JP6414159B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
10 :半導体基板
12 :表面電極
50 :ダイオード
51 :n型層
52 :p型層
53 :カソード電極
54 :アノード電極
55 :絶縁膜
56 :層間膜
57 :保護膜
58 :窒化シリコン層
150:ポリシリコン層
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に固定されたポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層に接する複数の窒化シリコン層、
を備えた半導体装置であって、
前記ポリシリコン層が、n型層と、前記n型層に接するp型層を備え、
前記n型層と前記p型層のそれぞれの内部に、前記窒化シリコン層が配置されており、
前記各窒化シリコン層の周囲全体が、前記ポリシリコン層によって覆われている、
半導体装置。 - 前記n型層と前記p型層が、前記半導体基板の温度を検出する温度検出ダイオードである請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上部に、n型層と前記n型層に接するp型層を備えるポリシリコン層と、前記ポリシリコン層に接する複数の水素含有層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層と前記水素含有層を加熱する工程、
を備え、
前記ポリシリコン層と前記水素含有層を形成する工程では、前記n型層と前記p型層のそれぞれの内部に前記水素含有層が配置され、前記各水素含有層の周囲全体が前記ポリシリコン層によって覆われるように、前記ポリシリコン層と前記水素含有層を形成する、
製造方法。
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