JP6507596B2 - 半導体センサ装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体センサ装置に関する。

従来、圧力を検出するセンサ装置が知られている。このようなセンサ装置は、例えば、基板に形成した凹部に半導体センサ素子を固着し、基板上の配線と半導体センサ素子とをボンディングワイヤで接続した構成とされている。凹部は、例えば、表面に不純物が付着した場合の影響を緩和させる等の目的で、上部に行くにつれて大きく開口するテーパ状とされている。

又、基板の凹部内に、半導体センサ素子やボンディングワイヤを被覆する保護材を設けている。保護材としては、例えば、半導体センサ素子の特性を良好に保ちつつ信頼性を向上するのに好適なゲルやゴムが用いられている。

特開平１１−３０４６１９号公報

しかしながら、基板の凹部内に保護材を設ける際に、表面張力により保護材が凹部の内壁面を這い上がるため、使用する保護材の量が必要以上に多くなるという問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、使用する保護材の量を抑制可能な半導体センサ装置を提供することを課題とする。

本半導体センサ装置（１）は、基板（１０）と、前記基板（１０）の一方の側に実装され、圧力媒体の圧力を検出する半導体センサ素子（２０）と、前記基板（１０）の一方の側に実装され、前記半導体センサ素子（２０）を保護する保護部材（７０）と、を有し、前記保護部材（７０）には、前記半導体センサ素子（２０）を囲む内壁面を備えた開口部（７０ｘ）が設けられ、前記開口部（７０ｘ）内には、前記半導体センサ素子（２０）の周辺部の前記基板（１０）を被覆する第１の保護ゲル（５９）が設けられ、前記開口部（７０ｘ）の内壁面の前記基板（１０）側には、前記開口部（７０ｘ）内の空間部を拡幅し、表面張力により前記第１の保護ゲル（５９）が前記開口部（７０ｘ）の内壁面を這い上がることを止める環状の段差部（７０ｚ）が設けられ、前記開口部（７０ｘ）の内壁面側の前記第１の保護ゲル（５９）の厚さの最大は、前記段差部（７０ｚ）の高さ以下であることを要件とする。

なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。

開示の技術によれば、使用する保護材の量を抑制可能な半導体センサ装置を提供できる。

第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図（その５）である。 半導体センサ素子実装部近傍の詳細図（その１）である。 デバイス保護ゲル及び基板保護ゲルを形成する工程を説明する図である。 半導体センサ素子実装部近傍の詳細図（その２）である。 半導体センサ素子実装部近傍の詳細図（その３）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
図１〜図５は、第１の実施の形態に係る半導体センサ装置を例示する図である。なお、図１（ａ）は正面図、図１（ｂ）は斜視図、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は底面図、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ部の拡大図、図４は図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図５は基板のみを示す平面図である。又、図６は、半導体センサ素子実装部近傍の詳細図である。

まず、図１〜図５を参照しながら第１の実施の形態に係る半導体センサ装置１の全体の構造について説明し、その後、図６を参照しながら半導体センサ素子２０の実装部近傍の詳細な構造について説明する。

［第１の実施の形態に係る半導体センサ装置の全体の構造］
図１〜図５に示すように、半導体センサ装置１は、大略すると、基板１０と、シリンダ７０と、ノズル８０と、外部端子９０とを有する。シリンダ７０とノズル８０とは基板１０を挟んだ状態で接合されている。

なお、本実施の形態では、便宜上、半導体センサ装置１のシリンダ７０側を上側又は一方の側、ノズル８０側を下側又は他方の側とする。又、各部位のシリンダ７０側の面を上面又は一方の面、ノズル８０側の面を下面又は他方の面とする。但し、半導体センサ装置１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基板１０の上面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基板１０の上面の法線方向から視た形状を指すものとする。

半導体センサ装置１において、基板１０の平面形状は、例えば、略矩形状とすることができるが、略矩形状以外の任意の形状として構わない。又、必要に応じ、基板１０の外縁部に切り欠き等を設けても構わない。基板１０としては、所謂ガラスエポキシ基板やセラミック基板、シリコン基板等を用いることができる。

基板１０には、素子搭載領域１１、ボンディングパッド１２、部品実装用パッド１３、外部端子実装用パッド１４、ソルダーレジスト１５、スルーホール１６、圧力媒体導入孔１０ｘ、位置決め孔１０ｙ、外部端子挿入孔１０ｚ等が形成されている。素子搭載領域１１には、例えば、銅（Ｃｕ）が露出している。又、ボンディングパッド１２、部品実装用パッド１３、外部端子実装用パッド１４には、例えば、銅（Ｃｕ）の上面に形成された金（Ａｕ）めっきが露出している。

但し、素子搭載領域１１に形成された圧力媒体導入孔１０ｘの周辺領域１１ａに、金（Ａｕ）めっきを施してもよい。基板１０と圧力媒体が接触する部分である圧力媒体導入孔１０ｘの周辺領域１１ａに金（Ａｕ）めっきを施すことにより、基板１０の内部に圧力媒体が拡散することや基板１０上の銅（Ｃｕ）配線が腐食することを最小限にすることができる。なお、金（Ａｕ）めっきがなくても銅膜が配されていれば同様の効果が得られるが、銅膜の上に金（Ａｕ）めっきがあるとより効果的である。

基板１０の部品実装用パッド１３には、実装部品４０が実装されている。実装部品４０は、ＩＣ、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタの一部又は全部、或いは他の任意の部品を含んでよい。

ソルダーレジスト１５は、素子搭載領域１１、ボンディングパッド１２、部品実装用パッド１３、外部端子実装用パッド１４等を露出するように、基板１０の上面及び下面に設けられている。ソルダーレジスト１５は、素子搭載領域１１内に選択的に形成された凸部であるレジストスペーサ１５ａ及び１５ｂを有している。レジストスペーサ１５ａは、半導体センサ素子２０を実装する領域に選択的に設けられた、半導体センサ素子２０を搭載するための台座である。又、レジストスペーサ１５ｂは、制御ＩＣ３０を実装する領域に選択的に設けられた、制御ＩＣ３０を搭載するための台座である。

素子搭載領域１１のレジストスペーサ１５ａ上には半導体センサ素子２０が配置され、接着樹脂５１により固定されている。レジストスペーサ１５ｂ上には制御ＩＣ３０が配置され、接着樹脂５２により固定されている。なお、基板１０の上面には半導体センサ素子２０等を保護する保護部材であるシリンダ７０が接着樹脂５３により固定されており、半導体センサ素子２０及び制御ＩＣ３０はシリンダ７０の略中央部に設けられた開口部７０ｘ内に配されている。

半導体センサ素子２０は、圧力媒体の圧力を検出するセンサであり、ダイヤフラムを有している。ダイヤフラムは、半導体センサ素子２０の上面であるセンサ面を構成する部位であり、圧力により発生した応力を、電気信号に変換して検出する機能を有する。半導体センサ素子２０は、ダイヤフラムの歪みを抵抗値の変化として検出する半導体歪みゲージ方式の素子でもよいし、ダイヤフラムの変位を静電容量の変化として検出する静電容量方式の素子でもよいし、他の検出方式で圧力を検出する素子でもよい。

制御ＩＣ３０は、半導体センサ素子２０を制御するＩＣである。制御ＩＣ３０には、例えば、温度センサが内蔵されており、制御ＩＣ３０は半導体センサ素子２０の特性の温度補償を行う。半導体センサ素子２０の特性の温度補償の確度を高めるため、制御ＩＣ３０は半導体センサ素子２０の近傍に実装されている。

ノズル８０は半導体センサ素子２０に圧力媒体を導入する圧力媒体導入部材であり、略中央部に筒状の圧力媒体導入孔８１が設けられている。ノズル８０の圧力媒体導入孔８１（貫通孔）は基板１０の圧力媒体導入孔１０ｘ（貫通孔）に連通しており、圧力媒体導入孔８１から導入された圧力媒体（例えば、プロパンガスや都市ガス等のガス）は、圧力媒体導入孔１０ｘを介して、半導体センサ素子２０のダイヤフラムに達する。

半導体センサ素子２０のダイヤフラムの歪み（又は、変位）は、ノズル８０の圧力媒体導入孔８１から導入される圧力媒体の圧力と、シリンダ７０の開口部７０ｘから導入される大気圧との差に応じて変化する。そのため、ダイヤフラムの歪み量（又は、変位量）を抵抗値（又は、静電容量値）の変化量として検出することによって、圧力媒体導入孔８１から導入された圧力媒体の圧力を検出できる。

このように、半導体センサ素子２０のダイヤフラムの下面側で圧力媒体を受ける構造とすることにより、半導体センサ素子２０のダイヤフラムの上面側に形成された抵抗や配線等に腐食が生じることを防止できる。又、この構造では、基板１０と圧力媒体が接触する面積が少なくなるため、圧力媒体が基板１０へ与える影響を最小限にすることができ、信頼性の向上が可能となる。

なお、図３（ｂ）に示したように、圧力媒体導入孔８１の基板１０側には圧力媒体の流量を制限する流量制限部８２が設けられ、流量制限部８２の更に基板１０側に流量制限部８２より断面積の大きいバッファ部８３が設けられている。なお、流量制限部８２の断面積は、バッファ部８３側に近づくにつれて徐々に小さくなる形状とされている。

言い換えれば、圧力媒体導入孔８１は、基板１０と遠い方から近い方にかけて、第１の断面積を備えた第１の部分（流量制限部８２及びバッファ部８３を除く部分）と、第１の断面積よりも小さい第２の断面積を備えた第２の部分（流量制限部８２）と、第２の断面積よりも大きい第３の断面積を備えた第３の部分（バッファ部８３）とを有している。

第１〜第３の部分の各断面（横断面）は、例えば、円形とすることができる。その場合、流量制限部８２及びバッファ部８３を除く部分の圧力媒体導入孔８１の直径は、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。流量制限部８２のバッファ部８３から遠い側の直径は、例えば、０．８ｍｍ程度、バッファ部８３に近い側の直径は、例えば、０．３ｍｍ程度とすることができる。バッファ部８３の直径は、例えば、１．１ｍｍ程度とすることができる。

このように、流量制限部８２により圧力媒体の流量を制限すると共に、流量制限部８２の基板１０側に流量制限部８２より断面積の大きいバッファ部８３を設けることで、圧力伝播に対してバッファ部８３が形成する空間が緩衝器の役割を果たす。その結果、突発的な圧力印加に対して半導体センサ素子２０を保護することができる。

又、ノズル８０の上面には、柱状の位置決め部８９（例えば、４カ所）が設けられている。ノズル８０の各位置決め部８９は、連通する基板１０の位置決め孔１０ｙ及びシリンダ７０の位置決め孔７０ｙに挿入され、先端がシリンダ７０の上面から突出している。位置決め部８９のシリンダ７０の上面から突出している部分は、熱溶着により外縁部がシリンダ７０の上面の位置決め孔７０ｙの周囲に環状に広がり、シリンダ７０の上面と接合されている。

なお、基板１０とシリンダ７０とは接着樹脂５３により接着され、基板１０とノズル８０とはシール用接着樹脂５４とノズル接着樹脂５５により接着されている。これにより、基板１０とシリンダ７０及びノズル８０とは密着するため、ノズル８０の圧力媒体導入孔８１から導入された圧力媒体が漏れることを防止できる。そして、更に、基板１０を挟むようにシリンダ７０とノズル８０とが熱溶着により接合されている。これにより、接着樹脂５３、５４、５５による接着と熱溶着による固定を併用することで、基板１０とシリンダ７０及びノズル８０との機械的強度を高めることができる。すなわち、圧力媒体をシールする部分の信頼性を向上することができる。

なお、半導体センサ装置１では、半導体センサ素子２０をシリンダ７０やノズル８０等の外装部分に直接接続せずに、基板１０に実装しているため、半導体センサ装置１を取り付け対象物に取り付ける際に、外装部分から半導体センサ素子２０に応力が伝わることを防止できる。

又、従来のようにガラス台座を使用しない代わりに、半導体センサ素子２０の厚みを厚くし、低弾性樹脂である接着樹脂５１を介して基板１０に実装している。接着樹脂５１として低弾性樹脂を使用することで、外部応力による影響を低減し、ガラス台座を有している場合と同等に外部応力を緩和することができる。更に、この構造では、ガラス台座を実装しないため、製造コストが低減できる。

なお、シリンダ７０やノズル８０は樹脂成型により作製できるため、形状の変更が容易である。そのため、適宜な形状に変更することで、様々な用途に向けた半導体センサ装置を実現できる。

［半導体センサ素子の実装部近傍の詳細な構造］
次に、図６を参照しながら、半導体センサ素子２０の実装部近傍の詳細な構造について説明する。図６は、第１の実施の形態に係る半導体センサ素子２０の実装部近傍を例示する断面図である。なお、図６の断面には制御ＩＣ３０は現れていないが、半導体センサ素子２０と制御ＩＣ３０との位置関係は図５（ｂ）に示した通りである。

図６に示すように、シリンダ７０には、半導体センサ素子２０等を囲む内壁面を備えた開口部７０ｘが設けられ、開口部７０ｘの内壁面の基板１０側には、開口部７０ｘ内の空間部を拡幅する環状の段差部７０ｚが設けられている。縦断面視において、段差部７０ｚは矩形状としてもよいが、段差部７０ｚの頂角部を面取り形状やＲ形状とすることが好ましい（図６は面取り形状の例）。段差部７０ｚの頂角部を面取り形状やＲ形状とする理由は、基板保護ゲル５９を形成する際に、頂角部が気泡をトラップし難くするためである。

半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面には、デバイス保護ゲル５８（第２の保護ゲル）が設けられている。又、段差部７０ｚを含む開口部７０ｘ内には、半導体センサ素子２０及び制御ＩＣ３０の周辺部の基板１０を被覆する基板保護ゲル５９（第１の保護ゲル）が設けられている。開口部７０ｘの内壁面側の基板保護ゲル５９の厚さは、段差部７０ｘの高さ以下（最大高さ以下）である。

デバイス保護ゲル５８及び基板保護ゲル５９には、夫々に適した材料が選定される。デバイス保護ゲル５８としては、広い温度範囲で（特に低温で）温度変化に対する粘弾性の変化が小さい材料を用いることが好ましい。これにより、低温での半導体センサ素子２０の特性が良好となると共に、温度変化に対する半導体センサ素子２０の出力の時間応答が良好となる。

又、デバイス保護ゲル５８としては、比較的粘度の高い材料（例えば、４Ｐａ・ｓ程度）を用いることが好ましい。これにより、半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面においてデバイス保護ゲル５８の厚みを維持できると共に、デバイス保護ゲル５８が側面に流れ落ちることを防止できる。デバイス保護ゲル５８としては、これらの特性を備えたシリコーンゲルを用いることができる。

なお、デバイス保護ゲル５８は、半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面の角部（４隅）まで確実に形成すると共に、半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面に形成されたボンディングパッドを保護する部分の厚みが０．１ｍｍ程度以上であることが好ましい。

基板保護ゲル５９としては、例えば、高信頼性のフッ素ゲルを用いることができる。これにより、基板１０の信頼性を向上できる。基板保護ゲル５９として使用するフッ素ゲルは、デバイス保護ゲル５８として使用するシリコーンゲルよりも粘度が低いものを選択している。このように、粘度の低い材料を用いることにより、塗布時の気泡の巻き込みを抑え、かつ少量で全体を保護することができる。

フッ素ゲルはシリコーンゲルと比べて低温で粘弾性が高くなり半導体センサ素子２０に応力を与えるため、半導体センサ素子２０の上面に付着すると半導体センサ素子２０の特性が悪化する。そのため、フッ素ゲルが半導体センサ素子２０の上面に付着することは好ましくない。但し、フッ素ゲルが半導体センサ素子２０の側面に付着しても問題はない。

なお、シリンダ７０の開口部７０ｘ内に段差部７０ｚを設けたことにより、基板保護ゲル５９が段差部７０ｚよりも上側に這い上がることを防止できる。その結果、開口部７０ｘの内壁面側の基板保護ゲル５９の厚さは、段差部７０ｚの高さ以下となり、より少量で保護したい領域を覆うことができる。つまり、段差部７０ｚを設けたことにより、使用する保護材（基板保護ゲル５９）の量を抑制可能となる。仮に、段差部７０ｚを設けない場合には、表面張力により基板保護ゲル５９が開口部７０ｘの内壁面を這い上がるため、基板１０の表面の保護に、より多くの量の基板保護ゲル５９が必要となる。

更に、段差部７０ｚを設けたことにより、基板保護ゲル５９の脱泡を行う場合、脱泡時に気泡が段差部７０ｚ内で破裂するため、基板保護ゲル５９が段差部７０ｚよりも上側に付着するおそれを低減できる。

デバイス保護ゲル５８及び基板保護ゲル５９を形成するには、まず、図７（ａ）に示すように、半導体センサ素子２０及び制御ＩＣ３０が実装され、シリンダ７０が接着された基板１０を準備する。そして、図７（ｂ）に示すように、半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面に、シリコーンゲル等のデバイス保護ゲル５８を塗布し、加熱して硬化させる。

次に、図７（ｃ）に示すように、シリンダ７０の段差部７０ｚを含む開口部７０ｘ内に、半導体センサ素子２０及び制御ＩＣ３０の周辺部の基板１０を被覆するフッ素ゲル等の基板保護ゲル５９を塗布し、必要に応じ脱泡後、加熱して硬化させる。

ここで、デバイス保護ゲル５８は既に硬化して半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面を保護している。そのため、基板保護ゲル５９の塗布時や脱泡時の気泡破裂において基板保護ゲル５９が半導体センサ素子２０の上面及び制御ＩＣ３０の上面に直接付着するおそれがなく、工程不良の発生を回避できる。

〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態の変形例では、半導体センサ素子の実装部近傍の構造の他の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

図８は、半導体センサ素子２０の実装部近傍を例示する図（その２）であり、図６に対応する断面を示している。図８の構造では、基板保護ゲル５９は、基板１０を被覆すると共にデバイス保護ゲル５８を被覆している。この構造では、デバイス保護ゲル５８で保護された上から基板保護ゲル５９を塗布することが可能となり、より少量でセンサ素子周辺部の保護が可能となる。また塗布時のタクトを改善することもできる。なお、半導体センサ素子２０の上面はデバイス保護ゲル５８で保護されているため、デバイス保護ゲル５８上に基板保護ゲル５９を設けても、基板保護ゲル５９が直接半導体センサ素子２０の上面に付着しないため、半導体センサ素子２０の特性への影響を軽減できる。

図９は、半導体センサ素子２０の実装部近傍を例示する図（その３）であり、図６に対応する断面を示している。図９の構造では、図８の構造と同様に、基板保護ゲル５９は、基板１０を被覆すると共にデバイス保護ゲル５８を被覆している。但し、図８の構造よりも段差部７０ｘの高さが高くなっている。この構造は、信頼性を向上するために基板保護ゲル５９を厚くしたい場合に有効である。

この構造では、基板保護ゲル５９の量は図６や図８の場合よりも多くなるが、段差部７０ｘを設けたことにより、基板保護ゲル５９が段差部７０ｚよりも上側に這い上がることを防止できる効果は変わらない。その結果、不必要に基板保護ゲル５９の量が増えることを抑制可能となる。

以上、好ましい実施の形態及び変形例について詳説したが、上述した実施の形態及び変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及び変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ 半導体センサ装置
１０ 基板
１０ｘ 圧力媒体導入孔
１０ｙ 位置決め孔
１０ｚ 外部端子挿入孔
１１ 素子搭載領域
１１ａ 圧力媒体導入孔の周辺領域
１１ｂ 圧力媒体導入孔と接する領域
１２ ボンディングパッド
１３ 部品実装用パッド
１４ 外部端子実装用パッド
１５ ソルダーレジスト
１５ａ、１５ｂ レジストスペーサ
１６ スルーホール
１７ 基材
１８ テスト用パッド
２０ 半導体センサ素子
２０ａ 半導体センサ素子の底面が配される部分
３０ 制御ＩＣ
４０ 実装部品
５１、５２、５３ 接着樹脂
５４ シール用接着樹脂
５５ ノズル接着樹脂
５８ デバイス保護ゲル
５９ 基板保護ゲル
６０ 金属線
７０ シリンダ
７０ｘ 開口部
７０ｙ 位置決め孔
７０ｚ 段差部
８０ ノズル
８１ 圧力媒体導入孔
８２ 流量制限部
８３ バッファ部
８９ 位置決め部
９０ 外部端子

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板の一方の側に実装され、圧力媒体の圧力を検出する半導体センサ素子と、
   前記基板の一方の側に実装され、前記半導体センサ素子を保護する保護部材と、を有し、
   前記保護部材には、前記半導体センサ素子を囲む内壁面を備えた開口部が設けられ、
   前記開口部内には、前記半導体センサ素子の周辺部の前記基板を被覆する第１の保護ゲルが設けられ、
   前記開口部の内壁面の前記基板側には、前記開口部内の空間部を拡幅し、表面張力により前記第１の保護ゲルが前記開口部の内壁面を這い上がることを止める環状の段差部が設けられ、
   前記開口部の内壁面側の前記第１の保護ゲルの厚さの最大は、前記段差部の高さ以下である半導体センサ装置。
2. 基板と、
   前記基板の一方の側に実装され、圧力媒体の圧力を検出する半導体センサ素子と、
   前記基板の一方の側に実装され、前記半導体センサ素子を保護する保護部材と、を有し、
   前記保護部材には、前記半導体センサ素子を囲む内壁面を備えた開口部が設けられ、
   前記開口部の内壁面の前記基板側には、前記開口部内の空間部を拡幅する環状の段差部が設けられ、
   前記段差部を含む前記開口部内には、前記半導体センサ素子の周辺部の前記基板を被覆する第１の保護ゲルが設けられ、
   前記開口部の内壁面側の前記第１の保護ゲルの厚さは、前記段差部の高さ以下であり、
   前記半導体センサ素子の上面を被覆する第２の保護ゲルが設けられ、
   前記第１の保護ゲルと前記第２の保護ゲルとが異なる材料からなる半導体センサ装置。
3. 基板と、
   前記基板の一方の側に実装され、圧力媒体の圧力を検出する半導体センサ素子と、
   前記半導体センサ素子の周辺部の前記基板を被覆する第１の保護ゲルと、前記半導体センサ素子のダイヤフラム上面を被覆する第２の保護ゲルが設けられ、
   前記第１の保護ゲルと前記第２の保護ゲルとが異なる材料からなり、
   前記第２の保護ゲルは、前記第１の保護ゲルより粘度が高い材料からなる半導体センサ装置。
4. 前記基板の一方の側に実装され、前記半導体センサ素子を囲む内壁面を備えた開口部が設けられ、前記半導体センサ素子を保護する保護部材を有し、
   前記開口部の内壁面の前記基板側には、前記開口部内の空間部を拡幅する環状の段差部が設けられ、
   前記段差部を含む前記開口部内には、前記第１の保護ゲルが設けられ、
   前記開口部の内壁面側の前記第１の保護ゲルの厚さは、前記段差部の高さ以下である請求項３記載の半導体センサ装置。
5. 前記第２の保護ゲルは、前記第１の保護ゲルよりも粘度が高い材料からなる請求項２乃至４の何れか一項記載の半導体センサ装置。
6. 前記第２の保護ゲルは、前記第１の保護ゲルよりも温度変化に対する粘弾性の変化が小さい材料からなる請求項２乃至５の何れか一項記載の半導体センサ装置。
7. 前記第１の保護ゲルはフッ素ゲルであり、前記第２の保護ゲルはシリコーンゲルである請求項２乃至６の何れか一項記載の半導体センサ装置。
8. 前記第１の保護ゲルは、前記基板を被覆すると共に前記第２の保護ゲルを被覆する請求項２乃至７の何れか一項記載の半導体センサ装置。
9. 縦断面視において、前記段差部の頂角部は面取り形状又はＲ形状である請求項１、２、又は４記載の半導体センサ装置。

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