JP6428112B2 - パターニング基板のブレイク装置 - Google Patents
パターニング基板のブレイク装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6428112B2 JP6428112B2 JP2014200115A JP2014200115A JP6428112B2 JP 6428112 B2 JP6428112 B2 JP 6428112B2 JP 2014200115 A JP2014200115 A JP 2014200115A JP 2014200115 A JP2014200115 A JP 2014200115A JP 6428112 B2 JP6428112 B2 JP 6428112B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- break
- patterning substrate
- dividing
- expanding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
図1、図2に示すように、分断すべきパターニング基板Wをダイシングリング1に張設された伸縮可能なエキスパンドテープ(一般的にはダイシングテープともいう)2に貼り付け、焦点Pを基板内部に合わせてレーザ光をパターニング基板Wに照射して、基板内部に多光子吸収による改質領域の分断起点5を分断予定ラインLに沿って形成する。
次いで、図9、図10に示すように、パターニング基板Wを上側にした状態でエキスパンドテープ2を昇降台11’上に載せ、昇降台11’を上昇(又は下降)させ、エキスパンドテープ2のパターニング基板Wを貼り付けた領域の外側周辺部を上向き(又は下向き)に撓ませてエキスパンドテープ2を伸張(エキスパンド)させることにより、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wに引張応力を生じさせて、分断起点5からパターニング基板Wを分断する。
分断起点の形成は、レーザ(例えば、紫外線(UV)レーザ)照射による基板表面でのアブレーション(溝形成)や改質領域の形成、基板内部での改質領域の形成によって行ってもよいし、レーザ(例えば、赤外線(IR)レーザ)による加熱と冷却とによる熱応力亀裂進展によって行ってもよい。
なお、本発明では、上記したように、レーザ光により形成された多光子吸収による基板表面又は内部に形成された改質領域、アブレーションにより形成された溝並びに熱応力分布による亀裂を含め、総称して「分断起点」という。
しかし、このブレイク方法では、図5(a)の平面図並びに図5(b)の断面図に示すように、分断予定ラインL、すなわち、レーザ光を照射するストリート上にTEG等のパターン13があると、レーザ光の透過を阻害して充分な分断起点を形成することができない場合がある。したがって、次のエキスパンドブレイク工程でエキスパンドテープ2を伸張させたときに、未分離が生じたり、あるいは分断予定ラインL以外で枝状クラックや分断が生じたり、電子回路パターンが破損したりするなどのダメージが発生するといった問題点があった。
ここで、「TEG」とは、加工プロセスによって所望のデバイスが形成できているかを評価するために、本体デバイスとは別に作られる半導体素子のことである。TEGには、配線抵抗測定、ビアホール抵抗測定、パーティクルによるパターン欠損測定、ダイオード特性測定、ショート、リーク測定など種々のものがある。
本明細書において、未分離箇所に外圧を加えて「パターニング基板を撓ませること」には、例えば、未分離箇所をブレイクバーで叩くように押圧して「パターニング基板を屈曲させること」も含まれるものとし、以下についても同様とする。
また、前記分断起点は、前記パターニング基板表面に対してレーザ光を走査しながら照射加熱するとともに、これに追従して冷却機構のノズルから加熱領域に冷媒を噴射することによって、先行の加熱によって生じる圧縮応力と、次の急冷によって生じる引張応力とによる基板厚み方向の応力分布により、前記パターニング基板の表面に亀裂を生じさせることによって形成するようにしてもよい。
すなわち、分断起点の形成は、レーザ(例えば、紫外線(UV)レーザ)照射による基板表面でのアブレーション(溝形成)や改質領域の形成、基板内部での改質領域の形成によるものであってもよいし、レーザ(例えば、赤外線(IR)レーザ)による加熱と冷却とによる熱応力亀裂進展によるものであってもよい。
前記未分離箇所ブレイク工程は、前記分断起点を前記光学検査部材で順次検査しながら不完全な箇所が検出されるとその都度ブレイクするようにしてもよく、全ての前記分断起点を前記光学検査部材で先に検査した後、検出された不完全な分断起点をブレイクするようにしてもよい。
本発明のブレイク装置は、脆性材料基板の表面又は内部に電子回路パターンが形成されたパターニング基板のブレイク装置であって、ダイシングリングに支持されたエキスパンドテープに貼り付けた前記パターニング基板の表面に対してレーザ光を照射して分断予定ラインに沿った複数の分断起点を形成するレーザ照射部を備えたレーザ加工装置部分と、前記エキスパンドテープを伸張させることにより前記パターニング基板に引張応力を負荷させて、前記分断起点の亀裂を基板厚み方向に伸展させる第一エキスパンド機構と、前記第一エキスパンド機構で亀裂を伸展させた分断起点を検査する光学検査部材と、前記光学検査部材で検出された不完全な分断起点のある分断予定ラインを、外圧を加えて前記パターニング基板を撓ませることによりブレイクするブレイク刃を備えた未分離箇所ブレイク機構とを含むブレイク装置部分とからなり、前記ブレイク装置部分は、前記ダイシングリングを載置固定するための台盤を備え、前記台盤の中間部分に中空部が形成され、前記中空部に昇降台が昇降可能に配置され、前記昇降台は前記分断起点を挟んでその両脇部分を受ける左右一対の受刃を兼用し、前記左右一対の受刃の上方にはブレイク刃が昇降可能に配置され、前記光学検査部材は、上方から前記左右一対の受刃の間に向かって光を照射する光源と、前記一対の受刃の間に配置され、前記光源からの光を観察するカメラとからなり、前記左右一対の受刃及び前記ブレイク刃と同調して移動できるように形成されている。
また、光学検査部材による検査工程に先立ち、第一エキスパンド工程でパターニング基板に引張応力を加えて完全な分断起点を僅かに分離するとともに、TEG等のパターンにより不完全であった分断起点を未分離のまま残存させるようにしたので、分断起点の分離された箇所と未分離箇所での光の透過率の差が顕著に表れてカメラ画像の明暗を容易に判別でき、正確に未分離箇所の検出を行うことができるといった効果がある。
本発明のブレイク方法及びブレイク装置では、ガラスやセラミック、シリコン等の脆性材料基板の表面又は内部に、電子回路やTEG等のパターンが形成されたパターニング基板Wがブレイク対象となる。
すなわち、図3に示すように、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wの表面に対してレーザ照射部4からレーザ光を走査しながら照射加熱するとともに、これに追従して冷却機構のノズル6から加熱領域に冷媒を噴射する。このときの加熱による圧縮応力と、次の急冷による引張応力とによる基板厚み方向の熱応力分布(温度分布)によって、パターニング基板Wの表面に分断予定ラインLに沿って初期亀裂(クラック)が進展、すなわち、分断起点5となる連続して進展する亀裂を形成することができる。
ブレイク装置Bは、パターニング基板Wを備えたダイシングリング1を載置固定するための台盤7を備えている。台盤7の中間部分は中空に形成されており、この中空部9に、平らな上面を有する昇降台11がシリンダ等の昇降機構10により昇降可能に配置されている。昇降台11は、パターニング基板Wの分断すべき分断予定ラインL、すなわち、分断起点5を挟んでその両脇部分を受ける左右一対の受刃11a、11bを兼用している。また、左右の受刃11a、11bの上方には、先端を尖らせた板状のブレイク刃12が昇降可能に配置されている。
さらに、上方から受刃11a、11bの間に向かって光を照射する光源14と、受刃11a、11bの間に配置され、光源14からの光を観察するカメラ(例えばIRカメラ)15とからなる光学検査部材16が設けられている。
光学検査部材16は、受刃11並びにブレイク刃12と同調して中空部9内で図4の左右方向(矢印方向)に移動してその位置を変えることができるように形成されている。
この第一エキスパンド工程における昇降台11の上昇量は、エキスパンドテープ2の伸張によってパターニング基板Wが外方向に引っ張られて、分断予定ラインLの分断起点5の亀裂が厚み方向に浸透し、僅かに、例えば、10〜1000μmだけ分離する程度に設定しておくようにする。しかし、TEG等のパターンにより不完全であった分断起点5は分離せず、そのまま残される。
光学検査部材16による検査では、透過する光の明暗で未分離箇所を検出することができるので、安価で簡単な光学系の検査器具を用いることが可能となる。
後者の場合、検出された未分離箇所を指定した加工レシピが、付帯するコンピュータに自動的に入力されるようにプログラムしておき、全ての分断予定ラインLを検査した後、入力された加工レシピに基づいてブレイク刃12により未分離箇所を順次ブレイクするのがよい。
第二エキスパンド工程により、エキスパンドテープ2がさらに伸張し、エキスパンドテープ2に貼り付けられたパターニング基板Wは外方向への引張応力を受けて、全ての分断予定ラインLが完全ブレイクされる。個々に分断された単位デバイスは、エキスパンドテープ2に貼り付けられた状態で取り出される。
この第二エキスパンド工程では、分断される各単位デバイスの間隔(分断幅)が0.05〜2mm程度になるように、昇降台11の昇降率を予め設定するのがよい。
また、エキスパンドテープ2を伸張させた状態で、パターニング基板W(個々に分断された単位デバイス)を他のダイシングリング(エキスパンドテープ)に貼り付け直してもよい。この場合、伸張されていない状態の新たなエキスパンドテープに個々に分断された単位デバイスが貼り付けられた状態となるので、エキスパンドテープからの個々に分断された単位デバイスの取り出し(ピックアップ)が容易になる。
まず、エキスパンドテープ2に貼り付けたパターニング基板Wを、レーザ加工装置Aで分断起点5を加工する(S1)。
続いて、第一エキスパンド工程により、分断予定ラインLの分断起点5を少しだけ分離する(S2)。
次いで、光学検査部材16により分断予定ラインLの未分離箇所を検出する(S3)。
続いて、ブレイク刃12により分断予定ラインLの未分離箇所をブレイクする(S4)。このブレイクは、光学検査部材16で検査しながら未分離箇所があればその都度ブレイクしてもよく、全ての分断予定ラインLを検査した後、未分離箇所をブレイクするようにしてもよい。
次いで、第二エキスパンド工程により、パターニング基板Wの全ての分断予定ラインLを同時にブレイクする(S5)。
また、光学検査部材16による検査工程に先立ち、第一エキスパンド工程でパターニング基板Wに引張応力を加えて完全な分断起点5を僅かに分離するとともに、TEG等のパターンにより不完全であった分断起点を未分離のまま残存させるようにしたので、分断起点5の分離された箇所と未分離箇所での光の透過率の差が顕著に表れてカメラ画像の明暗を容易に判別でき、正確に未分離箇所の検出を行うことができる。
例えば、上記実施例では、パターニング基板Wの未分離箇所の検査と、未分離箇所のブレイクを同じステージ上で行うようにしたが、光学検査部材による未分離検査工程を別のステージで行って、未分離箇所を検出した後、ブレイク刃と受刃による3点曲げ方式のブレイク手段によりブレイクするようにしてもよい。
また、上記実施例では、ブレイク工程において、エキスパンドテープ2に貼り付けられたパターニング基板Wを昇降台11で支持する形態としたが、通常のテーブルで支持する形態としても実施可能である。なお、パターニング基板をテーブルで支持する場合には、テーブル表面に弾性体を配置し、弾性体を介して支持することが好ましく、未分離検査のために透明のテーブル及び弾性体を使用することが好ましい。
B ブレイク装置
L 分断予定ライン
W パターニング基板
1 ダイシングリング
2 エキスパンドテープ
5 分断起点
10 昇降機構
11 昇降台
11a、11b 受刃
12 ブレイク刃
13 TEGパターン
14 光源
15 カメラ
16 光学検査部材
Claims (1)
- 脆性材料基板の表面又は内部に電子回路パターンが形成されたパターニング基板のブレイク装置であって、
ダイシングリングに支持されたエキスパンドテープに貼り付けた前記パターニング基板の表面に対してレーザ光を照射して分断予定ラインに沿った複数の分断起点を形成するレーザ照射部を備えたレーザ加工装置部分と、
前記エキスパンドテープを伸張させることにより前記パターニング基板に引張応力を負荷させて、前記分断起点の亀裂を基板厚み方向に伸展させる第一エキスパンド機構と、前記第一エキスパンド機構で亀裂を伸展させた分断起点を検査する光学検査部材と、前記光学検査部材で検出された不完全な分断起点のある分断予定ラインを、外圧を加えて前記パターニング基板を撓ませることによりブレイクするブレイク刃を備えた未分離箇所ブレイク機構とを含むブレイク装置部分とからなり、
前記ブレイク装置部分は、前記ダイシングリングを載置固定するための台盤を備え、前記台盤の中間部分に中空部が形成され、前記中空部に昇降台が昇降可能に配置され、前記昇降台は前記分断起点を挟んでその両脇部分を受ける左右一対の受刃を兼用し、前記左右一対の受刃の上方にはブレイク刃が昇降可能に配置され、
前記光学検査部材は、上方から前記左右一対の受刃の間に向かって光を照射する光源と、前記一対の受刃の間に配置され、前記光源からの光を観察するカメラとからなり、前記左右一対の受刃及び前記ブレイク刃と同調して移動できるように形成されているパターニング基板のブレイク装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014200115A JP6428112B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターニング基板のブレイク装置 |
KR1020150090973A KR20160038713A (ko) | 2014-09-30 | 2015-06-26 | 패터닝 기판의 브레이크 방법 그리고 브레이크 장치 |
CN201510388862.0A CN105470198B (zh) | 2014-09-30 | 2015-07-03 | 图案化基板的断开方法及断开装置 |
TW104122532A TWI655045B (zh) | 2014-09-30 | 2015-07-13 | 圖案化基板的斷開裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014200115A JP6428112B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターニング基板のブレイク装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018034122A Division JP2018122596A (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016068392A JP2016068392A (ja) | 2016-05-09 |
JP6428112B2 true JP6428112B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=55607764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014200115A Expired - Fee Related JP6428112B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターニング基板のブレイク装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6428112B2 (ja) |
KR (1) | KR20160038713A (ja) |
CN (1) | CN105470198B (ja) |
TW (1) | TWI655045B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6888808B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 樹脂層付き脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 |
JP6888809B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 金属膜付き脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 |
JP7370902B2 (ja) | 2020-02-28 | 2023-10-30 | 株式会社ディスコ | クラック検出方法 |
WO2023176068A1 (ja) * | 2022-03-16 | 2023-09-21 | ナルックス株式会社 | マイクロレンズ及びマイクロレンズアレイの製造方法 |
CN115592257B (zh) * | 2022-12-13 | 2023-04-18 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | 一种从激光改质后的晶体上剥离晶片的机械剥离装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4409840B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2010-02-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
CN100442446C (zh) * | 2004-02-27 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置 |
JP2006173520A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Canon Inc | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 |
JP2011165766A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2013149932A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Nitto Denko Corp | 基板小片化方法およびこれを用いた基板小片化装置 |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2014200115A patent/JP6428112B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-06-26 KR KR1020150090973A patent/KR20160038713A/ko active Search and Examination
- 2015-07-03 CN CN201510388862.0A patent/CN105470198B/zh active Active
- 2015-07-13 TW TW104122532A patent/TWI655045B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160038713A (ko) | 2016-04-07 |
CN105470198B (zh) | 2020-11-24 |
CN105470198A (zh) | 2016-04-06 |
TW201611928A (en) | 2016-04-01 |
TWI655045B (zh) | 2019-04-01 |
JP2016068392A (ja) | 2016-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6428112B2 (ja) | パターニング基板のブレイク装置 | |
TWI510321B (zh) | Laser processing method | |
JP5015294B2 (ja) | 半導体基板及びその切断方法 | |
KR101854679B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및, 패턴이 있는 기판의 가공 조건 설정 방법 | |
JP5193326B2 (ja) | 基板加工装置および基板加工方法 | |
US9592574B2 (en) | Method and apparatus for scribing a substantially planar semiconductor substrate with on-the-fly control of scribing alignment | |
US8476553B2 (en) | Method of dividing workpiece | |
JP4703983B2 (ja) | 切断方法 | |
JP6428113B2 (ja) | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 | |
JP2010212478A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP2010070388A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
KR20220114005A (ko) | 집광 렌즈의 높이 조정 방법 및 칩 전사 방법 그리고 집광 렌즈의 높이 조정 장치 및 칩 전사 장치 | |
TWI599430B (zh) | Laser processing equipment | |
TWI550703B (zh) | A method of processing a substrate having a pattern | |
US20190051561A1 (en) | Workpiece dividing method | |
JP6417828B2 (ja) | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 | |
JP2018122596A (ja) | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 | |
JP5560096B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2014120659A (ja) | レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置 | |
KR20190039860A (ko) | 기판 제조 방법 | |
JP2015116774A (ja) | 脆性材料基板の加工方法 | |
JP2023079907A (ja) | 基板の切断方法、及び、基板小片の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6428112 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |