JP6424889B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態1に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図2は、本発明の実施形態1に係る磁気センサの等価回路図である。
図8は、本発明の実施形態2に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。図9は、本発明の実施形態2に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンに含まれる単位パターンを示す平面図である。なお、図8においては、2つの第2磁気抵抗素子の各々が有する同一形状の2つのパターン230のうちの一方のみを図示している。
図10は、本発明の実施形態3に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。図11は、本発明の実施形態3に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンに含まれる単位パターンを示す平面図である。
図12は、本発明の実施形態4に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図13は、本発明の実施形態4に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。
図14は、本発明の実施形態5に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。
Claims (11)
- 互いに電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、複数の第1磁気抵抗素子および複数の第2磁気抵抗素子を含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率は、前記複数の第2磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率より大きく、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、一方の渦巻き状パターン、他方の渦巻き状パターン、および、該一方の渦巻き状パターンと該他方の渦巻き状パターンとを該2重渦巻き状パターンの中央部にて連結する、S字状パターンまたは逆S字状パターンを含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが異なっており、
前記2重渦巻き状パターンは、前記2重渦巻き状パターンの中心点に関して略点対称の形状を有しており、
前記複数の第1磁気抵抗素子として2つの第1磁気抵抗素子を含み、
前記2つの第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに90°異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが90°異なっている、磁気センサ。 - 互いに電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、複数の第1磁気抵抗素子および複数の第2磁気抵抗素子を含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率は、前記複数の第2磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率より大きく、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、一方の渦巻き状パターン、他方の渦巻き状パターン、および、該一方の渦巻き状パターンと該他方の渦巻き状パターンとを該2重渦巻き状パターンの中央部にて連結する、S字状パターンまたは逆S字状パターンを含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが異なっており、
前記複数の第1磁気抵抗素子として2つの第1磁気抵抗素子を含み、
前記2つの第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに90°異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが90°異なっている、磁気センサ。 - 互いに電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、複数の第1磁気抵抗素子および複数の第2磁気抵抗素子を含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率は、前記複数の第2磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率より大きく、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、一方の渦巻き状パターン、他方の渦巻き状パターン、および、該一方の渦巻き状パターンと該他方の渦巻き状パターンとを該2重渦巻き状パターンの中央部にて連結する、S字状パターンまたは逆S字状パターンを含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが異なっており、
前記2重渦巻き状パターンは、前記2重渦巻き状パターンの中心点に関して略点対称の形状を有しており、
前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は、複数の曲部を有して折り返した少なくとも1つの単位パターンを含み、
前記単位パターンは、10μm以上の長さの直線状延在部を含まず、
前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は複数の前記単位パターンを含み、
前記複数の単位パターンは、仮想円上に配置されて互いに接続されている、磁気センサ。 - 互いに電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、複数の第1磁気抵抗素子および複数の第2磁気抵抗素子を含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率は、前記複数の第2磁気抵抗素子の各々の抵抗変化率より大きく、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、一方の渦巻き状パターン、他方の渦巻き状パターン、および、該一方の渦巻き状パターンと該他方の渦巻き状パターンとを該2重渦巻き状パターンの中央部にて連結する、S字状パターンまたは逆S字状パターンを含み、
前記複数の第1磁気抵抗素子の各々は、前記S字状パターンまたは前記逆S字状パターンの向きが互いに異なるように、前記2重渦巻き状パターンの周方向の向きが異なっており、
前記2重渦巻き状パターンは、前記2重渦巻き状パターンの中心点に関して略点対称の形状を有しており、
前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は、複数の曲部を有して折り返した少なくとも1つの単位パターンを含み、
前記単位パターンは、10μm以上の長さの直線状延在部を含まず、
前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は複数の前記単位パターンを含み、
前記複数の単位パターンは、仮想直線上に配置されて互いに接続されている、磁気センサ。 - 前記2重渦巻き状パターンは、前記一方の渦巻き状パターンおよび前記他方の渦巻き状パターンの各々の外周部に、該2重渦巻き状パターンの長さ調整用冗長部を有し、
前記長さ調整用冗長部は、前記一方の渦巻き状パターンおよび前記他方の渦巻き状パターンの各々が湾曲しつつ折り返されて構成され、
前記一方の渦巻き状パターンに設けられた前記長さ調整用冗長部と、前記他方の渦巻き状パターンに設けられた前記長さ調整用冗長部とは、前記2重渦巻き状パターンの径方向において互いに反対側に位置している、請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は、複数の曲部を有して折り返した少なくとも1つの単位パターンを含み、
前記単位パターンは、10μm以上の長さの直線状延在部を含まない、請求項1または2に記載の磁気センサ。 - 前記単位パターンは、前記複数の曲部の各々において屈曲している、請求項3、4および6のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記単位パターンは、前記複数の曲部の各々において湾曲している、請求項3、4および6のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は複数の前記単位パターンを含み、
前記複数の単位パターンは、仮想円上に配置されて互いに接続されている、請求項3、4、6から8のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は複数の前記単位パターンを含み、
前記複数の単位パターンは、仮想多角形上に配置されて互いに接続されている、請求項3、4、6から8のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記複数の第2磁気抵抗素子の各々は複数の前記単位パターンを含み、
前記複数の単位パターンは、仮想直線上に配置されて互いに接続されている、請求項3、4、6から8のいずれか1項に記載の磁気センサ。
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