JP6479617B2 - 不揮発性メモリのデータ回復方法及びメモリ制御装置 - Google Patents
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Landscapes
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
11 CPU
12 メモリ制御部
13 フラッシュメモリ
14 RAM
15 CPUバス
21 データ読出部
22 期間計測部
23 期間算出部
24 回復処理部
25 比較処理部
Claims (10)
- フレーム周期に応じたタイミングで不揮発性メモリからデータ読出を行うメモリ制御システムにおいて、前記不揮発性メモリに記憶されているデータに対してデータ回復処理を実行するデータ回復方法であって、
前記フレーム周期の1周期の期間を真性フレーム期間として計測する真性フレーム期間計測ステップと、
前記フレーム周期の1周期における前記データ読出の開始から完了までの期間をリード期間として計測するリード期間計測ステップと、
前記真性フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間をアイドル期間として算出するアイドル期間算出ステップと、
前記アイドル期間において前記データ回復処理を実行するデータ回復ステップと、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリのデータ回復方法。 - 前記フレーム周期毎に、前記真性フレーム期間の先頭から前記リード期間が開始する第1のデータ読出と、前記真性フレーム期間の途中から前記リード期間が開始する第2のデータ読出と、を含む2回の前記データ読出を行うステップと、
前記真性フレーム期間の先頭から前記第2のデータ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、前記第2のデータ読出の開始から次のフレーム周期の先頭までの期間を第2疑似フレーム期間として計測する疑似フレーム期間計測ステップと、
をさらに含み、
前記リード期間計測ステップは、前記第1疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第1リード期間として計測し、前記第2疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第2リード期間として計測するステップを含み、
前記アイドル期間算出ステップは、前記真性フレーム期間から前記第1疑似フレーム期間と前記第2リード期間とを減算して、前記第2疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を副アイドル期間として算出するステップを含み、
前記データ回復ステップは、前記副アイドル期間において前記データ回復処理を実行するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリのデータ回復方法。 - 前記フレーム周期毎に、前記真性フレーム期間の先頭から前記リード期間が開始する第1のデータ読出と、前記真性フレーム期間の途中から前記リード期間が開始する第2〜第n(n:3以上の自然数)のデータ読出と、を含むn回の前記データ読出を行うステップと、
前記真性フレーム期間の先頭から前記第2のデータ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、第k(k:2≦k≦(n−1)の自然数)のデータ読出の開始から第(k+1)のデータ読出の開始までの期間を第k疑似フレーム期間として計測し、前記第nのデータ読出の開始から次のフレーム周期の先頭までの期間を第n疑似フレーム期間として計測し、前記第1疑似フレーム期間から前記第n疑似フレーム期間までのn個の疑似フレーム期間を得る疑似フレーム期間計測ステップと、
をさらに含み、
前記リード期間計測ステップは、前記第k疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第kリード期間として計測し、前記第n疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第nリード期間として計測するステップを含み、
前記アイドル期間算出ステップは、前記第1疑似フレーム期間から第(n−1)疑似フレーム期間までの(n−1)個の前記疑似フレーム期間を加算して加算期間を算出し、前記加算期間と前記第nリード期間とを前記真性フレーム期間から減算して、前記第n疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を副アイドル期間として算出するステップを含み、
前記データ回復ステップは、前記副アイドル期間において前記データ回復処理を実行するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリのデータ回復方法。 - フレーム周期に応じたタイミングで不揮発性メモリからデータ読出を行うメモリ制御システムにおいて、前記不揮発性メモリに記憶されているデータに対してデータ回復処理を実行するデータ回復方法であって、
前記データ読出のタイミングに同期して、第1の前記データ読出の開始から第2の前記データ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、前記第2の前記データ読出の開始から第3の前記データ読出の開始までの期間を第2疑似フレーム期間として計測する疑似フレーム期間計測ステップと、
前記第1疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第1アイドル期間として計測し、前記第2疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第2アイドル期間として計測するステップと、
前記第3の前記データ読出における読出開始から完了までの期間をリード期間として計測するリード期間計測ステップと、
前記第1疑似フレーム期間と前記第2疑似フレーム期間のうち短い方の期間から、前記リード期間を減算して減算期間を算出し、前記第1アイドル期間と前記第2アイドル期間と前記減算期間とのうち最も短い期間を、前記第2疑似フレーム期間の後の第3疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない第3アイドル期間として算出するアイドル期間算出ステップと、
前記第3アイドル期間において前記データ回復処理を実行するデータ回復ステップと、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリのデータ回復方法。 - 前記第1疑似フレーム期間及び前記第2疑似フレーム期間を加算した加算値と、第1の下限値とを比較する第1の比較ステップと、
前記第1アイドル期間及び前記第2アイドル期間と、第2の下限値とを比較する第2の比較ステップと、
を含み、
前記データ回復ステップは、前記加算値が前記第1の下限値以上であって、且つ前記第1アイドル期間及び前記第2アイドル期間がいずれも前記第2の下限値以上である場合に、前記データ回復処理を実行するステップを含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリのデータ回復方法。 - フレーム周期に応じたタイミングで供給されるデータ出力要求に応じて不揮発性メモリからデータ読出を行うメモリ制御装置であって、
前記データ読出を実行するデータ読出部と、
前記フレーム周期の1周期の期間を真性フレーム期間として計測し、前記1周期における前記データ読出の開始から完了までの期間をリード期間として計測する期間計測部と、
前記真性フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間をアイドル期間として算出する期間算出部と、
前記アイドル期間において前記データ回復処理を実行する回復処理部と、
を含むことを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記データ読出部は、前記真性フレーム期間の先頭から前記リード期間が開始する第1のデータ読出と、前記真性フレーム期間の途中から前記リード期間が開始する第2のデータ読出と、を含む2回の前記データ読出を行い、
前記期間計測部は、前記真性フレーム期間の先頭から前記第2のデータ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、前記第2のデータ読出の開始から次のフレーム周期の先頭までの期間を第2疑似フレーム期間として計測し、前記第1疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第1リード期間として計測し、前記第2疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第2リード期間として計測し、
前記期間算出部は、前記真性フレーム期間から前記第1疑似フレーム期間と前記第2リード期間とを減算して、前記第2疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第2アイドル期間として算出し、
前記回復処理部は、前記第2アイドル期間において前記データ回復処理を実行する、
ことを特徴とする請求項6に記載のメモリ制御装置。 - 前記データ読出部は、前記真性フレーム期間の先頭から前記リード期間が開始する第1のデータ読出と、前記真性フレーム期間の途中から前記リード期間が開始する第2〜第n(n:3以上の自然数)のデータ読出と、を含むn回の前記データ読出を行い、
前記期間計測部は、前記真性フレーム期間の先頭から前記第2のデータ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、第k(k:2≦k≦(n−1)の自然数)のデータ読出の開始から第(k+1)のデータ読出の開始までの期間を第k疑似フレーム期間として計測し、前記第nのデータ読出の開始から次のフレーム周期の先頭までの期間を第n疑似フレーム期間として計測し、前記第k疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第kリード期間として計測し、前記第n疑似フレーム期間における前記データ読出の開始から完了までの期間を第nリード期間として計測し、
前記期間算出部は、前記第1疑似フレーム期間から第(n−1)疑似フレーム期間までの(n−1)個の疑似フレーム期間を加算して加算期間を算出し、前記加算期間と前記第nリード期間とを前記真性フレーム期間から減算して、前記第n疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第nアイドル期間として算出し、
前記回復処理部は、前記nアイドル期間において前記データ回復処理を実行する、
ことを特徴とする請求項6に記載のメモリ制御装置。 - フレーム周期に応じたタイミングで供給されるデータ出力要求に応じて不揮発性メモリからデータ読出を行うメモリ制御装置であって、
前記データ読出を実行するデータ読出部と、
前記データ読出のタイミングに同期して、第1の前記データ読出の開始から第2の前記データ読出の開始までの期間を第1疑似フレーム期間として計測し、前記第2の前記データ読出の開始から第3の前記データ読出の開始までの期間を第2疑似フレーム期間として計測し、前記第1疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第1アイドル期間として計測し、前記第2疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない期間を第2アイドル期間として計測し、前記第3の前記データ読出における読出開始から完了までの期間をリード期間として計測する期間計測部と、
前記第1疑似フレーム期間と前記第2疑似フレーム期間のうち短い方の期間から、前記リード期間を減算して減算期間を算出し、前記第1アイドル期間と前記第2アイドル期間と前記減算期間とのうち最も短い期間を、前記第2疑似フレーム期間の後の第3疑似フレーム期間において前記データ読出を実行しない第3アイドル期間として算出する期間算出部と、
前記第3アイドル期間において前記データ回復処理を実行する回復処理部と、
を含むことを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記第1疑似フレーム期間及び前記第2疑似フレーム期間を加算した加算値と第1の下限値とを比較する第1の処理と、前記第1アイドル期間及び前記第2アイドル期間と第2の下限値とを比較する第2の比較処理と、を実行する比較処理部をさらに含み、
前記回復処理部は、前記加算値が前記第1の下限値以上であって、且つ前記第1アイドル期間及び前記第2アイドル期間がいずれも前記第2の下限値以上である場合に、前記データ回復処理を実行する、
ことを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御装置。
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