JP6490522B2 - 半導体実装装置 - Google Patents
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Description
その結果、仮固定されたチップ部品DのZ軸方向ばらつきが基準範囲Ltt以下であると判定した場合、制御装置24はステップをステップS400に移行させる。
一方、仮固定されたチップ部品DのZ軸方向ばらつきが基準範囲Ltt以下でないと判定した場合、すなわち、仮固定不良と判定した場合、制御装置24はステップを終了する。
その結果、本圧着用ヘッド17の加圧回数が所定回数に到達していると判定した場合、制御装置24はステップをステップS600に移行させる。
一方、本圧着用ヘッド17の加圧回数が所定回数に到達していないと判定した場合、制御装置24はステップを終了する。
その結果、回路基板Cの全ての仮圧着可能位置Ptにチップ部品Dが仮固定されていると判定した場合、制御装置24は仮圧着工程制御Aを終了してステップをステップS300に移行させる(図10参照)。
一方、回路基板Cの全ての仮圧着可能位置Ptにチップ部品Dが仮固定されていないと判定した場合、制御装置24はステップをステップS220に移行させる。
その結果、本圧着用ユニット16による全てのチップ部品Dの回路基板Cへの固定が終了したと判定した場合、制御装置24は本圧着工程制御Bを終了してステップをステップS500に移行させる(図10参照)。
一方、本圧着用ユニット16による全てのチップ部品Dの回路基板Cへの固定が終了していないと判定した場合、制御装置24はステップをステップS430に移行させる。
その結果、各本圧着用アタッチメント19の加圧回数Npが所定回数Npt未満であると判定した場合、制御装置24はステップをステップS730に移行させる。
一方、各本圧着用アタッチメント19の加圧回数Npのうち少なくとも一つの本圧着用アタッチメント19の加圧回数Npが所定回数Npt未満でないと判定した場合、制御装置24はステップをステップS750に移行させる。
その結果、各本圧着用アタッチメント19の加圧回数Npの最大値と最小値との回数差ΔNpが所定回数差ΔNpt未満であると判定した場合、制御装置24はステップをステップS740に移行させる。
一方、各本圧着用アタッチメント19の加圧回数Npの最大値と最小値との回数差ΔNpが所定回数差ΔNpt未満でないと判定した場合、制御装置24はステップをステップS750に移行させる。
その結果、各本圧着用アタッチメント19までの距離の初期値からの変化量が所定変化量ΔLpt未満であると判定した場合、制御装置24は本圧着用ヘッド交換制御Cを終了してステップを終了させる(図10参照)。
一方、各本圧着用アタッチメント19までの距離の初期値からの変化量のうち少なくとも一つの本圧着用アタッチメント19の変化量が所定変化量ΔLpt未満でないと判定した場合、制御装置24はステップをステップS750に移行させる。
2 仮圧着装置
17 本圧着用ヘッド
C 回路基板
D チップ部品
Pt 仮圧着可能位置
Fp 本圧着荷重
Np 加圧回数
Claims (4)
- チップ部品を加圧して回路基板の所定位置に固定する加圧ヘッドを備える半導体実装装置において、
回路基板に対する加圧ヘッドの位置から、その位置で加圧ヘッドが同時に加圧するチップ部品の数を算出し、前記チップ部品の数に基づいて加圧ヘッドの加圧力を変更し、
前記加圧ヘッドがチップ部品を加圧するとともに、
前記加圧ヘッドにおけるチップ部品を加圧した位置毎に、チップ部品を加圧した回数を積算する半導体実装装置。 - 前記加圧ヘッドが、チップ部品に接触する複数のアタッチメントと、各アタッチメントを独立して支持する複数の弾性体とを備え、各アタッチメントに接触するチップ部品の加圧方向の位置のばらつきを弾性体によって吸収するように構成され、アタッチメント毎にチップ部品を加圧した回数を積算する請求項1に記載の半導体実装装置。
- 任意の基準位置から各アタッチメントまでの距離を測定する距離検出手段を備え、前記各アタッチメントのチップ部品を加圧した回数のうち少なくとも一つのアタッチメントのチップ部品を加圧した回数が所定回数以上になった場合、前記各アタッチメントのチップ部品を加圧した回数の最大値と最小値との回数差が所定回数差以上になった場合、または距離検出手段が検出した各アタッチメントまでの距離の変化量のうち少なくとも一つのアタッチメントの距離の変化量が所定変化量以上になった場合、その旨の通知と前記加圧ヘッドの交換とのうち少なくとも一方の処理を行う請求項2に記載の半導体実装装置。
- 任意の基準位置から各アタッチメントまでの距離を測定する距離検出手段を備え、前記各アタッチメントのチップ部品を加圧した回数のうち少なくとも一つのアタッチメントのチップ部品を加圧した回数が所定回数以上になった場合、前記各アタッチメントのチップ部品を加圧した回数の最大値と最小値との回数差が所定回数差以上になった場合、または距離検出手段が検出した各アタッチメントまでの距離の変化量のうち少なくとも一つのアタッチメントの距離の変化量が所定変化量以上になった場合、各アタッチメントの弾性体の状態を同一にする加熱処理または加圧処理のうち少なくとも一方の処理を行う請求項2に記載の半導体実装装置。
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