JP7071484B2 - インプリントシステム内のディストーションの補正を伴うナノ製作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 242
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 233
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 103
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 50
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
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Description
[ナノ製作システム]
本明細書において開示されるナノ製作システムは、平坦化システム100及びインプリントシステム200を含み、これらはいずれも、製造物品(例えば、半導体デバイス)を製造するためのプロセスの一部として使用される。図1Aは、平坦化システム100の例示的な実施形態の図であり、図1Bは、インプリントシステム200の例示的な実施形態の図である。
[テンプレート/スーパーストレート]
図2Aは、平坦化プロセスにおいて使用されうるスーパーストレート108の図である。上述のように、スーパーストレートの表面112は、パターンレスであってもよい。すなわち、平坦化工程が実行されているとき、表面112上にパターンが存在しないスーパーストレート108が使用される。表面112は、一般に、基板102の表面と同じ面積サイズであってもよいし、又はわずかに小さくてもよい。
[平坦化処理]
上述のように、平坦化システムは、堆積された成形可能材料124を平坦化するために使用される。図3は、例示的な実施形態による例示的な平坦化プロセスを示すフローチャートである。平坦化プロセス300の開始は、スーパーストレート108を平坦化システム100のスーパーストレートチャック118の上に搭載するようにスーパーストレート搬送機構を動作させるスーパーストレート108の搭載工程を含みうる。スーパーストレート108は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含むが、これらに限定されない、材料から形成されてもよい。一実施形態では、スーパーストレート208はUV光について十分に透過性を有する。また、ナノ製作プロセスは、基板搭載工程を含んでもよく、プロセッサ140は、基板チャック104の上に基板102を搭載するように基板搬送機構を動作させうる。基板は、1又は複数のコーティング及び/又は構造を有しうる。スーパーストレート108及び基板102がナノインプリント・リソグラフィ・システム100に搭載される順序は、特に限定されず、スーパーストレート108及び基板102は、順次に搭載されてもよいし、同時に搭載されてもよい。
「インプリントプロセス」
上述のように、インプリントシステム200は、1又は複数のインプリントフィールド(パターン領域又はショット領域とも呼ばれる)の上の成形可能材料224にパターンを形成するために使用される。図4は、例示的な実施形態に従う例示的なインプリントプロセスを示すフローチャートである。インプリントプロセス400の開始は、テンプレート208をテンプレートチャック218の上に搭載するようにテンプレート搬送機構を動作させるテンプレート搭載工程を含むことができる。インプリントプロセスはまた、プロセッサ240が基板チャック204の上に基板102を搭載するように基板搬送機構を動作させる基板搭載工程を含んでもよい。基板102は、1又は複数のコーティング及び/又は構造を有することができる。テンプレート208及び基板102をインプリントシステム200に搭載する順序は特に限定されず、テンプレート208及び基板102を順次に搭載してもよいし、同時に搭載してもよい。
[ナノ製作方法]
図5は、一実施形態による例示的なナノ製作方法500を示すフローチャートである。図6A~図6Jは、図5のナノ製作方法を示す概略断面図である。ナノ製作方法は、工程S502から始まり、ここで、インプリントシステム200内のディストーションに関する情報が受信される。この工程は、参照により本明細書に組み込まれる'962特許に記載されている「インプリントシステム内のディストーションを定量化する」工程と同じ方法で実行される。すなわち、上述したように、'962特許に記載された方法に従って、インプリントシステム200によるディストーションを定量化することができ、その詳細は'962特許において提供されている。特に、'962特許に記載されているように、インプリントシステム内のディストーションに関する情報は、基板の平面偏差、テンプレートの平面偏差、基板を支持するチャックの表面の平面偏差、又はそれらの任意の組合せを含むことができる。'962特許では言及されていないが、インプリントシステム内のディストーションに関する情報は、基板の下地層にある下地フィーチャのイメージ配置偏差も含む。
Claims (20)
- ナノ製作方法であって、
インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受信する受信工程と、
受信した前記情報に基づいて、成形可能材料の第1の複数の液滴を含む、成形可能材料の第1の液滴パターンを生成する生成工程と、
前記第1の液滴パターンに従って前記第1の複数の液滴を基板の上に分配する分配工程と、
成形可能材料の第1の層を形成するように、分配された前記第1の複数の液滴を、パターンを有しないスーパーストレートと接触させる接触工程と、
前記スーパーストレートが成形可能材料の第1の層と接触している間に成形可能材料の前記第1の層を硬化させることによって第1の硬化層を形成する形成工程と、
前記スーパーストレートを前記第1の硬化層から分離する分離工程と、
前記第1の硬化層の上に耐エッチング層を堆積させる堆積工程と、
成形可能材料の第2の複数の液滴を含む第2の液滴パターンを生成する生成工程と、
前記第2の液滴パターンに従って前記耐エッチング層の上に前記第2の複数の液滴を分配する分配工程と、
成形可能材料の第2の層を形成するように、分配された前記第2の複数の液滴を、パターンを有するテンプレートと接触させる接触工程と、
を含むことを特徴とするナノ製作方法。 - 前記第2の液滴パターンは、前記第1の液滴パターンと異なる、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第2の液滴パターンは、目標とする均一な残留層の厚さに基づいて生成される、
請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第2の液滴パターンは、前記インプリントシステム内の前記ディストーションを考慮することなく生成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第1の液滴パターンは、前記基板のパターンに基づいて生成され、
前記第2の液滴パターンは、前記テンプレートのパターンに基づいて生成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第1の液滴パターンは、前記第1の硬化層が成形可能材料の前記第2の層に対して平面偏差を誘発する形状を有するように選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 成形可能材料の前記第2の層の誘起された前記平面偏差は、前記基板の平面偏差をミラーリングする、
ことを特徴とする請求項6に記載のナノ製作方法。 - 前記第1の液滴パターンの前記成形可能材料は、前記第2の液滴パターンの前記成形可能材料と同じである、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第1の液滴パターンの前記成形可能材料は、前記第2の液滴パターンの前記成形可能材料とは異なる、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 分配された前記第2の複数の液滴に前記テンプレートを接触させる前記接触工程は、成形可能材料の前記第2の層にパターンをインプリントする、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 成形可能材料の前記第2の層に前記テンプレートが接触している間に成形可能材料の前記第2の層を硬化させることによって第2の硬化層を形成する形成工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のナノ製作方法。 - 前記第2の硬化層のパターンを前記基板に転写する転写工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項11に記載のナノ製作方法。 - 前記パターンを転写する前記転写工程は、
前記耐エッチング層の部分を露出させるように前記第2の硬化層をエッチングする工程と、
前記第1の硬化層の部分を露出させるように前記耐エッチング層の露出した前記部分をエッチングする工程と、
前記基板の部分を露出させるように前記第1の硬化層の露出した前記部分をエッチングする工程と、
前記基板の露出した前記部分をエッチングする工程と、
を含む、
ことを特徴とする請求項12に記載のナノ製作方法。 - 前記第2の硬化層をエッチングする前記工程は、前記第2の硬化層を第1のエッチング化合物に曝すことを含み、
前記耐エッチング層をエッチングする前記工程は、前記第1のエッチング化合物とは異なる第2のエッチング化合物に前記耐エッチング層を曝すことを含み、
前記耐エッチング層は、前記第1のエッチング化合物によってエッチングされることができない、
ことを特徴とする請求項13に記載のナノ製作方法。 - 前記第1の硬化層をエッチングする前記工程は、前記第1の硬化層を前記第1のエッチング化合物に曝すことを含む、
ことを特徴とする請求項14に記載のナノ製作方法。 - 前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記情報は、前記基板の平面偏差、前記テンプレートの平面偏差、前記基板を支持するチャックの表面の平面偏差、前記基板の下地層にある下地フィーチャのイメージ配置偏差、又はそれらの任意の組合せを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記インプリントシステムは、前記基板、前記スーパーストレート、及び前記テンプレートを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のナノ製作方法。 - 前記第2の硬化層と前記基板の下地層との間のオーバーレイ誤差が10nm未満である、
ことを特徴とする請求項11乃至15のいずれか1項に記載のナノ製作方法。 - ナノ製作システムであって、
平坦化システムと、
インプリントシステムと、
1又は複数のプロセッサと、
前記1又は複数のプロセッサによって実行されるときに、
前記ナノ製作システムに、
インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受信する受信工程と、
受信した前記情報に基づいて、成形可能材料の第1の複数の液滴を含む、成形可能材料の第1の液滴パターンを生成する生成工程と、を実行させ、
前記平坦化システムに、
前記第1の液滴パターンに従って前記第1の複数の液滴を基板の上に分配する分配工程と、
成形可能材料の第1の層を形成するように、分配された前記第1の複数の液滴を、パターンを有しないスーパーストレートと接触させる接触工程と、
前記スーパーストレートが成形可能材料の第1の層と接触している間に成形可能材料の前記第1の層を硬化させることによって第1の硬化層を形成する形成工程と、
前記スーパーストレートを前記第1の硬化層から分離する分離工程と、を実行させ、
前記ナノ製作システムに、
前記第1の硬化層の上に耐エッチング層を堆積させる堆積工程と、
成形可能材料の第2の複数の液滴を含む第2の液滴パターンを生成する生成工程と、を実行させ、
前記インプリントシステムに、
前記第2の液滴パターンに従って前記耐エッチング層の上に前記第2の複数の液滴を分配する分配工程と、
成形可能材料の第2の層を形成するように、分配された前記第2の複数の液滴を、パターンを有するテンプレートと接触させる接触工程と、を実行させる、
命令を記憶する1又は複数のメモリと、
を備えることを特徴とするナノ製作システム。 - 物品を製造する物品製造方法であって、
インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受信する受信工程と、
受信した前記情報に基づいて、成形可能材料の第1の複数の液滴を含む、成形可能材料の第1の液滴パターンを生成する生成工程と、
前記第1の液滴パターンに従って前記第1の複数の液滴を基板の上に分配する分配工程と、
成形可能材料の第1の層を形成するように、分配された前記第1の複数の液滴を、パターンを有しないスーパーストレートと接触させる接触工程と、
前記スーパーストレートが成形可能材料の第1の層と接触している間に成形可能材料の前記第1の層を硬化させることによって第1の硬化層を形成する形成工程と、
前記スーパーストレートを前記第1の硬化層から分離する分離工程と、
前記第1の硬化層の上に耐エッチング層を堆積させる堆積工程と、
成形可能材料の第2の複数の液滴を含む第2の液滴パターンを生成する生成工程と、
前記第2の液滴パターンに従って前記耐エッチング層の上に前記第2の複数の液滴を分配する分配工程と、
成形可能材料の第2の層を形成するように、分配された前記第2の複数の液滴を、パターンを有するテンプレートと接触させる接触工程と、
前記テンプレートを分配された前記第2の複数の液滴と接触する前記接触工程の完了の結果として、成形可能材料の前記第2の層に前記パターンを形成する形成工程と、
成形可能材料の前記第2の層の前記パターンを前記基板に転写する転写工程と、
前記基板を処理して前記物品を製造する処理工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/723,795 | 2019-12-20 | ||
US16/723,795 US11567401B2 (en) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | Nanofabrication method with correction of distortion within an imprint system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021100110A JP2021100110A (ja) | 2021-07-01 |
JP7071484B2 true JP7071484B2 (ja) | 2022-05-19 |
Family
ID=76438268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020203605A Active JP7071484B2 (ja) | 2019-12-20 | 2020-12-08 | インプリントシステム内のディストーションの補正を伴うナノ製作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11567401B2 (ja) |
JP (1) | JP7071484B2 (ja) |
KR (1) | KR20210080218A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7336303B2 (ja) * | 2019-07-31 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 物品製造方法、膜形成方法、型製造方法、物品製造システム、情報処理方法およびプログラム |
US11562924B2 (en) * | 2020-01-31 | 2023-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article |
US20240066786A1 (en) * | 2022-08-30 | 2024-02-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanofabrication method with correction of distortion within an imprint system |
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JP2019140394A (ja) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | キヤノン株式会社 | スーパーストレート |
JP2019176139A (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-10 | キヤノン株式会社 | 適応層を形成するのに用いる装置及びそれを用いた方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
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US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
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JP2013065725A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
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CN105682808B (zh) | 2013-08-19 | 2018-03-27 | 德克萨斯大学***董事会 | 以纳米级精确度可程序化的沉积用户自定义外形的薄膜 |
JP2017010962A (ja) | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 株式会社東芝 | デバイス基板およびデバイス基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
CA3001848C (en) | 2015-10-15 | 2023-09-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
US10079152B1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming planarized etch mask structures over existing topography |
-
2019
- 2019-12-20 US US16/723,795 patent/US11567401B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-08 JP JP2020203605A patent/JP7071484B2/ja active Active
- 2020-12-09 KR KR1020200171033A patent/KR20210080218A/ko not_active Application Discontinuation
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JP2017212439A (ja) | 2016-05-23 | 2017-11-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、およびインプリントシステム内の歪みを補正するインプリント方法 |
JP2019140394A (ja) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | キヤノン株式会社 | スーパーストレート |
JP2019176139A (ja) | 2018-03-28 | 2019-10-10 | キヤノン株式会社 | 適応層を形成するのに用いる装置及びそれを用いた方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11567401B2 (en) | 2023-01-31 |
US20210191257A1 (en) | 2021-06-24 |
JP2021100110A (ja) | 2021-07-01 |
KR20210080218A (ko) | 2021-06-30 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201208 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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