JP6463339B2 - 後続の多段洗浄ステップを伴うmocvd層成長方法 - Google Patents
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-
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- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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Description
2GaN+3H2 → 2Ga+2NH3
Ga2O3+3H2 → 2Ga+3H2O
2Ga+3Cl2 → 2GaCl3
2GaN+3Cl2 → 2GaCl3+N2
C+NH3 → HCN+H2
2NH3 → N2+3H2
2NH3+xyzCl6 → N2+6HCl+xyz
1.金属窒素化合物を前分解するための、水素雰囲気中におけるプロセスチャンバの加熱ステップ
2.任意:Cl2加熱ステップの開始時におけるより高い温度とするためのプロセスチャンバ天井の加熱ステップ
3.異なるフロー条件下で次々に続けて行われる1回又は複数回のCl2加熱ステップ
4.H2/NH3雰囲気中における約1290℃(サセプタ温度)への加熱ステップ
5.炭素残留物を除去するための、H2/NH3雰囲気中における約1200℃(サセプタ温度)への加熱ステップ
6.H2/NH3雰囲気中における約1290℃(サセプタ温度)への加熱ステップ
Claims (11)
- III-V族、II-VI族又はIV族主体の元素からなる層を、CVD反応炉のプロセスチャンバ(6)内に配置された1又は複数の基板(7)上に層を堆積させる方法であって、
少なくとも1つの炭素含有ガス状ソース材料が少なくとも1つの堆積ステップで用いられ、
寄生コーティングが1又は複数の基板上の層成長中にプロセスチャンバ(6)の壁面(5,8)上にも堆積し、
1又は複数の基板(7)をプロセスチャンバから除去した後、洗浄プロセスにおいて寄生コーティングが、1又は複数の洗浄ガスを含むガスフローの導入とプロセスチャンバ(6)の洗浄温度への加熱により反応して揮発性物質となってガスフローと共にプロセスチャンバ(6)から排出される、該方法において、
前記洗浄プロセスが、
(i)前記洗浄プロセスの最初のステップとして第1の分解ステップを有し、
(ii)前記第1の分解ステップに続く第2の分解ステップを有し、前記第1と第2の分解ステップにおいて寄生コーティングが揮発性成分に分解しかつ炭素含有残留物が壁面(5,8)に残留し、かつ、
(iii)前記第2の分解ステップに続くアンモニア洗浄ステップを有しており、さらに、
前記第1の分解ステップ中、H2が1000〜1300℃にてプロセスチャンバ(6)に導入され、
前記第2の分解ステップ中、Cl2及びN2が800〜900℃にてプロセスチャンバ(6)に導入され、
前記アンモニア洗浄ステップ中、NH3とH2のみ、又は、NH3とN2のみ、又は、NH3と希ガスのみが1000〜1300℃にてプロセスチャンバ(6)に導入され、前記アンモニア洗浄ステップ中、前記炭素含有残留物がプロセスチャンバに導入されたアンモニアと反応して揮発性化合物となり、ガスフローと共にプロセスチャンバ(6)から排出されることを特徴とする方法。 - 前記第2の分解ステップが、NH3の無い状態で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アンモニア洗浄ステップが、酸素含有ガス及び/又はハロゲン含有ガスの無い状態で行われることを特徴とする請求項の1又は2に記載の方法。
- 前記炭素含有残留物が、炭化水素及び/又は炭素元素を含むことを特徴とする請求項の1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記アンモニア洗浄ステップが、1000〜1300℃の温度で行われることを特徴とする請求項の1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記アンモニア洗浄ステップがプロセスチャンバ(6)内の全ガス圧100mbar未満で行われ、かつ/又は、前記アンモニア洗浄ステップが5〜10分間行われることを特徴とする請求項の1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記アンモニア洗浄ステップにおいて、プロセスチャンバ(6)に導入されるガスフローが体積の50%を超えるNH3を含み、かつ/又は、連続する複数の部分ステップにおいて、互いに異なるガス質量フローQn(NH3)が、プロセスチャンバ(6)に互いに異なる場所(1,2,3)にて導入されることを特徴とする請求項の1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の分解ステップが、互いに異なるガス質量フローQn(Cl2)がプロセスチャンバ(6)に互いに異なる場所(1,2,3)にてそれぞれ導入される複数の部分ステップにおいて行われ、かつ/又は、前記第2の分解ステップが800〜900℃の温度で行われ、かつ/又は、前記第2の分解ステップがプロセスチャンバ(6)内の全ガス圧100mbar未満で行われ、かつ/又は、前記第2の分解ステップ中に洗浄ガスとして体積で10%までのCl2である場合を含むハロゲンがN2と共にプロセスチャンバ(6)に導入され、かつ/又は、前記第2の分解ステップが10〜60分間行われることを特徴とする請求項の1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の分解ステップにおいて、H2のみが1000〜1300℃の温度でプロセスチャンバに導入され、かつ/又は、前記第1の分解ステップ中のプロセスチャンバ(6)内の全ガス圧が50〜900mbarであり、かつ/又は、前記第1の分解ステップが10〜60分間行われることを特徴とする請求項の1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記アンモニア洗浄ステップに続くフラッシングステップ中、プロセスチャンバが、H2又はN2である場合を含む不活性ガスにより周期的にフラッシングされかつ全ての反応ガスを除去するために50mbar未満の圧力で吸い出しされることを特徴とする請求項の1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の分解ステップと、前記第2の分解ステップと、前記アンモニア洗浄ステップとを含む連続する複数の洗浄ステップのシーケンスが、続けて繰り返し行われることを特徴とする請求項の1〜10のいずれかに記載の方法。
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DE102019111598A1 (de) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems, welches Gallium und Indium enthält |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5464031A (en) * | 1993-06-22 | 1995-11-07 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of chamber cleaning in MOCVD applications |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
US20030045098A1 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
JP3824301B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2006-09-20 | シャープ株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
US6730355B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method of forming a material over at least two substrates |
WO2005064403A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ハードマスク用塗布型窒化膜形成組成物 |
DE102004009130A1 (de) | 2004-02-25 | 2005-09-15 | Aixtron Ag | Einlasssystem für einen MOCVD-Reaktor |
TWI365919B (en) * | 2004-12-28 | 2012-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Film formation apparatus and method of using the same |
KR100653217B1 (ko) * | 2006-05-29 | 2006-12-04 | 주식회사 아이피에스 | 금속 함유막을 증착하는 박막 증착 장치의 건식 세정 방법 |
DE102007009145A1 (de) | 2007-02-24 | 2008-08-28 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE |
US20100273291A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning |
CN102414786B (zh) * | 2009-04-28 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | 在原位清洁后利用nh3净化对mocvd腔室进行去污染处理 |
WO2010129289A2 (en) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning |
WO2011031521A2 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean |
JP5715361B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
US20130005118A1 (en) | 2011-07-01 | 2013-01-03 | Sung Won Jun | Formation of iii-v materials using mocvd with chlorine cleans operations |
JP5710433B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
DE102011054566A1 (de) | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden mehrkomponentiger Schichten, insbesondere metallorganischer Halbleiterschichten |
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