JP6418531B2 - レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6418531B2 JP6418531B2 JP2015044087A JP2015044087A JP6418531B2 JP 6418531 B2 JP6418531 B2 JP 6418531B2 JP 2015044087 A JP2015044087 A JP 2015044087A JP 2015044087 A JP2015044087 A JP 2015044087A JP 6418531 B2 JP6418531 B2 JP 6418531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- developer
- carrier
- rotation axis
- spray nozzles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
なお、本発明のレジスト現像装置等を説明する図面においては、回転軸Aに沿う方向をz軸、z軸に垂直な一方の方向(実施形態1において内側スプレーノズル32が現像液を噴射する方向と平行な方向)をx軸、z軸に垂直な他方の方向(実施形態1において内側スプレーノズル32が現像液を噴射する方向と垂直な方向)をy軸として座標を図示する。
また、本明細書の説明で「噴射方向」というときには、スプレーノズルの正面視中心から噴射された現像液の噴射方向(スプレーノズルの正面視中心から現像液が噴射されない場合には、スプレーノズルから噴射される現像液の噴射方向を平均した方向)のことをいう。
まず、実施形態1に係るレジスト現像装置1の構成を説明する。
実施形態1に係るレジスト現像装置1は、複数の半導体ウェーハWを所定間隔で平行に収納可能なキャリア100を公転運動させながら当該キャリア100に向かって現像液を噴射して、半導体ウェーハWに形成されているレジストを現像するレジスト現像装置である。
ターンテーブル12は、回転軸Aに垂直な円盤形状をしており、回転軸Aを中心に回転可能である。
支持部14は、ターンテーブル12に接続され、後述するクレイドル20を支持する構造を有する。
なお、回転体10は、チャンバー50内の上側に配設された回転レールをさらに有してもよい。このような構成とすることにより、クレイドル20を上側からも支持することが可能となる。
キャリア100をクレイドル20に嵌め込むことによって、クレイドル20はキャリア100を保持する。このとき、半導体ウェーハWを出し入れするための開口部130は、回転軸A側を向いている。
クレイドル20は、図1(a)に示すように、半導体ウェーハWが水平となるようにキャリア100を保持するように構成されている。
複数の内側スプレーノズル32は、図1に示すように、キャリア100の公転運動における軌道の内側に配設され、軌道の内側から軌道の外側に向かって現像液を噴射する。内側スプレーノズル32における現像液の噴射方向は、回転軸Aに対して垂直な方向(水平方向)である。
方向をわかりやすくするため、レジスト現像装置1における任意の構成要素を回転軸Aと垂直な側からみた場合に、クレイドル20の公転運動の上手側を一方の側とし、クレイドル20の公転運動の下手側を他方の側とする。
複数の内側スプレーノズル32を構成する全ての内側スプレーノズル32は、現像液の噴射範囲のうち一方の側の噴射範囲を、一方の側ほど重力方向下側に、かつ、他方の側ほど重力方向上側に、回転軸Aに対して斜めに規定する噴射孔33を有する(噴射範囲については、図4の符号32a参照。)。
噴射孔33は、図3(b),(c)に示すように、スリット状の形状を有する。
なお、上記観点からは、直線L1と回転軸Aとがなす角度θは40°〜80°の範囲内にあることが一層好ましい。実施形態1における角度θは40°〜80°の範囲内にあり、例えば、60°である。
内側スプレーノズル32から噴射される現像液としては、レジストに対応するものを用いることができ、例えば、キシレンやイソパラフィン系炭化水素を用いることができる。
実施形態1に係る半導体装置の製造方法は、図5に示すように、「半導体ウェーハ準備工程S10」、「レジスト塗布工程S20」、「パターン転写工程S30」、「レジストパターン形成工程S40」及び「素子形成工程S50」をこの順序で含む。
まず、半導体ウェーハWを準備する。実施形態1においては、半導体ウェーハWの表面及び裏面に酸化膜(図示せず。)が形成されている。
次に、半導体ウェーハWの両面にレジストを塗布する。具体的には、スピンコーターやスリットコーター等を用いて、半導体ウェーハWを回転させながらレジスト液を滴下して半導体ウェーハWの表面及び裏面に均一な厚さのレジストを塗布する。実施形態1においては、感光しない部分が現像されるタイプ(ネガタイプ)のレジストを用いる。
次に、半導体ウェーハW上のレジストに所定のパターンを転写する。具体的には、露光装置、例えば、ステッパ、ミラープロジェクション、密着式・近接式露光装置、表裏同時露光装置等にフォトマスクを装着し、フォトマスクと半導体ウェーハWを目合わせする。次に、フォトマスクを通して紫外光(可視光又はレーザーでもよく、レジストの種類によって適切なものを用いることができる。)をレジストに露光し、所定のパターンを転写する。なお、表面と裏面に形成されるパターンは同じでもよいし、異なっていてもよい。
次に、所定のパターンが転写されたレジストを現像することによって、レジストパターンを形成する。レジストパターン形成工程S40は、「キャリア保持工程S41」と「レジスト現像工程S42」と「リンス工程S45」とをこの順序で含む。このうち、「キャリア保持工程S41」及び「レジスト現像工程S42」は、実施形態1に係るレジスト現像方法である。
まず、複数の半導体ウェーハWを所定間隔で平行に収納可能なキャリア100にレジストに所定のパターンが転写された半導体ウェーハWを収納して、レジスト現像装置1の回転体10に支持されたクレイドル20に当該キャリア100を保持させる。具体的には、キャリア100の内側に形成された溝140に各半導体ウェーハWの周縁部を差し込むことで各半導体ウェーハWを所定間隔で平行に収納する。
次に、キャリア100を回転体10の回転軸Aを中心に公転運動させながら、キャリア100の公転運動における軌道の内側に配設された複数の内側スプレーノズル32から当該軌道の外側に向かって現像液を噴射することによって半導体ウェーハWに形成されたレジストを現像するレジスト現像工程S42を実施する。このようにすることによって、レジストのうち感光していない部分が現像され、レジストのうち感光した部分がレジストパターンとして残る。
レジスト現像工程S42においては、複数の内側スプレーノズル32のうち少なくとも1つの内側スプレーノズル32(実施形態1においては全ての内側スプレーノズル32)から、現像液の噴射範囲のうち一方の側の噴射範囲を、一方の側ほど重力方向下側に、かつ、他方の側ほど重力方向上側に、回転軸Aに対して斜めに規定して現像液を噴射する。
次に、内側スプレーノズル32からリンス液(主に、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル等)を噴射して、半導体ウェーハWの表面及び裏面に対する現像を停止する。このようにすることにより、半導体ウェーハWの表面及び裏面の過現像を防止することが可能となる。
次に、レジストパターン形成工程S40で形成されたレジストパターンに従って、エッチングやイオン注入を半導体ウェーハWに実施して素子形成を行う。その後、レジストパターンをプラズマアッシングや有機系薬品、強酸等(例えば、硫酸及び過酸化水素水、発煙硝酸)で除去する。
実施形態2に係るレジスト現像装置2は、基本的には実施形態1に係るレジスト現像装置1と同様の構成を有するが、複数の外側スプレーノズルを備える点で実施形態1に係るレジスト現像装置1の場合と異なる。すなわち、実施形態2に係るレジスト現像装置2は、図6に示すように、キャリア100の公転運動における軌道の外側に配設され、軌道の外側から軌道の内側に向かって現像液を噴射する複数の外側スプレーノズル42を備える。なお、複数の外側スプレーノズル42は、外側ノズル複合体40の構成要素である。
複数の外側スプレーノズル42は、回転軸A及び複数の内側スプレーノズル32の噴射方向により規定される第1仮想面P1に沿う方向に現像液を噴射する(図6(b)参照。)。
なお、外側スプレーノズル42が噴射孔43を有することの効果は、内側スプレーノズル32が噴射孔33を有することの効果と同様である。
噴射孔43は、スリット状の形状を有する。
実施形態3に係るレジスト現像装置3は、基本的には実施形態2に係るレジスト現像装置2と同様の構成を有するが、複数の外側ノズルの構成が異なる。すなわち、実施形態3に係るレジスト現像装置3においては、図8に示すように、複数の外側スプレーノズル62を有する外側ノズル複合体60は、複数の内側スプレーノズル32の下手側であって、回転軸Aに平行かつ複数の内側スプレーノズル32の噴射方向を含む第1仮想面P1と第1仮想面P1に垂直かつ回転軸Aを含む第2仮想面P2との間に配置される。
複数の外側スプレーノズル62のうち少なくとも1つの外側スプレーノズル62(実施形態3においては全ての外側スプレーノズル62)は、複数の外側スプレーノズル62と回転軸Aとを結ぶ第3仮想面P3よりも一方の側(公転運動の上手側)に向けて現像液を噴射する。
なお、これは複数の外側スプレーノズルにおいても同様である。
なお、これは外側スプレーノズルにおいても同様である。
なお、上下揺動の周期や位相はそれぞれ適宜に決定することができるが、上下揺動の周期はキャリアの公転周期と共鳴しないような周期であることが好ましい。
このような構成とすることにより、半導体ウェーハをキャリアのどこに収納するかに関らず半導体ウェーハを均一に現像することが可能となる。
なお、上下揺動の周期や位相はそれぞれ適宜に決定することができるが、上下揺動の周期はキャリアの公転周期と共鳴しないような周期であることが好ましい。
このような構成とすることにより、半導体ウェーハをキャリアのどこに収納するかに関らず半導体ウェーハを均一に現像することが可能となる。
重心を中心にキャリアを自転運動させる機能(図示せず。)を有していてもよい。
このような構成とすることで、半導体ウェーハの周辺部にかかる現像液の量を均一にすることが可能となる。
Claims (8)
- 複数の半導体ウェーハを所定間隔で平行に収納可能なキャリアを公転運動させながら当該キャリアに向かって現像液を噴射して、前記半導体ウェーハに形成されているレジストを現像するレジスト現像装置であって、
回転軸を中心に自転運動可能な回転体と、
前記回転体に支持され、前記キャリアを保持した状態で前記回転軸を中心とする所定の回転方向に沿って公転運動可能なクレイドルと、
前記キャリアの前記公転運動における軌道の内側に配設され、前記軌道の内側から前記軌道の外側に向かって前記現像液を噴射する複数の内側スプレーノズルとを備え、
前記レジスト現像装置における任意の構成要素を前記回転軸と垂直な側からみた場合に、前記公転運動の上手側を一方の側とし、前記公転運動の下手側を他方の側とするとき、
前記複数の内側スプレーノズルのうち少なくとも1つの内側スプレーノズルは、前記現像液の噴射範囲のうち前記一方の側の噴射範囲を、前記一方の側ほど重力方向下側に、かつ、前記他方の側ほど重力方向上側に、前記回転軸に対して斜めに規定する噴射孔を有することを特徴とするレジスト現像装置。 - 請求項1に記載のレジスト現像装置において、
前記噴射孔を有する前記内側スプレーノズルの前記現像液の噴射方向から見たとき、前記噴射孔の前記一方の側において前記噴射範囲を規定する部分の最上部と最下部とを結ぶ直線と、前記回転軸とのなす角度が30°〜85°の範囲内にあることを特徴とするレジスト現像装置。 - 請求項1又は2に記載のレジスト現像装置において、
前記噴射孔は、スリット状の形状を有することを特徴とするレジスト現像装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載のレジスト現像装置において、
前記複数の内側スプレーノズルを構成する全ての内側スプレーノズルが前記噴射孔を有することを特徴とするレジスト現像装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のレジスト現像装置において、
前記レジスト現像装置は、前記キャリアの前記公転運動における前記軌道の外側に配設され、前記軌道の外側から前記軌道の内側に向かって前記現像液を噴射する複数の外側スプレーノズルをさらに備えることを特徴とするレジスト現像装置。 - 請求項5に記載のレジスト現像装置において、
前記複数の外側スプレーノズルは、前記複数の内側スプレーノズルの下手側であって、前記回転軸に平行かつ前記複数の内側スプレーノズルの噴射方向を含む第1仮想面と前記第1仮想面に垂直かつ前記回転軸を含む第2仮想面との間に配置され、
前記複数の外側スプレーノズルのうち少なくとも1つのスプレーノズルは、前記複数の外側スプレーノズルと前記回転軸とを結ぶ第3仮想面よりも前記一方の側に向けて前記現像液を噴射することを特徴とするレジスト現像装置。 - 複数の半導体ウェーハを所定間隔で平行に収納可能なキャリアに前記半導体ウェーハを収納して、レジスト現像装置の回転体に支持されたクレイドルに当該キャリアを保持させるキャリア保持工程と、
前記キャリアを前記回転体の回転軸を中心に公転運動させながら、前記キャリアの公転運動における軌道の内側に配設された複数の内側スプレーノズルから当該軌道の外側に向かって現像液を噴射することによって前記半導体ウェーハに形成されたレジストを現像するレジスト現像工程とをこの順序で含み、
前記複数の内側スプレーノズルを前記回転軸と垂直な側からみた場合に、前記公転運動の上手側を一方の側とし、前記公転運動の下手側を他方の側とするとき、
前記レジスト現像工程においては、前記複数の内側スプレーノズルのうち少なくとも1つの内側スプレーノズルから、前記現像液の噴射範囲のうち前記一方の側の噴射範囲を、前記一方の側ほど重力方向下側に、かつ、前記他方の側ほど重力方向上側に、前記回転軸に対して斜めに規定して前記現像液を噴射することを特徴とするレジスト現像方法。 - 複数の半導体ウェーハにレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストを露光して前記レジストに所定のパターンを転写するパターン転写工程と、
所定のパターンが転写された前記レジストを現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法であって、
前記レジストパターン形成工程は、
前記複数の半導体ウェーハを所定間隔で平行に収納可能なキャリアに前記半導体ウェーハを収納して、レジスト現像装置の回転体に支持されたクレイドルに当該キャリアを保持させるキャリア保持工程と、
前記キャリアを前記回転体の回転軸を中心に公転運動させながら、前記キャリアの公転運動における軌道の内側に配設された複数の内側スプレーノズルから当該軌道の外側に向かって現像液を噴射することによって前記半導体ウェーハに形成された前記レジストを現像するレジスト現像工程とをこの順序で含み、
前記複数の内側スプレーノズルを前記回転軸と垂直な側からみた場合に、前記公転運動の上手側を一方の側とし、前記公転運動の下手側を他方の側とするとき、
前記レジスト現像工程においては、前記複数の内側スプレーノズルのうち少なくとも1つの内側スプレーノズルから、前記現像液の噴射範囲のうち前記一方の側の噴射範囲を、前記一方の側ほど重力方向下側に、かつ、前記他方の側ほど重力方向上側に、前記回転軸に対して斜めに規定して前記現像液を噴射するレジスト現像方法を用いて前記レジストを現像することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015044087A JP6418531B2 (ja) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015044087A JP6418531B2 (ja) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016163037A JP2016163037A (ja) | 2016-09-05 |
JP6418531B2 true JP6418531B2 (ja) | 2018-11-07 |
Family
ID=56845483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015044087A Expired - Fee Related JP6418531B2 (ja) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6418531B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022086568A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 新東工業株式会社 | ノズル、現像装置及び被処理体の加工方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319911A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sony Corp | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
JP4423879B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2010-03-03 | 信越半導体株式会社 | 物品の自動搬送水切り装置および自動搬送水切り方法、並びに物品の自動洗浄装置及び自動洗浄方法 |
US20060131276A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Johnston Steven W | Uniformity in batch spray processing using independent cassette rotation |
JP4652250B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置、現像処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2012124309A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム |
JP5449116B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、これを備える現像塗布システム、および現像方法 |
JP5834406B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-12-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP6021608B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-11-09 | 新電元工業株式会社 | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-05 JP JP2015044087A patent/JP6418531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016163037A (ja) | 2016-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI377994B (en) | Coating apparatus, coating method and memory medium | |
TWI607294B (zh) | 顯像方法、顯像裝置及記憶媒體 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2018026477A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
JP4924467B2 (ja) | 処理装置及び洗浄方法並びに記憶媒体 | |
JP5317505B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6418531B2 (ja) | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP5308045B2 (ja) | 現像方法 | |
JP6021608B2 (ja) | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 | |
TW201629641A (zh) | 顯影方法 | |
JP2017191853A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
TW201808466A (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
TWI648767B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP5937028B2 (ja) | 現像処理方法、現像処理装置及び現像処理用記録媒体 | |
JP2007048814A (ja) | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI673115B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5961535B2 (ja) | 基板液処理方法、基板液処理システムおよび記憶媒体 | |
JP7136543B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI231950B (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method | |
JP6515827B2 (ja) | 基板処理方法、記憶媒体及び現像装置 | |
KR20060133411A (ko) | Ebr 설비의 웨이퍼 회전척 | |
CN115365085B (zh) | 涂布处理方法及涂布处理装置 | |
US11322384B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI682452B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
JPH11186123A (ja) | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6418531 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |