JP6459690B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記本発明の一態様によれば、TiW膜上にCu膜を形成するため、TiW膜の欠陥部にCuが入り込み、Cu膜上のAu膜のAuがTiW膜の欠陥部を通過することを妨げることができる。このため、樹脂層上のTiW膜の厚さを薄くしてもTiW膜のバリアとしての機能を発揮することができる。
図1は、本発明の一態様に係る電子部品を示す平面図である。図2(A)は、図1に示すA−A線に沿った断面図であり、図2(B)は、図1に示すB−B線に沿った断面図である。
図5及び図6は、本発明の一態様に係る電子部品の製造方法を説明するための断面図であり、図3及び図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
Claims (6)
- 絶縁膜上に位置して、樹脂突起を有する樹脂層と、
前記樹脂層及び前記絶縁膜上に位置するTiW膜と、
前記TiW膜上に位置するCu膜、Ag膜、Pd膜、Pt膜、Cr膜、Ni膜及びTi膜のいずれか一の膜と、
前記いずれか一の膜上に位置するAu膜と、
を含み、
前記TiW膜の膜厚は、被接合電極と前記Au膜とを接合する加重によって変形する前記樹脂突起の変形に追従するように薄く、
前記いずれか一の膜は、前記TiW膜の膜厚より薄い膜厚を有することを特徴とする電子部品。 - 請求項1において、
前記絶縁膜が開口部を有し、
前記開口部の下に位置するAl膜またはAl合金膜を有し、
前記TiW膜は、前記Al膜または前記Al合金膜と前記開口部で電気的に接続されていることを特徴とする電子部品。 - 請求項1または2において、
前記TiW膜の膜厚は40〜100nmであることを特徴とする電子部品。 - 絶縁膜上に、樹脂突起を有する樹脂層を形成する工程(a)と、
前記樹脂層及び前記絶縁膜上にTiW膜を形成する工程(b)と、
前記TiW膜上にCu膜、Ag膜、Pd膜、Pt膜、Cr膜、Ni膜及びTi膜のいずれか一の膜を形成する工程(c)と、
前記いずれか一の膜上にAu膜を形成する工程(d)と、
前記Au膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記Au膜及び前記いずれか一の膜をエッチングすることで配線を形成する工程(e)と、
前記レジストパターンを剥離する工程(f)と、
前記配線をマスクとして前記TiW膜をエッチングする工程(g)と、
を含み、
前記TiW膜の膜厚は、被接合電極と前記Au膜とを接合する加重によって変形する前記樹脂突起の変形に、追従するように薄く形成され、
前記いずれか一の膜は、前記TiW膜の膜厚より薄く形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 絶縁膜上に、樹脂突起を有する樹脂層を形成する工程(a)と、
前記樹脂層及び前記絶縁膜上にTiW膜を形成する工程(b)と、
前記TiW膜上にCu膜、Ag膜、Pd膜、Pt膜、Cr膜、Ni膜及びTi膜のいずれか一の膜を形成する工程(c)と、
前記いずれか一の膜上にAu膜を形成する工程(d)と、
前記Au膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記Au膜をエッチングすることで配線を形成する工程(e)と、
前記レジストパターンを剥離する工程(f)と、
前記配線をマスクとして前記いずれか一の膜及び前記TiW膜をエッチングする工程(g)と、
を含み、
前記TiW膜の膜厚は、被接合電極と前記Au膜とを接合する加重によって変形する前記樹脂突起の変形に、追従するように薄く形成され、
前記いずれか一の膜は、前記TiW膜の膜厚より薄く形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項4または5において、
前記工程(a)の前に、基板上にAl膜またはAl合金膜を有する電極を形成する工程と、前記電極及び前記基板上に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成することで、前記開口部によって前記電極を露出させる工程と、を含み、
前記工程(b)は、前記電極、前記樹脂層及び前記絶縁膜上に前記TiW膜を形成する工程であることを特徴とする電子部品の製造方法。
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