によって生じるSiOxCyを多く含む層(図1の第2層Hb)が挟持されて形成される。
これらに加えて、高温の2次電子が磁場の作用で基材Fに流れ込むのが防止される結果、基材Fの温度を低く抑えたままで高い電力の投入が可能となり、高速成膜が達成される。膜の形成は、主に基材Fの成膜面のみに起こり、成膜ロールは基材Fに覆われて汚れにくいために、長時間の安定成膜ができる。
次に、薄膜層中の炭素の原子数比の平均値を制御する方法を説明する。
上述の装置を用いて形成される薄膜層について、薄膜層に含まれる炭素の原子数比の平均値を3at%以上25at%以下とするためには、例えば、以下のとおり、原料ガスと反応ガスとを混合した成膜ガスを用いて成膜する。
まず、酸素の流量が一定である場合、HMDSOの流量を増やすと、薄膜層中の炭素の原子数比の平均値は増加する。これは、酸素量に対して相対的にHMDSOの量が増えるため、HMDSOが不完全酸化をする反応条件となる結果、薄膜層中に含有される炭素量が増加する。
また、HMDSOの流量が一定である場合、酸素の流量を増やすと、薄膜層中の炭素の原子数比の平均値は減少する。これは、酸素量に対して相対的にHMDSOの量が減少するため、HMDSOが完全酸化をする反応条件に近づく結果、薄膜層中に含有される炭素量が減少する。
その他、例えば成膜ガスの量を固定した上で、第1成膜ロール17、第2成膜ロール18に印加する印加電圧を変化させたときの、当該電圧の変化に対する炭素の原子数比の平均値の関係を求め、上述の説明と同様に、所望の炭素の原子数比の平均値となる印加電圧を求めることとしてもよい。
このようにして成膜条件を規定し、放電プラズマを用いたプラズマCVD法により、基材の表面に薄膜層の形成を行って、本実施形態の積層フィルムを製造することができる。
次いで、前記条件(i)〜(iv)を満たす薄膜層が、基材の両方の表面上に形成された積層フィルムを製造する方法について説明する。
上述のとおり基材の表面に薄膜層の形成が行われた積層フィルムを、製造装置から取り出し、薄膜層が形成されていない面に薄膜層が形成されるよう積層フィルムを送り出しロール11に装着する。積層フィルムを送り出しロール11に装着した後に、積層フィルムを前述の基材の乾燥と同様に乾燥することが好ましい。
上述の乾燥を行わない場合は、積層フィルムの製造装置から取り出しから送り出しロール11への装着まで30分以内とすることが好ましく、10分以内とすることがより好ましい。装着まで時間がかかる場合は、積層フィルムを乾燥剤入りのデシケーター中に保存しておくことが好ましい。また、製造装置自体が、ドライルーム等の低湿度環境に設置されていることが好ましい。
積層フィルムを送り出しロール11に装着した後の成膜条件は、既に形成された薄膜層製造時の成膜条件と同じでも異なっていてもよい。得られた両面積層フィルムの反り(カール)がなくなるよう、成膜条件を調整することもできる。
一旦製造装置から取り出すことなく、基材の両方の表面上に薄膜層を製造できる製造装置を用いてもよい。
本実施形態の積層フィルムにおいては、薄膜層の平均密度が2.12g/cm3以上2.25g/cm3未満であり、好ましくは、2.15g/cm3以上2.20g/cm3以下である。
薄膜層においては、不完全酸化反応によって生じるSiOxCyを多く含む層が、SiO2(密度:2.22g/cm3)の網目構造から、酸素原子を炭素原子で置換した構造を有していると考えられる。SiOxCyを多く含む層においては、多くの炭素原子でSiO2の酸素原子を置換した構造であると(すなわち、薄膜層の炭素の原子数比の平均値が大きくなると)、Si−Oのsp3結合の結合長(約1.63Å)とSi−Cのsp3結合の結合長(約1.86Å)の違いから分子容積が大きくなるために薄膜層の平均密度が減少する。
[有機EL装置]
図3は、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)装置の側断面図である。
本実施形態の有機EL装置は、光を利用する各種の電子機器に適用可能である。本実施形態の有機EL装置は、例えば、携帯機器等の表示部の一部、プリンター等の画像形成装置の一部、液晶表示パネル等の光源(バックライト)、照明機器の光源である。
図3に示す有機EL装置50は、第1電極52、第2電極53、発光層54、積層フィルム55、積層フィルム56および封止材65を有している。積層フィルム55,56には、上述した本実施形態の積層フィルムが用いられ、積層フィルム55は、基材57および薄膜層58を備え、積層フィルム56は、基材59および薄膜層60を有している。
発光層54は、第1電極52と第2電極53との間に配置されており、第1電極52、第2電極53,発光層54は有機EL素子を形成している。積層フィルム55は、第1電極52に対して発光層54の反対側に配置されている。積層フィルム56は、第2電極53に対して発光層54の反対側に配置されている。さらに、積層フィルム55と積層フィルム56とは、有機EL素子の周囲を取り囲むように配置されている封止材65によって貼り合わされ、有機EL素子を内部に封止する封止構造を形成している。
有機EL装置50において、第1電極52と第2電極53との間に電力が供給されると、発光層54にキャリア(電子および正孔)が供給され、発光層54に光が生じる。有機EL装置50に対する電力の供給源は、有機EL装置50と同じ装置に搭載されていてもよいし、この装置の外部に設けられていてもよい。発光層54から発せられた光は、有機EL装置50を含む装置の用途等に応じて、画像の表示や形成、照明等に利用される。
本実施形態の有機EL装置50においては、第1電極52、第2電極53,発光層54の形成材料(有機EL素子の形成材料)として、通常知られた材料が用いられる。一般に、有機EL装置の形成材料は、水分や酸素により容易に劣化することが知られているが、本実施形態の有機EL装置50では、屈曲させても高いガスバリア性を維持可能な本実施形態の積層フィルム55,56と封止材65とで囲まれた封止構造で有機EL素子が封止されている。そのため、屈曲させても性能の劣化が少なく信頼性が高い有機EL装置50とすることができる。
なお、本実施形態の有機EL装置50では、本実施形態の積層フィルム55,56を用いることとして説明したが、積層フィルム55,56のいずれか一方が、他の構成を有するガスバリア性の基板であってもよい。
[光電変換装置]
図4は、本実施形態の光電変換装置の側断面図である。本実施形態の光電変換装置は、光検出センサーや太陽電池等のように、光エネルギーを電気エネルギーに変換する各種デバイス等に利用可能である。
図4に示す光電変換装置400は、第1電極402、第2電極403、光電変換層404、積層フィルム405、および積層フィルム406を有している。積層フィルム405は、基材407および薄膜層408を有している。積層フィルム406は、基材409および薄膜層410を有している。光電変換層404は、第1電極402と第2電極403との間に配置されており、第1電極402、第2電極403,光電変換層404は光電変換素子を形成している。
積層フィルム405は、第1電極402に対して光電変換層404の反対側に配置されている。積層フィルム406は、第2電極403に対して光電変換層404の反対側に配置されている。さらに、積層フィルム405と積層フィルム406とは、光電変換素子の周囲を取り囲むように配置されている封止材420によって貼り合わされ、光電変換素子を内部に封止する封止構造を形成している。
光電変換装置400は、第1電極402が透明電極であり、第2電極403が反射電極である。本例の光電変換装置400において、第1電極402を通って光電変換層404へ入射した光の光エネルギーは、光電変換層404で電気エネルギーに変換される。この電気エネルギーは、第1電極402および第2電極403を介して、光電変換装置400の外部に取出される。光電変換装置400の外部から光電変換層404へ入射する光の光路に配置される各構成要素は、少なくとも光路に相当する部分が透光性を有するように、材質等が適宜選択される。光電変換層404からの光の光路以外に配置される構成要素については、透光性の材質でもよいし、この光の一部又は全部を遮る材質でもよい。
本実施形態の光電変換装置400においては、第1電極402、第2電極403、光電変換層404として、通常知られた材料が用いられる。本実施形態の光電変換装置400では、ガスバリア性の高い本実施形態の積層フィルム405,406と封止材420とで囲まれた封止構造で光電変換素子が封止されている。そのため、屈曲させても光電変換層や電極が空気中の酸素または水分で劣化し性能が低下するおそれが少なく、信頼性が高い光電変換装置400とすることができる。
なお、本実施形態の光電変換装置400では、本実施形態の積層フィルム405,406で光電変換素子を挟持することとして説明したが、積層フィルム405,406のいずれか一方が、他の構成を有するガスバリア性の基板であってもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
[液晶ディスプレイ]
図5は、本実施形態の液晶ディスプレイの側断面図である。
図5に示す液晶ディスプレイ100は、第1基板102、第2基板103、および液晶層104を有している。第1基板102は、第2基板103に対向して配置されている。液晶層104は、第1基板102と第2基板103との間に配置されている。液晶ディスプレイ100は、例えば、第1基板102と第2基板103とを封止材130を用いて貼り合せるとともに、第1基板102と第2基板103と封止材130とで囲まれた空間に液晶層104を封入することによって製造される。
液晶ディスプレイ100は、複数の画素を有している。複数の画素は、マトリックス状に配列されている。本実施形態の液晶ディスプレイ100は、フルカラーの画像を表示可能である。液晶ディスプレイ100の各画素は、サブ画素Pr、サブ画素Pg、およびサブ画素Pbを含んでいる。サブ画素の間は、遮光領域BMになっている。3種のサブ画素は、画像信号に応じた階調の互いに異なる色光を、画像の表示側に射出する。本実施形態では、サブ画素Prから赤色光が射出され、サブ画素Pgから緑色光が射出され、サブ画素Pbから青色光が射出される。3種のサブ画素から射出された3色の色光が混じり合って視認されることによって、フルカラーの1画素が表示される。
第1基板102は、積層フィルム105、素子層106、複数の画素電極107、配向膜108、および偏光板109を有している。画素電極107は、後述する共通電極114と一対の電極をなしている。積層フィルム105は、基材110および薄膜層111を有している。基材110は、薄板状又はフィルム状である。薄膜層111は、基材110の片面に形成されている。素子層106は、薄膜層111が形成された基材110の上に積層されて形成されている。複数の画素電極107は、素子層106の上に、液晶ディスプレイ100のサブ画素ごとに独立して設けられている。配向膜108は、複数のサブ画素にわたって、画素電極107の上に間に設けられている。
第2基板103は、積層フィルム112、カラーフィルター113、共通電極114、配向膜115、および偏光板116を供えている。積層フィルム112は、基材117および薄膜層118を有している。基材117は、薄板状又はフィルム状である。薄膜層118は、基材117の片面に形成されている。カラーフィルター113は、薄膜層111が形成された基材110の上に積層されて形成されている。共通電極114は、カラーフィルター113の上に設けられている。配向膜115は、共通電極114の上に設けられている。
第1基板102と第2基板103は、画素電極107と共通電極114とが向き合うように対向して配置されて液晶層104を挟んだ状態で、互いに貼り合わされている。画素電極107、共通電極114,液晶層104は液晶表示素子を形成している。さらに、積層フィルム105と積層フィルム112とは、液晶表示素子の周囲を取り囲むように配置されている封止材130と協働して、液晶表示素子を内部に封止する封止構造を形成している。
液晶ディスプレイ100においては、ガスバリア性の高い本実施形態の積層フィルム105と積層フィルム112とが、液晶表示素子を内部に封止する封止構造の一部を形成しているため、屈曲させても液晶表示素子が空気中の酸素または水分で劣化し性能が低下するおそれが少なく、信頼性が高い液晶ディスプレイ100とすることができる。
なお、本実施形態の液晶ディスプレイ100では、本実施形態の積層フィルム105,112を用いることとして説明したが、積層フィルム105,112のいずれか一方が、他の構成を有するガスバリア性の基板であってもよい。
[測定方法]
(1)水蒸気透過度の測定
積層フィルムの水蒸気透過度は、温度40℃、湿度90%RHの条件で、カルシウム腐食法(特開2005−283561号公報に記載される方法)によって測定した。
具体的には、試験積層フィルムを乾燥処理後、金属カルシウムを蒸着し、その上から金属アルミニウムで封止した。それをガラスに固定後、樹脂で封止したサンプルを温度40℃、湿度90%RHの条件での腐食点の経時変化による増加を画像解析で調べ、水蒸気透過度を算出した。すなわち、腐食点をマイクロスコープで撮影し、パーソナルコンピューターに取り込んで、腐食点の画像を2値化し、腐食面積を算出して、水蒸気透過度を算出した。
(2)薄膜層の厚さの測定
薄膜層の厚さは、FIB(Focused Ion Beam)加工で作製した薄膜層の切片の断面を、FE−SEM(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、S−4700)を用いて観察することにより求めた。
(FIB条件)
・装置:SMI−3050(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)
・加速電圧:30kV
(観察条件)
・装置:S−4700(日立製作所製)
・加速電圧:5kV
(3)薄膜層の炭素分布曲線
積層フィルムの薄膜層について、炭素原子の分布曲線は、下記条件にてXPSデプスプロファイル測定を行い、横軸を薄膜層の表面からの距離(nm)、縦軸を各元素の原子百分率としてグラフ化して作成した。
(測定条件)
エッチングイオン種:アルゴン(Ar+)
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2熱酸化膜換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、VG Theta Probe
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット形状およびスポット径:800×400μmの楕円形。
(4)光線透過率の測定
積層フィルムの光透過率スペクトルの測定を、紫外可視近赤外分光光度計(日本分光株式会社、商品名Jasco V−670)を用い、JIS R1635に準じて行い、波長550nmにおける可視光透過率を積層フィルムの光透過率とした。
(測定条件)
・積分球 :無し
・測定波長範囲 :190〜2700nm
・スペクトル幅 :1nm
・波長走査速度 :2000nm/分
・レスポンス :Fast
(5)薄膜層の平均密度
薄膜層の平均密度は、ラザフォード後方散乱法(Rutherford Backscattering Spectrometry:RBS)により薄膜層の密度分布を測定し、平均密度を算出した。
RBS法の測定は、下記の共通する測定装置を用いて行った。
(測定装置)
加速器:National Electrostatics Corp(NEC)社加速器
計測器:Evans社製エンドステーション
(RBS法測定)
積層フィルムの薄膜層に対して、薄膜層表面の法線方向からHeイオンビームを入射し、入射方向に対して後方に散乱するHeイオンのエネルギーを検出することで、RBSスペクトルを得た。
(分析条件)
He++イオンビームエネルギー:2.275MeV
RBS検出角度:160°
イオンビーム入射方向に対するGrazing Angle:約115°
Analysis Mode:RR(Rotation Random)
(実施例1)
図2に示す製造装置を用いて積層フィルムを製造した。すなわち、2軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム、厚さ:100μm、幅:700mm、帝人デュポンフィルム(株)製、商品名「テオネックスQ65FA」)を基材F(フィルム)として用い、これを送り出しロール11に装着した。基材装着後、チャンバー内を終夜で真空引きし、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18を50℃に加熱して、基材を1m/分の搬送速度で通過させて基材を乾燥させた。この操作を送り出す搬送と戻す搬送の合計2回行い、基材を十分に乾燥させた。第1成膜ロール17と第2成膜ロール18が50℃から十分に冷えて室温になったところで成膜を開始した。
放電ガスである酸素ガス(反応ガスとしても機能する)を磁場が印加してある第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間に導入し、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18に電力を供給して、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間に放電してプラズマを発生させることにより放電領域が生じた。この放電領域に、原料ガスであるヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を導入して、酸素ガスとの混合ガスとして供給して、プラズマCVD法による成膜した。この時の成膜条件は、電力1.6kW、HMDSOの流量50sccm(0℃基準、以下同様)、酸素の流量500sccm、圧力1Pa、搬送速度0.5m/分であった。この工程を5回行い、薄膜層を積層した積層フィルムを得た。
この積層フィルムをFIB加工処理した後にFE‐SEMにより求めた積層フィルムの厚さは、766nmであり、また、積層フィルムが有する薄膜層のXPS法による炭素の原子数の含有率は、7.25at%であった。
この積層フィルムが有する薄膜層のRBS法による平均密度は、2.167g/cm3であり、2.12g/cm3以上で、2.25g/cm3より小さく、式(1)の右辺(2.22−0.008X)に、炭素の原子数の含有率7.25at%を代入した2.162より大きい。
この積層フィルムのCa腐食法による40℃90%RHでの水蒸気透過度は、9.3×10−6g/m2/dayであり、優れたガスバリア性を有していることが確認された。
(比較例1)
実施例1と同様に基材装着後、チャンバー内を終夜で真空引きした後、成膜ロールの加熱および基材を巻き出しによる基材の乾燥を行わずに、その他の条件は、実施例1の成膜条件で、プラズマCVD法により成膜することにより、薄膜層を積層した積層フィルムを得た。
この積層フィルムをFIB加工処理した後にFE‐SEMにより求めた積層フィルムの厚さは、802nmであり、また、積層フィルムが有する薄膜層のXPS法による炭素の原子数の含有率は、7.12at%であった。
この積層フィルムが有する薄膜層のRBS法による平均密度は、2.131g/cm3であり、式(1)の右辺(2.22−0.008X)に、炭素の原子数の含有率7.12at%を代入した2.163より小さい。
この積層フィルムのCa腐食法による40℃90%RHでの水蒸気透過度は、4.8×10−5g/m2/dayであった。
(実施例2)
原料ガスであるヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)と酸素ガスとの混合比だけを変えて、他は実施例1と同様の条件で、プラズマCVD法により成膜成膜することにより、薄膜層を積層した積層フィルムを得た。この時の成膜条件は、HMDSOの流量50sccm、酸素の流量450sccmであった。
この積層フィルムをFIB加工処理した後にFE‐SEMにより求めた積層フィルムの厚さは、826nmであり、また、積層フィルムが有する薄膜層のXPS法による炭素の原子数の含有率は、8.95at%であった。
この積層フィルムが有する薄膜層のRBS法による平均密度は、2.155g/cm3であり、2.12g/cm3以上で、2.25g/cm3より小さく、式(1)の右辺(2.22−0.008X)に、炭素の原子数の含有率8.95at%を代入した2.148g/cm3より大きい。
この積層フィルムのCa腐食法による40℃90%RHでの水蒸気透過度は、9.3×10−6g/m2/dayであり、優れたガスバリア性を有していることが確認された。
(実施例3)
原料ガスであるヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)と酸素ガスとの混合比を変え、搬送速度を実施例1の80%の速度に変え、他は実施例1と同様の条件で、プラズマCVD法により成膜することにより、薄膜層を積層した積層フィルムを得た。この時の成膜条件は、HMDSOの流量50sccm、酸素の流量400sccm、搬送速度0.4m/分であった。
この積層フィルムのFIB加工処理した後にFE‐SEMにより求めた積層フィルムの厚さは、980nmであり、また、積層フィルムが有する薄膜層のXPS法による炭素の原子数の含有率は、11.71at%であった。
この積層フィルムが有する薄膜層のRBS法による平均密度は、2.178g/cm3であり、2.12g/cm3以上で、2.25g/cm3より小さく、式(1)の右辺(2.22−0.008X)に、炭素の原子数の含有率11.71at%を代入した2.126より大きい。
この積層フィルムのCa腐食法による40℃90%RHでの水蒸気透過度は、4.6×10−6g/m2/dayであり、優れたガスバリア性を有していることが確認された。
(実施例4)
実施例1で得られた積層フィルムを、図2に示す製造装置から取り出し、30分以内に、薄膜層が形成されていない面に、薄膜層が形成されるよう、積層フィルムを、図2で示す製造装置の送り出しロール11に装着する。積層フィルム装着後、チャンバー内を終夜で真空引きし、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18を50℃に加熱して、積層フィルムを1m/分の搬送速度で通過させて積層フィルムを乾燥する。この操作を送り出しの搬送と戻す搬送と2回行い積層フィルムを十分に乾燥する。第1成膜ロール17と第2成膜ロール18が50℃から十分に冷えて室温になったところで成膜を開始する。この時の成膜条件は、電力1.6kW、HMDSOの流量50sccm、酸素の流量500sccm、圧力1Pa、搬送速度0.5m/分とする。この工程を5回行い、基材の両方の表面上に薄膜層が形成された積層フィルムを得る。この積層フィルムは、基材の両方の表面上に形成された薄膜層が、上述の条件(i)〜(iv)を満たし、優れたガスバリア性を有している。
11 送り出しロール
12 巻き取りロール
13〜16 搬送ロール
17 第1成膜ロール
18 第2成膜ロール
19 ガス供給管
20 プラズマ発生用電源
21,22 電極
23,24 磁場形成装置
23a,24a 中心磁石
23b,24b 外部磁石
50 有機EL装置
52,402 第1電極
53,403 第2電極
54 発光層
55,56,105,112,405,406 積層フィルム
57,59,110,117,F 基材
58,60,111,118 薄膜層
65,130,420 封止材
100 液晶ディスプレイ
102 第1基板
103 第2基板
104 液晶層
106 素子層
107 画素電極
108,115 配向膜
109,116 偏光板
113 カラーフィルター
114 共通電極
400 光電変換装置
404 光電変換層
H 薄膜層
SP 空間
サブ画素 Pr,Pg,Pb
BM 遮光領域
Claims (12)
- 基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを有する積層フィルムであって、
前記基材が高分子材料を形成材料とするものであり、
前記薄膜層のうちの少なくとも1層が下記条件(i)〜(iv):
(i) 珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有すること、
(ii) 珪素の原子数、酸素の原子数および炭素の原子数の合計の原子数に対する炭素の原子数の含有率X(at%)が3〜25at%であること、
(iii) 平均密度d(g/cm3)が、2.12g/cm3以上2.25g/cm3未満であること、
(iv) 前記炭素の原子数の含有率X(at%)と、平均密度d(g/cm3)とが、下記式(1):
d>(2.22−0.008X)・・・(1)
で表される条件を満たすこと、
を全て満たす積層フィルム。 - 前記薄膜層が、プラズマ化学気相成長法により形成された層である請求項1に記載の積層フィルム。
- 前記プラズマ化学気相成長法に用いる成膜ガスが有機珪素化合物と酸素とを含む請求項2に記載の積層フィルム。
- 前記薄膜層が、前記基材を一対の成膜ロール上に配置し、前記一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させるプラズマ化学気相成長法により形成される層である請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の積層フィルム。
- 前記一対の成膜ロール間に放電する際に、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させる請求項4に記載の積層フィルム。
- 前記薄膜層が、前記一対の成膜ロールの各ロールの内部に、回転せずに固定された磁場発生機構を有するプラズマ化学気相成長法により形成される層である請求項4または5に記載の積層フィルム。
- 前記基材が、高分子材料から形成される可撓性フィルムである請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層フィルム。
- 前記基材が、ポリエステル樹脂およびポリオレフィン樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなる請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層フィルム。
- 前記基材が、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなる請求項1〜8のうちのいずれか一項に記載の積層フィルム。
- 請求項1〜9のうちのいずれか一項に記載の積層フィルムを有する有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項1〜9のうちのいずれか一項に記載の積層フィルムを有する光電変換装置。
- 請求項1〜9のうちのいずれか一項に記載の積層フィルムを有する液晶ディスプレイ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013200937 | 2013-09-27 | ||
JP2013200937 | 2013-09-27 | ||
JP2014175088 | 2014-08-29 | ||
JP2014175088 | 2014-08-29 | ||
PCT/JP2014/074980 WO2015046092A1 (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-16 | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015046092A1 JPWO2015046092A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6508053B2 true JP6508053B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=52743229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539178A Active JP6508053B2 (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-16 | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10221486B2 (ja) |
JP (1) | JP6508053B2 (ja) |
KR (1) | KR102270428B1 (ja) |
CN (1) | CN105579227B (ja) |
TW (1) | TWI666121B (ja) |
WO (1) | WO2015046092A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107660180B (zh) * | 2015-05-25 | 2021-07-02 | 柯尼卡美能达株式会社 | 阻气膜、波长变换部件以及背光单元 |
AU2017361549B2 (en) * | 2016-11-21 | 2023-12-21 | Obi Pharma, Inc. | Conjugated biological molecules, pharmaceutical compositions and methods |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3773340B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2006-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 低屈折率SiO2 膜及びその製造方法 |
JP3734724B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2006-01-11 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリアフィルム |
JP2005119155A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム及びその製造方法 |
JP2005283561A (ja) | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 水蒸気透過度測定装置 |
JP4821610B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-11-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明ガスバリア性フィルム |
JP4747605B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-08-17 | 東洋製罐株式会社 | プラズマcvd法による蒸着膜 |
JP5275543B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2013-08-28 | 株式会社吉野工業所 | 高いバリア性を有する合成樹脂製容器 |
US20080124946A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films |
JP5251071B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | バリアフィルムおよびその製造方法 |
CN102387920B (zh) * | 2009-04-09 | 2015-01-07 | 住友化学株式会社 | 气体阻隔性层叠膜 |
JP5513959B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-06-04 | 住友化学株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
JP5789938B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2015-10-07 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリア性積層フィルム |
JP2012084305A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置 |
TWI523758B (zh) * | 2011-06-21 | 2016-03-01 | 住友化學股份有限公司 | 層合薄膜及電子裝置 |
US9891473B2 (en) * | 2012-03-27 | 2018-02-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Laminated film, organic electroluminescence device, photoelectric converter, and liquid crystal display |
US20150125679A1 (en) * | 2012-05-14 | 2015-05-07 | Konica Minolta, Inc. | Gas barrier film, manufacturing method for gas barrier film, and electronic device |
-
2014
- 2014-09-16 WO PCT/JP2014/074980 patent/WO2015046092A1/ja active Application Filing
- 2014-09-16 US US15/023,444 patent/US10221486B2/en active Active
- 2014-09-16 KR KR1020167010314A patent/KR102270428B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-16 CN CN201480052236.8A patent/CN105579227B/zh active Active
- 2014-09-16 JP JP2015539178A patent/JP6508053B2/ja active Active
- 2014-09-18 TW TW103132269A patent/TWI666121B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015046092A1 (ja) | 2015-04-02 |
CN105579227A (zh) | 2016-05-11 |
US10221486B2 (en) | 2019-03-05 |
TW201522069A (zh) | 2015-06-16 |
TWI666121B (zh) | 2019-07-21 |
KR20160062061A (ko) | 2016-06-01 |
US20160208384A1 (en) | 2016-07-21 |
KR102270428B1 (ko) | 2021-06-29 |
CN105579227B (zh) | 2017-09-22 |
JPWO2015046092A1 (ja) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6044634B2 (ja) | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ | |
JP6342776B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
WO2014123201A1 (ja) | ガスバリア性フィルム、およびその製造方法 | |
TWI523758B (zh) | 層合薄膜及電子裝置 | |
JP6699173B2 (ja) | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ | |
JP6508053B2 (ja) | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ | |
JP6261682B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP7261547B2 (ja) | 積層フィルム | |
JP7198607B2 (ja) | 積層フィルム | |
JP6897567B2 (ja) | ガスバリアーフィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190318 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6508053 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |