JP6441162B2 - テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す図である。図1の(a)では、子テンプレート基板12Bを示し、図1の(b)では、子テンプレート基板12Cを示している。
なお、半導体装置を製造する際には、全てのレイヤで子テンプレート基板32Cを用いたインプリントリソグラフィが実行される必要はなく、他のリソグラフィなどが用いられてもよい。
Claims (7)
- 板状部材を用いて形成され、
前記板状部材のテンプレートパターンが形成される側の面であるパターン面にテンプレートパターンが転写される予定の基板である転写対象基板が有する凹凸が反転された空間波長成分が0.2mm〜20mmの非平面偏差であるトポグラフィ、及び、前記パターン面に前記トポグラフィに重なるように形成され前記トポグラフィよりも微細なパターンを有する、
テンプレート基板。 - 空間波長成分が0.2mm〜20mmの非平面偏差である第1のトポグラフィを有し、テンプレートパターンが転写される予定の基板である転写対象基板と、レジストの配置された第1のテンプレート基板と、の間の距離を所定距離にする第1のステップと、
前記レジストを硬化させる第2のステップと、
前記レジストから前記転写対象基板を引き離し、前記第1のテンプレート基板上の前記レジストに前記第1のトポグラフィを反転させた第2のトポグラフィを形成する第3のステップと、
前記第2のトポグラフィが形成された前記レジスト上から前記第1のテンプレート基板にエッチバックを行う第4のステップと、
前記第1のテンプレート基板に、前記第2のトポグラフィを形成する第5のステップと、
を含むテンプレート基板作製方法。 - 前記第2のトポグラフィを形成した後に、前記第1のテンプレート基板に前記第1のトポグラフィよりも微細なテンプレートパターンを形成する、
請求項2に記載のテンプレート基板作製方法。 - 空間波長成分が0.2mm〜20mmの非平面偏差である第1のトポグラフィを有し、テンプレートパターンが転写される予定の基板である第1の基板を用いて、第1のテンプレート基板に、前記第1のトポグラフィを反転させた第2のトポグラフィを形成する第1のステップと、
前記第1のテンプレート基板に前記第1のトポグラフィよりも微細なテンプレートパターンを形成する第2のステップと、
前記第1のテンプレート基板を用いて、前記第1のトポグラフィと同じトポグラフィを有する第2の基板に、インプリントリソグラフィを行う第3のステップと、
前記第2の基板に、前記テンプレートパターンおよび前記第2のトポグラフィを反転させたパターンを形成する第4のステップと、
を含むパターン形成方法。 - 前記第1のテンプレート基板は、前記第1の基板を用いたインプリントリソグラフィによって形成されている、
請求項4に記載のパターン形成方法。 - 前記第2のトポグラフィを有した第2のテンプレート基板を用いたインプリントリソグラフィを行い、第3のテンプレート基板に、前記第2のトポグラフィを反転させた前記第1のトポグラフィを形成する第5のステップと、
前記第3のテンプレート基板を用いたインプリントリソグラフィを行い、前記第1のテンプレート基板に、前記第1のトポグラフィを反転させた前記第2のトポグラフィを形成する第6のステップと、
をさらに含む請求項5に記載のパターン形成方法。 - 前記第2のテンプレート基板は、前記第1の基板を用いたインプリントリソグラフィによって形成される、
請求項6に記載のパターン形成方法。
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