JP6414408B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)坩堝内にシリコン原料を充填する充填工程と、
前記充填工程で前記坩堝内に充填された前記シリコン原料を加熱して融解する融解工程と、
種結晶を、前記融解工程により生じたシリコン融液に浸漬した後引き上げる引き上げ工程と
を含む、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記充填工程が、
前記シリコン原料として、多溝性表面のポリシリコン原料を、粉砕、または切断したものである第1シリコン原料を、前記坩堝内の下部に充填する第1充填工程と、
前記シリコン原料として、非多溝性表面のポリシリコン原料を、粉砕、または切断したものである第2シリコン原料を、前記坩堝内で前記第1シリコン原料の上に充填する第2充填工程と
を含み、
前記第2充填工程において、前記第1シリコン原料を覆うように前記第2シリコン原料を、少なくとも10mmの層厚で充填し、
前記第2シリコン原料の層厚は、前記第1シリコン原料の上面と前記第2シリコン原料の上面との高さ方向の距離のうち最小のものである、シリコン単結晶の製造方法。
したがって、本発明の製造方法では、シリコン単結晶の製造コストを低減することができ、かつ、製造するシリコン単結晶に双晶が導入されにくい。
第1シリコン原料と、第2シリコン原料とを用意した。第1および第2シリコン原料は、上述の方法により、それぞれ、融解時の発泡性がある、または、ないことを確認した。
Claims (2)
- 坩堝内にシリコン原料を充填する充填工程と、
前記充填工程で前記坩堝内に充填された前記シリコン原料を加熱して融解する融解工程と、
種結晶を、前記融解工程により生じたシリコン融液に浸漬した後引き上げる引き上げ工程と
を含む、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記充填工程が、
前記シリコン原料として、多溝性表面のポリシリコン原料を、粉砕、または切断したものである第1シリコン原料を、前記坩堝内の下部に充填する第1充填工程と、
前記シリコン原料として、非多溝性表面のポリシリコン原料を、粉砕、または切断したものである第2シリコン原料を、前記坩堝内で前記第1シリコン原料の上に充填する第2充填工程と
を含み、
前記第2充填工程において、前記第1シリコン原料を覆うように前記第2シリコン原料を、少なくとも10mmの層厚で充填し、
前記第2シリコン原料の層厚は、前記第1シリコン原料の上面と前記第2シリコン原料の上面との高さ方向の距離のうち最小のものである、シリコン単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法であって、
前記充填工程において、前記シリコン原料における前記第1シリコン原料が占める割合を、90質量%以下とする、シリコン単結晶の製造方法。
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