JP6477897B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1にかかる半導体装置の構造について、RC−IGBTを例に説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図1(a)には断面構造を示し、図1(b)には図1(a)の切断線A−A'における基板裏面(半導体基板と裏面電極との境界)から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。図1に示す実施の形態1にかかる半導体装置は、トレンチゲート構造のIGBTと、このIGBTに逆並列に接続したダイオードとを同一の半導体基板(半導体チップ)上に一体化したRC−IGBTである。具体的には、同一の半導体基板上に、IGBTの動作領域となるIGBT領域21と、ダイオードの動作領域となるダイオード領域22と、が並列に設けられている。
n型FS層10のキャリア濃度分布について検証した。図5は、実施例1にかかる半導体装置のFS層のキャリア濃度分布を示す特性図である。図6は、比較例となる半導体装置のFS層のキャリア濃度分布を示す特性図である。まず、上述した実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法にしたがい、上記諸条件でトレンチゲート構造のRC−IGBTを作製(製造)した(以下、実施例1とする)。具体的には、実施例1においては、MCZ(Magnetic field applied Czochralski)法により作製したインゴットから切断(スライシング)したシリコンウエハ(半導体基板)を用いてRC−IGBTを作製した。シリコンウエハの比抵抗を38Ωcm(換算したキャリア濃度(インゴットのキャリア濃度)は1.13×1014/cm3)であり、厚さを70μmとした。
次に、第1ヘリウム照射31によるキャリア濃度変化について検証した。図7は、ヘリウム照射によるキャリア濃度分布を示す特性図である。まず、上述した実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法のステップS18の第1,2ヘリウム照射31,34のみを行ったモニターウエハ(半導体基板)を用意した(以下、実施例2とする)。実施例2においては、モニターウエハとして、MCZ法により作製したインゴットから切断したシリコンウエハ(半導体基板)を用いた。シリコンウエハの比抵抗は54.6Ωcm(換算したキャリア濃度は7.9×1013/cm3)である。第1ヘリウム照射31は、ドーズ量を9.0×1010/cm2とし、ウエハ裏面からの飛程Rpが110μm程度となるようにアブソーバーで調整した。第2ヘリウム照射34は、ドーズ量を1.1×1011/cm2とし、ウエハ裏面からの飛程Rpが10μm程度となるようにアブソーバーで調整した。第1,2ヘリウム照射31,34ともにヘリウム3(3He)を用い、それぞれ半値幅7μmの第1,2欠陥層11a,11bを形成した。ステップS19のアニールは行っていない。そして、この実施例2についてSR法によりウエハ中心付近のキャリア濃度分布を測定した。その結果を図7に示す。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置の構造について説明する。図8は、実施の形態2にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図8(a)には断面構造を示し、図8(b)には図8(a)の切断線B−B'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態2にかかる半導体装置は、プロトン照射により形成するn型層(以下、第1n型層とする)50aを1段としたRC−IGBTに実施の形態1を適用したものである。実施の形態2においては、n型FS層50は、プロトン照射による1段の第1n型層50aと、プロトン照射およびヘリウム照射によるn型層(以下、第2n型層とする)50bと、を有する。
次に、実施の形態3にかかる半導体装置の構造について説明する。図9は、実施の形態3にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図9(a)には断面構造を示し、図9(b)には図9(a)の切断線C−C'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態3にかかる半導体装置が実施の形態2にかかる半導体装置と異なる点は、n-型ドリフト層1の内部の基板裏面から深い所定位置(例えば基板裏面から例えば30μm〜60μm程度の深さ、または60μm以上程度の深さ)にブロードバッファ層として1つのn型FS層51を設けたブロードバッファ構造としている点である。ブロードバッファ構造とは、ピークを深さ方向の中心とし、当該ピーク位置から基板両主面側にそれぞれ向うにしたがって減少するキャリア濃度分布を有するブロードバッファ層を備えた構造である。
次に、実施の形態4にかかる半導体装置の構造について説明する。図11は、実施の形態4にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図11(a)には断面構造を示し、図11(b)には図11(a)の切断線D−D'における基板裏面から深さ方向のキャリア濃度分布を示す。実施の形態4にかかる半導体装置が実施の形態3にかかる半導体装置と異なる点は、基板裏面からの深さが異なる2つのn型FS層(以下、第1,2n型FS層とする)51,52を設けている点である。
次に、実施の形態5にかかる半導体装置の構造について説明する。図12は、実施の形態5にかかる半導体装置の構造を示す説明図である。図13,14は、実施の形態5にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。実施の形態5にかかる半導体装置が実施の形態4にかかる半導体装置と異なる点は、第1n型FS層51を構成する第2,3n型層(プロトン照射およびヘリウム照射によるn型層)51e、51fを、IGBT領域21からダイオード領域22にわたって設けている点である。すなわち、第1n型FS層51の第1n型層(プロトン照射による)51aは、基板両主面側にそれぞれ配置された第2,3n型層51e、51fに挟まれた状態となっている。第1欠陥層11aは、IGBT領域21からダイオード領域22にわたって設けられている。
次に、実施の形態6にかかる半導体装置の製造方法について、図1,2A,15を参照しながら説明する。図15は、実施の形態6にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。実施の形態6にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法を異なる点は、プロトン照射とヘリウム照射との順序を入れ換えて行っている点である。すなわち、ヘリウム照射の後にプロトン照射を行っている。
2 p型ベース層(p型アノード層)
3 トレンチ
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 n+型エミッタ領域
7 p+型コンタクト領域
8 層間絶縁膜
9 おもて面電極
10,50,51,52 n型FS層
10a〜10e,50a,50b,51a〜51d,52a〜52d n型FS層を構成するn型層
11a,11b 欠陥層
12 p+型コレクタ領域
13 n+型カソード領域
14 裏面電極
21 IGBT領域
22 ダイオード領域
31,34 ヘリウム照射
31a,34a ヘリウム到達位置
31b,34b ヘリウム通過領域
32,35 アブソーバー
33 金属板
33a 金属板の開口部
Claims (20)
- 第1導電型の半導体基板の一方の主面側から第1所定深さを飛程としてプロトンを照射し、プロトンを含み、かつ前記第1所定深さにキャリア濃度のピークを有する第1導電型の第1半導体層を形成する第1照射工程と、
熱処理によりプロトンを活性化させる第1熱処理工程と、
前記半導体基板の一方の主面側から前記第1所定深さよりも深い第2所定深さを飛程としてヘリウムを照射し、前記半導体基板に格子欠陥を導入する第2照射工程と、
熱処理により、前記半導体基板中の前記格子欠陥の量を調整する第2熱処理工程と、
を含み、
前記第2熱処理工程では、前記第1半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に、プロトンおよびヘリウムを含み、かつ前記第1半導体層に接する第1導電型の第2半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理工程では、前記第1半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第1半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第2半導体層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1照射工程の前に、前記半導体基板の他方の主面側に第2導電型半導体領域を形成する工程をさらに含み、
前記第2導電型半導体領域と前記半導体基板との間のpn接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層として、前記第1半導体層および前記第2半導体層を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1照射工程では、
異なる飛程でプロトンを複数回照射し、前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第1半導体層を形成し、
複数の前記第1半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に形成する前記第1半導体層を、前記第1所定深さを飛程とするプロトン照射により形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2熱処理工程では、さらに、前記第1半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に、前記第1半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第1導電型の第3半導体層を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2熱処理工程では、前記第1半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第1半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有する前記第3半導体層を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第1所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第1半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第1導電型の第2半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第2半導体層よりも深い第2所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第1所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第1半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第1導電型の第2半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第2半導体層よりも深い第2所定深さに含まれる、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムにより導入された格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板の内部に設けられ、前記半導体基板の一方の主面から第1所定深さにキャリア濃度のピークを有する、プロトンを含む第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層よりも前記半導体基板の他方の主面側に設けられ、前記第1半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第1導電型の第2半導体層と、
前記半導体基板の一方の主面から前記第1所定深さよりも深い第2所定深さに設けられ、ヘリウムおよび空孔を含む格子欠陥からなる欠陥層と、
前記欠陥層と前記半導体基板の他方の主面との間に設けられた、前記半導体基板の一方の主面から照射されたヘリウムが達していない領域と、
を備え、
前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2半導体層は、前記第1半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の他方の主面側に向うにしたがって前記第1半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第2導電型半導体領域をさらに備え、
前記第1半導体層および前記第2半導体層は、前記第2導電型半導体領域と前記半導体基板との間のpn接合から前記半導体基板の一方の主面側に伸びる空乏層の伸びを抑制するフィールドストップ層であることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の一方の主面からの深さの異なる複数の前記第1半導体層を備え、
複数の前記第1半導体層のうち、前記半導体基板の一方の主面から最も深い位置に設けられた前記第1半導体層は、前記第1所定深さにキャリア濃度のピークを有することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記第1半導体層よりも前記半導体基板の一方の主面側に設けられ、前記第1半導体層に接する、プロトンおよびヘリウムを含む第1導電型の第3半導体層を備えることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体層は、前記第1半導体層よりもキャリア濃度のピークが低く、かつ前記半導体基板の一方の主面側に向うにしたがって前記第1半導体層よりもなだらかな傾斜で減少するキャリア濃度分布を有することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板のキャリア濃度は、前記欠陥層を設けた部分で他の部分より低くなっていることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層のキャリア濃度のピークは、照射された前記プロトンの到達位置であり、
前記第2半導体層はキャリア濃度のピークを有し、前記第2半導体層のキャリア濃度のピークは、前記到達位置よりも前記他方の主面側に位置することを特徴とする請求項7〜15のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記第2半導体層の厚さは、前記第1半導体層の厚さより厚いことを特徴とする請求項7〜16のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第2導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型エミッタ領域と、前記第2導電型半導体領域および前記第1導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第1トレンチと、前記第1トレンチの内部に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第2導電型コレクタ領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第1素子領域と、
前記第2導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域を貫通して前記半導体基板に達する第2トレンチと、前記第2トレンチの内部に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、前記半導体基板の一方の主面側に設けられた第1導電型カソード領域と、を有するダイオードが設けられた第2素子領域と、
前記第2導電型半導体領域および前記エミッタ領域に接する第1電極と、
前記第2導電型コレクタ領域および第1導電型カソード領域に接する第2電極と、
をさらに備え、
前記第1半導体層は、前記第1素子領域と前記第2素子領域とに設けられ、
前記第2半導体層は、前記第2素子領域に設けられ、前記第1素子領域の一部まで延在することを特徴とする請求項7〜17のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は、MCZ(Magnetic field applied Czochralski)法により作製したインゴットから切断された半導体基板であることを特徴とする請求項7〜18のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の他方の主面側に設けられた第2導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型エミッタ領域と、前記第2導電型半導体領域および前記第1導電型エミッタ領域を貫通して前記半導体基板に達する第1トレンチと、前記第1トレンチの内部に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、を有するMOSゲートをさらに備え、
前記第2所定深さは、前記半導体基板の他方の主面側に設けられた前記MOSゲートに達しない深さであることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11777028B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6237921B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-11-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2016051973A1 (ja) * | 2014-10-03 | 2016-04-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN107408576B (zh) | 2015-09-16 | 2020-11-13 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP6610768B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2019-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
KR20180104236A (ko) * | 2017-03-10 | 2018-09-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 전력 반도체 소자의 제조 방법 |
US20190006461A1 (en) * | 2017-06-29 | 2019-01-03 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Semiconductor device incorporating epitaxial layer field stop zone |
WO2019017104A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
DE102017118975B4 (de) * | 2017-08-18 | 2023-07-27 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit einem cz-halbleiterkörper und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung mit einem cz-halbleiterkörper |
DE102017128247A1 (de) * | 2017-11-29 | 2019-05-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit ersten und zweiten Feldstoppzonenbereichen |
WO2019111572A1 (ja) | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11393812B2 (en) * | 2017-12-28 | 2022-07-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP6835291B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-02-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE112018007456B4 (de) | 2018-04-11 | 2024-01-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung, Halbleiterwafer und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
JP6958740B2 (ja) | 2018-08-14 | 2021-11-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
JP6964566B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2021-11-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111886682A (zh) | 2018-10-18 | 2020-11-03 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及制造方法 |
WO2020100995A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
WO2020100997A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
CN112204710B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-07-09 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及制造方法 |
CN112652661A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种晶体管及其制备方法 |
WO2021070539A1 (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN113875016A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-12-31 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
US11996452B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device including an IGBT with reduced variation in threshold voltage |
JP7367856B2 (ja) * | 2020-04-01 | 2023-10-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2021201235A1 (ja) * | 2020-04-01 | 2021-10-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102020110072A1 (de) * | 2020-04-09 | 2021-10-14 | Infineon Technologies Ag | Vertikale leistungs-halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren |
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JP7439929B2 (ja) * | 2020-07-14 | 2024-02-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7405261B2 (ja) * | 2020-07-15 | 2023-12-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN111900087B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-09-20 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Igbt器件的制造方法 |
WO2023145805A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08102545A (ja) | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Meidensha Corp | 半導体素子のライフタイム制御方法 |
JPH1074959A (ja) | 1996-07-03 | 1998-03-17 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
DE102004004045B4 (de) | 2004-01-27 | 2009-04-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit temporärem Feldstoppbereich und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7557386B2 (en) | 2006-03-30 | 2009-07-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Reverse conducting IGBT with vertical carrier lifetime adjustment |
JP5695343B2 (ja) | 2010-05-13 | 2015-04-01 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
JP5605073B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2014-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE102011113549B4 (de) | 2011-09-15 | 2019-10-17 | Infineon Technologies Ag | Ein Halbleiterbauelement mit einer Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung einer Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper |
JP2013074181A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
EP2800143B1 (en) | 2011-12-28 | 2020-04-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing semiconductor device |
US9214521B2 (en) | 2012-06-21 | 2015-12-15 | Infineon Technologies Ag | Reverse conducting IGBT |
US9263271B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-02-16 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor carrier, a semiconductor chip arrangement and a method for manufacturing a semiconductor device |
US9627517B2 (en) | 2013-02-07 | 2017-04-18 | Infineon Technologies Ag | Bipolar semiconductor switch and a manufacturing method therefor |
US9041096B2 (en) | 2013-04-16 | 2015-05-26 | Rohm Co., Ltd. | Superjunction semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP6234696B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2017-11-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6119593B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP5895950B2 (ja) | 2014-01-20 | 2016-03-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9312135B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-04-12 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing semiconductor devices including generating and annealing radiation-induced crystal defects |
US9754787B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-09-05 | Infineon Technologies Ag | Method for treating a semiconductor wafer |
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DE102014117538A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung von Implantation leichter Ionen und Halbleitervorrichtung |
DE102015107085A1 (de) | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und Sauerstoffkorrelierte thermische Donatoren enthaltende Halbleitervorrichtung |
CN107004723B (zh) * | 2015-06-17 | 2021-03-09 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
CN107408576B (zh) * | 2015-09-16 | 2020-11-13 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
DE102016120771B3 (de) | 2016-10-31 | 2018-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und Halbleitervorrichtung, die wasserstoff-korrelierte Donatoren enthält |
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Cited By (1)
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