JP6425794B1 - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹部が形成された第1の半導体基板と、第1の半導体基板に酸化膜を介して接合された第2の半導体基板とを備え、第1の半導体基板の凹部と第2の半導体基板とにより囲まれた空間で形成された基準圧力室と、第2の半導体基板の圧力を受ける面に、基準圧力室の外周に沿って形成されたピエゾ抵抗と、第2の半導体基板の圧力を受ける面と、第2の半導体基板および酸化膜の側面とに形成された保護膜とを備えた。
【選択図】図2
Description
図1は本発明の実施の形態1における半導体圧力センサ1の平面図であり、図2は図1の一点鎖線A−Aにおける断面図である。以下、半導体圧力センサ1について、図面を参照して説明する。
本発明の実施の形態2における半導体圧力センサ1の平面図を図6、断面図を図7に示す。なお図7は図6の一点鎖線A−Aにおける断面図であり、図6は保護膜9を省略して示している。実施の形態1は、基準圧力室4を1つ備えた半導体圧力センサ1であったが、実施の形態2における半導体圧力センサ1は、それぞれ厚さの異なるダイヤフラムを有した2つの基準圧力室を備えるものである。なお、他の構成については、実施の形態1の記載と同様であるため、同一の符号を付して、説明を省略する。
Claims (3)
- 凹部が形成された第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板に酸化膜を介して接合された第2の半導体基板とを備え、
前記第1の半導体基板の前記凹部と前記第2の半導体基板とにより囲まれた空間で形成された基準圧力室と、
前記第2の半導体基板の圧力を受ける面に、前記基準圧力室の外周に沿って形成されたピエゾ抵抗と、
前記第2の半導体基板の圧力を受ける面と、前記第2の半導体基板および前記酸化膜の側面とに形成された、水素および酸素を含有しない、1≦x≦4/3の窒化シリコン膜SiNxを積層した積層膜である保護膜と、を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 前記積層膜は5から10層の前記窒化シリコン膜SiNxが積層されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。
- 複数の凹部が形成された第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板に酸化膜を介して接合された中間半導体基板と、
前記中間半導体基板に酸化膜を介して接合された第2の半導体基板とを備え、
前記第1の半導体基板の第1の凹部と前記中間半導体基板とにより囲まれた空間で形成された第1の基準圧力室と、
前記中間半導体基板は前記第1の半導体基板に形成された第2の凹部と連通する貫通孔を有し、前記第1の半導体基板の前記第2の凹部と前記中間半導体基板と前記第2の半導体基板とにより囲まれた空間で形成された第2の基準圧力室と、
前記第2の半導体基板の圧力を受ける面に、前記第1と前記第2の基準圧力室の外周に沿って形成されたピエゾ抵抗と、
前記第2の半導体基板の圧力を受ける面と、前記第2の半導体基板および前記中間半導体基板および前記酸化膜の側面とに形成された、水素および酸素を含有しない、1≦x≦4/3の窒化シリコン膜SiNxを5から10層を積層した積層膜である保護膜と、を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
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