JP6425399B2 - Carrier-coated copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board - Google Patents
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Description
本発明は、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a copper foil with carrier, a printed wiring board, a printed circuit board, a copper-clad laminate, and a method of manufacturing the printed wiring board.
プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められている。 Generally, a printed wiring board is manufactured through a process of forming a conductor pattern on a copper foil surface by etching after bonding an insulating substrate to a copper foil to form a copper-clad laminate. In recent years, with the miniaturization of electronic devices and the increase in needs for high performance, high density mounting of mounted components and high frequency of signals have progressed, and the conductor pattern has been miniaturized (fine pitched) or high frequency for printed wiring boards. Measures are required.
ファインピッチ化に対応して、最近では厚さ９μｍ以下、更には厚さ５μｍ以下の銅箔が要求されているが、このような極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される。露出した極薄銅層上にレジストで回路パターンを形成した後に、所定の回路が形成される。 Recently, copper foils with a thickness of 9 μm or less, and further 5 μm or less are required in response to finer pitches, but such ultra-thin copper foils have low mechanical strength and are used in the manufacture of printed wiring boards. Since the substrate is easily broken at times and wrinkles are easily generated, a copper foil with a carrier has been developed, in which a thick metal foil is used as a carrier and an ultrathin copper layer is electrodeposited via a peeling layer. After bonding the surface of the ultrathin copper layer to the insulating substrate and thermocompression bonding, the carrier is peeled off through the peeling layer. After forming a circuit pattern with a resist on the exposed ultrathin copper layer, a predetermined circuit is formed.
ここで、樹脂との接着面となるキャリア付き銅箔の極薄銅層の表面に対しては、主として、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が十分であること、そしてその剥離強度が高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分に保持されていることが要求される。極薄銅層と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル（凹凸、粗さ）を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。 Here, with respect to the surface of the ultrathin copper layer of the copper foil with a carrier to be an adhesive surface with a resin, mainly, the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin substrate is sufficient, and the peel strength However, they are required to be sufficiently retained even after high temperature heating, wet processing, soldering, chemical processing and the like. As a method for enhancing the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin substrate, generally, a large amount of roughened particles is deposited on the ultrathin copper layer having a large surface profile (concave and convex, roughness). The method is representative.
しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル（凹凸、粗さ）の大きい極薄銅層を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。 However, if such an ultrathin copper layer with a large profile (concave and convex, roughness) is used for a semiconductor package substrate that needs to form a particularly fine circuit pattern among printed wiring boards, copper particles that are unnecessary during circuit etching Remain, causing problems such as insulation failure between circuit patterns.
このため、ＷＯ２００４／００５５８８号（特許文献１）では、半導体パッケージ基板をはじめとする微細回路用途のキャリア付銅箔として、極薄銅層の表面に粗化処理を施さないキャリア付銅箔を用いることが試みられている。このような粗化処理を施さない極薄銅層と樹脂との密着性（剥離強度）は、その低いプロファイル（凹凸、粗度、粗さ）の影響で一般的なプリント配線板用銅箔と比較すると低下する傾向がある。そのため、キャリア付銅箔について更なる改善が求められている。 For this reason, in WO 2004/005588 (patent document 1), the copper foil with a carrier which does not roughen the surface of a very thin copper layer is used as a copper foil with a carrier for fine circuit applications including a semiconductor package substrate. That is being tried. The adhesion (peel strength) between the resin and the ultra-thin copper layer not subjected to such roughening treatment is a copper foil for general printed wiring boards under the influence of its low profile (concave, rough, rough) There is a tendency to decrease by comparison. Therefore, further improvement is required for the copper foil with carrier.
そこで、特開２００７−００７９３７号公報（特許文献２）及び特開２０１０−００６０７１号公報（特許文献３）では、キャリア付き極薄銅箔のポリイミド系樹脂基板と接触（接着）する面に、Ｎｉ層又は／及びＮｉ合金層を設けること、クロメート層を設けること、Ｃｒ層又は／及びＣｒ合金層を設けること、Ｎｉ層とクロメート層とを設けること、Ｎｉ層とＣｒ層とを設けることが記載されている。これらの表面処理層を設けることにより、ポリイミド系樹脂基板とキャリア付き極薄銅箔との密着強度を粗化処理なし、または粗化処理の程度を低減（微細化）しながら所望の接着強度を得ている。更に、シランカップリング剤で表面処理したり、防錆処理を施したりすることも記載されている。 Therefore, in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2007-007937 (Patent Document 2) and 2010-006071 (Patent Document 3), Ni is used on the surface of the ultra thin copper foil with carrier in contact (adhesion) with the polyimide resin substrate. Providing a layer or / and a Ni alloy layer, providing a chromate layer, providing a Cr layer or / and a Cr alloy layer, providing a Ni layer and a chromate layer, providing a Ni layer and a Cr layer It is done. By providing these surface treatment layers, the adhesion strength between the polyimide resin substrate and the carrier-attached ultrathin copper foil is not roughened, or the degree of the roughening is reduced (refined) while the desired adhesion strength is achieved. It has gained. Furthermore, the surface treatment with a silane coupling agent and the application of an antirust treatment are also described.
キャリア付銅箔の開発においては、これまで極薄銅層と樹脂基材との剥離強度を確保することに重きが置かれていた。そのため、プリント配線板の高密度実装化に適するキャリア付銅箔に関しては未だ十分な検討がなされておらず、未だ改善の余地が残されている。 In the development of copper foil with carrier, emphasis has been placed on securing peel strength between an ultrathin copper layer and a resin substrate. Therefore, a copper foil with a carrier suitable for high density mounting of a printed wiring board has not yet been sufficiently studied, and there is still room for improvement.
プリント配線板の集積回路密度を上昇させるためには、レーザー穴を形成し、当該穴を通じて内層と外層とを接続させる方法が一般的である。また、狭ピッチ化に伴う微細回路形成方法は、配線回路を極薄銅層上に形成した後に、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法（MSAP：Modified-Semi-Additive-Process）が用いられるため、極薄銅層のレーザー穴空け性は、高密度集積回路基板を作製する上で重要な項目である。極薄銅層のレーザー穴空け性は、穴径精度並びにレーザー出力等の諸条件に関わるため集積回路の設計及び生産性に大きく影響を及ぼす。特許文献４には、レーザー穴空け性が良好な銅張積層板が記載されているが、本発明者の検討によれば、エッチング性の点で未だ改善の余地がある。 In order to increase the integrated circuit density of a printed wiring board, it is common to form a laser hole and connect the inner layer and the outer layer through the hole. Also, in the method of forming a fine circuit accompanying narrowing the pitch, after the wiring circuit is formed on a very thin copper layer, the very thin copper layer is etched away with a sulfuric acid-hydrogen peroxide type etchant (MSAP: Modified-Semi Since the (Additive-Process) is used, laser drilling of an ultrathin copper layer is an important item in producing a high density integrated circuit substrate. The laser puncturing property of the ultra-thin copper layer greatly affects the design and productivity of the integrated circuit because it is related to various conditions such as hole diameter accuracy and laser output. Patent Document 4 describes a copper-clad laminate having good laser drilling properties, but according to the study of the present inventor, there is still room for improvement in terms of etching properties.
そこで、本発明は、極薄銅層のレーザー穴空け性が良好で、高密度集積回路基板の作製に好適なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide a copper foil with a carrier, which is excellent in laser punctability of an ultrathin copper layer and is suitable for producing a high density integrated circuit substrate.
上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、所定の加熱処理がなされたキャリア付銅箔から極薄銅層を剥がしたときの、極薄銅層の剥離側の触針式粗度計を用いて測定される表面粗さを制御することが、極薄銅層のレーザー穴空け性の向上に極めて効果的であることを見出した。 In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive studies and found that when the ultrathin copper layer is peeled off from the copper foil with a carrier which has been subjected to a predetermined heat treatment, a stylus on the peeling side of the ultrathin copper layer. It has been found that controlling the surface roughness measured by means of a surface roughness meter is extremely effective in improving the laser punctability of an ultrathin copper layer.
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さＲｚが０．８μｍ以上２．０μｍ未満であり、表面粗さＲｚの標準偏差が０．６２μｍ以下であり、レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面高さ分布のとがり度Ｓｋｕが０．５０以上３．７０以下であるキャリア付銅箔である。
The present invention has been completed based on the above findings, and it is a copper foil with a carrier comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order on one side, wherein the copper foil with carrier is 220 After heating at 2 ° C for 2 hours, when the ultrathin copper layer is peeled off according to JIS C 6471, the ultrathin copper layer measured using a stylus type roughness meter according to JIS B 0601-1982 the surface roughness Rz of the intermediate layer side is less than 2.0μm or 0.8 [mu] m, standard deviation of the table surface roughness Rz of Ri der less 0.62 .mu.m, the ultra-thin copper layer is measured with a laser microscope kurtosis degree Sku of the surface height distribution of the intermediate layer side is a copper foil with der Ru carrier 0.50 or 3.70 or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さＲｚが０．８μｍ以上１．９９μｍ以下である。 In one embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention, when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours, and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471, JIS B0601-1982 The surface roughness Rz of the very thin copper layer on the side of the intermediate layer, which is measured using a stylus type roughness meter according to the above, is 0.8 μm or more and 1.99 μm or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、表面粗さＲｚの標準偏差が０．０１μｍ以上０．５５μｍ以下である。 In another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention has a rough surface when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471. The standard deviation of the height Rz is 0.01 μm or more and 0.55 μm or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さＲｚが０．９μｍ以上１．９μｍ以下である。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention, when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours, and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471, JIS is The surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using a stylus type roughness meter in accordance with B0601-1982 is 0.9 μm or more and 1.9 μm or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以上１．８μｍ以下である。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention, when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours, and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471, JIS is The surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using a stylus type roughness meter in accordance with B0601-1982 is 1.0 μm or more and 1.8 μm or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面高さ分布のとがり度Ｓｋｕが１．００以上３．６０以下である。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention is a laser when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off according to JIS C 6471. The sharpness Sku of the surface height distribution on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured with a microscope is 1.00 or more and 3.60 or less.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアが電解銅箔または圧延銅箔で形成されている。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the carrier is formed of an electrolytic copper foil or a rolled copper foil.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に粗化処理層を有する。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention has a roughened layer on the surface of the ultrathin copper layer.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier according to the present invention includes any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt and zinc, and the roughening treatment layer is any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt and zinc. It is a layer made of an alloy.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention is selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an anticorrosive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on the surface of the roughening treatment layer. It has layers of species or more.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention is selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an anticorrosive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer on the surface of the ultrathin copper layer. It has layers of species or more.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention comprises a resin layer on the ultrathin copper layer.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the copper foil with carrier according to the present invention includes a resin layer on the roughened layer.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える。 The copper foil with carrier according to the present invention, in still another embodiment, comprises a resin on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rustproof layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer. With layers.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が接着用樹脂である。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the resin layer is a bonding resin.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the resin layer is a resin in a semi-cured state.
本発明に係るキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの厚みが５〜７０μｍである。 In still another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, the thickness of the carrier is 5 to 70 μm.
本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。 In another aspect, the present invention is a printed wiring board manufactured using the copper foil with a carrier of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板である。 In still another aspect, the present invention is a printed circuit board manufactured using the copper foil with a carrier of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板である。 The present invention, in still another aspect, is a copper-clad laminate manufactured using the copper foil with a carrier of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In still another aspect of the present invention, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate of the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the copper foil with carrier and the insulating substrate Forming a copper-clad laminate through the step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier, and thereafter forming the copper-clad laminate by a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method or a modified semi-additive method A method of manufacturing a printed wiring board including the step of forming a circuit.
本発明は更に別の一側面において、本発明の本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In still another aspect of the present invention, a process of forming a circuit on the surface of the copper foil with a carrier of the present invention according to the present invention, the electrode of the copper foil with a carrier such that the circuit is embedded. A step of forming a resin layer on the surface on the thin copper layer side, a step of forming a circuit on the resin layer, a step of peeling the carrier after forming the circuit on the resin layer, and peeling the carrier It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of exposing a circuit buried in the resin layer which was formed in the ultra-thin copper layer side surface by removing the ultra-thin copper layer later.
本発明によれば、極薄銅層のレーザー穴空け性が良好で、高密度集積回路基板の作製に好適なキャリア付銅箔を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a copper foil with carrier which is excellent in laser punctability of an ultrathin copper layer and is suitable for producing a high density integrated circuit substrate.
＜キャリア付銅箔＞
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with carrier of the present invention comprises a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art, for example, the surface of a very thin copper layer is a paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite Ultra-thin film bonded to insulating substrate such as base epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resin and glass cloth base epoxy resin, polyester film, polyimide film etc The copper layer can be etched into the intended conductor pattern, and finally the printed wiring board can be manufactured.
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して極薄銅層を剥がしたとき、触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚが０．８μｍ以上２．０μｍ未満となるように制御されている。キャリア付銅箔を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングして回路を形成する。このようにして基板を多層構造にしてプリント配線板を作製している。ここで、このようなプリント配線板の集積回路密度を上昇させるためには、レーザー穴を形成し、当該穴を通じて内層と外層とを接続させる。このとき、極薄銅層にレーザー穴を空けるのが困難であると当然に問題であるし、レーザー穴は大きすぎても小さすぎても種々の問題を引き起こすため適度な大きさに形成する必要がある。このように、極薄銅層のレーザー穴空け性は、穴径精度並びにレーザー出力等の諸条件に関わるため集積回路の設計及び生産性に大きく影響を及ぼす重要な特性である。本発明では、この極薄銅層のレーザー穴空け性は、キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚを０．８μｍ以上２．０μｍ未満に制御することで良好となることを見出した。当該触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚが０．８μｍ未満であると、極薄銅層の表面の粗さが不足して穴空け加工の際のレーザーの吸収性が悪くなり、穴が空け難くなり、空けたとしても小さな穴となってしまうという問題が生じる。また、当該触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚが２．０μｍ以上であると、極薄銅層の表面の粗さが大き過ぎて穴空け加工の際のレーザーの吸収性が過剰となり、穴が大きくなり過ぎてしまうという問題が生じる。当該触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚは、０．８μｍ以上１．９９μｍ以下が好ましく、０．９μｍ以上１．９μｍ以下μｍがより好ましく、１．０μｍ以上１．８μｍ以下が更により好ましい。なお、上記「２２０℃で２時間加熱」は、キャリア付銅箔を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着する場合の典型的な加熱条件を示している。 The copper foil with carrier of the present invention is measured using a stylus-type roughness meter when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471. The surface roughness Rz of the intermediate layer side of the very thin copper layer is controlled to be 0.8 μm or more and less than 2.0 μm. A copper foil with a carrier is bonded to an insulating substrate and the carrier is peeled off after thermocompression bonding, and a circuit is formed by etching a very thin copper layer bonded to the insulating substrate into a target conductor pattern. In this manner, a printed wiring board is manufactured with the substrate having a multilayer structure. Here, in order to increase the integrated circuit density of such a printed wiring board, a laser hole is formed, and the inner layer and the outer layer are connected through the hole. At this time, of course, it is a problem if it is difficult to make a laser hole in an ultrathin copper layer, and if the laser hole is too large or too small, it causes various problems. There is. Thus, the laser puncturing property of the ultra-thin copper layer is an important characteristic which greatly affects the design and productivity of the integrated circuit because it relates to various conditions such as hole diameter accuracy and laser output. In the present invention, the laser punctability of this ultra-thin copper layer is determined by heating the copper foil with carrier for 2 hours at 220 ° C. and then peeling off the ultra-thin copper layer according to JIS C 6471. Was found to be good by controlling the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using a stylus type roughness meter in accordance with the above 0.8 μm or more and less than 2.0 μm . When the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the stylus type roughness meter is less than 0.8 μm, the surface roughness of the ultrathin copper layer is insufficient to make holes The absorptivity of the laser at the time of processing worsens, and it becomes difficult to make a hole, and even if it makes it a problem that it will become a small hole. In addition, when the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the stylus type roughness meter is 2.0 μm or more, the surface roughness of the ultrathin copper layer is too large. The absorptivity of the laser at the time of a drilling process becomes excessive, and the problem that a hole will become large will arise. The surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the stylus type roughness meter is preferably 0.8 μm to 1.99 μm, and more preferably 0.9 μm to 1.9 μm. Preferably, 1.0 μm or more and 1.8 μm or less is further more preferable. In addition, said "heating for 2 hours at 220 degreeC" has shown the typical heating conditions in the case of bonding copper foil with a carrier together to an insulated substrate, and thermocompression-bonding.
また、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して極薄銅層を剥がしたとき、触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚの標準偏差が０．６２μｍ以下となるように制御されている。当該触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚの標準偏差が０．６２μｍを超えると、レーザー穴径のばらつきが大きくなったり（すなわち標準偏差が大きくなる）、エッチングファクターのばらつきが大きくなる（すなわち標準偏差が大きくなる）という問題が生じる。また、当該触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚの標準偏差は、０．０１μｍ以上０．５５μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以上０．４５μｍ以下であるのが更により好ましく、０．０５μｍ以上０．４０μｍ以下であるのがより好ましく、０．０５μｍ以上０．３５μｍ以下であるのがより好ましい。 In addition, when the copper foil with carrier of the present invention is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off according to JIS C 6471, using a stylus type roughness meter The standard deviation of the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer to be measured is controlled to be 0.62 μm or less. If the standard deviation of the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the stylus type roughness meter exceeds 0.62 μm, the variation in laser hole diameter may increase (ie, the standard deviation) The problem is that the variation of the etching factor becomes large (that is, the standard deviation becomes large). In addition, the standard deviation of the surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the stylus type roughness meter is preferably 0.01 μm to 0.55 μm, and 0.02 μm. It is further more preferable that the thickness is not less than 0.45 μm, more preferably not less than 0.05 μm and not more than 0.40 μm, and still more preferably not less than 0.05 μm and not more than 0.35 μm.
また、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して極薄銅層を剥がしたとき、レーザー顕微鏡で測定される極薄銅層の中間層側の表面高さ分布のとがり度（クルトシス）Ｓｋｕが０．５０以上３．７０以下に制御されているのが好ましい。Ｓｋｕが０．５０未満であると、極薄銅層の表面の凸部の形状が平らになるため、穴空け加工の際のレーザーの吸収性が悪くなり、穴が空け難くなり、空けたとしても小さな穴となってしまうという問題が生じるおそれがある。また、３．７０より大きい場合、極薄銅層の表面の凹凸の凸部が鋭い形状となり、レーザーのエネルギーが局所的に吸収され、レーザーの照射径に対して、実際の穴の大きさが大きくなるという問題が生じるおそれがある。本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して極薄銅層を剥がしたとき、レーザー顕微鏡で測定される極薄銅層の中間層側の表面高さ分布のとがり度Ｓｋｕが１．００以上３．６０以下に制御されているのがより好ましく、１．５０以上３．３０以下に制御されているのが更により好ましく、１．５０以上３．２０以下に制御されているのが更により好ましく、１．５０以上３．１０以下に制御されているのが更により好ましく、１．５０以上３．００以下に制御されているのが更により好ましい。 Further, the copper foil with carrier of the present invention is an ultrathin copper measured by a laser microscope when the copper foil with carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471. It is preferable that the surface height distribution Srt of the surface height distribution on the intermediate layer side of the layer is controlled to 0.50 or more and 3.70 or less. If the Sku is less than 0.50, the shape of the projections on the surface of the ultra-thin copper layer becomes flat, so the laser absorptivity at the time of drilling becomes worse, making it difficult to make holes and making holes There is a possibility that the problem of becoming a small hole may occur. In addition, when it is larger than 3.70, the convex portion of the unevenness of the surface of the ultrathin copper layer has a sharp shape, the energy of the laser is locally absorbed, and the actual hole size is smaller than the irradiation diameter of the laser. There may be a problem of becoming larger. The copper foil with carrier according to the present invention is obtained by heating the copper foil with carrier for 2 hours at 220 ° C. and then peeling off the ultra thin copper layer according to JIS C 6471. It is more preferable that the sharpness Sku of the surface height distribution on the intermediate layer side be controlled to 1.00 or more and 3.60 or less, and still more preferably 1.50 or more and 3.30 or less, It is further more preferably controlled to 1.50 or more and 3.20 or less, still more preferably controlled to 1.50 or more and 3.10 or less, and controlled to 1.50 or more and 3.00 or less Is even more preferred.
＜キャリア＞
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ＬＣＤフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１０２０またはＪＩＳ Ｈ３５１０ 合金番号Ｃ１０１１）といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Carrier>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum It is provided in the form of an alloy foil, an insulating resin film, a polyimide film, and an LCD film.
The carrier that can be used in the present invention is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. Generally, an electrolytic copper foil is manufactured by electrolytically depositing copper on a drum of titanium or stainless steel from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by rolling rolls. In addition to copper of high purity such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy No. C1100) and oxygen free copper (JIS H3100 alloy No. C1020 or JIS H3510 alloy No. C1011) as copper foil materials, for example, Sn containing copper, Ag containing copper, Cr It is also possible to use a copper alloy such as a copper alloy to which Zr, Mg or the like is added, or a Corson-based copper alloy to which Ni, Si or the like is added. In addition, when the term "copper foil" is used independently in this specification, copper alloy foil shall also be included.
本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば５μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には８〜７０μｍであり、より典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には５μｍ以上３５μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１８μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１２μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１１μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。 The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, and can be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost will increase, so in general, the thickness is preferably 35 μm or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 8 to 70 μm, more typically 12 to 70 μm, and more typically 18 to 35 μm. Further, from the viewpoint of reducing the raw material cost, the thickness of the carrier is preferably small. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 18 μm, preferably 5 μm to 12 μm, and preferably 5 μm to 11 μm, preferably 5 μm to 10 μm. It is below. In addition, when the thickness of a carrier is small, it is easy to generate a crease wrinkle at the time of passage of a carrier. In order to prevent the occurrence of creases and wrinkles, for example, it is effective to smooth the transport roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier or to shorten the distance between the transport roll and the transport roll next to the transport roll.
本発明の上述の触針式粗度計を用いて測定される極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚは、キャリアの極薄銅層側表面形態を調整することで制御することができる。以下に、本発明のキャリアの作製方法について説明する。 The surface roughness Rz on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer measured using the above-described stylus type roughness meter of the present invention can be controlled by adjusting the surface shape of the ultrathin copper layer side of the carrier it can. Hereinafter, the method for producing the carrier of the present invention will be described.
キャリアとして電解銅箔を使用する場合の製造条件の一例は、以下に示される。
＜電解液組成＞
銅：９０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：９０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：５０〜１００ｐｐｍ
レべリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レべリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
An example of manufacturing conditions in the case of using an electrolytic copper foil as a carrier is shown below.
<Electrolyte composition>
Copper: 90 to 110 g / L
Sulfuric acid: 90 to 110 g / L
Chlorine: 50 to 100 ppm
Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
The amine compound of the following chemical formula can be used for the above-mentioned amine compound.
＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ2
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間
<Manufacturing conditions>
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50 to 60 ° C
Electrolyte linear velocity: 3 to 5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes
極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ及びその標準偏差は、キャリアの極薄銅層側表面形態を調整することで制御する。当該キャリアの極薄銅層側表面形態の調整としては、以下の（１）〜（３）の調整法が挙げられる。なお、表２のように、キャリアの極薄銅層側表面の形態と、キャリア側極薄銅層表面の形態とは近い形態となる。そのため、キャリアの極薄銅層側表面の形態を調整することで、所望のキャリア側極薄銅層表面の形態を有するキャリア付極薄銅箔を得ることができる。 The surface roughness Rz on the interlayer side of the ultrathin copper layer and its standard deviation are controlled by adjusting the surface morphology of the carrier on the ultrathin copper layer side. As adjustment of the ultrathin copper layer side surface form of the said carrier, the adjustment methods of the following (1)-(3) are mentioned. As shown in Table 2, the form of the surface on the very thin copper layer side of the carrier and the form of the surface on the very thin copper layer side of the carrier are close to each other. Therefore, by adjusting the form of the ultrathin copper layer side surface of the carrier, a carrier attached ultrathin copper foil having a desired form of the carrier side ultrathin copper layer surface can be obtained.
（１）低粗度及び高光沢のキャリアに対して、ソフトエッチング処理または逆電解処理を行う。
具体的には、表面粗さＲｚが０．２μｍ〜０．６μｍで６０度鏡面光沢度が５００％以上のキャリアに対して、ソフトエッチング処理（例えば、硫酸５〜１５ｖｏｌ％、過酸化水素０．５〜５．０ｗｔ％の水溶液で、１０〜３０℃にて０．５〜１０分間のエッチング処理）、或いは、逆電解処理（光沢面に電解研磨して凹凸を形成する処理）を行う。
なお、上記「逆電解研磨」は電解研磨である。一般に、電解研磨は平滑化を目的とするので、電解銅箔に電解研磨を施すとすれば、光沢面とは逆側の表面（粗面）が対象となるのが通常の考え方である。しかしながら、ここでは光沢面に電解研磨して凹凸を形成するので、通常とは逆の考え方の電解研磨処理、すなわち逆電解研磨処理となる。なお、逆電解処理による銅の溶解量は２〜２０ｇ／ｍ2とする。また、逆電解研磨処理の電流密度は０．５〜５０Ａ／ｄｍ2とする。
(1) A soft etching process or a reverse electrolysis process is performed on the low roughness and high gloss carrier.
Specifically, for a carrier having a surface roughness Rz of 0.2 μm to 0.6 μm and a mirror gloss of 60 degrees and a mirror glossiness of 500% or more, soft etching (for example, 5 to 15 vol% of sulfuric acid, 0. A 5 to 5.0 wt% aqueous solution is subjected to etching treatment at 10 to 30 ° C. for 0.5 to 10 minutes) or reverse electrolytic treatment (treatment to form irregularities by electrolytic polishing on a glossy surface).
The "reverse electrolytic polishing" is electrolytic polishing. In general, the purpose of the electropolishing is to smooth the surface, so if the electrodeposited copper foil is electropolished, it is a general idea that the surface (rough surface) opposite to the shiny side is the object. However, since the gloss surface is electropolished to form asperities in this case, the electropolishing process is reverse to the usual idea, that is, the reverse electropolishing process. In addition, the melt | dissolution amount of copper by reverse electrolytic treatment shall be 2-20 g / m < 2 >. Further, the current density of the reverse electrolytic polishing process is 0.5 to 50 A / dm 2 .
（２）サンドブラストで処理した圧延ロールでの圧延によりキャリアを製造する。
具体的には、キャリアとして圧延銅箔を用意し、当該圧延銅箔に対し、サンドブラストにより表面を粗化した圧延ロールを用いて仕上げの冷間圧延を行う。このとき、圧延ロール粗さＲａ＝０．３９〜０．４２μｍ、油膜当量２９０００〜４００００とすることができる。
ここで油膜当量は以下の式で表される。
油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ2]）｝
圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。
油膜当量を２９０００〜４００００とするためには、高粘度の圧延油を用いたり、通板速度を速くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
(2) The carrier is manufactured by rolling with a sand roll-treated rolling roll.
Specifically, a rolled copper foil is prepared as a carrier, and finish cold rolling is performed on the rolled copper foil using a rolling roll whose surface is roughened by sand blasting. At this time, the rolling roll roughness Ra can be set to 0.39 to 0.42 μm, and the oil film equivalent can be set to 29,000 to 40,000.
Here, the oil film equivalent is represented by the following equation.
Oil film equivalent = {(rolled oil viscosity [cSt]) × (passing speed [mpm] + roll peripheral speed [mpm])} / {(roll bite angle [rad]) × (yield stress of material [kg / mm 2 ])}
The rolling oil viscosity [cSt] is the kinematic viscosity at 40 ° C.
In order to set the oil film equivalent to 29,000 to 40,000, a known method such as using a high viscosity rolling oil or increasing the threading speed may be used.
（３）所定の電解条件によりキャリアを製造する。
具体的には、硫酸銅電解液（銅濃度：８０〜１２０ｇ／Ｌ、硫酸濃度７０〜９０ｇ／Ｌ）を用いて、添加剤として高濃度ニカワ（ニカワ濃度：３〜１０質量ｐｐｍ）を用い、高電流密度（７５〜１１０Ａ／ｄｍ2）且つ高線流速（３．７〜５．０ｍ／ｓｅｃ）条件にて電解銅箔のキャリアを作製する。
(3) The carrier is manufactured under predetermined electrolytic conditions.
Specifically, a copper sulfate electrolytic solution (copper concentration: 80 to 120 g / L, sulfuric acid concentration 70 to 90 g / L) is used, and a high concentration glue (Nikawa concentration: 3 to 10 mass ppm) is used as an additive. A carrier of electrolytic copper foil is produced under conditions of high current density (75 to 110 A / dm 2 ) and high linear flow velocity (3.7 to 5.0 m / sec).
＜中間層＞
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４００００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上２５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上１０００μｇ／ｄｍ2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ2以上１００μｇ／ｄｍ2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
<Middle class>
An intermediate layer is provided on one side or both sides of the carrier. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is difficult to peel from the carrier prior to the lamination step on the insulating substrate with the copper foil with carrier, while the ultrathin copper layer from the carrier is after the lamination step on the insulating substrate The configuration is not particularly limited as long as it is a configuration that allows peeling. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier according to the present invention may be made of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, their alloys, their hydrates, their oxides, One or more selected from the group consisting of organic substances may be included. Also, the intermediate layer may be a plurality of layers.
Also, for example, the intermediate layer is a single metal layer consisting of a kind of element selected from the group of elements consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side Or form an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of elements composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A layer comprising a hydrate or oxide of one or more elements selected from the group of elements consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn Can be configured.
When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide an anticorrosive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that part of the deposited metal such as chromium or zinc may be a hydrate or an oxide.
Also, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on the carrier. Since the adhesion between nickel and copper is higher than the adhesion between chromium and copper, when peeling off the very thin copper layer, it peels off at the interface between the very thin copper layer and the chromium. In addition, a barrier effect is expected in the nickel of the intermediate layer to prevent the diffusion of the copper component from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of chromium in the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide an anticorrosive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.
＜極薄銅層＞
中間層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１２μｍであり、より典型的には１〜５μｍ、更に典型的には１．５〜５μｍ、更に典型的には２〜５μｍである。
<Ultra-thin copper layer>
An ultra-thin copper layer is provided on the middle layer. The extremely thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath of copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used for general electrolytic copper foils, with high current density A copper sulfate bath is preferred because copper foil formation is possible. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5 to 12 μm, more typically 1 to 5 μm, more typically 1.5 to 5 μm, and more typically 2 to 5 μm.
＜粗化処理＞
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。
<Roughening treatment>
A roughening treatment layer may be provided on the surface of the ultrathin copper layer, for example, by performing a roughening treatment to improve adhesion with the insulating substrate. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughened layer is a layer made of an alloy containing any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, cobalt and zinc. It is also good. In addition, after roughening particles are formed of copper or copper alloy, roughening treatment may be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc, an alloy or the like. Thereafter, the heat-resistant layer or the rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc singly or as an alloy or the like, and the surface may be further subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. Alternatively, a heat-resistant layer or rustproof layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc singly or as an alloy without roughening, and the surface may be further treated by chromate treatment, silane coupling treatment, etc. Good. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an antirust layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer. At least one layer selected from the group consisting of a heat-resistant layer, an antirust layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface. The above-mentioned heat-resistant layer, rust-preventive layer, chromate-treated layer, and silane coupling-treated layer may each be formed of a plurality of layers (for example, two or more, three or more, etc.).
例えば、粗化処理としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が１５〜４０ｍｇ／ｄｍ2の銅−１００〜３０００μｇ／ｄｍ2のコバルト−１００〜１５００μｇ／ｄｍ2のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ2未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ2 を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ2未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ2を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００〜２５００μｇ／ｄｍ2であり、好ましいニッケル付着量は５００〜１２００μｇ／ｄｍ2である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。 For example, copper as a roughening treatment - cobalt - nickel alloy plating, by electrolytic plating, deposition amount in the nickel-cobalt -100~1500μg / dm 2 of copper -100~3000μg / dm 2 of 15~40mg / dm 2 It can be implemented to form such a ternary alloy layer. If the Co adhesion amount is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may be deteriorated and the etching property may be deteriorated. When the amount of Co deposition exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into consideration, and etching stains may occur, and acid resistance and chemical resistance may be deteriorated. Heat resistance may worsen that Ni adhesion amount is less than 100 microgram / dm < 2 >. On the other hand, when the Ni deposition amount exceeds 1500 μg / dm 2 , the etching residue may increase. The preferred amount of Co deposition is 1000 to 2500 μg / dm 2 , and the preferred amount of nickel deposition is 500 to 1200 μg / dm 2 . Here, the etching stain means that Co does not dissolve when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni does not dissolve when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means that.
このような３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するための一般的浴及びめっき条件の一例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度Ｄk：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
めっき時間：１〜５秒
An example of a general bath and plating conditions for forming such ternary copper-cobalt-nickel alloy plating is as follows:
Plating bath composition: Cu 10 to 20 g / L, Co 1 to 10 g / L, Ni 1 to 10 g / L
pH: 1 to 4
Temperature: 30 to 50 ° C
Current density D k : 20 to 30 A / dm 2
Plating time: 1 to 5 seconds
このようにして、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔が製造される。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がして銅張積層板とし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。 In this way, a copper foil with carrier comprising the carrier, the intermediate layer laminated on the carrier, and the ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer is manufactured. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art, for example, the surface of a very thin copper layer is a paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite Base material epoxy resin, glass cloth · glass non-woven fabric composite base material epoxy resin and glass cloth base material Epoxy resin, polyester film, polyimide film, etc. The ultrathin copper layer adhered to the substrate can be etched into the desired conductor pattern to finally produce a printed wiring board.
また、キャリアと、キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
In addition, a copper foil with a carrier comprising a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer comprises a roughened layer on the ultrathin copper layer It is also preferable that one or more layers selected from the group consisting of a heat resistant layer, an anticorrosive layer, a chromate treated layer and a silane coupling treated layer may be provided on the roughened layer.
In addition, a roughening treatment layer may be provided on the ultrathin copper layer, and a heat-resistant layer and an anticorrosion layer may be provided on the roughening treatment layer, and a chromate treatment on the heat-resistant layer and the anticorrosion layer A layer may be provided, and a silane coupling treatment layer may be provided on the chromate treatment layer.
Further, the copper foil with carrier is provided with a resin layer on the ultra-thin copper layer, on the roughening treatment layer, or on the heat-resistant layer, anticorrosive layer, chromate treatment layer, or silane coupling treatment layer. It is good. The resin layer may be an insulating resin layer.
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。 The resin layer may be an adhesive or may be an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. In the semi-cured state (B-stage state), there is no sticky feeling even when the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when heat treatment is further performed. Including.
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。 The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. In addition, the resin layer may contain a thermoplastic resin. Although the type is not particularly limited, for example, a resin containing an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, etc. can be mentioned as a suitable one. .
これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。 For example, these resins are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to form a resin solution, which is formed on the ultrathin copper layer, the heat resistant layer, the rustproof layer, the chromate film layer, or the silane cup The solution is applied onto the ring agent layer, for example, by a roll coater method, and then dried by heating if necessary to remove the solvent and put it in a B-stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C., preferably 130 to 200 ° C.
前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔（樹脂付きキャリア付銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリヤを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。 The resin-coated copper foil (the resin-coated carrier-coated copper foil) having the resin layer is laminated on the resin layer and then the whole is thermocompression-bonded to thermally cure the resin layer, and then the carrier is peeled off. It is used in such a manner that a very thin copper layer is exposed (it is naturally the surface on the intermediate layer side of the very thin copper layer) and a predetermined wiring pattern is formed there.
この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。 By using this copper foil with a carrier with resin, it is possible to reduce the number of used prepreg materials at the time of manufacturing a multilayer printed wiring board. In addition, it is possible to manufacture a copper-clad laminate even if the thickness of the resin layer is such that interlayer insulation can be secured or the prepreg material is not used at all. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the surface smoothness.
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。 In the case where a prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved, and the lamination process is simplified, which is economically advantageous. Furthermore, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
この樹脂層の厚みは０．１〜８０μｍであることが好ましい。 The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 80 μm.
樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。 When the thickness of the resin layer is smaller than 0.1 μm, the adhesive force is reduced, and the circuit of the inner layer material when the copper foil with a carrier with a resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material. It may be difficult to secure interlayer insulation between them.
一方、樹脂層の厚みを８０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。 On the other hand, when the thickness of the resin layer is greater than 80 μm, it becomes difficult to form the resin layer of the desired thickness in one application step, which is economically disadvantageous because extra material cost and man-hours are required. Furthermore, since the formed resin layer is poor in flexibility, cracks and the like are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。 Furthermore, as another product form of the carrier-coated copper foil with resin, it is possible to form the above-mentioned ultra-thin copper layer, or the above-mentioned heat-resistant layer, anticorrosive layer, or the above chromate treated layer, or the above silane coupling treated layer. After coating with a resin layer and bringing it into a semi-cured state, it is also possible to peel off the carrier and produce it in the form of a resin-coated copper foil without a carrier.
更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。 Furthermore, by mounting electronic components on the printed wiring board, the printed circuit board is completed. Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown.
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。 In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, with the carrier After laminating the copper foil and the insulating substrate so that the very thin copper layer side faces the insulating substrate, the carrier of the copper foil with carrier is removed to form a copper-clad laminate, and then the semi-additive method, modified semi Forming a circuit by any of an additive method, a partory additive method and a subtractive method. The insulating substrate may be one including an inner layer circuit.
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the semi-additive method refers to a method of performing thin electroless plating on an insulating substrate or a copper foil seed layer, forming a pattern, and then forming a conductor pattern using electroplating and etching.
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the very thin copper layer by etching;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on a region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier and the insulating resin substrate;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing an electroless plating layer on a region including the resin and the through holes and / or blind vias exposed by removing the ultrathin copper layer by etching or the like;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier and the insulating resin substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on a region including the resin and the through holes and / or blind vias exposed by removing the ultrathin copper layer by etching or the like;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier and removing the exposed very thin copper layer by etching using a corrosive solution such as acid or plasma, etc .;
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。 In the present invention, in the modified semi-additive method, a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, copper plating of the circuit forming portion is performed by electrolytic plating, and then the resist is removed. And a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit formation portion by (flash) etching.
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultrathin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is to be formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。 In the present invention, in the partly additive method, a catalyst core is provided on a substrate provided with a conductor layer, and a substrate provided with holes for through holes and via holes as necessary, and a conductor circuit is formed by etching. And a method of manufacturing a printed wiring board by providing a solder resist or a plating resist as necessary, and thickening the through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the partory additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Applying catalytic nuclei to the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma,
Removing the etching resist;
Providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided;
including.
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the subtractive method refers to a method in which an unnecessary portion of the copper foil on the copper clad laminate is selectively removed by etching or the like to form a conductor pattern.
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer, the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier according to the present invention and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing the through hole or / and the blind via in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier;
Performing a desmearing process on an area including the through holes and / or blind vias;
Providing an electroless plating layer on the area including the through holes and / or blind vias;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer where the mask is not formed;
Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the very thin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid;
Removing the etching resist;
including.
スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。 The step of providing through holes or / and blind vias and the subsequent desmear step may not be performed.
ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄銅層を有するキャリア付銅箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。
まず、図２−Ａに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔（１層目）を準備する。
次に、図２−Ｂに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図２−Ｃに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図３−Ｄに示すように、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔（２層目）を極薄銅層側から接着させる。
次に、図３−Ｅに示すように、２層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図３−Ｆに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図４−Ｇに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図４−Ｈに示すように、ビアフィル上に、上記図２−Ｂ及び図２−Ｃのようにして回路めっきを形成する。
次に、図４−Ｉに示すように、１層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図５−Ｊに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図５−Ｋに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
Here, a specific example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, although the copper foil with a carrier which has the ultrathin copper layer in which the roughening process layer was formed is demonstrated to an example here, it is not restricted to this, The carrier which has the ultrathin copper layer in which the roughening process layer is not formed Even when using the attached copper foil, the following method for producing a printed wiring board can be carried out similarly.
First, as shown to FIG. 2-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer by which the roughening process layer was formed in the surface is prepared.
Next, as shown to FIG. 2-B, a resist is apply | coated on the roughening process layer of an ultra-thin copper layer, exposure and image development are performed, and a resist is etched in a defined shape.
Next, as shown in FIG. 2C, plating for a circuit is formed, and then the resist is removed to form a circuit plating of a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 3-D, a buried resin is provided on the ultrathin copper layer to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and the resin layer is laminated, and then another carrier is attached. Bond the copper foil (second layer) from the very thin copper layer side.
Next, as shown in FIG. 3E, the carrier is peeled off from the second layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 3F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose circuit plating to form a blind via.
Next, as shown in FIG. 4G, copper is buried in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 4-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 2-B and 2-C.
Next, as shown in FIG. 4-I, the carrier is peeled off from the first layer of copper foil with carrier.
Next, as shown in FIG. 5J, the ultrathin copper layer on both surfaces is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 5-K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with carrier of the present invention is produced.
上記別のキャリア付銅箔（２層目）は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図４−Ｈに示される２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。 The other copper foil with carrier (second layer) may use the copper foil with carrier of the present invention, may use a conventional copper foil with carrier, and may further use a normal copper foil. In addition, one or more layers of circuits may be further formed on the circuit of the second layer shown in FIG. 4-H, and the circuit formation thereof may be performed by a semi-additive method, a subtractive method, a partory additive method or a modified semi It may be carried out by any of the additive methods.
上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図５−Ｊに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図５−Ｊ及び図５−Ｋに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。 According to the method for manufacturing a printed wiring board as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, for example, in the removal of the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. Then, the circuit plating is protected by the resin layer and its shape is maintained, thereby facilitating the formation of the fine circuit. In addition, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved and the conduction of the wiring of the circuit is well suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. Also, as shown in FIG. 5-J and FIG. 5-K, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating has a concaved shape from the resin layer, so bumps are formed on the circuit plating. Further, copper pillars can be easily formed thereon, and the manufacturing efficiency is improved.
なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。 In addition, well-known resin and a prepreg can be used for embedding resin (resin). For example, a prepreg which is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. In addition, the resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in the present specification can be used as the embedding resin (resin).
また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。 Further, the copper foil with carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil with carrier. By having the said board | substrate or a resin layer, since the copper foil with a carrier used for a first layer is supported and it becomes difficult to get wrinkled, there exists an advantage that productivity improves. As the substrate or the resin layer, any substrate or resin layer can be used as long as it has the effect of supporting the copper foil with carrier used in the first layer. For example, the carrier described in the present specification as the substrate or resin layer, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, a foil of an inorganic compound, a plate of an organic compound Foils of organic compounds can be used.
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail by the following examples of the present invention, but the present invention is not limited by these examples.
（実施例１〜９、１１、比較例１〜６）
電解槽の中に、チタン製の回転ドラムと、ドラムの周囲に極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において表１に記載のキャリア箔製造条件で電解を行い、回転ドラムの表面に銅を析出させ、回転ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に厚さ１８μｍの電解銅箔を製造し、これを銅箔キャリアとした。実施例１、２、６、８及び９および比較例６については、銅箔キャリアに表１に記載の条件で表面処理を行った。電解時間は０．５〜２分、電解液温度は４０〜６０℃とした。なお、実施例１、２、６、８及び９および比較例６については表面処理後の銅箔キャリアの厚みがそれぞれ１２μｍ、５μｍ、７０μｍ、１２μｍ、３５μｍ、３５μｍであった。また、比較例３については厚み１２μｍの銅箔キャリアとした。
ここで、実施例２及び８の表面処理について説明する。実施例２及び８では、形成した電解銅箔の析出面（マット面またはＭ面ともいう）側にカソードを配置し、銅箔をアノードとして、直流による電解処理を施すことにより、銅箔のマット面に逆電解研磨処理を行い、銅を実施例２では３〜８ｇ／ｍ2、実施例８では８〜１５ｇ／ｍ2溶解させた。なお、逆電解研磨処理の電流密度は実施例２では５〜１５Ａ／ｄｍ2、実施例８では１６〜２５Ａ／ｄｍ2とした。銅箔幅方向の６０度鏡面光沢度は１３〜４０、銅箔長さ方向の６０度鏡面光沢度は２０〜９４であった。なお、６０度鏡面光沢度はＪＩＳ Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ−１を使用して入射角６０度で測定した。
(Examples 1 to 9, 11 and Comparative Examples 1 to 6)
In the electrolytic cell, a rotating drum made of titanium and an electrode were placed at a distance between the electrodes around the drum. Next, in the electrolytic cell, electrolysis is performed under the carrier foil manufacturing conditions described in Table 1 to deposit copper on the surface of the rotating drum, strip off the copper deposited on the surface of the rotating drum, and continuously electrolyze 18 μm thick A copper foil was manufactured and used as a copper foil carrier. In Examples 1, 2, 6, 8 and 9 and Comparative Example 6, the copper foil carrier was subjected to surface treatment under the conditions described in Table 1. The electrolysis time was 0.5 to 2 minutes, and the temperature of the electrolyte was 40 to 60 ° C. In Examples 1, 2, 6, 8 and 9 and Comparative Example 6, the thickness of the copper foil carrier after the surface treatment was 12 μm, 5 μm, 70 μm, 12 μm, 35 μm and 35 μm, respectively. Moreover, about the comparative example 3, it was set as the copper foil carrier of thickness 12 micrometers.
Here, the surface treatment of Examples 2 and 8 will be described. In Examples 2 and 8, the cathode is disposed on the deposition surface (also referred to as mat surface or M surface) side of the formed electrolytic copper foil, and electrolytic treatment with direct current is performed using the copper foil as an anode to obtain a copper foil mat. The surface was subjected to reverse electrolytic polishing, and copper was dissolved in an amount of 3 to 8 g / m 2 in Example 2 and 8 to 15 g / m 2 in Example 8. The current density of the reverse electrolytic polishing Example 2 In 5~15A / dm 2, was 16~25A / dm 2 in Example 8. The 60 ° specular glossiness in the copper foil width direction was 13 to 40, and the 60 ° specular glossiness in the copper foil length direction was 20 to 94. The 60 ° specular gloss was measured at an incident angle of 60 ° using a gloss meter Handy Gloss Meter PG-1 manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd. in accordance with JIS Z8741.
続いて、以下の条件にて中間層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより４０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＮｉ層を形成した。
Subsequently, an intermediate layer was formed under the following conditions.
A Ni layer was formed at a coverage of 4000 μg / dm 2 by electroplating in a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions.
・Ｎｉ層
硫酸ニッケル：２５０〜３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ
酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ
クエン酸三ナトリウム：１５〜３０ｇ／Ｌ
光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム：３０〜１００ｐｐｍ
ｐＨ：４〜６
浴温：５０〜７０℃
電流密度：３〜１５Ａ／ｄｍ2
・ Ni layer Nickel sulfate: 250 to 300 g / L
Nickel chloride: 35 to 45 g / L
Nickel acetate: 10 to 20 g / L
Trisodium citrate: 15 to 30 g / L
Brightener: Saccharin, butynediol etc. Sodium dodecyl sulfate: 30 to 100 ppm
pH: 4 to 6
Bath temperature: 50 to 70 ° C
Current density: 3 to 15 A / dm 2
水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Ｎｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成：重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３〜４
液温：５０〜６０℃
電流密度：０．１〜２．６Ａ／ｄｍ2
クーロン量：０．５〜３０Ａｓ／ｄｍ2
After washing with water and pickling, a Cr layer of 11 μg / dm 2 was subsequently deposited on the Ni layer on a continuous roll-to-roll plating line by electrolytic chromate treatment under the following conditions: .
Electrolytic chromate treatment Solution composition: potassium dichromate 1 to 10 g / L, zinc 0 to 5 g / L
pH: 3 to 4
Liquid temperature: 50 to 60 ° C
Current density: 0.1 to 2.6 A / dm 2
Coulomb amount: 0.5 to 30 As / dm 2
中間層の形成後、中間層の上に厚み１〜１０μｍの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔とした。
・極薄銅層
銅濃度：３０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｈ2ＳＯ4濃度：２０〜１２０ｇ／Ｌ
電解液温度：２０〜８０℃
電流密度：１０〜１００Ａ／ｄｍ2
なお、実施例２、３には極薄銅層の上に更に、粗化処理層、耐熱処理層、クロメート層、シランカップリング処理層を設けた。
・粗化処理
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：４０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜３０Ａ／ｄｍ2
時間：１〜５秒
Ｃｕ付着量：１５〜４０ｍｇ／ｄｍ2
Ｃｏ付着量：１００〜３０００μｇ／ｄｍ2
Ｎｉ付着量：１００〜１０００μｇ／ｄｍ2
・耐熱処理
Ｚｎ：０〜２０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３．５
温度：４０℃
電流密度Ｄk ：０〜１．７Ａ／ｄｍ2
時間：１秒
Ｚｎ付着量：５〜２５０μｇ／ｄｍ2
Ｎｉ付着量：５〜３００μｇ／ｄｍ2
・クロメート処理
Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7
（Ｎａ2Ｃｒ2Ｏ7或いはＣｒＯ3）：２〜１０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ或いはＫＯＨ：１０〜５０ｇ／Ｌ
ＺｎＯ或いはＺｎＳＯ4７Ｈ2Ｏ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ2
時間：５〜３０秒
Ｃｒ付着量：１０〜１５０μｇ／ｄｍ2
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
（ビニルトリエトキシシラン濃度：０．１〜１．４ｗｔ％）
ｐＨ：４〜５
時間：５〜３０秒
After formation of the intermediate layer, an ultrathin copper layer with a thickness of 1 to 10 μm was formed on the intermediate layer by electroplating under the following conditions, to obtain a copper foil with carrier.
・ Ultrathin copper layer Copper concentration: 30 to 120 g / L
H 2 SO 4 concentration: 20 to 120 g / L
Electrolyte temperature: 20 to 80 ° C
Current density: 10 to 100 A / dm 2
In Examples 2 and 3, a roughened layer, a heat-resistant layer, a chromate layer, and a silane coupling layer were further provided on the extremely thin copper layer.
Roughing treatment Cu: 10 to 20 g / L
Co: 1 to 10 g / L
Ni: 1 to 10 g / L
pH: 1 to 4
Temperature: 40-50 ° C
Current density Dk: 20 to 30 A / dm 2
Time: 1 to 5 seconds Cu adhesion amount: 15 to 40 mg / dm 2
Co adhesion amount: 100 to 3000 μg / dm 2
Ni adhesion amount: 100 to 1000 μg / dm 2
・ Heat resistant treatment Zn: 0 to 20 g / L
Ni: 0 to 5 g / L
pH: 3.5
Temperature: 40 ° C
Current density Dk: 0 to 1.7 A / dm 2
Time: 1 second Zn adhesion amount: 5 to 250 μg / dm 2
Ni adhesion amount: 5 to 300 μg / dm 2
・ Chromate treatment K 2 Cr 2 O 7
(Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ): 2 to 10 g / L
NaOH or KOH: 10 to 50 g / L
ZnO or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05 to 10 g / L
pH: 7 to 13
Bath temperature: 20-80 ° C
Current density 0.05 to 5 A / dm 2
Time: 5 to 30 seconds Cr adhesion amount: 10 to 150 μg / dm 2
-Silane coupling treatment vinyltriethoxysilane aqueous solution (vinyltriethoxysilane concentration: 0.1 to 1.4 wt%)
pH: 4 to 5
Time: 5 to 30 seconds
（実施例１０）
圧延銅箔（タフピッチ銅、ＪＩＳ Ｈ３１００ Ｃ１１００）を準備し、当該圧延銅箔に対し、サンドブラストにより表面を粗化した圧延ロールを用いて仕上げの冷間圧延を行った。このとき、圧延ロール粗さＲａ＝０．３９〜０．４２μｍ、油膜当量３５０００とした。これにより銅箔キャリアを得た。
続いて、実施例１と同様にして電解銅箔の表面（マット面）に中間層及び極薄銅層を形成することでキャリア付銅箔を作製した。
(Example 10)
A rolled copper foil (tough pitch copper, JIS H3100 C1100) was prepared, and the cold rolling was performed on the rolled copper foil using a rolling roll whose surface was roughened by sand blasting. At this time, the rolling roll roughness Ra was 0.39 to 0.42 μm, and the oil film equivalent was 35,000. Thus, a copper foil carrier was obtained.
Then, it carried out similarly to Example 1, and produced the copper foil with a carrier by forming an intermediate | middle layer and an ultra-thin copper layer in the surface (mat | matte surface) of an electrolytic copper foil.
上記のようにして得られた実施例及び比較例のキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。 Each evaluation was implemented by the following method about the copper foil with a carrier of the Example and comparative example which were obtained as mentioned above.
＜極薄銅層の厚み＞
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層の厚みは、ＦＩＢ−ＳＩＭを用いて観察した（倍率：１００００〜３００００倍）。極薄銅層の断面を観察することで３０μｍ間隔で５箇所測定し、平均値を求めた。
<Thickness of ultra-thin copper layer>
The thickness of the ultrathin copper layer of the produced copper foil with a carrier was observed using FIB-SIM (magnification: 10000-30000 times). Five sections were measured at intervals of 30 μm by observing the cross section of the ultrathin copper layer, and the average value was determined.
＜極薄銅層の表面粗さ＞
キャリア付極薄銅層と基材（三菱ガス化学(株)製：ＧＨＰＬ−８３２ＮＸ−Ａ）に対して、２２０℃で２時間加熱の積層プレスを行った後、銅箔キャリアをＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して引き剥がし、極薄銅層を露出させた。次に、以下の手順により、極薄銅層の露出面の各種粗さを測定した。
（１）極薄銅層の中間層側の表面粗さ
極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ（触針）を、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃ触針式粗度計を用いて測定した。Ｒｚ（触針）を任意に１０箇所測定し、そのＲｚ（触針）の平均値をＲｚ（触針）の値とした。また、Ｒｚ（触針）について１０箇所の値の標準偏差を算出した。
さらに、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００（ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）にて、極薄銅層の中間層側の表面のＳｋｕ（レーザー）をＩＳＯ２５１７８ドラフトに準拠して測定した。
（２）極薄銅層を形成する側の、キャリアの表面粗さ
極薄銅層を形成する側の、キャリアの表面粗さＲｚ（触針）を、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃ触針式粗度計を用いて測定した。Ｒｚ（触針）を任意に１０箇所測定し、そのＲｚ（触針）の平均値をＲｚ（触針）の値とした。また、Ｒｚ（触針）について１０箇所の値の標準偏差を算出した。
さらに、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００（ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）にて、銅箔表面のＳｋｕをＩＳＯ２５１７８ドラフトに準拠して測定した。
Ｓｋｕの測定については、極薄銅層及びキャリア表面の観察において評価長さ（基準長さ）２５７．９μｍ、評価面積（基準面積）６６５２４μｍ2、カットオフ値ゼロの条件で、キャリアが圧延銅箔である場合は圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、または、キャリアが電解銅箔である場合は電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面のＳｋｕの測定環境温度は２３〜２５℃とした。なお、実施例１、２、６、８及び９および比較例６については表面処理後の銅箔キャリアのＲｚ及びＳｋｕを測定した。
<Surface roughness of ultra-thin copper layer>
The laminated copper foil carrier is subjected to a lamination press heated at 220 ° C. for 2 hours on a carrier-attached ultrathin copper layer and a base material (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. GHPL-832NX-A), and the copper foil carrier is made to JIS C 6471. It peeled off in accordance with, and exposed the ultra-thin copper layer. Next, various roughnesses of the exposed surface of the ultrathin copper layer were measured by the following procedure.
(1) The surface roughness of the middle layer side of the ultrathin copper layer The surface roughness Rz (contact stylus) of the middle layer side of the ultrathin copper layer is a contact according to JIS B0601-1982, made by Kosaka Research Institute Ltd. It measured using a roughness meter Surfcorder SE-3C stylus type roughness meter. Rz (pointing needle) was arbitrarily measured at 10 points, and the average value of Rz (pointing needle) was taken as the value of Rz (pointing needle). Moreover, the standard deviation of the value of ten places was calculated about Rz (contactor).
Furthermore, Sku (laser) on the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer was measured according to ISO 25178 draft using a laser microscope OLS4000 (LEXT OLS 4000) manufactured by Olympus Corporation.
(2) Carrier surface roughness on the side forming the ultrathin copper layer Carrier surface roughness Rz (contact probe) on the side forming the ultrathin copper layer is a stock according to JIS B0601-1982. It was measured using a contact roughness meter Surfcorder SE-3C stylus-type roughness meter manufactured by Kosaka Research Institute, Inc. Rz (pointing needle) was arbitrarily measured at 10 points, and the average value of Rz (pointing needle) was taken as the value of Rz (pointing needle). Moreover, the standard deviation of the value of ten places was calculated about Rz (contactor).
Furthermore, Sku of the copper foil surface was measured in accordance with ISO 25178 draft using a Olympus laser microscope OLS4000 (LEXT OLS 4000).
Regarding the measurement of Sku, the carrier is a rolled copper foil under the conditions of evaluation length (reference length) 257.9 μm, evaluation area (reference area) 66524 μm 2 and cutoff value of zero in observation of the ultrathin copper layer and the carrier surface. If the measurement is in the direction (TD) perpendicular to the rolling direction, or if the carrier is an electrodeposited copper foil, the measurement (TD) in the direction perpendicular to the advancing direction of the electrodeposited copper foil in the electrodeposited copper foil manufacturing apparatus In each, I asked for the value. In addition, the measurement environmental temperature of Sku of the surface by a laser microscope was 23-25 degreeC. In Examples 1, 2, 6, 8 and 9 and Comparative Example 6, the Rz and Sku of the copper foil carrier after the surface treatment were measured.
＜レーザー穴空け性＞
次に、極薄銅層の未処理表面に、レーザーを下記条件にて１ショット照射し、照射後の穴形状を顕微鏡にて観察し、計測を実施した。表では、穴空けの「実数」として、１２個の地点に穴空けを試みて実際に何個（Ｘ）の穴が空けられたかを示し（Ｘ／１２）、さらにそのときの穴の空いた「割合」（％）を示している。また、表には、このとき生じた穴の平均径、生じた穴の径の標準偏差及び平均径／ビーム径についても示す。なお、穴の径は、穴を取り囲む最小円の直径とした。
・ガス種：ＣＯ2
・銅箔開口径（狙い）：８０μｍ径
・ビーム形状：トップハット
・出力：２．４０Ｗ/１０μｓ
・パルス幅：３３μｓ
・ショット数：１ショット
・穴空け数：１２穴/エリア
<Laser drilling ability>
Next, the non-treated surface of the ultrathin copper layer was irradiated with a laser for one shot under the following conditions, and the shape of the hole after irradiation was observed with a microscope to perform measurement. In the table, it is shown how many holes (X) were actually drilled by trying to drill holes at 12 points as “real number” of drilling (X / 12), and the holes at that time were also drilled. "Percentage" (%) is shown. The table also shows the average diameter of the holes generated at this time, the standard deviation of the diameter of the holes generated, and the average diameter / beam diameter. The diameter of the hole was the diameter of the smallest circle surrounding the hole.
Gas type: CO 2
· Copper foil opening diameter (target): 80 μm diameter · Beam shape: Top hat · Output: 2.40 W / 10 μs
・ Pulse width: 33 μs
・ Number of shots: 1 shot ・ Number of holes: 12 holes / area
＜エッチング性＞
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて２２０℃で２時間加熱圧着し、その後、極薄銅層をキャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により５０本のＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
（スプレーエッチング条件）
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（ボーメ度：４０度）
液温：６０℃
スプレー圧：２．０ＭＰａ
エッチングを続け、回路トップ幅が４μｍになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅（底辺Ｘの長さ）及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図１に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＸは回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。なお、a＝（Ｘ（μｍ）−４（μｍ））／２で計算した。エッチングファクターは回路中の１２点を測定し、平均値をとったものを示す。これにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。また、１２点のエッチングファクターの標準偏差も算出することで、エッチングにより形成した回路の直線性の良し悪しを判定することができる。
本発明では、エッチングファクターが４以上をエッチング性：○、２．５以上４未満をエッチング性：△、２．５未満或いは算出不可または回路形成不可をエッチング性：×、剥離不可をエッチング性：−と評価した。また、エッチングファクターの標準偏差は小さいほど回路の直線性が良好であると云える。エッチングファクターの標準偏差が０．８未満を直線性：○、０．８〜１．２未満を直線性：△、１．２以上を直線性：×と判断した。
試験条件及び試験結果を表１及び表２に示す。
<Etchability>
The carrier-attached copper foil was attached to a polyimide substrate and heat-pressed at 220 ° C. for 2 hours, after which the ultrathin copper layer was peeled off from the carrier. Subsequently, after applying a photosensitive resist on the surface of the ultrathin copper layer on the polyimide substrate, 50 L / S = 5 .mu.m / 5 .mu.m wide circuits are printed by an exposure process to remove unnecessary portions of the copper layer. The etching process was performed under the following spray etching conditions.
(Spray etching conditions)
Etchant: ferric chloride aqueous solution (Bame degree: 40 degrees)
Liquid temperature: 60 ° C
Spray pressure: 2.0MPa
Etching was continued, and the time until the circuit top width became 4 μm was measured, and the circuit bottom width (length of base X) and the etching factor at that time were evaluated. The etching factor is the distance from the intersection of the vertical line from the top of the copper foil to the resin substrate, assuming that the circuit is etched vertically when the film is etched in a diverging direction (when sag occurs), In the case where a is a, the ratio of a to the thickness b of the copper foil: b / a is shown, and the larger the value, the larger the inclination angle, no etching residue remains, and the sag is small. It means to become. FIG. 1 shows a schematic view of a cross section in the width direction of a circuit pattern and an outline of a method of calculating an etching factor using the schematic view. This X was measured by SEM observation from above the circuit, and the etching factor (EF = b / a) was calculated. In addition, it calculated by a = (X (micrometer)-4 (micrometer)) / 2. The etching factor measures 12 points in the circuit and shows the average value. Thereby, the quality of the etching property can be easily determined. In addition, by calculating the standard deviation of the etching factor of 12 points, it is possible to determine whether the linearity of the circuit formed by the etching is good or bad.
In the present invention, the etching factor is 4 or more: etchability: ○, 2.5 or more and 4: etchability: Δ, less than 2.5 or not calculated or circuit formation impossible: etchability: ×, peelability not etchable: It was evaluated as-. Also, it can be said that the smaller the standard deviation of the etching factor, the better the linearity of the circuit. It was judged that the standard deviation of the etching factor is less than 0.8: linearity: 、, less than 0.8 to 1.2: linearity: Δ, and 1.2 or more: linearity: x.
The test conditions and the test results are shown in Tables 1 and 2.
（評価結果）
実施例１〜１１は、いずれも極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ（触針）が０．８μｍ以上２．０μｍ未満であり、且つ、表面粗さＲｚ（触針）の標準偏差が０．６２μｍ以下であったため、レーザー穴空け性及びエッチング性が良好であった。
比較例１、５は、極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ（触針）がいずれも０．８μｍ未満であったため、レーザー穴空け性が不良であった。
比較例２〜４は、極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ（触針）がいずれも２．０μｍ以上であったため、エッチング性が不良であった。
比較例６は、極薄銅層の中間層側の表面粗さＲｚ（触針）の標準偏差が０．６２μｍを超えたため、レーザー穴空け性が不良であった。
(Evaluation results)
In each of Examples 1 to 11, the surface roughness Rz (contact probe) on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is 0.8 μm or more and less than 2.0 μm, and the standard of the surface roughness Rz (contact probe) Since the deviation was 0.62 μm or less, the laser drilling property and the etching property were good.
In each of Comparative Examples 1 and 5, the surface roughness Rz (the stylus) of the very thin copper layer on the side of the intermediate layer was less than 0.8 μm, so that the laser drilling property was poor.
In each of Comparative Examples 2 to 4, since the surface roughness Rz (the stylus) of the very thin copper layer on the side of the intermediate layer was 2.0 μm or more, the etching property was poor.
In Comparative Example 6, since the standard deviation of the surface roughness Rz (the stylus) on the middle layer side of the ultrathin copper layer exceeded 0.62 μm, the laser drilling property was poor.
Claims (22)
前記キャリア付銅箔を２２０℃で２時間加熱した後、ＪＩＳ Ｃ ６４７１に準拠して前記極薄銅層を剥がしたとき、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して触針式粗度計を用いて測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さＲｚが０．８μｍ以上２．０μｍ未満であり、表面粗さＲｚの標準偏差が０．６２μｍ以下であり、レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面高さ分布のとがり度Ｓｋｕが０．５０以上３．７０以下であるキャリア付銅箔。 A copper foil with a carrier comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
When the copper foil with a carrier is heated at 220 ° C. for 2 hours and then the ultrathin copper layer is peeled off in accordance with JIS C 6471, it is measured using a stylus type roughness meter in accordance with JIS B 0601-1982. surface roughness Rz of the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer is of less than 2.0μm or 0.8 [mu] m, standard deviation of the table surface roughness Rz of Ri der less 0.62 .mu.m, determined by laser microscope the electrode wherein the intermediate layer side of the surface height distribution kurtosis degree Sku 0.50 or 3.70 der Ru copper foil with a carrier following a thin copper layer to be.
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 Preparing the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 17 and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier.
And then forming a circuit by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi-additive method.
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 Forming a circuit on the ultra-thin copper layer-side surface of the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 17
Forming a resin layer on the very thin copper layer side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Separating the carrier after forming a circuit on the resin layer;
A process for producing a printed wiring board including the step of exposing a circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer after peeling off the carrier. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070403A JP6425399B2 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-28 | Carrier-coated copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013070443 | 2013-03-28 | ||
| JP2013070443 | 2013-03-28 | ||
| JP2014070403A JP6425399B2 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-28 | Carrier-coated copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014208480A JP2014208480A (en) | 2014-11-06 |
| JP6425399B2 true JP6425399B2 (en) | 2018-11-21 |
Family
ID=51903053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014070403A Active JP6425399B2 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-28 | Carrier-coated copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6425399B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6403969B2 (en) * | 2013-03-29 | 2018-10-10 | Ｊｘ金属株式会社 | Copper foil with carrier, printed wiring board, copper-clad laminate, electronic device, and method for manufacturing printed wiring board |
| JP6529684B2 (en) | 2017-03-30 | 2019-06-12 | 古河電気工業株式会社 | Surface-treated copper foil and copper-clad laminate using the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3370624B2 (en) * | 1999-08-24 | 2003-01-27 | 三井金属鉱業株式会社 | Electrolytic copper foil with carrier foil and copper-clad laminate using the electrolytic copper foil |
| JP3690962B2 (en) * | 2000-04-26 | 2005-08-31 | 三井金属鉱業株式会社 | Electrolytic copper foil with carrier foil, method for producing electrolytic copper foil with carrier foil, and copper-clad laminate |
| US7026059B2 (en) * | 2000-09-22 | 2006-04-11 | Circuit Foil Japan Co., Ltd. | Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad |
| JP3977790B2 (en) * | 2003-09-01 | 2007-09-19 | 古河サーキットフォイル株式会社 | Manufacturing method of ultra-thin copper foil with carrier, ultra-thin copper foil manufactured by the manufacturing method, printed wiring board using the ultra-thin copper foil, multilayer printed wiring board, chip-on-film wiring board |
| JP4698957B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-06-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Electrolytic copper foil and electrolytic polishing method for electrolytic copper foil glossy surface |
| JP4570070B2 (en) * | 2004-03-16 | 2010-10-27 | 三井金属鉱業株式会社 | Electrolytic copper foil with carrier foil provided with resin layer for forming insulating layer, copper-clad laminate, printed wiring board, method for producing multilayer copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board |
| JP4071801B2 (en) * | 2006-07-14 | 2008-04-02 | 日鉱金属株式会社 | Calorie measurement method of metal foil, adjustment method of surface characteristics, laser drilling method or calorimeter |
| JP5256747B2 (en) * | 2008-01-21 | 2013-08-07 | 宇部興産株式会社 | Manufacturing method of copper wiring insulating film by semi-additive method, and copper wiring insulating film manufactured therefrom |
| JP2010104998A (en) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Cable Ltd | Rolled copper foil, and method for manufacturing the same |
| JP5580135B2 (en) * | 2010-08-03 | 2014-08-27 | 三井金属鉱業株式会社 | Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board |
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014070403A patent/JP6425399B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014208480A (en) | 2014-11-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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