JP6408673B2 - 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
以下、図1乃至図6により、第1の実施の形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきである。
なお、ガイドピン52は、ガイドピン52の上面が、複数のウエハ支持部51により支持されるウエハWの上面よりも高い位置に位置するような高さを有している。
具体的には、ウエハ支持部51の傾斜面51B(図4、図5)の全体に亘ってウエハWのエッジが接することにより、ウエハWが支持される。
ウエハWの回転速度は、例えば500回転毎分(rpm)から2000rpmとなっている。このとき、回転シャフト23S内に設けられた供給管23Cから、ウエハWと回転プレート23Pとの間の空間に対して例えばDIWが供給される。
この後、ブラシ24は、アーム24Aが回動することにより、ウエハWのエッジに向かって移動していく。ウエハWの回転とブラシ24の移動とにより、ウエハWの全面にブラシ24が接するとともに、ブラシ24により除去されたパーティクルや不純物がDIWにより洗い流される。
ここで、ブラシ24による洗浄の間においても、レーザ光投光/受光部26aの動作は継続しており、基板検出部17aによるウエハWの有無の検出も継続している。したがって、洗浄処理の途中でウエハWが検出されなくなった場合においても、ブラシ24による洗浄を停止するように制御する。
ブラシ24が、ウエハWのエッジから外に移動した後、DIWの供給を停止するとともに、ウエハWの上面を乾燥させる。この後、ウエハWを搬入したときの手順と逆の手順により、ウエハWが筐体21の外へ搬出される。
次に図7および図8により本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に図9により第2の実施の形態の実験例について説明する。
表1に示すように、各基板W1それぞれについて、減衰率が15〜20%取れる。これらの値は、閾値を設けるためには十分な値であり(10%以上)、いずれの種別の基板を用いたとしても、ガラス基板W1の有無検知は可能となった。例えば、液処理装置が1.0mmのウエハWの有無検知を行う場合において、判断に用いる所定減衰率として、15%を設定することができる。
<変形例>
第2の実施の形態では、図7及び図8に示すように、かさ部28にリング状の再帰性反射シート30を設けた構成としたが、第1の実施形態の図6で示したかさ部28とリング状の再帰性反射シート30の配置の構成の装置において、第2の実施の形態と同様のガラス基板検知を実行するようにしても良い。また、第2の実施の形態の図7及び図8に示したかさ部28とリング状の再帰性反射シート30の配置の構成の装置において、第1の実施の形態と同様の基板検知を実行するようにしても良い。
次に図10乃至図13を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。
図11に示すように、回転プレート23Pの開口から外方へ露出する回転シャフト23Sの中央部上面にリング状の再帰性反射シート30が取付けられている。
また案内面521の内側に配置され、傾斜角度の小さな支持面522は、支持部材520上に載置されたウエハWがその自重によってほぼ水平に支持されるように支持部材520上でのウエハWの移動を案内する役割を果たす(図11参照)。このように、案内面521及び支持面522はウエハWを案内する機能を有するので、本実施形態では、図4及び図5等で示したガイドピン52を省略することができる。したがって、本実施形態のウエハ保持回転部23は、液処理実行中に処理液が衝突する部材を減少させることができ、液はね等によるウエハWへの影響を抑制することができる。
<他の実施の形態>
上記第1〜3の実施の形態では、レーザ光投光/受光部の位置はウエハWの表面に対して相対的に上方にあり、再帰性放射シートの位置はウエハWの表面に対して相対的に下方にある例を示したが、これに限らず、レーザ光投光/受光部を下方、再帰性放射シートを上方に配置しても、本発明を同様に適用することができる。また、上記第1〜3の実施の形態では、基板処理装置に含まれる液処理装置に対して本発明を適用した例を説明した。
しかし、これに限らず、例えば熱処理等の他の処理を行う基板処理装置に対しても、本発明を適用可能である。また、レーザ光投光/受光部は、一体に構成されているが、これに限らず、互いに分離されたレーザ光投光部と、レーザ光受光部とから構成しても良い。
23 ウエハ保持回転部
23P 回転プレート
23C 供給管
23S 回転シャフト
26a レーザ光投光/受光部
26b 支柱
28 かさ部
28a 開孔
29 開口
30 再帰性反射シート
W ウエハ
Claims (7)
- 基板を支持する基板支持部を有する基板保持部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方に、再帰性反射シートを配置し、 前記基板支持部により支持された前記基板の上方に、前記再帰性反射シートに対して斜め上方から一定の入射角をもつ入射光を投光する投光部と、前記再帰性反射シートから入射角と同一方向に反射する反射光を受光する受光部を設け、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて、基板検知部により前記基板の有無を検知し、
前記再帰性反射シートは、前記基板の下方に静止して設けられ、
前記基板保持部は、回転可能な回転板をさらに有し、
前記回転板を貫通して液体又は気体を供給する供給管が設けられ、
前記再帰性反射シートは、この供給管の上端部に供給管とともに設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板は半導体ウエハからなり、基板検知部は前記受光部からの反射光の強度と、予め定められた所定強度とを比較して半導体ウエハの有無を検出することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板はガラス基板からなり、
基板検知部は前記受光部からの反射光の強度とガラス基板の減衰率とに基づいてガラス基板の有無を検出することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 基板を支持する基板支持部を有する基板保持部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方に、再帰性反射シートを配置してなる基板処理装置の基板検知方法において、
前記再帰性反射シートに対して斜め上方から入射光を投光部により投光することと、
前記再帰性反射シートからの反射光を受光部により受光することと、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて基板検知部により前記基板の有無を検知することと、
を備え、
前記再帰性反射シートは、前記基板の下方に静止して設けられ、
前記基板保持部は、回転可能な回転板をさらに有し、
前記回転板を貫通して液体又は気体を供給する供給管が設けられ、
前記再帰性反射シートは、この供給管の上端部に供給管とともに設けられていることを特徴とする基板処理装置の基板検知方法。 - 前記基板は半導体ウエハからなり、基板検知部は前記受光部からの反射光の強度と、予め定められた所定強度とを比較して半導体ウエハの有無を検出することを特徴とする請求項4記載の基板処理装置の基板検知方法。
- 前記基板はガラス基板からなり、
基板検知部は前記受光部からの反射光の強度とガラス基板の減衰率とに基づいてガラス基板の有無を検出することを特徴とする請求項4記載の基板処理装置の基板検知方法。 - コンピュータに基板処理装置の基板検知方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
基板処理装置の基板検知方法は、
基板を支持する基板支持部を有する基板保持部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方に、再帰性反射シートを配置してなる基板処理装置の基板検知方法において、
前記再帰性反射シートに対して斜め上方から入射光を投光部により投光することと、
前記再帰性反射シートからの反射光を受光部により受光することと、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて基板検知部により前記基板の有無を検知することと、
を備え、
前記再帰性反射シートは、前記基板の下方に静止して設けられ、
前記基板保持部は、回転可能な回転板をさらに有し、
前記回転板を貫通して液体又は気体を供給する供給管が設けられ、
前記再帰性反射シートは、この供給管の上端部に供給管とともに設けられていることを特徴とする記憶媒体。
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